CN114243237A - 低通滤波结构及滤波器 - Google Patents

Abstract

本申请涉及通信技术领域，提供一种低通滤波结构及滤波器，低通滤波结构包括：至少一个高阻抗段；第一低阻抗段，连接于高阻抗段；第二低阻抗段，连接于高阻抗段；第一导体附加部，连接于第一低阻抗段；以及第二导体附加部，连接于第二低阻抗段；其中，第一低阻抗段与高阻抗段相拼接，和/或，第一导体附加部与第一低阻抗段相拼接，以能够调节第一导体附加部相对于第二导体附加部的位置。本申请提供的低通滤波结构，可根据需要调节第一导体附加部与第二导体附加部之间的相对位置而调节低通滤波结构的性能，更利于采用本申请实施例提供的低通滤波结构的滤波器获得对应的滤波指标。

Description

低通滤波结构及滤波器

技术领域

本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种低通滤波结构及具有该低通滤波结构的滤波器。

背景技术

滤波器为频率选择装置。滤波器中存在需装配低通滤波结构的情况，以实现过滤信号的高频谐波和高频噪声，起高频抑制作用。

在实现本申请技术方案的创造过程中，发明人发现，相关技术中的低通滤波结构通常为一体成型的一体式结构，只能提前根据所需低通滤波结构的性能一次制造成型，制造后结构即无法进行调节，导致灵活度较低，滤波性能无法调节。

发明内容

本申请的一个目的在于提供一种低通滤波结构，以解决相关技术中的低通滤波结构为一体式结构而无法调节性能的技术问题。

为实现上述目的，本申请采用的技术方案是：提供一种低通滤波结构，所述低通滤波结构包括：至少一个高阻抗段；第一低阻抗段，所述第一低阻抗段连接于所述高阻抗段；第二低阻抗段，所述第二低阻抗段连接于所述高阻抗段，且所述第二低阻抗段与所述第一低阻抗段相间隔设置；第一导体附加部，所述第一导体附加部连接于所述第一低阻抗段；以及第二导体附加部，所述第二导体附加部连接于所述第二低阻抗段；其中，所述第一低阻抗段与所述高阻抗段相拼接，以能够调节所述第一导体附加部相对于所述第二导体附加部的位置；和/或，所述第一导体附加部与所述第一低阻抗段相拼接，以能够调节所述第一导体附加部相对于所述第二导体附加部的位置。

在一个实施例中，所述第一低阻抗段与所述高阻抗段相拼接；所述第一低阻抗段的端面上设有第一插接部，所述高阻抗段的端部设有第一插接配合部，所述第一插接部与所述第一插接配合部相插接配合。

在一个实施例中，所述第一低阻抗段与所述高阻抗段相拼接；所述第一低阻抗段上开设有第一螺纹孔，所述高阻抗段的外表面设置有第一外螺纹结构，所述第一外螺纹结构与所述第一螺纹孔相螺纹配合。

在一个实施例中，所述第一低阻抗段与所述高阻抗段相拼接；所述第一低阻抗段上开设有第一通孔，所述高阻抗段穿设于所述第一通孔。

在一个实施例中，所述低通滤波结构包括第一固定结构，所述第一固定结构套设于所述高阻抗段并抵接于所述第一低阻抗段的一端；和/或，所述低通滤波结构包括第二固定结构，所述第二固定结构套设于所述高阻抗段并抵接于所述第一低阻抗段的另一端。

在一个实施例中，所述第一导体附加部与所述第一低阻抗段相拼接；所述第一导体附加部上设有第一插接结构，所述第一低阻抗段上设有第一插接配合结构，所述第一插接结构与所述第一插接配合结构相插接配合。

在一个实施例中，所述第一导体附加部与所述第一低阻抗段相拼接；所述第一导体附加部上设有第一卡合结构，所述第一低阻抗段上设有第一卡合配合结构，所述第一卡合结构与所述第一卡合配合结构相卡合配合。

在一个实施例中，所述第二低阻抗段与所述高阻抗段相拼接，以能够调节所述第二导体附加部相对于所述第一导体附加部的位置；和/或，所述第二导体附加部与所述第二低阻抗段相拼接，以能够调节所述第二导体附加部相对于所述第一导体附加部的位置。

在一个实施例中，所述第二低阻抗段与所述高阻抗段相拼接；所述第二低阻抗段的端面上设有第二插接部，所述高阻抗段的端部设有第二插接配合部，所述第二插接部与所述第二插接配合部相插接配合。

在一个实施例中，所述第二低阻抗段与所述高阻抗段相拼接；所述第二低阻抗段上开设有第二螺纹孔，所述高阻抗段的外表面设置有第二外螺纹结构，所述第二外螺纹结构与所述第二螺纹孔相螺纹配合。

在一个实施例中，所述第二低阻抗段与所述高阻抗段相拼接；所述第二低阻抗段上开设有第二通孔，所述高阻抗段穿设于所述第二通孔。

在一个实施例中，所述第二导体附加部与所述第二低阻抗段相拼接；所述第二导体附加部上设有第二插接结构，所述第二低阻抗段上设有第二插接配合结构，所述第二插接结构与所述第二插接配合结构相插接配合。

在一个实施例中，所述第二导体附加部与所述第二低阻抗段相拼接；所述第二导体附加部上设有第二卡合结构，所述第二低阻抗段上设有第二卡合配合结构，所述第二卡合结构与所述第二卡合配合结构相卡合配合。

在一个实施例中，所述第一导体附加部包括：第一电容加载部，所述第一电容加载部位于所述第一低阻抗段的外围，且所述第一电容加载部与所述第一低阻抗段之间形成有第一间隙；以及第一导体连接部，所述第一导体连接部连接于所述第一低阻抗段与所述第一电容加载部；其中，所述第一低阻抗段与所述高阻抗段相拼接，以能够调节所述第一导体连接部相对于所述第二导体附加部的位置；和/或，所述第一导体连接部与所述第一低阻抗段相拼接，以能够调节所述第一导体连接部相对于所述第二导体附加部的位置；和/或，所述第二低阻抗段与所述高阻抗段相拼接，以能够调节所述第二导体附加部相对于所述第一导体连接部的位置；和/或，所述第二导体附加部与所述第二低阻抗段相拼接，以能够调节所述第二导体附加部相对于所述第一导体连接部的位置。

在一个实施例中，所述第二导体附加部包括：第二电容加载部，所述第二电容加载部位于所述第二低阻抗段的外围，且所述第二电容加载部与所述第二低阻抗段之间形成有第二间隙；以及第二导体连接部，所述第二导体连接部连接于所述第二低阻抗段与所述第二电容加载部；其中，所述第一低阻抗段与所述高阻抗段相拼接，以能够调节所述第一导体连接部相对于所述第二导体连接部的位置；和/或，所述第一导体连接部与所述第一低阻抗段相拼接，以能够调节所述第一导体连接部相对于所述第二导体连接部的位置；和/或，所述第二低阻抗段与所述高阻抗段相拼接，以能够调节所述第二导体连接部相对于所述第一导体连接部的位置；和/或，所述第二导体连接部与所述第二低阻抗段相拼接，以能够调节所述第二导体连接部相对于所述第一导体连接部的位置。

在一个实施例中，所述第一电容加载部为周向封闭的环形结构，所述第一电容加载部环绕于所述第一低阻抗段；或，所述第一电容加载部为具有缺口的环形结构，所述第一电容加载部环绕于所述第一低阻抗段。

在一个实施例中，所述第二电容加载部为周向封闭的环形结构，所述第二电容加载部环绕于所述第二低阻抗段；或，所述第二电容加载部为具有缺口的环形结构，所述第二电容加载部环绕于所述第二低阻抗段。

在一个实施例中，所述第一电容加载部与所述第一低阻抗段同轴设置。

在一个实施例中，所述第一导体连接部的厚度与所述第一低阻抗段的厚度相同，所述第一导体连接部相对设置的两个端面分别与所述第一低阻抗段相对设置的两个端面处于同一平面；和/或，所述第一导体连接部的厚度与所述第一电容加载部的厚度相同，所述第一导体连接部相对设置的两个端面分别与所述第一电容加载部相对设置的两个端面处于同一平面。

在一个实施例中，所述第二电容加载部与所述第二低阻抗段同轴设置。

在一个实施例中，所述第二导体连接部的厚度与所述第二低阻抗段的厚度相同，所述第二导体连接部相对设置的两个端面分别与所述第二低阻抗段相对设置的两个端面处于同一平面；和/或，所述第二导体连接部的厚度与所述第二电容加载部的厚度相同，所述第二导体连接部相对设置的两个端面分别与所述第二电容加载部相对设置的两个端面处于同一平面。

在一个实施例中，所述第一电容加载部的内径与所述第二电容加载部的内径相同。

在一个实施例中，所述第一电容加载部的内径大于或小于所述第二电容加载部的内径。

在一个实施例中，所述第一导体连接部位于所述第一低阻抗段与所述第一电容加载部之间。

在一个实施例中，所述第二导体连接部位于所述第二低阻抗段与所述第二电容加载部之间。

在一个实施例中，所述第一低阻抗段与所述第二低阻抗段同轴设置；沿所述第一低阻抗段和所述第二低阻抗段的轴线方向的投影，所述第一导体连接部的投影的至少部分与所述第二导体连接部的投影不相重合。

在一个实施例中，所述第一低阻抗段的横截面积和所述第二低阻抗段的横截面积均大于所述高阻抗段的横截面积；所述第一低阻抗段的阻抗和所述第二低阻抗段的阻抗均小于所述高阻抗段的阻抗。

在一个实施例中，所述第一低阻抗段和所述第二低阻抗段均为金属柱状结构，所述高阻抗段为金属杆状结构，所述第一低阻抗段的外径和所述第二低阻抗段的外径均大于所述高阻抗段的外径。

在一个实施例中，所述第一低阻抗段的厚度大于或小于所述第二低阻抗段的厚度。

在一个实施例中，所述第一低阻抗段的横截面积大于或小于所述第二低阻抗段的横截面积。

在一个实施例中，所述高阻抗段的数量为至少两个，至少一所述高阻抗段的横截面积大于或小于其他所述高阻抗段的横截面积。

在一个实施例中，所述第一低阻抗段、所述第二低阻抗段以及所述高阻抗段同轴设置。

在一个实施例中，所述第一低阻抗段和所述第二低阻抗段连接于同一所述高阻抗段。

在一个实施例中，所述高阻抗段的数量为至少两个；所述低通滤波结构包括第三低阻抗段，所述第三低阻抗段连接于所述高阻抗段；所述第一低阻抗段与所述第二低阻抗段相邻设置，且所述第一低阻抗段与所述第二低阻抗段之间设有一所述高阻抗段，所述第三低阻抗段与所述第一低阻抗段或所述第二低阻抗段之间设有一所述高阻抗段；或，所述第三低阻抗段位于所述第一低阻抗段与所述第二低阻抗段之间，所述第三低阻抗段与所述第一低阻抗段之间设有一所述高阻抗段，所述第三低阻抗段与所述第二低阻抗段之间设有一所述高阻抗段。

本申请的另一目的在于提供一种滤波器，所述滤波器包括：腔体，所述腔体具有安置槽；上述任一实施例所述的低通滤波结构；以及绝缘结构，所述低通滤波结构通过所述绝缘结构设置于所述安置槽中。

本申请实施例中上述的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

本申请实施例提供的低通滤波结构，通过设置至少一个高阻抗段、连接于高阻抗段并相间隔设置的第一低阻抗段和第二低阻抗段，可实现基本的低通滤波作用；并通过设置连接于第一低阻抗段的第一导体附加部和连接于第二低阻抗段的第二导体附加部，而且，第一低阻抗段与高阻抗段相拼接以能够调节第一导体附加部相对于第二导体附加部的位置，和/或，第一导体附加部与第一低阻抗段相拼接以能够调节第一导体附加部相对于第二导体附加部的位置；因此，由于第一低阻抗段与高阻抗段相拼接而可通过调节第一低阻抗段相对于高阻抗段发生移动，第一低阻抗段移动即可带动第一导体附加部移动，即可改变第一导体附加部相对于第二导体附加部的位置；和/或，由于第一导体附加部与第一低阻抗段相拼接而可通过调节第一导体附加部相对于第一低阻抗段发生移动，即可改变第一导体附加部相对于第二导体附加部的位置；而第一导体附加部与第二导体附加部的相对位置发生改变，即会使低通滤波结构的整体结构发生改变，即可使低通滤波结构的性能发生改变，因此可根据需要调节第一导体附加部与第二导体附加部之间的相对位置而调节低通滤波结构的性能，使低通滤波结构具有可调节性，更加灵活，更利于采用本申请实施例提供的低通滤波结构的滤波器获得对应的滤波指标。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的低通滤波结构的结构示意图；

图2为图1中A-A方向的剖视结构示意图；

图3为图1中的低通滤波结构的分解结构示意图；

图4为图1中B-B方向的剖视结构示意图；

图5为本申请另一实施例提供的低通滤波结构的截面示意图；

图6为本申请另一实施例提供的低通滤波结构的截面示意图；

图7为本申请实施例提供的低通滤波结构(第一导体连接部与第二导体连接部相错开时)的结构示意图；

图8为本申请实施例提供的第一低阻抗段与第一导体附加部相配合的结构示意图；

图9为本申请另一实施例提供的第一低阻抗段与第一导体附加部相配合的结构示意图；

图10为本申请实施例提供的滤波器的结构示意图；

图11为图10中的滤波器的分解结构示意图；

图12为图10中的滤波器的幅频特性曲线图。

其中，图中各附图标记：

10、低通滤波结构；11、高阻抗段；12、第一低阻抗段；13、第二低阻抗段；14、第一导体附加部； 15、第二导体附加部；121、第一插接部；111、第一插接配合部；122、第一螺纹孔；112、第一外螺纹结构；123、第一通孔；16、第一固定结构；17、第二固定结构；1401、第一插接结构；1201、第一插接配合结构；1402、第一卡合结构；1202、第一卡合配合结构；131、第二插接部；113、第二插接配合部； 132、第二螺纹孔；114、第二外螺纹结构；133、第二通孔；141、第一电容加载部；101、第一间隙；142、第一导体连接部；151、第二电容加载部；102、第二间隙；152、第二导体连接部；18、第三低阻抗段； 19、第三导体附加部；110、信号输入段；120、信号输出段；191、第三电容加载部；192、第三导体连接部；103、第三间隙；

100、滤波器；20、腔体；30、绝缘结构。

具体实施方式

下面详细描述本申请的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本申请，而不能理解为对本申请的限制。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

滤波器为频率选择装置，用于容许通带频率范围内的信号通过而抑制通带频率范围之外的无用频率信号。滤波器中存在需装配低通滤波结构的情况，以实现过滤信号的高频谐波和高频噪声，起高频抑制作用。

在实现本申请技术方案的创造过程中，发明人发现，相关技术中的低通滤波结构通常为一体成型的一体式结构，只能提前根据所需低通滤波结构的性能一次制造成型，制造后的低通滤波结构的结构即固定而无法调节，导致灵活度较低，滤波性能无法调节；因此需针对不同的性能需求而加工制造出不同尺寸和结构的多个低通滤波结构，导致成本较高。而且由于低通滤波结构一次加工制造后结构即固定而无法调节，因此对低通滤波结构的加工精度要求较高，加工难度较大，加工制造成本较高。

基于此，为解决相关技术中的低通滤波结构为一体式结构而无法调节性能的技术问题，发明人提出了以下方案。

请参阅图1至图3，图7和图8，本申请实施例提供了一种低通滤波结构10，应用于滤波器上。低通滤波结构10包括高阻抗段11、第一低阻抗段12、第二低阻抗段13、第一导体附加部14以及第二导体附加部15，其中：

高阻抗段11的数量为至少一个，可以是一个、两个、三个或三个以上。

第一低阻抗段12连接于高阻抗段11。第二低阻抗段13连接于高阻抗段11，且第二低阻抗段13与第一低阻抗段12相间隔设置。第一低阻抗段12、第二低阻抗段13及高阻抗段11之间即电性导通，以形成具有基本的低通滤波性能的低通结构。第一低阻抗段12和第二低阻抗段13可以连接于同一高阻抗段 11，也可以分别连接于不同的高阻抗段11。第二低阻抗段13与第一低阻抗段12可以相邻设置(图1中即示例性地示出了第二低阻抗段13与第一低阻抗段12相邻设置的情况)，也可以不相邻设置(例如，在第二低阻抗段13与第一低阻抗段12之间还存在一个或多个低通滤波结构10的其他低阻抗段)。

第一导体附加部14连接于第一低阻抗段12。可以理解，第一导体附加部14为采用导体材料制成的结构，附加于第一低阻抗段12上。

第二导体附加部15连接于第二低阻抗段13。可以理解，第二导体附加部15为采用导体材料制成的结构，附加于第二低阻抗段13上。

其中，第一低阻抗段12与高阻抗段11相拼接(即第一低阻抗段12与高阻抗段11分体成型而相装配，可以采用各种可调节的装配连接方式)，以能够调节第一导体附加部14相对于第二导体附加部15 的位置，即，使第一导体附加部14与第二导体附加部15的相对位置发生改变，以改变低通滤波结构10 的结构而改变低通滤波结构10的滤波性能。和/或，第一导体附加部14与第一低阻抗段12相拼接(即第一导体附加部14与第一低阻抗段12分体成型而相装配，可以采用各种可调节的装配连接方式)，以能够调节第一导体附加部14相对于第二导体附加部15的位置，即，使第一导体附加部14与第二导体附加部15的相对位置发生改变，以改变低通滤波结构10的结构而改变低通滤波结构10的滤波性能。可以仅第一低阻抗段12与高阻抗段11相拼接(此时第一导体附加部14与第一低阻抗段12可以为一体成型的一体式结构)，也可以仅第一导体附加部14与第一低阻抗段12相拼接(此时第一低阻抗段12与高阻抗段11可以为一体成型的一体式结构)，也可以第一低阻抗段12与高阻抗段11相拼接的同时第一导体附加部14与第一低阻抗段12也相拼接，该三种方式均能够调节第一导体附加部14相对于第二导体附加部 15的位置。

可以理解，第一导体附加部14可以是各种形状的结构件，第二导体附加部15也可以是各种形状的结构件，但第一导体附加部14与第二导体附加部15之间的相对位置应能够发生改变而使低通滤波结构 10的整体结构发生改变。例如，第一导体附加部14可以是凸出于第一低阻抗段12的凸出结构(例如凸条、凸柱等，但不限于此)，也可以是设于第一低阻抗段12的外围且第一导体附加部14的至少部分与第一低阻抗段12之间形成有间隙的结构(例如环状结构、弯折结构、弧形结构等，但不限于此)，但不限于此。例如，第二导体附加部15可以是凸出于第二低阻抗段13的凸出结构(例如凸条、凸柱等，但不限于此)，也可以是设于第二低阻抗段13的外围且第二导体附加部15的至少部分与第二低阻抗段13 之间形成有间隙的结构(例如环状结构、弯折结构、弧形结构等，但不限于此)，但不限于此。

可以理解，高阻抗段和低阻抗段为低通实现低通滤波作用的基本组成单元。高阻抗段11可以采用现有技术中的任意一种低通的高阻抗段的结构或对现有技术中的低通的高阻抗段的结构进行改进之后的结构，例如可以是杆状结构、片状结构、板状结构、条状结构等，但不限于此。第一低阻抗段12和第二低阻抗段13可以采用现有技术中的任意一种低通的低阻抗段的结构或对现有技术中的低通的低阻抗段的结构进行改进之后的结构，例如可以是盘状结构、块状结构、柱状结构、框形结构等，但不限于此。第一低阻抗段12的结构与第二低阻抗段13的结构可以相同，也可以不相同。高阻抗段11的阻抗大于第一低阻抗段12的阻抗和第二低阻抗段13的阻抗。

本申请实施例提供的低通滤波结构10，通过设置至少一个高阻抗段11、连接于高阻抗段11并相间隔设置的第一低阻抗段12和第二低阻抗段13，可实现基本的低通滤波作用；并通过设置连接于第一低阻抗段12的第一导体附加部14和连接于第二低阻抗段13的第二导体附加部15；而且，第一低阻抗段12 与高阻抗段11相拼接以能够调节第一导体附加部14相对于第二导体附加部15的位置，和/或，第一导体附加部14与第一低阻抗段12相拼接以能够调节第一导体附加部14相对于第二导体附加部15的位置；因此，由于第一低阻抗段12与高阻抗段11相拼接而可通过调节第一低阻抗段12相对于高阻抗段11发生移动，第一低阻抗段12移动即可带动连接于其上的第一导体附加部14移动，即可改变第一导体附加部14相对于第二导体附加部15的位置(图1中即示例性地示出了第一导体附加部14相对于第二导体附加部15的位置发生变化之前的情况，图7中即示例性地示出了第一导体附加部14相对于第二导体附加部15的位置发生变化之后的情况)；和/或，由于第一导体附加部14与第一低阻抗段12相拼接而可通过调节第一导体附加部14相对于第一低阻抗段12发生移动，即可改变第一导体附加部14相对于第二导体附加部15的位置；而第一导体附加部14与第二导体附加部15的相对位置发生改变，即会使低通滤波结构10的整体结构发生改变，即可使低通滤波结构10的滤波性能发生改变，因此可根据需要调节第一导体附加部14与第二导体附加部15之间的相对位置而调节低通滤波结构10的滤波性能，使得低通滤波结构10具有可调节性，更加灵活，更利于采用本申请实施例提供的低通滤波结构10的滤波器获得对应的滤波指标，适用性广。

并且，由于第一低阻抗段12与高阻抗段11相拼接，和/或，第一导体附加部14与第一低阻抗段12 相拼接，不仅可通过调节第一导体附加部14与第二导体附加部15之间的相对位置而调节低通滤波结构 10的滤波性能，还可根据滤波器所需的滤波指标而选择第一低阻抗段12和高阻抗段11的数量以形成不同节数的低通滤波结构10，以及可根据需要更换不同尺寸和形状的第一低阻抗段12、高阻抗段11及第一导体附加部14；且可分别加工第一低阻抗段12和高阻抗段11，之后再根据需要而选择性进行组装，更加灵活，无需一体加工制作整体的低通滤波结构，利于分体加工，加工制造更加便捷，可降低加工难度，且由于低通滤波结构10自身具有可调节性，具有一定的调节余量，可减小加工精度要求，进而利于降低成本和报废率。另外，当第一导体附加部14与第一低阻抗段12相拼接时，可根据需要选择是否拆卸第一导体附加部14，当低通滤波结构10在拆卸第一导体附加部14后可作为具有低通滤波作用的低通使用。

第一低阻抗段12与高阻抗段11相拼接而能够调节第一导体附加部14相对于第二导体附加部15的位置的拼接方式具有多种，下面将示例性地进行介绍，但不局限于以下方式。

在一个实施例中，请参阅图1、图3和图4，第一低阻抗段12的端面上设有第一插接部121，高阻抗段11的端部设有第一插接配合部111，第一插接部121与第一插接配合部111相插接配合。可选地，第一插接部121可以是凹进结构(例如孔、槽等)，第一插接配合部111可以是凸出结构(例如凸柱、凸台、凸起等)，图3和图4中即示例性地示出了该种情况。其中，第一插接配合部111的横截面积(垂直于第一插接配合部111轴线方向或长度方向的截面面积或断面面积)可以与高阻抗段11的横截面积(垂直于高阻抗段11轴线方向或长度方向的截面面积或断面面积)相同，此时第一插接配合部111可以视为高阻抗段11自身的一部分。当然，第一插接配合部111的横截面积也可以小于高阻抗段11的横截面积，此时两者可形成台阶结构，图3和图4中即示例性地示出了该种情况。可选地，第一插接部121可以是凸出结构(例如凸柱、凸台、凸起等)，第一插接配合部111可以是凹进结构(例如孔、槽等)。可选地，第一插接部121与第一插接配合部111可以过盈配合或过渡配合。

如此设置，由于第一插接部121与第一插接配合部111相插接配合，使得第一低阻抗段12能够相对于高阻抗段11发生移动(例如，可通过转动第一低阻抗段12而将第一导体附加部14调整至所需位置之后再使第一插接部121与第一插接配合部111相插接，或者，第一插接部121与第一插接配合部111相插接时即使第一低阻抗段12与高阻抗段11相对转动而调整第一导体附加部14至所需位置)，从而可使第一低阻抗段12带动其上设置的第一导体附加部14移动，以改变第一导体附加部14相对于第二导体附加部15的位置，进而改变低通滤波结构10的整体结构及滤波性能。而且，第一插接部121与第一插接配合部111相插接配合，还可通过调整插接深度而调节第一低阻抗段12与第二低阻抗段13之间的距离，进而调节低通滤波结构10的性能。

可选地，第一低阻抗段12的端面上可以设有一个或多个第一插接部121，高阻抗段11的端部可以设有一个或多个第一插接配合部111，具体可根据需要进行设置。

在另一个实施例中，请参阅图5，第一低阻抗段12上开设有第一螺纹孔122，高阻抗段11的外表面设置有第一外螺纹结构112，第一外螺纹结构112与第一螺纹孔122相螺纹配合。可选地，第一螺纹孔 122可以是盲孔或通孔。可选地，高阻抗段11可以仅外表面局部(例如高阻抗段11的一端)设置第一外螺纹结构112，也可以外表面全部设置第一外螺纹结构112，具体可根据需要进行设置。

如此设置，高阻抗段11即可通过第一外螺纹结构112而旋入第一低阻抗段12上的第一螺纹孔122，第一低阻抗段12即可相对于高阻抗段11发生旋转，从而可带动其上设置的第一导体附加部14旋转，以改变第一导体附加部14相对于第二导体附加部15的位置，进而改变低通滤波结构10的整体结构及滤波性能。而且，第一外螺纹结构112与第一螺纹孔122相螺纹配合，还可通过调整螺纹旋合深度而调节第一低阻抗段12与第二低阻抗段13之间的距离，进而调节低通滤波结构10的性能。

在另一个实施例中，请参阅图6，第一低阻抗段12上开设有第一通孔123，高阻抗段11穿设于第一通孔123。可选地，高阻抗段11与第一通孔123可以过盈配合或过渡配合。

如此设置，由于高阻抗段11穿设于第一低阻抗段12上的第一通孔123，第一低阻抗段12即可相对于高阻抗段11发生旋转，从而可带动其上设置的第一导体附加部14旋转，以改变第一导体附加部14相对于第二导体附加部15的位置，进而改变低通滤波结构10的整体结构及滤波性能。

为降低第一低阻抗段12相对于高阻抗段11发生移动的可能性，提高两者相配合的稳定性。在一个实施例中，请参阅图5和图6，低通滤波结构10包括第一固定结构16，第一固定结构16套设于高阻抗段11并抵接于第一低阻抗段12的一端。其中，第一固定结构16可以是具有缺口的环状结构，可通过缺口而套设于高阻抗段11；当然，第一固定结构16也可以是周向封闭的环状结构，此时可从高阻抗段11 的端部而套设于高阻抗段11。低通滤波结构10包括第二固定结构17，第二固定结构17套设于高阻抗段 11并抵接于第一低阻抗段12的另一端。其中，第二固定结构17可以是具有缺口的环状结构，可通过缺口而套设于高阻抗段11；当然，第二固定结构17也可以是周向封闭的环状结构，此时可从高阻抗段11 的端部而套设于高阻抗段11。可选地，第一固定结构16可以是绝缘材料制成的结构件，例如可以采用橡胶、塑料等绝缘材料，但不限于此，第二固定结构17可以是绝缘材料制成的结构件，例如可以采用橡胶、塑料等绝缘材料，但不限于此。可选地，第一固定结构16可以与高阻抗段11过盈配合或过渡配合，第二固定结构17可以与高阻抗段11过盈配合或过渡配合。

如此设置，第一固定结构16和第二固定结构17可分别从第一低阻抗段12的相对两端抵接于第一低阻抗段12，以避免第一低阻抗段12相对高阻抗段11发生平移或偏转，提高两者相拼接的稳固性。

需要说明的是，在其他一些实施方式中，也可以仅设置第一固定结构16，或者仅设置第二固定结构 17，即仅设置一个固定结构。在其他一些实施方式中，也可以不设置第一固定结构16和第二固定结构17。当然，在其他一些实施方式中，也可以采用其他结构限制第一低阻抗段12与高阻抗段11发生相对移动；例如，高阻抗段11上可以凸设有连接结构，可通过螺钉、螺栓等紧固件将连接结构与第一低阻抗段12 相连接，但不限于此。例如，在根据所需低通滤波结构10的结构而将第一低阻抗段12与高阻抗段11相拼接后，可采用焊接的方式(例如点焊)使第一低阻抗段12与高阻抗段11相固定。

第一导体附加部14与第一低阻抗段12相拼接而能够调节第一导体附加部14相对于第二导体附加部 15的位置的拼接方式具有多种，下面将示例性地进行介绍，但不局限于以下方式。

在一个实施例中，请参阅图8，第一导体附加部14上设有第一插接结构1401，第一低阻抗段12上设有第一插接配合结构1201，第一插接结构1401与第一插接配合结构1201相插接配合。可选地，第一插接部121与第一插接配合部111可以过盈配合或过渡配合。

如此设置，第一导体附加部14可通过第一插接结构1401与第一低阻抗段12上的第一插接配合结构 1201相插接，可通过设置第一插接结构1401在不同的位置与第一插接配合结构1201相插接而改变第一导体附加部14相对于第一低阻抗段12的位置，即可改变第一导体附加部14相对于第二导体附加部15 的位置，进而改变低通滤波结构10的整体结构及滤波性能。

可选地，请参阅图8，第一插接结构1401可以是凸出结构(例如凸柱、凸台、凸起等)，第一插接配合结构1201可以是凹进结构(例如孔、槽等)。例如，第一插接配合结构1201可以包括沿第一低阻抗段12的周向外表面设置的多个插孔(图8即示例性地示出了该种情况)，或者第一插接配合结构1201 可以包括沿第一低阻抗段12的端面的周向外缘设置的多个插孔，通过将第一插接结构1401插入于不同位置的插孔中即可改变第一导体附加部14相对于第一低阻抗段12的位置。

可选地，第一插接结构1401可以是凹进结构(例如孔、槽等)，第一插接配合结构1201可以是凸出结构(例如凸柱、凸台、凸起等)。例如，第一插接结构1401可以包括沿第一导体附加部14自身长度方向或周向设置的多个插孔，通过将第一插接配合结构1201插接于不同位置的插孔中即可改变第一导体附加部14相对于第一低阻抗段12的位置。例如，第一插接配合结构1201可以包括沿第一低阻抗段12 的周向外表面设置的多个凸起，通过使第一插接配合结构1201与不同位置的凸起相插接即可改变第一导体附加部14相对于第一低阻抗段12的位置。

在另一个实施例中，请参阅图9，第一导体附加部14上设有第一卡合结构1402，第一低阻抗段12 上设有第一卡合配合结构1202，第一卡合结构1402与第一卡合配合结构1202相卡合配合。第一卡合结构1402可以是各种形状的卡合结构，第一卡合配合结构1202可以是各种形状的卡合配合结构。

如此设置，第一导体附加部14可通过第一卡合结构1402与第一低阻抗段12上的第一卡合配合结构 1202相卡合配合，可通过设置第一卡合结构1402在不同的位置与第一卡合配合结构1202相卡合而改变第一导体附加部14相对于第一低阻抗段12的位置，即可改变第一导体附加部14相对于第二导体附加部 15的位置，进而改变低通滤波结构10的整体结构及滤波性能。

可选地，请参阅图9，第一卡合结构1402可以是凸起结构(例如凸块、凸条等，但不限于此)，第一卡合配合结构1202可以是卡槽结构。例如，卡槽结构可以包括沿第一低阻抗段12的周向外表面设置的多个卡槽(图9中即示例性地示出了该种情况)，通过将第一卡合结构1402卡合于不同位置的卡槽中即可改变第一导体附加部14相对于第一低阻抗段12的位置。

可选地，第一卡合结构1402可以是卡槽结构，第一卡合配合结构1202可以是凸起结构(例如凸块、凸条等，但不限于此)。例如，凸起结构可以包括沿第一低阻抗段12的周向外表面设置的多个凸条，通过使第一卡合结构1402卡合于不同位置的凸条即可改变第一导体附加部14相对于第一低阻抗段12的位置。

除了使第一低阻抗段12与高阻抗段11相拼接，或者使第一导体附加部14与第一低阻抗段12相拼接，以使第一导体附加部14主动移动而调节相对于第二导体附加部15的位置之外。也可以使第二导体附加部15主动移动而调节相对于第一导体附加部14的位置。

在一个实施例中，请参阅图1、图3和图4，第二低阻抗段13与高阻抗段11相拼接，以能够调节第二导体附加部15相对于第一导体附加部14的位置。和/或，第二导体附加部15与第二低阻抗段13相拼接，以能够调节第二导体附加部15相对于第一导体附加部14的位置。可以仅第二低阻抗段13与高阻抗段11相拼接，也可以仅第二导体附加部15与第二低阻抗段13相拼接，也可以在第二低阻抗段13与高阻抗段11相拼接的同时第二导体附加部15与第二低阻抗段13也相拼接。其中，第二低阻抗段13与高阻抗段11相拼接的方式可以采用上述任一实施例中的第一低阻抗段12与高阻抗段11相拼接的方式。第二导体附加部15与第二低阻抗段13相拼接的方式可以采用上述任一实施例中的第一导体附加部14与第一低阻抗段12相拼接的方式。

第二低阻抗段13与高阻抗段11相拼接而能够调节第二导体附加部15相对于第一导体附加部14的位置的拼接方式具有多种，下面将示例性地进行介绍，但不局限于以下方式。

在一个实施例中，请参阅图3和图4，第二低阻抗段13的端面上设有第二插接部131，高阻抗段11 的端部设有第二插接配合部113，第二插接部131与第二插接配合部113相插接配合。可选地，第二插接部131可以是凹进结构(例如孔、槽等)，第二插接配合部113可以是凸出结构(例如凸柱、凸台、凸起等)。可选地，第二插接部131可以是凸出结构(例如凸柱、凸台、凸起等)，第二插接配合部113 可以是凹进结构(例如孔、槽等)。其中，第二插接部131与第二插接配合部113相插接配合的方式可以采用上述任一实施例中的第一插接部121与第一插接配合部111相插接配合的方式，在此不赘述。

如此设置，由于第二插接部131与第二插接配合部113相插接配合，使得第二低阻抗段13能够相对于高阻抗段11发生移动，从而可使第二低阻抗段13带动其上设置的第二导体附加部15移动，以改变第二导体附加部15相对于第一导体附加部14的位置，进而改变低通滤波结构10的整体结构及滤波性能。

可选地，请参阅图3和图4，当第一低阻抗段12和第二低阻抗段13连接于同一高阻抗段11时，第一插接配合部111和第二插接配合部113可以分别设于高阻抗段11的相对两端。

在另一个实施例中，请参阅图5，第二低阻抗段13上开设有第二螺纹孔132，高阻抗段11的外表面设置有第二外螺纹结构114，第二外螺纹结构114与第二螺纹孔132相螺纹配合。

如此设置，高阻抗段11即可通过第二外螺纹结构114而旋入第二低阻抗段13上的第二螺纹孔132，第二低阻抗段13即可相对于高阻抗段11发生旋转，从而可带动其上设置的第二导体附加部15旋转，以改变第二导体附加部15相对于第一导体附加部14位置，进而改变低通滤波结构10的整体结构及滤波性能。

在另一个实施例中，请参阅图6，第二低阻抗段13上开设有第二通孔133，高阻抗段11穿设于第二通孔133。可选地，高阻抗段11与第二通孔133可以过盈配合或过渡配合。

如此设置，由于高阻抗段11穿设于第二低阻抗段13上的第二通孔133，第二低阻抗段13即可相对于高阻抗段11发生旋转，从而可带动其上设置的第二导体附加部15旋转，以改变第二导体附加部15相对于第一导体附加部14的位置，进而改变低通滤波结构10的整体结构及滤波性能。

可选地，低通滤波结构10还可以包括限位结构，限位结构用于在第二低阻抗段13相对于高阻抗段 11的位置确定后限制第二低阻抗段13相对于高阻抗段11发生移动，以提高两者相配合的稳定性。其中，限位结构可以采用与上述实施例中的第一固定结构16和第二固定结构17相同的结构，在此不赘述。

第二导体附加部15与第二低阻抗段13相拼接而能够调节第二导体附加部15相对于第一导体附加部 14的位置的拼接方式具有多种，下面将示例性地进行介绍，但不局限于以下方式。

在一个实施例中，第二导体附加部15上设有第二插接结构，第二低阻抗段13上设有第二插接配合结构，第二插接结构与第二插接配合结构相插接配合。可选地，第二插接结构与第二插接配合结构可以过盈配合或过渡配合。其中，第二插接结构与第二插接配合结构相插接配合的方式，可以采用上述实施例中的第一插接部121与第一插接配合部111相插接配合的方式，在此不赘述。

如此设置，可通过设置第二插接结构在不同的位置与第二插接配合结构相插接而改变第二导体附加部15相对于第二低阻抗段13的位置，即可改变第二导体附加部15相对于第一导体附加部14的位置，进而改变低通滤波结构10的整体结构及滤波性能。

在另一个实施例中，第二导体附加部15上设有第二卡合结构，第二低阻抗段13上设有第二卡合配合结构，第二卡合结构与第二卡合配合结构相卡合配合。其中，第二卡合结构与第二卡合配合结构相卡合配合的方式，可以采用上述实施例中的第一卡合结构1402与第一卡合配合结构1202相卡合配合的方式，在此不赘述。

如此设置，可通过设置第二卡合结构在不同的位置与第二卡合配合结构相卡合而改变第二导体附加部15相对于第二低阻抗段13的位置，即可改变第二导体附加部15相对于第一导体附加部14的位置，进而改变低通滤波结构10的整体结构及滤波性能。

相关技术中的低通滤波结构无法使滤波器产生传输零点，需通过调节低通滤波结构的高阻抗段和低阻抗段的节数来调节滤波器的截止频率和高频抑制能力。为了使滤波器获得较好的高频抑制能力，需要设置较高阶数或较多节数的低通滤波结构，导致低通滤波结构的长度较长，占用空间较大，影响滤波器上其他部件和结构的设计及布置。因此，相关技术中的低通滤波结构难以在不提高阶数的情况下实现较好的高频抑制能力，导致滤波器难以在有限尺寸范围内实现较高的高频抑制要求，难以满足通信技术领域中对滤波器小型化和轻量化的要求。

基于此，为实现在有限尺寸范围内提高采用低通滤波结构的滤波器的高频抑制性能。在一个实施例中，请参阅图1、图2和图7，第一导体附加部14包括第一电容加载部141和第一导体连接部142，其中：

第一电容加载部141位于第一低阻抗段12的外围，且第一电容加载部141与第一低阻抗段12之间形成有第一间隙101，以使第一电容加载部141与第一低阻抗段12之间可形成电容效应。第一间隙101 的大小和形状可以根据实际需要进行调整，只要能够使第一电容加载部141与第一低阻抗段12之间产生电容效应即可，在此不做唯一限定。可以理解，第一电容加载部141采用导体材料制成。第一电容加载部141可以是形状规则或不规则的导体结构，只要能够实现与第一低阻抗段12之间形成第一间隙101以使第一电容加载部141与第一低阻抗段12之间可产生电容效应的形状结构均可，具体可根据需要进行设置。

第一导体连接部142连接于第一低阻抗段12与第一电容加载部141，以使第一低阻抗段12与第一电容加载部141电性导通，且第一导体连接部142还起到支撑第一电容加载部141以使第一电容加载部141 与第一低阻抗段12之间形成第一间隙101的作用。第一导体连接部142即采用导体材料制成，可以是任意一种形状的导体结构，只要能够实现第一低阻抗段12与第一电容加载部141之间的电性导通即可，例如可以是杆状结构、块状结构、片状结构等，但不限于此。第一导体连接部142的数量可以是一个或多个。

其中，第一低阻抗段12与高阻抗段11相拼接，以能够调节第一导体连接部142相对于第二导体附加部15的位置(图1中即示例性地示出了第一导体连接部142相对于第二导体附加部15的位置未发生改变时的情况，图7中即示例性地示出了第一导体连接部142相对于第二导体附加部15的位置发生改变之后的情况)。和/或，第一导体连接部142与第一低阻抗段12相拼接(例如第一导体连接部142上可设有上述实施例中的第一插接结构1401或第一卡合结构1402)，以能够调节第一导体连接部142相对于第二导体附加部15的位置。和/或，第二低阻抗段13与高阻抗段11相拼接，以能够调节第二导体附加部 15相对于第一导体连接部142的位置。和/或，第二导体附加部15与第二低阻抗段13相拼接，以能够调节第二导体附加部15相对于第一导体连接部142的位置。

如此设置，通过设置第一导体附加部14包括第一电容加载部141、连接于第一低阻抗段12和第一电容加载部141的第一导体连接部142，而且，第一电容加载部141位于第一低阻抗段12的外围并与第一低阻抗段12之间形成有第一间隙101，使得第一电容加载部141与第一低阻抗段12之间可形成电容效应；因此，当低通滤波结构10应用于滤波器的腔体中时，高阻抗段11可以与滤波器的腔体之间构成高阻抗线路，可等效为电感，第一低阻抗段12及第一电容加载部141可以与滤波器的腔体之间构成低阻抗线路，可等效为电容，而第一电容加载部141与第一低阻抗段12之间又可产生电容效应，可使得采用本申请实施例提供的低通滤波结构10的滤波器在高于其低通截止频率的频段产生传输零点，有效提高滤波器的高频抑制性能，且无需另外提高低通滤波结构10的阶数，从而可在不提高低通滤波结构10的阶数的情况下实现较好的高频抑制能力，以利于在满足高频抑制要求的情况下减小滤波器的尺寸和重量，而且低通滤波结构10结构简单。并且，通过调节第一导体连接部142与第二导体附加部15之间的相对位置，即可调节低通滤波结构10的结构及滤波性能。从而使得低通滤波结构10既可以在不提高阶数的情况下实现较好的高频抑制性能，又可根据需要调节低通滤波结构10的结构及滤波性能，可实现多种功能，有效提高低通滤波结构10的适用性。

需要说明的是，在其他一些实施方式中，第一导体连接部142可以与第一低阻抗段12为一体式结构，第一导体连接部142与第一电容加载部141可以相拼接，例如可以采用上述任一实施例中的拼接方式。在其他一些实施方式中，第一导体连接部142与第一电容加载部141相拼接的同时，第一导体连接部142 与第一低阻抗段12也可以相拼接。

在一个实施例中，请参阅图1、图2和图7，第二导体附加部15包括第二电容加载部151和第二导体连接部152，其中：

第二电容加载部151位于第二低阻抗段13的外围，且第二电容加载部151与第二低阻抗段13之间形成有第二间隙102。其中，第二电容加载部151可以采用与第一电容加载部141相同的结构，在此不赘述。

第二导体连接部152连接于第二低阻抗段13与第二电容加载部151。其中，第二导体连接部152可以采用与第一导体连接部142相同的结构，在此不赘述。

其中，第一低阻抗段12与高阻抗段11相拼接，以能够调节第一导体连接部142相对于第二导体连接部152的位置(图1中即示例性地示出了第一导体连接部142相对于第二导体连接部152的位置未发生改变时的情况，图7中即示例性地示出了第一导体连接部142相对于第二导体连接部152的位置发生改变之后的情况)。和/或，第一导体连接部142与第一低阻抗段12相拼接，以能够调节第一导体连接部 142相对于第二导体连接部152的位置。和/或，第二低阻抗段13与高阻抗段11相拼接，以能够调节第二导体连接部152相对于第一导体连接部142的位置。和/或，第二导体连接部152与第二低阻抗段13相拼接(第二导体连接部152上可设有上述实施例中的第二插接结构或第二卡合结构)，以能够调节第二导体连接部152相对于第一导体连接部142的位置。

如此设置，第二电容加载部151与第二低阻抗段13之间可产生电容效应，能够使得采用本申请实施例提供的低通滤波结构10的滤波器在高于其低通截止频率的频段产生传输零点。因第一低阻抗段12上也设有第一电容加载部141和第一导体连接部142，利于采用本申请实施例提供的低通滤波结构10的滤波器在高于其低通截止频率的频段产生多个传输零点，可以进一步提高滤波器的高频抑制性能。并且，通过调节第一导体连接部142与第二导体连接部152之间的相对位置，即可调节低通滤波结构10的结构及滤波性能，调节更加便捷。

需要说明的是，在其他一些实施方式中，第二导体连接部152可以与第二低阻抗段13为一体式结构，第二导体连接部152与第二电容加载部151可以相拼接，例如可以采用上述任一实施例中的拼接方式。在其他一些实施方式中，第二导体连接部152与第二电容加载部151相拼接的同时，第二导体连接部152 与第二低阻抗段13也可以相拼接。

在一个实施例中，请参阅图1和图2，第一电容加载部141为环形结构，即大致呈环形的结构，可以呈圆环形、方环形、多边形环形等，但不限于此。第一电容加载部141环绕于第一低阻抗段12，即第一电容加载部141的内表面与第一低阻抗段12的外表面正对设置。

如此设置，由于第一电容加载部141为环形结构并环绕于第一低阻抗段12，更加利于与第一低阻抗段12之间产生电容效应，以利于滤波器在高频段产生传输零点。

可选地，在一个实施例中，第一电容加载部141为周向封闭的环形结构，第一电容加载部141环绕于第一低阻抗段12。图1和图2中即示例性地示出了第一电容加载部141为周向封闭的圆环形的情况。

如此设置，由于第一电容加载部141为周向封闭的环形结构，相对于非封闭的环形结构而言，可使第一电容加载部141与第一低阻抗段12之间的正对面积更大，更加利于在第一电容加载部141与第一低阻抗段12之间产生电容效应。

当然，在其他一些实施方式中，第一电容加载部141也可以是具有缺口的环形结构，即为非封闭的环形结构。其中，缺口的大小可以根据需要进行设置，当缺口较大时，环形结构可以形成半环结构。

需要说明的是，第一电容加载部141不限于为环形结构。可选地，在其他一些实施方式中，第一电容加载部141也可以是曲线形结构、弯折结构、片状结构、板状结构等，但不限于此，只要能够与第一低阻抗段12之间形成第一间隙101以使与第一电容加载部141与第一低阻抗段12之间可产生电容效应的形状结构均可。

可选地，请参阅图1、图3和图4，第二电容加载部151可以为周向封闭的环形结构，第二电容加载部151环绕于第二低阻抗段13。当然，第二电容加载部151也可以为具有缺口的环形结构，第二电容加载部151环绕于第二低阻抗段13。

在一个实施例中，请参阅图1、图2和图7，第一电容加载部141与第一低阻抗段12同轴设置。

如此设置，利于第一电容加载部141与第一低阻抗段12之间形成第一间隙101，更加利于在第一电容加载部141与第一低阻抗段12之间产生电容效应。而且结构更加规整，利于加工制造，也可使性能更加稳定。

当然，在其他一些实施方式中，第一电容加载部141与第一低阻抗段12也可以不同轴设置，即两者的轴线不相重合。

可选地，请参阅图1、图3和图4，第二电容加载部151与第二低阻抗段13可以同轴设置，更利于在第二电容加载部151与第二低阻抗段13之间产生电容效应。当然，第二电容加载部151与第二低阻抗段13也可以不同轴设置。

在一个实施例中，请参阅图1、图3和图4，第一导体连接部142的厚度与第一低阻抗段12的厚度相同，第一导体连接部142相对设置的两个端面分别与第一低阻抗段12相对设置的两个端面处于同一平面，即第一导体连接部142与第一低阻抗段12位于同一侧的端面处于同一平面、第一导体连接部142与第一低阻抗段12位于同另一侧的端面处于同一平面。第一导体连接部142的厚度与第一电容加载部141 的厚度相同，第一导体连接部142相对设置的两个端面分别与第一电容加载部141相对设置的两个端面处于同一平面，即第一导体连接部142与第一电容加载部141位于同一侧的端面处于同一平面、第一导体连接部142与第一电容加载部141位于同另一侧的端面处于同一平面。

如此设置，使得第一低阻抗段12、第一导体连接部142及第一电容加载部141组成的结构更加规整，利于加工制造，且可使性能更加稳定，利于控制。

需要说明的是，在其他一些实施方式中，也可以仅第一导体连接部142的厚度与第一低阻抗段12的厚度相同，而第一导体连接部142的厚度与第一电容加载部141的厚度不相同。在其他一些实施方式中，也可以仅第一导体连接部142的厚度与第一电容加载部141的厚度相同，而第一导体连接部142的厚度与第一低阻抗段12的厚度不相同。在其他一些实施方式中，也可以是第一低阻抗段12的厚度、第一导体连接部142的厚度及第一电容加载部141的厚度互不相同。

可选地，请参阅图1、图3和图4，第二导体连接部152的厚度可以与第二低阻抗段13的厚度相同，第二导体连接部152相对设置的两个端面可以分别与第二低阻抗段13相对设置的两个端面处于同一平面。第二导体连接部152的厚度可以与第二电容加载部151的厚度相同，第二导体连接部152相对设置的两个端面可以分别与第二电容加载部151相对设置的两个端面处于同一平面。

在一个实施例中，第一导体连接部142和第一电容加载部141的形状结构可以分别与第二导体连接部152和第二电容加载部151的形状结构相同，例如第一电容加载部141的内径与第二电容加载部151 的内径相同。

当然，在其他一些实施方式中，第一电容加载部141的内径也可以大于或小于第二电容加载部151 的内径。如此设置，利于第一低阻抗段12与第一电容加载部141之间形成的第一间隙101的宽度不同于第二低阻抗段13与第二电容加载部151之间形成的第二间隙102的宽度，从而调整低通滤波结构10的滤波性能。

在一个实施例中，请参阅图1和图2，第一导体连接部142位于第一低阻抗段12与第一电容加载部 141之间。具体地，第一导体连接部142的相对两端可以分别连接于第一低阻抗段12的内表面和第一电容加载部141的内表面。

如此设置，由于第一导体连接部142位于第一低阻抗段12与第一电容加载部141之间，相对于第一导体连接部142位于第一间隙101的外部而言，可使第一电容加载部141、第一低阻抗段12及第一导体连接部142配合形成的整体结构更加规整，外部周向更加规则而无凸出结构，从而利于装配于滤波器的腔体中；并且，也更加利于第一导体连接部142、第一低阻抗段12及第一电容加载部141三者之间为一体成型时的加工。

需要说明的是，第一导体连接部142的设置位置不限于此。可选地，在其他一些实施方式中，第一导体连接部142也可以位于第一低阻抗段12和第一电容加载部141的外侧而连接于第一低阻抗段12和第一电容加载部141。

可选地，请参阅图1，第二导体连接部152可以位于第二低阻抗段13与第二电容加载部151之间，也可以位于第二低阻抗段13与第二电容加载部151的外侧。

当第一低阻抗段12与高阻抗段11相拼接时，第一导体连接部142与第一低阻抗段12可以为一体成型的一体式结构，第一导体连接部142与第一电容加载部141也可以为一体成型的一体式结构；也即第一导体连接部142、第一低阻抗段12及第一电容加载部141三者为一体式结构。

当然，在其他一些实施方式中，当第一低阻抗段12与高阻抗段11相拼接时，也可以仅第一导体连接部142与第一低阻抗段12为一体式结构，而第一导体连接部142与第一电容加载部141为分体成型而相连接。或者，也可以仅第一导体连接部142与第一电容加载部141为一体式结构，而第一导体连接部 142与第一低阻抗段12为分体成型而相连接。或者，也可以是第一导体连接部142、第一低阻抗段12及第一电容加载部141三者均为分体成型而相连接。

可以理解，当第二低阻抗段13与高阻抗段11相拼接时，第二导体连接部152与第二低阻抗段13可以为一体成型的一体式结构，第二导体连接部152与第二电容加载部151也可以为一体成型的一体式结构。或者，仅第二导体连接部152与第二低阻抗段13为一体成型的一体式结构，而第二导体连接部152 与第二电容加载部151为分体成型而相连接。或者，仅第二导体连接部152与第二电容加载部151也可以为一体成型的一体式结构，第二导体连接部152与第二低阻抗段13为分体成型而相连接。

在一个实施例中，请参阅图1、图4和图7，第一低阻抗段12与第二低阻抗段13可以同轴设置。沿第一低阻抗段12和第二低阻抗段13的轴线方向的投影，第一导体连接部142的投影的至少部分与第二导体连接部152的投影不相重合(可以是部分相重合而部分不相重合，也可以是全部不相重合)。也即，沿第一低阻抗段12与第二低阻抗段13的共同轴线方向，第一导体连接部142与第二导体连接部152之间相错开，可以是错开部分(也可以理解为第一导体连接部142与第二导体连接部152之间不完全正对，也即上述的投影部分相重合而部分不相重合)，也可以是完全相错开(也可以理解为第一导体连接部142 与第二导体连接部152之间完全不正对，也即上述的投影全部不相重合)。图1中即示例性地示出了沿第一低阻抗段12与第二低阻抗段13的共同轴线方向，第一导体连接部142与第二导体连接部152之间完全正对的情况，图7中即示例性地示出了沿第一低阻抗段12与第二低阻抗段13的共同轴线方向，第一导体连接部142与第二导体连接部152之间相错开的情况。

如此设置，由于沿第一低阻抗段12和第二低阻抗段13的轴线方向的投影，第一导体连接部142的投影的至少部分与第二导体连接部152的投影不相重合，相比于第一导体连接部142与第二导体连接部 152的投影完全重合的情况，可使低通滤波结构10具有不同的滤波性能，在应用于滤波器中时可对滤波器产生不同的影响，如此便可根据滤波器的指标需要(例如抑制性能和滤波性能)而适应性调整第一导体连接部142与第二导体连接部152之间的相对位置。

在一个实施例中，请参阅图1和图4，第一低阻抗段12的横截面积(垂直于第一低阻抗段12的长度方向或轴向的断面面积或截面面积)和第二低阻抗段13的横截面积(垂直于第二低阻抗段13的长度方向或轴向的断面面积或截面面积)均大于高阻抗段11的横截面积(垂直于高阻抗段11的长度方向或轴向的断面面积或截面面积)。第一低阻抗段12的阻抗和第二低阻抗段13的阻抗均小于高阻抗段11的阻抗。可以理解，低通滤波结构10的各低阻抗段的阻抗均小于任意一高阻抗段11的阻抗。

可选地，在一个实施例中，请参阅图1和图3，第一低阻抗段12和第二低阻抗段13均为金属柱状结构，即为金属材料制成的柱状结构；例如，可以是圆柱状结构、棱柱状结构等，但不限于此，还可以是其他形状规则或不规则的柱状结构。高阻抗段11为金属杆状结构，即为金属材料制成的杆状结构；例如，可以是圆杆状结构、方杆状结构等，但不限于此，还可以是其他形状规则或不规则的杆状结构。第一低阻抗段12的外径和第二低阻抗段13的外径均大于高阻抗段11的外径。

在一个实施例中，请参阅图1、图3和图4，第一低阻抗段12可以与高阻抗段11同轴设置。第二低阻抗段13可以与高阻抗段11同轴设置。

如此设置，使得低通滤波结构10的结构更加规整，利于加工制造，也可使得性能更加稳定，利于控制。

当然，在其他一些实施方式中，第一低阻抗段12与高阻抗段11也可以不同轴设置，第二低阻抗段 13与高阻抗段11也可以不同轴设置。

在一个实施例中，第一低阻抗段12的厚度等于第二低阻抗段13的厚度。

当然，在其他一些实施方式中，第一低阻抗段12的厚度也可以大于或小于第二低阻抗段13的厚度，图1和图4中即示例性地示出了第一低阻抗段12的厚度大于第二低阻抗段13的厚度的情况。可通过设置第一低阻抗段12的厚度大于或小于第二低阻抗段13的厚度而调整低通滤波结构10的滤波性能，具体可根据需要进行设置。

在一个实施例中，第一低阻抗段12的横截面积可以与第二低阻抗段13的横截面积相同。

当然，在其他一些实施方式中，第一低阻抗段12的横截面积也可以大于或小于第二低阻抗段13的横截面积。可通过设置第一低阻抗段12的横截面积大于或小于第二低阻抗段13的横截面积而调整低通滤波结构10的滤波性能，具体可根据需要进行设置。

在一个实施例中，请参阅图1、图4和图6，第一低阻抗段12和第二低阻抗段13可以连接于同一高阻抗段11。可选地，第一低阻抗段12和第二低阻抗段13可以相邻设置，例如第一低阻抗段12和第二低阻抗段13可以分别连接于同一高阻抗段11的相对两端(例如图1和图4所示)，例如同一高阻抗段11 可以穿设于第一低阻抗段12和第二低阻抗段13(例如图6所示)。可选地，第一低阻抗段12和第二低阻抗段13也可以不相邻设置，例如第一低阻抗段12和第二低阻抗段13之间还存在至少一个低通滤波结构10的其他低阻抗段，此时可以通过同一高阻抗段11穿设于第一低阻抗段12、第二低阻抗段13以及位于第一低阻抗段12和第二低阻抗段13之间的低阻抗段。

在一个实施例中，请参阅图1和图3，高阻抗段11的数量为至少两个。低通滤波结构10包括第三低阻抗段18，第三低阻抗段18连接于高阻抗段11。可选地，第一低阻抗段12与第二低阻抗段13可以相邻设置，且第一低阻抗段12与第二低阻抗段13之间设有一高阻抗段11；第三低阻抗段18与第一低阻抗段12之间设有一高阻抗段11，此时第三低阻抗段18位于靠近于第一低阻抗段12的一侧(例如图1所示)；或第三低阻抗段18与第二低阻抗段13之间设有一高阻抗段11，此时第三低阻抗段18位于靠近于第二低阻抗段13的一侧。可选地，第三低阻抗段18位于第一低阻抗段12与第二低阻抗段13之间，第三低阻抗段18与第一低阻抗段12之间设有一高阻抗段11，第三低阻抗段18与第二低阻抗段13之间设有一高阻抗段11。

可选地，请参阅图1和图7，第三低阻抗段18上可以设置第三导体附加部19，第三导体附加部19 可以采用上述任一实施例中的第一导体附加部14的结构；例如，第三导体附加部19可以包括第三电容加载部191和第三导体连接部192，第三电容加载部191位于第三低阻抗段18的外围，且第三电容加载部191与第三低阻抗段18之间形成有第三间隙103，第三导体连接部192连接于第三低阻抗段18和第三电容加载部191。第三导体附加部19的设置，可使得调节第一导体附加部14相对于第二导体附加部15 的位置时，也可以改变第一导体附加部14相对于第三导体附加部19的位置，更利于调节低通滤波结构 10的结构和滤波性能。

可选地，请参阅图1，图3至图6，第三低阻抗段18可以与高阻抗段11相拼接，以能够调节第三导体附加部19相对于第一导体附加部14和第二导体附加部15的位置。

可选地，高阻抗段11的数量为至少两个时，各高阻抗段11的横截面积可以相同。当然，在其他一些实施方式中，各高阻抗段11的横截面积也可以不完全相同；可通过设置至少一高阻抗段11的横截面积大于或小于其他高阻抗段11的横截面积而调整低通滤波结构10的滤波性能，具体可根据需要进行设置。

在一个实施例中，请参阅图1，低通滤波结构10包括分别设于低通滤波结构10的相对两端的信号输入段110和信号输出段120。信号输入段110用于信号输入至低通滤波结构10，信号输入段110可以连接于低通滤波结构10一端的高阻抗段11、第一低阻抗段12或低通滤波结构10的其他低阻抗段；信号输出段120用于供经过低通滤波结构10之后的信号输出，信号输出段120可以连接于低通滤波结构10另一端的高阻抗段11、第二低阻抗段13或低通滤波结构10的其他低阻抗段。

可选地，信号输入段110可以是金属段，例如柱状结构、片状结构等，信号输入段110可以与所连接的高阻抗段或低阻抗段一体成型设置，当然，也可以是分体成型而相连接。信号输出段120可以是金属段，例如杆状结构、片状结构等，信号输出段120可以与所连接的高阻抗段或低阻抗段一体成型设置，当然，也可以是分体成型而相连接。

示例性地，请参阅图1，高阻抗段11的数量为两个，第一低阻抗段12和第二低阻抗段13相邻设置且第一低阻抗段12和第二低阻抗段13之间设有一高阻抗段11；第三低阻抗段18位于第一低阻抗段12 的一侧，且第三低阻抗段18与第一低阻抗段12之间设有一高阻抗段11；以使各高阻抗段11、第一低阻抗段12、第二低阻抗段13及第三低阻抗段18相串联，即每一高阻抗段11的相对两端分别连接一低阻抗段；第一低阻抗段12即位于第二低阻抗段13和第三低阻抗段18之间。具体地，信号输入段110可以连接于低通滤波结构10一端的第二低阻抗段13，信号输出段120可以连接于低通滤波结构10另一端的第三低阻抗段18。

如此设置，通过设置两个高阻抗段11和三个低阻抗段(第一低阻抗段12、第二低阻抗段13及第三低阻抗段18)，可形成五阶的低通滤波结构10，具有较少阶数，但却具有较好的高频抑制性能，尤其是在每一低阻抗段上均设置导体连接部和电容加载部时，可使采用本申请实施例提供的低通滤波结构10的滤波器在高于其低通截止频率的频段产生三个传输零点；而且，可通过设置低阻抗段与高阻抗段11相拼接，即可调节三个低阻抗段上的导体附加部之间的相对位置，以调节低通滤波结构10的结构及滤波性能。因此，可有效减小低通滤波结构10的长度和重量，以利于在满足高频抑制要求的情况下减小滤波器的尺寸和重量，且可调节滤波性能。

需要说明的是，高阻抗段11和低阻抗段的数量不限于此。可选地，在其他一些实施方式中，高阻抗段11的数量也可以是一个、三个或三个以上，也可以设置除第一低阻抗段12、第二低阻抗段13及第三低阻抗段18之外的其他低阻抗段，具体可根据实际需求进行设置。

请参阅图1、图10和图11，本申请实施例还提供一种滤波器100，滤波器100包括腔体20和上述任一实施例的低通滤波结构10。腔体20具有安置槽，低通滤波结构10设置于安置槽中。

由于本申请实施例提供的滤波器100采用了上述实施例的低通滤波结构10，因而其同样具有上述任一实施例的低通滤波结构10的技术方案所带来的技术效果。可根据滤波器100所需的滤波指标和抑制性能，而适应性调节低通滤波结构10的结构和滤波性能，更加灵活。

在一个实施例中，请参阅图11，滤波器100还包括绝缘结构30，低通滤波结构10通过绝缘结构30 设置于安置槽中。绝缘结构30是指能够使低通滤波结构10与腔体20相绝缘的结构。

如此设置，绝缘结构30可使低通滤波结构10与腔体20相绝缘，避免两者接触短路，以利于低通滤波结构10正常工作。

可选地，在一个实施例中，请参阅图11，绝缘结构30为绝缘套管，高阻抗段11、第一低阻抗段12、第二低阻抗段13、第一导体附加部14、第二导体附加部15均位于绝缘套管的内部。其中，绝缘套管可以是聚四氟乙烯绝缘套，可以是热缩套管，但不限于此，还可以是其他绝缘材料制成的绝缘套管。

如此设置，由于高阻抗段11、第一低阻抗段12、第二低阻抗段13、第一导体附加部14、第二导体附加部15均位于绝缘套管的内部，因此可有效对低通滤波结构10进行绝缘。

需要说明的是，绝缘结构30的结构不限于此。可选地，在其他一些实施方式中，绝缘结构30可以是设置在低通滤波结构10的外表面的绝缘涂层；也可以是设置在安置槽的内表面的绝缘涂层。可选地，在其他一些实施方式中，绝缘结构30可以是绝缘支撑结构，用于将低通滤波结构10支撑于安置槽中，以使低通滤波结构10与安置槽的内表面之间形成有空隙，例如绝缘支撑结构可以是支撑块、支撑杆、支撑片等，但不限于此。

应理解，滤波器100除包括低通滤波结构10和腔体20等元件之外，还可以包括其他元件，例如盖板、连接器等，但不限于此，其他元件可采用现有滤波器的元件，这对于本领域普通技术人员而言是熟知的，本申请实施例中为描述简要而未赘述。

示例性地，请参阅图1、图10和图12，以低通滤波结构10包括两个高阻抗段11和三个低阻抗段(第一低阻抗段12、第二低阻抗段13及第三低阻抗段18)、且每一低阻抗段上均设置有一导体连接部和一电容加载部的滤波器100(即采用图1中的低通滤波结构10的滤波器100)为例，对滤波器100进行仿真，获得滤波器100的幅频特性曲线图(也即S参数特性仿真图)，如图12所示。从图12中可以看出，滤波器100在其截止频率之外的高频段(6GHz～16GHz频段)内产生了三个传输零点，高于截止频率的频段的谐振频率能够得到较好抑制，因此滤波器100具有较好的高频抑制特性，且可通过调节第一导体连接部142、第二导体连接部152及第三导体连接部192之间的相对位置而调节低通滤波结构10的结构及滤波性能，进而调节滤波器100的滤波指标和抑制性能。

以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种低通滤波结构，其特征在于，所述低通滤波结构包括：

至少一个高阻抗段；

第一低阻抗段，所述第一低阻抗段连接于所述高阻抗段；

第二低阻抗段，所述第二低阻抗段连接于所述高阻抗段，且所述第二低阻抗段与所述第一低阻抗段相间隔设置；

第一导体附加部，所述第一导体附加部连接于所述第一低阻抗段；以及

第二导体附加部，所述第二导体附加部连接于所述第二低阻抗段；

其中，所述第一低阻抗段与所述高阻抗段相拼接，以能够调节所述第一导体附加部相对于所述第二导体附加部的位置；和/或，所述第一导体附加部与所述第一低阻抗段相拼接，以能够调节所述第一导体附加部相对于所述第二导体附加部的位置。

2.根据权利要求1所述的低通滤波结构，其特征在于：所述第一低阻抗段与所述高阻抗段相拼接；所述第一低阻抗段的端面上设有第一插接部，所述高阻抗段的端部设有第一插接配合部，所述第一插接部与所述第一插接配合部相插接配合；或

所述第一低阻抗段与所述高阻抗段相拼接；所述第一低阻抗段上开设有第一螺纹孔，所述高阻抗段的外表面设置有第一外螺纹结构，所述第一外螺纹结构与所述第一螺纹孔相螺纹配合；或

所述第一低阻抗段与所述高阻抗段相拼接；所述第一低阻抗段上开设有第一通孔，所述高阻抗段穿设于所述第一通孔。

3.根据权利要求2所述的低通滤波结构，其特征在于：所述低通滤波结构包括第一固定结构，所述第一固定结构套设于所述高阻抗段并抵接于所述第一低阻抗段的一端；和/或，所述低通滤波结构包括第二固定结构，所述第二固定结构套设于所述高阻抗段并抵接于所述第一低阻抗段的另一端。

4.根据权利要求1所述的低通滤波结构，其特征在于：所述第一导体附加部与所述第一低阻抗段相拼接；所述第一导体附加部上设有第一插接结构，所述第一低阻抗段上设有第一插接配合结构，所述第一插接结构与所述第一插接配合结构相插接配合；或

所述第一导体附加部与所述第一低阻抗段相拼接；所述第一导体附加部上设有第一卡合结构，所述第一低阻抗段上设有第一卡合配合结构，所述第一卡合结构与所述第一卡合配合结构相卡合配合。

5.根据权利要求1所述的低通滤波结构，其特征在于：所述第二低阻抗段与所述高阻抗段相拼接，以能够调节所述第二导体附加部相对于所述第一导体附加部的位置；和/或，所述第二导体附加部与所述第二低阻抗段相拼接，以能够调节所述第二导体附加部相对于所述第一导体附加部的位置；

所述第二低阻抗段与所述高阻抗段相拼接；所述第二低阻抗段的端面上设有第二插接部，所述高阻抗段的端部设有第二插接配合部，所述第二插接部与所述第二插接配合部相插接配合；或

所述第二低阻抗段与所述高阻抗段相拼接；所述第二低阻抗段上开设有第二螺纹孔，所述高阻抗段的外表面设置有第二外螺纹结构，所述第二外螺纹结构与所述第二螺纹孔相螺纹配合；或

所述第二低阻抗段与所述高阻抗段相拼接；所述第二低阻抗段上开设有第二通孔，所述高阻抗段穿设于所述第二通孔；或

所述第二导体附加部与所述第二低阻抗段相拼接；所述第二导体附加部上设有第二插接结构，所述第二低阻抗段上设有第二插接配合结构，所述第二插接结构与所述第二插接配合结构相插接配合；或

所述第二导体附加部与所述第二低阻抗段相拼接；所述第二导体附加部上设有第二卡合结构，所述第二低阻抗段上设有第二卡合配合结构，所述第二卡合结构与所述第二卡合配合结构相卡合配合。

6.根据权利要求1至5任一项所述的低通滤波结构，其特征在于，所述第一导体附加部包括：

第一电容加载部，所述第一电容加载部位于所述第一低阻抗段的外围，且所述第一电容加载部与所述第一低阻抗段之间形成有第一间隙；以及

第一导体连接部，所述第一导体连接部连接于所述第一低阻抗段与所述第一电容加载部；

其中，所述第一低阻抗段与所述高阻抗段相拼接，以能够调节所述第一导体连接部相对于所述第二导体附加部的位置；和/或，所述第一导体连接部与所述第一低阻抗段相拼接，以能够调节所述第一导体连接部相对于所述第二导体附加部的位置；和/或，所述第二低阻抗段与所述高阻抗段相拼接，以能够调节所述第二导体附加部相对于所述第一导体连接部的位置；和/或，所述第二导体附加部与所述第二低阻抗段相拼接，以能够调节所述第二导体附加部相对于所述第一导体连接部的位置。

7.根据权利要求6所述的低通滤波结构，其特征在于，所述第二导体附加部包括：

第二电容加载部，所述第二电容加载部位于所述第二低阻抗段的外围，且所述第二电容加载部与所述第二低阻抗段之间形成有第二间隙；以及

第二导体连接部，所述第二导体连接部连接于所述第二低阻抗段与所述第二电容加载部；

其中，所述第二低阻抗段与所述高阻抗段相拼接，以能够调节所述第二导体连接部相对于所述第一导体连接部的位置；和/或，所述第二导体连接部与所述第二低阻抗段相拼接，以能够调节所述第二导体连接部相对于所述第一导体连接部的位置；和/或，所述第一低阻抗段与所述高阻抗段相拼接，以能够调节所述第一导体连接部相对于所述第二导体连接部的位置；和/或，所述第一导体连接部与所述第一低阻抗段相拼接，以能够调节所述第一导体连接部相对于所述第二导体连接部的位置；

所述第一电容加载部为周向封闭的环形结构，所述第一电容加载部环绕于所述第一低阻抗段；或，所述第一电容加载部为具有缺口的环形结构，所述第一电容加载部环绕于所述第一低阻抗段；

和/或，

所述第二电容加载部为周向封闭的环形结构，所述第二电容加载部环绕于所述第二低阻抗段；或，所述第二电容加载部为具有缺口的环形结构，所述第二电容加载部环绕于所述第二低阻抗段；

和/或，

所述第一导体连接部位于所述第一低阻抗段与所述第一电容加载部之间；和/或，所述第二导体连接部位于所述第二低阻抗段与所述第二电容加载部之间。

8.根据权利要求7所述的低通滤波结构，其特征在于：所述第一电容加载部与所述第一低阻抗段同轴设置；和/或

所述第一导体连接部的厚度与所述第一低阻抗段的厚度相同，所述第一导体连接部相对设置的两个端面分别与所述第一低阻抗段相对设置的两个端面处于同一平面；和/或

所述第一导体连接部的厚度与所述第一电容加载部的厚度相同，所述第一导体连接部相对设置的两个端面分别与所述第一电容加载部相对设置的两个端面处于同一平面；和/或

所述第二电容加载部与所述第二低阻抗段同轴设置；和/或

所述第二导体连接部的厚度与所述第二低阻抗段的厚度相同，所述第二导体连接部相对设置的两个端面分别与所述第二低阻抗段相对设置的两个端面处于同一平面；和/或

所述第二导体连接部的厚度与所述第二电容加载部的厚度相同，所述第二导体连接部相对设置的两个端面分别与所述第二电容加载部相对设置的两个端面处于同一平面；和/或

所述第一电容加载部的内径与所述第二电容加载部的内径相同；或，所述第一电容加载部的内径大于或小于所述第二电容加载部的内径。

9.根据权利要求7至8任一项所述的低通滤波结构，其特征在于：所述第一低阻抗段与所述第二低阻抗段同轴设置；沿所述第一低阻抗段和所述第二低阻抗段的轴线方向的投影，所述第一导体连接部的投影的至少部分与所述第二导体连接部的投影不相重合。

10.根据权利要求1至5、7至8任一项所述的低通滤波结构，其特征在于：所述第一低阻抗段的横截面积和所述第二低阻抗段的横截面积均大于所述高阻抗段的横截面积；所述第一低阻抗段的阻抗和所述第二低阻抗段的阻抗均小于所述高阻抗段的阻抗；

所述第一低阻抗段和所述第二低阻抗段均为金属柱状结构，所述高阻抗段为金属杆状结构，所述第一低阻抗段的外径和所述第二低阻抗段的外径均大于所述高阻抗段的外径；和/或

所述第一低阻抗段的厚度大于或小于所述第二低阻抗段的厚度；和/或

所述第一低阻抗段的横截面积大于或小于所述第二低阻抗段的横截面积；和/或

所述高阻抗段的数量为至少两个，至少一所述高阻抗段的横截面积大于或小于其他所述高阻抗段的横截面积；和/或

所述第一低阻抗段、所述第二低阻抗段以及所述高阻抗段同轴设置。

11.根据权利要求1至5、7至8任一项所述的低通滤波结构，其特征在于：所述第一低阻抗段和所述第二低阻抗段连接于同一所述高阻抗段；或

所述高阻抗段的数量为至少两个；所述低通滤波结构包括第三低阻抗段，所述第三低阻抗段连接于所述高阻抗段；所述第一低阻抗段与所述第二低阻抗段相邻设置，且所述第一低阻抗段与所述第二低阻抗段之间设有一所述高阻抗段，所述第三低阻抗段与所述第一低阻抗段或所述第二低阻抗段之间设有一所述高阻抗段；或，所述第三低阻抗段位于所述第一低阻抗段与所述第二低阻抗段之间，所述第三低阻抗段与所述第一低阻抗段之间设有一所述高阻抗段，所述第三低阻抗段与所述第二低阻抗段之间设有一所述高阻抗段。

12.一种滤波器，其特征在于，所述滤波器包括：

腔体，所述腔体具有安置槽；

如权利要求1至11任一项所述的低通滤波结构；以及

绝缘结构，所述低通滤波结构通过所述绝缘结构设置于所述安置槽中。

Images