CN114336890B - 电池放电保护装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电池放电保护装置,包括第一PMOS管,所述第一PMOS管的源极接电池正极,所述第一PMOS管的漏极接所述电池输出端(OUT);包括栅极驱动单元,所述栅极驱动单元输出端接所述第一POMS管的栅极,所述栅极驱动单元根据所述电池输出端电压,控制所述第一PMOS管通断,包括电池掉电监测单元,所述电池掉电监测单元的输入端接电池正极,输出端接第一PMOS管的栅极;其中,当所述电池掉电监测单元检测到电池掉电时,控制所述第一PMOS管断开。本发明能够对电池进行有效保护,提高电池使用安全性能。

Description

电池放电保护装置
技术领域
本发明涉及一种电池放电保护装置。
背景技术
在使用电池的便携式小型电子设备中,电池放电保护越来越重要,这涉及使用者人生安全。如电子烟装置,其吊在嘴边使用,若吸烟时电池放电过程中异常,引起电池爆炸,会对使用者造成无法换回的损失。
发明内容
本发明的发明目的在于提供一种电池放电保护装置,能够对电池进行有效保护,提高电池使用安全性能。
实现本发明目的技术方案:
一种电池放电保护装置,第一PMOS管,所述第一PMOS管的源极接电池正极,所述第一PMOS管的漏极接所述电池输出端(OUT);
栅极驱动单元,所述栅极驱动单元输出端接所述第一POMS管的栅极,所述栅极驱动单元根据所述电池输出端电压,控制所述第一PMOS管通断。
电池掉电监测单元,所述电池掉电监测单元的输入端接电池正极,输出端接第一PMOS管的栅极;其中,当所述电池掉电监测单元检测到电池掉电时,控制所述第一PMOS管断开。
进一步地,包括保护状态释放控制单元,所述保护状态释放控制单元的输出端接栅极驱动单元第二输入端;当电池输出端(OUT)电压低于供电端(VDD)电压时,所述保护状态释放控制单元通过所述栅极驱动单元控制所述第一PMOS管间隔时间断开。
进一步地,包括电压比较单元,所述电压比较单元的输出端接保护状态释放控制单元输入端,用于对电池输出端(OUT)电压和供电端(VDD)电压比较;其中,当电池输出端(OUT)电压低于供电端(VDD)电压时,所述电压比较单元向所述保护状态释放控制单元输出高电平信号。
进一步地,包括退耦单元,所述退耦单元一端接供电端(VDD),另一端接电池正极。
进一步地,所述电池掉电监测单元包括第一二极管(D1)、第一电容(C1)以及第一三极管(Q1),第一二极管(D1)的阳极耦接电池的正极,第一二极管(D1)的阴极耦接第一电容(C1)的一端和第一三极管(Q1)的发射极,第一三极管(Q1)的集电极耦接第一PMOS管的栅极,第一三极管(Q1)的基极耦接电池的正极。
进一步地,包括欠压锁定单元,所述欠压锁定单元的输出端接栅极驱动单元第一输入端,其中,当所述欠压锁定单元检测到供电端(VDD)电压低于设定阈值时,向所述栅极驱动单元输出高电平信号,使所述栅极驱动单元控制所述第一PMOS管栅极电压接近供电端(VDD)电压。
进一步地,所述电池掉电监测单元包括第二二极管(D2)、第二电容(C2)以及第二PMOS管(P2),第二二极管(D2)的阳极耦接电池的正极,第二二极管(D2)的阴极耦接第二电容(C2)的一端和第二PMOS管(P2)的源极及其衬底,第二PMOS管(P2)的漏极耦接第一PMOS管的栅极,第二PMOS管(P2)的栅极耦接电池的正极。
进一步地,所述栅极驱动单元包含第一反向器至第四反向器(X31—X34)和第一与非门(X35)、第三PMOS管(P3)、第三NMOS管(N3)和第三电阻(R3),
第一反向器(X31)输入端接收欠压锁定单元输出信号(UVLO_P),
第二反向器(X32)输入端接收保护状态释放控制单元的输出信号(PRO_REL_N),
第一与非门(X35)输入端接收第一反向器(X31)和第二反向器(X32)的输出信号,
第三反向器(X33)和第四反向器(X34)输入端接收第一与非门(X35)的输出信号,
第三PMOS管(P3)的栅极耦接第三反向器(X33)的输出端,第三PMOS管(P3)的源极及其衬底耦接供电端(VDD),第三PMOS管(P3)的漏极耦接第三电阻(R3)的一端,并耦接第一PMOS管的栅极,
第三NMOS管(N3)的栅极耦接第四反向器(X34)的输出端,第三NMOS管(N3)的源极及其衬底接地,第三NMOS管(N3)的漏极耦接第三电阻(R3)的另一端。
进一步地,栅极驱动单元和电池掉电监测单元采用微控制单元MCU实现。
本发明具有的有益效果:
本发明包括第一PMOS管,所述第一PMOS管的源极接电池正极,所述第一PMOS管的漏极接所述电池输出端(OUT);包括栅极驱动单元,所述栅极驱动单元输出端接所述第一POMS管的栅极,所述栅极驱动单元根据所述电池输出端电压,控制所述第一PMOS管通断。当电池输出端电压出现异常时,通过栅极驱动单元控制第一PMOS管,中断电池输出,对电池进行有效保护,提高电池使用安全性能。
本发明包括电池掉电监测单元,所述电池掉电监测单元输入端接电池正极,输出端接第一PMOS管的栅极;所述电池掉电监测单元检测电池掉电时,所述电池掉电监测单元控制所述第一PMOS管断开。当电池掉电监测单元检测到电池掉电时,电池掉电监测单元通过控制第一PMOS管断开,避免第一PMOS管损伤,同时保护电池,提高电池使用安全性能。
本发明包括欠压锁定单元,所述欠压锁定单元输出端接栅极驱动单元第一输入端,所述欠压锁定单元检测供电端(VDD)电压低于设定阈值时,所述欠压锁定单元向所述栅极驱动单元输出高电平信号,所述栅极驱动单元控制所述第一PMOS管栅极电压接近供电端(VDD)电压,进而第一PMOS管关闭,对电池进行有效保护,提高电池使用安全性能。
本发明保护状态释放控制单元,所述保护状态释放控制单元输出端接栅极驱动单元第二输入端,电池输出端(OUT)电压低于供电端(VDD)电压时,所述保护状态释放控制单元通过所述栅极驱动单元控制所述第一PMOS管间隔时间断开,控制电池放电,保证电池处于正常使用状态。
附图说明
图1为本发明实施例一电路原理框图;
图2为本发明电池掉电监测单元电路原理图之一;
图3为本发明电池掉电监测单元电路原理图之二;
图4为本发明栅极驱动单元电路原理图;
图5为本发明电压比较单元电路原理图;
图6为本发明保护状态释放控制单元电路原理图;
图7为本发明实施例二电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图所示的各实施方式对本发明进行详细说明,但应当说明的是,这些实施方式并非对本发明的限制,本领域普通技术人员根据这些实施方式所作的功能、方法、或者结构上的等效变换或替代,均属于本发明的保护范围之内。
实施例一:
如图1所示,本发明电池放电保护装置包括第一PMOS管,所述第一PMOS管PMOS1的源极接电池正极B+,所述第一PMOS管的漏极接所述电池输出端OUT;包括栅极驱动单元103,所述栅极驱动单元103输出端接所述第一POMS管PMOS1的栅极,所述栅极驱动单元根据所述电池输出端电压,控制所述第一PMOS管PMOS1通断。
包括电池掉电监测单元(电池掉电检测及控制单元)101,所述电池掉电监测单元101输入端接电池正极,输出端接第一PMOS管PMOS1的栅极;所述电池掉电监测单元检测电池掉电时,所述电池掉电监测单元控制所述第一PMOS管PMOS1断开。
包括欠压锁定单元106,所述欠压锁定单元106输出端接栅极驱动单元103第一输入端,所述欠压锁定单元106检测供电端VDD电压低于设定阈值时,所述欠压锁定单元106向所述栅极驱动单元103输出高电平信号,所述栅极驱动单元103控制所述第一PMOS管PMOS1栅极电压接近供电端VDD电压。
包括保护状态释放控制单元105,所述保护状态释放控制单元105输出端接栅极驱动单元第二输入端,电池输出端OUT电压低于供电端VDD电压时,所述保护状态释放控制单元通过所述栅极驱动单元控制所述第一PMOS管PMOS1间隔时间断开。
包括电压比较单元104,所述电压比较单元104输出端接保护状态释放控制单元105输入端,所述电压比较单元104用于对电池输出端OUT电压和供电端VDD电压比较,电池输出端OUT电压低于供电端VDD电压时,所述电压比较单元104向所述保护状态释放控制单元105输出高电平信号。
包括退耦单元,所述退耦单元一端接供电端VDD,另一端接电池正极B+,所述供电端VDD是指对所述电池放电保护装置供电的供电端,退耦单元由电阻R和电容C组成。
如图2所示,电池掉电监测单元包括第一二极管D1、第一电容C1以及第一三极管Q1,第一二极管D1的阳极耦接电池的正极,第一二极管D1的阴极耦接第一电容C1的一端和第一三极管Q1的发射极,第一三极管Q1的集电极耦接第一PMOS管PMOS1的栅极,第一三极管Q1的基极耦接电池的正极。在第一PMOS管PMOS1正常导通工作,电池正极B+电压突然降低时,由于第一二极管D1和第一电容C1的存在,第一三极管Q1的发射极电位维持高,第一三极管Q1导通,第一PMOS管PMOS1的栅极电位被拉到高,第一PMOS管PMOS1关闭,有效保护第一PMOS管PMOS1不受损伤。
如图3所示,电池掉电监测单元还可以为另一电路,采用PMOS管替代图2电路中的三极管,工作原理同图2所示电路。具体包括第二二极管D2、第二电容C2以及第二PMOS管P2,第二二极管D2的阳极耦接电池的正极,第二二极管D2的阴极耦接第二电容C2的一端和第二PMOS管P2的源极及其衬底,第二PMOS管P2的漏极耦接第一PMOS管的栅极,第二PMOS管P2的栅极耦接电池的正极。
如图4所示,栅极驱动单元包含第一反向器至第四反向器X31—X34和第一与非门X35、第三PMOS管P3、第三NMOS管N3和第三电阻R3,
第一反向器X31输入端接收欠压锁定单元输出信号UVLO_P,第二反向器X32输入端接收保护状态释放控制单元的输出信号PRO_REL_N,第一与非门X35输入端接收第一反向器X31和第二反向器X32的输出信号,第三反向器X33和第四反向器X34输入端接收第一与非门X35的输出信号,第三PMOS管P3的栅极耦接第三反向器X33的输出端,第三PMOS管P3的源极及其衬底耦接供电端VDD,第三PMOS管P3的漏极耦接第三电阻R3的一端,并耦接第一PMOS管的栅极,第三NMOS管N3的栅极耦接第四反向器X34的输出端,第三NMOS管N3的源极及其衬底接地,第三NMOS管N3的漏极耦接第三电阻R3的另一端。欠压锁定单元检测供电端VDD电压低于设定阈值时,输出信号UVLO_P为高,驱动栅极驱动单元,使第一PMOS1管PMOS1的栅极电位接近于供电端VDD电压。欠压锁定单元输出信号UVLO_P为低时,第一PMOS1管PMOS1的栅极电位受保护状态释放控制单元的输出信号PRO_REL_N控制。
如图5所示,电压比较单元包括PMOS管P401—P403、NMOS管N401—N406、电阻R401—R402、反向器X401、斯密特触发器X402和微恒流源I401。PMOS管P401的源极及其衬底耦接供电端VDD,其栅极与MOS管N406的栅极、反相器X401的输入端耦接到开关信号ON/OFF。其漏极与PMOS管P402的栅极及其漏极、PMOS管P403的栅极、NMOS管N403的漏极耦接。PMOS管P402的源极及其衬底耦接电阻R401的一端,电阻R401的一端耦接到输出端OUT。PMOS管P403的源极及其衬底耦接电阻R402的一端,电阻R402的一端耦接到供电端VDD。其漏极与NMOS管N404和N405的漏极、斯密特触发器X402的输入端耦接。NMOS管N401的源极及其衬底耦接到地,其栅极与NMOS管N405的栅极、反相器X401的输出端耦接。其漏极与NMOS管N402的栅极及其漏极、NMOS管N403和N404的栅极、NMOS管N406的源极及其衬底耦接。NMOS管N406的漏极与微恒流源I401的一端耦接。微恒流源I401的另一端耦接供电端VDD。斯密特触发器X402的输出端耦接保护状态释放控制单元。电压比较单元对输出端OUT与供电端VDD电压进行比较,当输出端OUT电压低于供电端VDD电压时,输出高电平信号PRO给保护状态释放控制单元。
如图6所示,保护状态释放控制单元包含:反向器X500---X506、或门X507、或非门X508、与门X509、D触发器X510和延时单元X511。反相器X500的输入端接收电压比较单元输出信号PRO,其输出端耦接或门X507的的输入端。或门X507的另一输入端与反相器X501的输入端耦接到欠压锁定单元的输出端UVLO_P,其输出端耦接D触发器X510的RN复位端。反相器X501的输出端耦接反相器X502的输入端,反相器X502的输出端耦接反相器X503的输入端,反相器X503的输出端耦接反相器X504的输入端,反相器X504的输出端耦接D触发器X510的CLK输入端。D触发器X510的D输入端耦接供电端VDD,其Q输出端与延时单元X511的输入端、三输入与门X509的输入端耦接。D触发器X510的SN置位端与反相器X506的输入端、三输入与门X509的另一输入端,耦接到电压比较单元输出信号PRO。延时单元X511的输出端耦接反相器X505的输入端。反相器X505的输出端耦接三输入与门X509的另一输入端。二输入与非门X508的输入端分别接收反向器X506和三输入与门X509的输出信号。保护状态释放控制单元输出信号给栅极驱动单元。在输入信号PRO为高电平时,受CLK时钟上升沿触发,在一定间隔时间短暂关闭其输出信号。
实施例二:
如图7所示,包括第一PMOS管PMOS1,所述第一PMOS管的源极接电池正极,所述第一PMOS管PMOS1的漏极接所述电池输出端OUT;包括微控制单元MCU,所述微控制单元MCU输出端接第一PMOS管PMOS1的栅极,所述微控制单元MCU输入端接所述电池输出端OUT和供电端VDD;所述微控制单元MCU用于执行上述电池放电保护装置中的控制单元功能,所述控制单元是指栅极驱动单元,以及电池掉电监测单元、欠压锁定单元、保护状态释放控制单元或电压比较单元。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。

Claims (7)

1.一种电池放电保护装置,其特征在于,包括:
第一PMOS管,所述第一PMOS管的源极接电池正极,所述第一PMOS管的漏极接所述电池输出端(OUT);
栅极驱动单元,所述栅极驱动单元输出端接所述第一POMS管的栅极,所述栅极驱动单元根据所述电池输出端电压,控制所述第一PMOS管通断;
电池掉电监测单元,所述电池掉电监测单元的输入端接电池正极,输出端接第一PMOS管的栅极;其中,当所述电池掉电监测单元检测到电池掉电时,控制所述第一PMOS管断开;
包括保护状态释放控制单元,所述保护状态释放控制单元的输出端接栅极驱动单元第二输入端;当电池输出端(OUT)电压低于供电端(VDD)电压时,所述保护状态释放控制单元通过所述栅极驱动单元控制所述第一PMOS管间隔时间断开,所述供电端(VDD)是指对电池放电保护装置供电的供电端;
包括电压比较单元,所述电压比较单元的输出端接保护状态释放控制单元输入端,用于对电池输出端(OUT)电压和供电端(VDD)电压比较;其中,当电池输出端(OUT)电压低于供电端(VDD)电压时,所述电压比较单元向所述保护状态释放控制单元输出高电平信号。
2.根据权利要求1所述的电池放电保护装置,其特征在于:包括退耦单元,所述退耦单元一端接供电端(VDD),另一端接电池正极。
3.根据权利要求1所述的电池放电保护装置,其特征在于:所述电池掉电监测单元包括第一二极管(D1)、第一电容(C1)以及第一三极管(Q1),第一二极管(D1)的阳极耦接电池的正极,第一二极管(D1)的阴极耦接第一电容(C1)的一端和第一三极管(Q1)的发射极,第一三极管(Q1)的集电极耦接第一PMOS管的栅极,第一三极管(Q1)的基极耦接电池的正极。
4.根据权利要求1所述的电池放电保护装置,其特征在于:所述电池掉电监测单元包括第二二极管(D2)、第二电容(C2)以及第二PMOS管(P2),第二二极管(D2)的阳极耦接电池的正极,第二二极管(D2)的阴极耦接第二电容(C2)的一端和第二PMOS管(P2)的源极及其衬底,第二PMOS管(P2)的漏极耦接第一PMOS管的栅极,第二PMOS管(P2)的栅极耦接电池的正极。
5.根据权利要求1所述的电池放电保护装置,其特征在于:包括欠压锁定单元,所述欠压锁定单元的输出端接栅极驱动单元第一输入端,其中,当所述欠压锁定单元检测到供电端(VDD)电压低于设定阈值时,向所述栅极驱动单元输出高电平信号,使所述栅极驱动单元控制所述第一PMOS管栅极电压接近供电端(VDD)电压。
6.根据权利要求5所述的电池放电保护装置,其特征在于:所述栅极驱动单元包含第一反向器至第四反向器(X31—X34)和第一与非门(X35)、第三PMOS管(P3)、第三NMOS管(N3)和第三电阻(R3),
第一反向器(X31)输入端接收欠压锁定单元输出信号(UVLO_P),
第二反向器(X32)输入端接收保护状态释放控制单元的输出信号(PRO_REL_N),
第一与非门(X35)输入端接收第一反向器(X31)和第二反向器(X32)的输出信号,
第三反向器(X33)和第四反向器(X34)输入端接收第一与非门(X35)的输出信号,
第三PMOS管(P3)的栅极耦接第三反向器(X33)的输出端,第三PMOS管(P3)的源极及其衬底耦接供电端(VDD),第三PMOS管(P3)的漏极耦接第三电阻(R3)的一端,并耦接第一PMOS管的栅极,
第三NMOS管(N3)的栅极耦接第四反向器(X34)的输出端,第三NMOS管(N3)的源极及其衬底接地,第三NMOS管(N3)的漏极耦接第三电阻(R3)的另一端。
7.根据权利要求1所述的电池放电保护装置,其特征在于:栅极驱动单元和电池掉电监测单元采用微控制单元MCU实现。
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