CN114241975A - 一种多功能显示的像素电路和系统 - Google Patents

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CN114241975A CN202111399613.3A CN202111399613A CN114241975A CN 114241975 A CN114241975 A CN 114241975A CN 202111399613 A CN202111399613 A CN 202111399613A CN 114241975 A CN114241975 A CN 114241975A
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张盛东
安军军
廖聪维
邱赫梓
王堃
林清平
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李建桦
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Abstract

一种多功能显示的像素电路和系统，包括：数据线、复位线、扫描线、读出线、发光单元、选通单元、存储单元、驱动单元、复位单元、感光单元和读出单元；在图像传感模式下：复位单元对存储单元进行复位；感光单元接收光照时提供一个响应于所述光照强度的泄漏电流，泄漏电流用于改变所述存储单元所存储的电荷量；读出单元用于读取并输出所述存储单元的电信号以作为图传信号；复位单元还用作所述感光单元，或者，感光单元还用作阈值提取单元；所述数据线或所述复位线还用作所述读出线。本发明在具有图像显示功能的基础上，通过复用其中信号线和某些电路模块，来使得显示设备还具有图像传感功能。

Description

一种多功能显示的像素电路和系统
技术领域
本发明涉及一种多功能显示的像素电路和系统。
背景技术
近年来，基于薄膜晶体管(TFT)驱动背板的有源显示有机发光二极管(AMOLED)等新型显示技术逐渐成为主流。随着新型显示器功耗、分辨率和可靠性等性能指标的提升，显示器的制备良率下降、制备成本显著地增加了。如何提升显示器的附加值，使得基于TFT制程的显示器件里具有更丰富的光电性能，是TFT集成技术发展的关键问题。
常规上，TFT是用于显示器的背板中，其主要功能是有源阵列的开关以及OLED等电流型驱动元件，其绝大部分的用途还是集中在显示器。并行地，TFT也有被应用到X射线成像等图像传感器中，主要的用途也是图像传感器阵列的开关。长期以来，半导体显示及图像传感这两类应用分别发展，已经形成了一定的产业规模。但是在智慧电话和移动平板等消费电子应用中，有强烈的需求，将显示功能和指纹/触控/摄像头/健康医疗等图像传感功能集成于一体。
发明内容
针对上述需求，本发明提供一种多功能显示的像素电路和系统，下面具体说明。
根据第一方面，一种实施例提供一种多功能显示的像素电路，包括：
数据线，用于提供显示信号；
复位线，用于提供复位电压；
扫描线，用于提供扫描信号；
读出线，用于将图像传感信号传输出去；
发光单元，用于发光；
选通单元，响应于扫描线的扫描信号被选通，以接收数据线上的显示信号；
存储单元，用于存储电荷；
驱动单元，用于驱动所述发光单元进行发光；
复位单元，用于通过复位线对所述存储单元进行复位；
感光单元，用于接收光照时提供一个响应于光照强度的泄漏电流，所述泄漏电流用于改变所述存储单元所存储的电荷量；
读出单元，用于读取所述存储单元的电信号以作为所述图像传感信号，并通过所述读出线输出去；
其中：
所述像素电路具有图像显示模式和图像传感模式；
在所述图像显示模式下：
所述复位单元通过所述复位线对所述存储单元进行复位；所述选通单元响应于所述扫描线的扫描信号以接收并传递所述数据线的显示信号；所述存储单元存储所述显示信号；所述驱动单元响应于所述存储单元所存储的显示信号，驱动所述发光单元发光；
在所述图像传感模式下：
所述复位单元通过所述复位线对所述存储单元进行复位；所述感光单元接收光照时提供一个响应于所述光照强度的泄漏电流，所述泄漏电流用于改变所述存储单元所存储的电荷量；所述读出单元用于读取所述存储单元的电信号以作为所述图传信号，并通过所述读出线传输出去；
其中：
所述复位单元还用作所述感光单元；或者，所述感光单元还用作阈值提取单元，所述阈值提取单元用于提取所述驱动单元的老化信息并存储于所述存储单元；
所述数据线或所述复位线还用作所述读出线。
一实施例中，所述选通单元包括晶体管T4，所述存储单元包括电容Cst，所述驱动单元包括晶体管T1；
所述晶体管T4的控制极连接所述扫描线，所述晶体管T4的第一极连接所述数据线，所述晶体管T4的第二极连接所述晶体管T1的第一极；所述晶体管T1的第二极连接所述发光单元；所述电容Cst连接在所述晶体管T1的控制极和第一极之间。
一实施例中，所述复位单元包括晶体管T7；所述感光单元和所述阈值提取单元为同一单元，包括晶体管T5；
所述晶体管T7的第一极连接所述复位线，所述晶体管T7的第二极连接所述晶体管T1的控制极；所述晶体管T5的第一极连接所述晶体管T1的控制极，所述晶体管T5的第二极连接所述晶体管T1的第二极。
一实施例中：
所述复位单元包括晶体管T7，或者，所述复位单元包括晶体管T5和晶体管T6，或者，所述复位单元包括晶体管T7、晶体管T5和晶体管T6；
所述感光单元包括所述晶体管T5，或者，所述感光单元包括所述晶体管T7，或者，所述感光单元包括所述晶体管T5和晶体管T7；
所述晶体管T7的第一极连接所述复位线，所述晶体管T7的第二极连接所述晶体管T1的控制极；所述晶体管T5的第一极连接所述晶体管T1的控制极，所述晶体管T5的第二极连接所述晶体管T1的第二极；所述晶体管T6的第一极连接所述复位线，所述晶体管T6的第二极连接所述晶体管T5的第二极。
一实施例中，所述感光单元中的晶体管T5，还用作所述阈值提取单元。
一实施例中，所述晶体管T7的控制极用于接收控制信号Nscan[n-1]，所述晶体管T5的控制极用于接收控制信号Nscan[n]。
一实施例中，所述复位单元包括晶体管T5和晶体管T6；所述感光单元包括所述晶体管T5；
所述晶体管T5的第一极连接所述晶体管T1的控制极，所述晶体管T5的第二极连接所述晶体管T1的第二极；所述晶体管T6的第一极连接所述复位线，所述晶体管T6的第二极连接所述晶体管T5的第二极。
一实施例中，所述晶体管T5的控制极用于接收控制信号Nscan[n-1]。
一实施例中，所述晶体管T6的控制极用于接收扫描信号Pscan[n-1]，所述晶体管T4的控制极用于接收扫描信号Pscan[n]。
一实施例中，所述的像素电路还包括发光控制单元，所述发光控制单元能够根据发光控制信号接通和断开流向所述发光单元的电流；
所述发光控制单元包括晶体管T2和晶体管T3；电容Cst与晶体管T1的第一极连接的那一端，与晶体管T1的第一极之间，还连接有所述晶体管T2，其中所述晶体管T2的第一极与所述电容Cst与晶体管T1的第一极连接的那一端连接，所述晶体管T2的第二极与晶体管T1的第一极；晶体管T1的第二极和发光单元之间还连接有所述晶体管T3，其中所述晶体管T3的第一极与晶体管T1的第二极连接，晶体管T3的第二极与发光单元连接；所述晶体管T2和晶体管T3的控制极用于接收发光信号。
一实施例中，所述复位单元还用作所述读出单元，所述复位单元读取所述存储单元的电压并通过所述复位线传递出去，以作为图传信号；或者，所述选通单元还用作所述读出单元，所述选通单元读取所述驱动单元响应于存储单元所存储的电荷而输出的电信号，并通过所述数据线传递出去，以作为所述图传信号。
一实施例中，晶体管T1为低温多晶硅TFT，晶体管T2为低温多晶硅TFT，晶体管T3为低温多晶硅TFT，晶体管T4为低温多晶硅TFT，晶体管T6为低温多晶硅TFT；晶体管T5为铟镓锌氧化物TFT，晶体管T7为铟镓锌氧化物TFT。
根据第二方面，一种实施例提供一种多功能显示的系统，包括N行M列的本文中任一实施例所述的多功能显示的像素电路。
据上述实施例的多功能显示的像素电路和系统，在具有图像显示功能的基础上，通过复用其中某些信号线和电路模块，来使得还具有图像传感功能。
附图说明
图1为一种实施例的像素电路的结构示意图；
图2为一种实施例的像素电路的结构示意图；
图3为一种实施例的像素电路的结构示意图；
图4为一种实施例的像素电路的时序图；
图5为一种实施例的像素电路的结构示意图；
图6为一种实施例的像素电路的时序图；
图7为一种实施例的像素电路的结构示意图；
图8为一种实施例的像素电路的时序图；
图9为一种实施例的像素电路的结构示意图；
图10为一种实施例的像素电路的时序图；
图11为一种实施例的像素电路的结构示意图；
图12为一种实施例的像素电路的时序图；
图13一种实施例的像素电路的结构示意图；
图14为一种实施例的像素电路的时序图；
图15为一种实施例的像素电路的结构示意图；
图16为一种实施例的像素电路的时序图；
图17为一种实施例的像素电路的结构示意图；
图18为一种实施例的像素电路的时序图；
图19为一种实施例的多功能显示的系统的结构示意图；
图20为一种实施例的像素电路的时序图；
具体实施方式
下面通过具体实施方式结合附图对本发明作进一步详细说明。其中不同实施方式中类似元件采用了相关联的类似的元件标号。在以下的实施方式中，很多细节描述是为了使得本申请能被更好的理解。然而，本领域技术人员可以毫不费力的认识到，其中部分特征在不同情况下是可以省略的，或者可以由其他元件、材料、方法所替代。在某些情况下，本申请相关的一些操作并没有在说明书中显示或者描述，这是为了避免本申请的核心部分被过多的描述所淹没，而对于本领域技术人员而言，详细描述这些相关操作并不是必要的，他们根据说明书中的描述以及本领域的一般技术知识即可完整了解相关操作。
另外，说明书中所描述的特点、操作或者特征可以以任意适当的方式结合形成各种实施方式。同时，方法描述中的各步骤或者动作也可以按照本领域技术人员所能显而易见的方式进行顺序调换或调整。因此，说明书和附图中的各种顺序只是为了清楚描述某一个实施例，并不意味着是必须的顺序，除非另有说明其中某个顺序是必须遵循的。
本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。
本申请中的晶体管可以是任何结构的晶体管，比如双极型晶体管或者场效应晶体管等。当晶体管为双极型晶体管时，其控制极是指双极型晶体管的栅极，第一极可以为双极型晶体管的集电极或发射极，对应的第二极可以为双极型晶体管的发射极或集电极，在实际应用过程中，“发射极”和“集电极”可以依据信号流向而互换；当晶体管为场效应晶体管时，其控制极是指场效应晶体管的栅极，第一极可以为场效应晶体管的漏极或源极，对应的第二极可以为场效应晶体管的源极或漏极，在实际应用过程中，“源极”和“漏极”可以依据信号流向而互换。
本发明一些实施例提供一种多功能显示的像素电路和系统，具有显示功能和图像传感功能。一些实施例中，可以以低温多晶硅(LTPS)TFT等高迁移率器件作为显示驱动和图像读出器件，以金属氧化物(MO)TFT等低漏电器件作为显示的刷新/数据编程的开关元件、图像读出的传感元件。一些例子中，可以分时地进行显示驱动和图像传感，其中MO TFT在显示驱动和图像传感阶段可以分别作为数据写入开关晶体管以及光电感应晶体管，即像素电路分别工作在图像显示模式和图像传感模式。另一些例子中，可以在图像显示模式中的补偿阶段时开启图像传感模式，使得图像探测的精度更高，减少器件的均匀性对图像的影响。一些实施例中，MO TFT为铟镓锌氧化物(IGZO)TFT。
一些实施例中，对于混合型TFT工艺的多功能显示的像素电路和系统，可以这样来实现：
(1)在工作模式方面：调整驱动波形，让像素电路中的元件在不同的工作模式；
(2)在制程实现方面：以三维工艺集成的方式制备混合集成的像素电路和系统，以较高温度制备LTPS TFT等高迁移率器件，以较低温度制备IGZO TFT等器件，以多层金属布线和金属层间通孔，实现系统集成面板的互联。
下面对照本申请的附图，进行一个更详细的说明。
请参照图1，一些实施例的多功能显示的像素电路包括：发光单元10、选通单元20、存储单元30、驱动单元40、复位单元50、感光单元60和读出单元70；请参照图2，一些实施例的像素电路还可以包括发光控制单元80。像素电路还包括信号线，例如数据线、复位线、扫描线和读出线等，数据线用于提供显示信号，复位线用于提供复位电压，扫描线用于提供扫描信号，读出线用于将图像传感信号传输出去。
下面对各电路单元、模块和信号线进行具体说明。
发光单元10用于发光，例如可以是有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，OLED)、无机发光二极管和量子点发光二极管等，在其它实施例中，也可以是其它发光元件；发光单元10具有两端，其第一端可以是阴极或阳极，相应地，则其第二端为阳极或阴极；本领域技术人员应当理解：电流应从发光元件的阳极流向阴极，因此，基于电流的流向，可以确定发光元件的阳极和阴极。选通单元20响应于扫描线的扫描信号被选通，以接收数据线上的显示信号；存储单元30用于存储电荷；驱动单元40用于驱动发光单元10进行发光；复位单元50用于通过复位线对存储单元30进行复位；感光单元60用于接收光照时提供一个响应于光照强度的泄漏电流，该泄漏电流用于改变存储单元30所存储的电荷量，从而通过读取存储单元30的电信号例如电压或电流等，以实现对所接收光照强度的标定；读出单元70则是用于读取并输出存储单元30的电信号以作为图传信号(或者说是图像传感信号)。发光控制单元80能够根据发光控制信号接通和断开流向发光单元10的电流。
一些实施例中，像素电路具有图像显示模式和图像传感模式：
(1)在图像显示模式下：
复位单元50通过复位线对存储单元30进行复位；选通单元20响应于扫描线的扫描信号以接收并传递数据线的显示信号；存储单元30存储显示信号；驱动单元40响应于存储单元所存储的显示信号，驱动发光单元10发光；
(2)在图像传感模式下：
复位单元50通过复位线对存储单元30进行复位；感光单元60接收光照时提供一个响应于光照强度的泄漏电流，泄漏电流用于改变存储单元30所存储的电荷量；读出单元70用于读取存储单元30的电信号以作为图传信号，并通过读出线传输出去。
本发明中，在图像显示模式下和图像传感模式下复用了某些信号线，例如将数据线或复位线还用作读出线。
为了进一步减少体积、增加集成度和降低成本等，本发明一些实施例中，复位单元50还具有感光功能，即可用作感光单元60。本发明一些实施例中，感光单元60还具有阈值提取功能和/或编程功能，例如感光单元60还用作阈值提取单元，用于提取驱动单元60的老化信息并存储于存储单元30，这样的话，在图像显示模式下，存储单元30不仅存储有来自数据的显示信号，还存储有驱动单元60的老化信息，它们共同构成了存储单元30中所存储的用于控制驱动单元40的显示信号。
一些实施例中，复位单元50还具有读取功能，即用作读出单元70，具体地，复位单元50读取存储单元30的电压并通过复位线传递出去，以作为图传信号。另一些实施例中，选通单元20还具有读取功能，即还用作读出单元70，具体地，选通单元20读取驱动单元40响应于存储单元30所存储的电荷而输出的电信号，并通过数据线传递出去，以作为图传信号。
可以看到，本发明一些实施例在具有图像显示功能的基础上，通过复用其中信号线和某些电路模块，来使得显示设备还具有图像传感功能。
请参照图3，一些实施中的像素电路：选通单元20包括晶体管T4，存储单元30包括电容Cst，驱动单元40包括晶体管T1；复位单元50包括晶体管T7；感光单元60和阈值提取单元为同一单元，包括晶体管T5。具体地，晶体管T4的控制极连接扫描线，晶体管T4的第一极连接数据线Data(也可以写为数据线DATA，两者为同一个概念和意思)，晶体管T4的第二极连接晶体管T1的第一极；晶体管T1的第二极连接发光单元10(例如图中OLED)；电容Cst连接在晶体管T1的控制极和第一极之间；晶体管T7的第一极连接复位线Rd，晶体管T7的第二极连接晶体管T1的控制极；晶体管T5的第一极连接晶体管T1的控制极，晶体管T5的第二极连接晶体管T1的第二极。一些实施例，像素电路还可以包括发光控制单元80，控制单元80包括晶体管T2和晶体管T3；电容Cst与晶体管T1的第一极连接的那一端，与晶体管T1的第一极之间，还连接有晶体管T2，其中晶体管T2的第一极与电容Cst与晶体管T1的第一极连接的那一端连接，晶体管T2的第二极与晶体管T1的第一极；晶体管T1的第二极和发光单元10之间还连接有晶体管T3，其中晶体管T3的第一极与晶体管T1的第二极连接，晶体管T3的第二极与发光单元连接；晶体管T2和晶体管T3的控制极用于接收发光信号，图中的发光信号为EM和Nscan[n-1]。
一些实施例中，图3中可以由7个TFT和1个电容构成，其中包括了2个IGZO TFT和5个LTPS TFT，具体地，晶体管T5和晶体管T7为IGZO TFT，晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4和晶体管T6为LTPS TFT，可以理解地，图中晶体管T2、晶体管T3和晶体管T6都不是必需的。两个IGZO TFT在显示驱动阶段的作用包括：(1)将节点Q的电压(晶体管T1的控制极、电容Cst的下极板)复位到较低电位；(2)提取晶体管T1的老化信息例如阈值电压，并存储到电容Cst上。
一些实施例中，晶体管T4用于接收本行的扫描信号Pscan[n]；一些实施例中，晶体管T6接收上一行的扫描信号Pscan[n-1]；一些实施例中，晶体管T5的控制极用于接收本行的控制信号Nscan[n]；一些实施例中，晶体管T7的控制极用于接收上一行的控制信号Nscan[n-1]；一些实施例中，晶体管T2的控制极用于接收发光信号EM，一些实施例中，晶体管T3的控制极用于接收复用为另一发光信号的控制信号Nscan[n]。信号Pscan[n]表示第n行的扫描信号，主要是用于显示功能中的行选通的扫描；而控制信号Nscan[n]其实质也可以看成第n行的扫描信号，只不过是用于图传功能中的行选通的扫描。
对于图像显示模式，先通过控制信号Nscan[n-1]选通晶体管T7，通过复位线Rd对Q点进行复位；再通过本行扫描信号Pscan[n]选通晶体管T4，使得通过数据线Data传递过来的显示信号对电容Cst充电，晶体管T5则提取驱动晶体管T1的阈值电压，因此电容Cst中存储显示信号，该显示信号包含有由数据线Data传递过来的原始显示信号和晶体管T5所提取的驱动晶体管T1的阈值电压；最后电容Cst中所存储的显示信号通过晶体管T1来驱动发光单元10以进行发光。
对于图像传感模式，像素电路的两颗IGZO TFT用于完成探测部分，同时LTPS TFT部分也起到部分的辅助作用。像素电路的晶体管T5用于感受探测光源。一些实施例中，被探测光的波长范围可以从350nm到850nm，可以是可见光，包括波长较长的红外光，也包括波长较短的蓝色、紫色波段等。可以将像素电路应用为显示屏内嵌式的指纹图像传感器，或者显示屏内嵌的触控传感器，或者是显示屏内嵌的摄像装置等。发展显示屏内嵌的传感阵列技术，可以提升显示屏的附加值，让电子产品的集成度更高，让显示器更好地融入到物联网之中。对于发光单元10例如OLED显示部分，由于探测阶段信号EM可以保持为高电平，于是OLED为断开的、不发光状态。这就避免了图像探测功能(即图像传感功能)对于显示功能的干扰。下面结合图4的时序，分阶段地描述像素电路是如何实现图像传感器的功能的。
(1)复位阶段
对于各个像素电路来说，各行的Nscan均为高电平，因此晶体管T5和晶体管T7均为导通状态(或者说被选通)。复位线Rd(也可以称之为读出线，或者说，被复用为读出线)先被上拉到高电压Vh，从而存储电容Cst上存入初始电荷量：
Q0＝Cst*Vh；
其中Q0是指存储电容Cst上存入初始电荷量，Cst是指存储电容的电容值，Vh是指复位阶段灌入存储电容Cst上的高电平值。
在复位阶段，像素电路中的LTPS TFT均为关断状态。
(2)曝光积分阶段
在输入光作用下，晶体管T5产生出一定的光电流，也即晶体管T5感觉到光照后产生一个响应于光照强度的泄漏电流。对应于触控、指纹或者摄像头等应用中，这里的输入光可以分别是手指触控调制的环境输入光、手指按压调制的输入激励光(例如红外光)、人像或者物体调制的外界环境光等。一些实施例中，晶体管T5工作在亚阈值区或者关断区，从而最大化光生电流效应。在该阶段，各行的Nscan信号都可以保持为低电平电压状态，正好能够使得晶体管T5的光电效应最大化，同时又可以打开晶体管T3。晶体管T5具有较显著的光生电流效应，但是在绝大多数情况下晶体管T5光生电流(Iph)的数值较小，因此晶体管T3的导通有利于晶体管T5的光生电流通过OLED或者晶体管T6泄漏掉。在本阶段，晶体管T7是保持着关断状态。
对应着曝光量的情况，存储电容Cst上存储着一定的光信息量，即曝光量越大(光强越大，以及曝光积分时间tint越长)，存储电容Cst上的电荷量(QCs)将越小，对应地表达式为：
QCs＝Q0-Iph*tint；
(3)读出阶段
信号Nscan[n-1]和Nscan[n]顺次变为高电平脉冲，分别将电容Cst上存储着的电荷值转移到读出线Rd上，从而实现了图传信号的读取。当像素电路以矩阵形式形成阵列和系统时，单根读出线Rd上连接着数以千计的像素电路，读出线Rd再与外围放大器电路Amp、模数转化电路ADC连接，进而通过外围的放大电路Amp以及模数转换电路ADC对阵列内较为微弱的光电信号进行放大以及数字化处理，从而成为光电成像软件所能接受的数字图像信号。一些例子中，为了避免同时连着在读出线Rd上各个像素电路之间的相互干扰，各个像素电路之内的光电信号(即图传信号)可以采取逐行读出的方式，即光电传感阵列中，各个行像素电路的读出是分时进行的。
需要说明的是，图中晶体管T6所连接的Vint，可以是一低电平。另外，本文中各时序图中，Reset是指复位阶段，Integ是指积分阶段，Out则是指读出阶段。另外，本文中各时序图中涉及到IN/OUT时是指读出线OUT，由于其有可能还有涉及到数据/信号的写入(例如复位电平，例如显示信号)，因此在时序图中表示为IN/OUT。
请参照图5，一些实施例的像素电路：选通单元20包括晶体管T4，存储单元30包括电容Cst，驱动单元40包括晶体管T1；复位单元50包括晶体管T7，或者，复位单元50包括晶体管T5和晶体管T6，或者，复位单元50包括晶体管T7、晶体管T5和晶体管T6；感光单元60包括所述晶体管T5，或者，感光单元60包括晶体管T7，或者，感光单元60包括晶体管T5和晶体管T7。具体地，晶体管T4的控制极连接扫描线，晶体管T4的第一极连接数据线Data，晶体管T4的第二极连接晶体管T1的第一极；晶体管T1的第二极连接发光单元10(例如图中OLED)；电容Cst连接在晶体管T1的控制极和第一极之间；晶体管T7的第一极连接复位线Rd，晶体管T7的第二极连接晶体管T1的控制极；晶体管T5的第一极连接晶体管T1的控制极，晶体管T5的第二极连接晶体管T1的第二极；晶体管T6的第一极连接复位线Rd，晶体管T6的第二极连接晶体管T5的第二极。当感光单元60通过晶体管T5，或者通过晶体管T5和晶体管T7实现时，感光单元60还能够用作阈值提取单元，例如晶体管T5用作阈值提取单元。一些实施例，像素电路还可以包括发光控制单元80，控制单元80包括晶体管T2和晶体管T3；电容Cst与晶体管T1的第一极连接的那一端，与晶体管T1的第一极之间，还连接有晶体管T2，其中晶体管T2的第一极与电容Cst与晶体管T1的第一极连接的那一端连接，晶体管T2的第二极与晶体管T1的第一极；晶体管T1的第二极和发光单元10之间还连接有晶体管T3，其中晶体管T3的第一极与晶体管T1的第二极连接，晶体管T3的第二极与发光单元连接；晶体管T2和晶体管T3的控制极用于接收发光信号，图中的发光信号为EM。
一些实施例中，图5中可以由7个TFT和1个电容构成，其中包括了2个IGZO TFT和5个LTPS TFT，具体地，晶体管T5和晶体管T7为IGZO TFT，晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4和晶体管T6为LTPS TFT，可以理解地，图中晶体管T2和晶体管T3不是必需的。
一些实施例中，晶体管T4用于接收本行的扫描信号Pscan[n]；一些实施例中，晶体管T6接收上一行的扫描信号Pscan[n-1]；一些实施例中，晶体管T5的控制极用于接收本行的控制信号Nscan[n]；一些实施例中，晶体管T7的控制极用于接收上一行的控制信号Nscan[n-1]；一些实施例中，晶体管T2的控制极用于接收发光信号EM，一些实施例中，晶体管T3的控制极用于接收发光信号EM。
对于图像显示模式：
若复位单元50包括晶体管T7，则可以通过控制信号Nscan[n-1]选通晶体管T7，通过复位线Rd对电容Cst进行复位；复位单元50包括晶体管T5和晶体管T6，则可以通过信号Nscan[n-1]和Nscan[n]分别选通晶体管T6和晶体管T5，通过复位线Rd对电容Cst进行复位；若复位单元50包括晶体管T7、晶体管T5和晶体管T6，则可以通过晶体管T7这一支路，和晶体管T5、晶体管T6这一支路，共两路支路同时对电容Cst进行复位以加快复位速度。为了达到精简像素电路设计的目的，这里在复位线Rd上可以采用了电压值可变的偏置电压源Vref，其在不同的工作模式(及工作阶段)采用不同的电压值，从而可以避免使用额外的偏置电压源。复位后，再通过本行扫描信号Pscan[n]选通晶体管T4，使得通过数据线Data传递过来的显示信号对电容Cst充电，晶体管T5则提取驱动晶体管T1的阈值电压，因此电容Cst中存储显示信号，该显示信号包含有由数据线Data传递过来的原始显示信号和晶体管T5所提取的驱动晶体管T1的阈值电压；最后电容Cst中所存储的显示信号通过晶体管T1来驱动发光单元10以进行发光。
对于图像传感模式，下面结合图6的时序，分阶段地描述像素电路是如何实现图像传感器的功能。
(1)复位阶段(Reset)
复位阶段目的是对像素内的电容进行充电。为了达到精简像素电路设计的目的，这里在复位线Rd上可以采用电压值可变的偏置电压源Vref，其在不同的工作阶段采用不同的电压值，从而可以节省额外的偏置电压源；其中在复位阶段，Vref为低。对于复位，同样地，若复位单元50包括晶体管T7，则可以通过控制信号Nscan[n-1]选通晶体管T7，通过复位线Rd对电容Cst进行复位；复位单元50包括晶体管T5和晶体管T6，则可以通过信号Nscan[n-1]和Nscan[n]分别选通晶体管T6和晶体管T5，通过复位线Rd对电容Cst进行复位；若复位单元50包括晶体管T7、晶体管T5和晶体管T6，则可以通过晶体管T7这一支路，和晶体管T5、晶体管T6这一支路，共两路支路同时对电容Cst进行复位以加快复位速度。
在复位阶段中，电容Cst的下极板被置为低电平电压。在此阶段，Pscan[n]和Pscan[n-1]可以一直为高电平，其控制的LTPS TFT不打开，也可以为低电平脉冲，使得晶体管T6打开，那么如上所述，可以加快对电容Cst的复位。
(2)积分阶段(Integ)
这里不妨以感光单元60包括晶体管T7，即图中晶体管T7具有感光功能，而晶体管T5则不具备感光功能为例以说明积分阶段的工作原理。
在此阶段，晶体管T7的控制电压为低电平，Vref为高电平，受到光照后感光单元60的光生电流使得电容Cst下极板电位逐渐抬高；对应于不同的光照强度，晶体管T7产生的光生电流大小不同。
(3)读出阶段(Out)
本阶段不妨以选通单元20还具有读取功能，即还用作读出单元70为例进行说明，此时数据据Data作为读出线OUT。
信号Pscan[n]和Pscan[n-1]变成低电平，则晶体管T4和晶体管T6被打开。于是，电容Cst的下极板上存储着光电信息，而且控制着晶体管T1的控制极。晶体管T1产生的输出电流到DATA/OUT线上进行读出。EM信号线可以一直为高电平，因此像素电路内的OLED并不发光。在此阶段，像素电路内的传感读出可以是逐行读出的也可以是同时多行读出的，具有多种读出模式。
本实施例的优势在于：
(1)显示驱动和图像传感这两个过程能够较独立地工作。因此，这能够较好地解决显示驱动和图像传感之间的相互串扰问题；
(2)在图像传感模式中所需要的驱动时序较为简单，对应行驱动电路设计的电路要求较低。
(3)此像素电路可以将晶体管T7产生的光生电流通过晶体管T1进行放大，相当于在像素电路内进行预放大，使得其作为图像传感器时输出信号的信噪比更高。
本实施例的像素电路在具有正常的显示功能之外，还可以进行光电探测或者说图像传感，可以应用于比如指纹识别或者血氧监测等。
请参照图7，为一些实施例的像素电路，该像素电路图中感光单元60包括晶体管T5和晶体管T7，其他描述——包括电路结构和图像显示模式，可参见对图5的像素电路的描述。而对于图像传感模式，下面结合图8的时序，分阶段地描述像素电路是如何实现图像传感器的功能的。在复位阶段的描述可以参见图5的像素电路的复位阶段的描述。而对于积分阶段：晶体管T5的控制电压Nscan[n]为低电平，Vref为高电平，晶体管T6的控制电压Pscan[n-1]为低电平，晶体管T6导通，此时第一个感光晶体管T5受到光照后在电压差下产生光生的电流，使得电容Cst下极板电位逐渐抬高，同时，感光晶体管T7作为第二个感光晶体管，也会受到光照后在电压差下产生光生的电流，使得电容Cst下极板电位抬升的更多。在读出阶段则和图5的像素电路一样：信号Pscan[n]和Pscan[n-1]变成低电平，则晶体管T4和晶体管T6被打开。于是，电容Cst的下极板上存储着光电信息，而且控制着晶体管T1的控制极。晶体管T1产生的输出电流到DATA/OUT线上进行读出。EM信号线可以一直为高电平，因此像素电路内的OLED并不发光。在此阶段，像素电路内的传感读出可以是逐行读出的也可以是同时多行读出的，具有多种读出模式。
本实施例的优势在于：
(1)能够具有两条复位支路，可提升复位的速度；减少复位时间的同时还个有两个感光晶体管，可以增加感光面积，有利于提升更低光照强度下的探测灵敏度；
(2)此像素电路可以将晶体管T7产生的光生电流通过晶体管T1进行放大，相当于在像素电路内进行预放大，使得其作为图像传感器时输出信号的信噪比更高。
请参照图9，为一些实施例的像素电路，该像素电路图中感光单元60包括晶体管T7，其他描述——包括电路结构和图像显示模式，可参见对图5的像素电路的描述。而对于图像传感模式，下面结合图10的时序，分阶段地描述像素电路是如何实现图像传感器的功能的。在复位阶段的描述可以参见图5的像素电路的复位阶段的描述。而对于积分阶段：晶体管T7的控制电压Nscan[n-1]为低电为低电平，复位线Rd(也用作读出线OUT)为高电平，其受到光照后产生光生的电流，使得电容Cst下极板电位逐渐抬高。在读出阶段：复位单元50可复用于读出单元70，在Nscan[n-1]的高电平脉冲下打开晶体管T7，此时Rd/OUT线为读出线，存储在电容Cst内的电荷读出；EM信号线可以一直为高电平，因此像素电路内的OLED并不发光。在此阶段，像素电路内的传感读出可以是逐行读出的也可以是同时多行读出的，具有多种读出模式。
本实施例的像素电路，在图像传感模式下所需要的驱动时序较为简单，对应行驱动电路设计的电路要求较低；而且由于读出的数据线连接到IGZO TFT，其泄漏电流值较小，从而读出线上的噪声电压/电流值较小。
请参照图11，为一些实施例的像素电路，该像素电路图中感光单元60包括晶体管T5，其他描述——包括电路结构和图像显示模式，可参见对图5的像素电路的描述。而对于图像传感模式，下面结合图12的时序，分阶段地描述像素电路是如何实现图像传感器的功能的。在复位阶段的描述可以参见图5的像素电路的复位阶段的描述。而对于积分阶段：晶体管T5的控制电压Nscan[n]为低电为低电平，复位线Rd(也用作读出线OUT)为高电平，信号Pscan[n]和Pscan[n-1]为低电平，晶体管T4和晶体管T6打开；感光晶体管T5受到光照后产生光生的电流，使得电容Cst下极板电位逐渐抬高。在读出阶段：在Nscan[n-1]的高电平脉冲下打开晶体管T7，此时Rd/OUT线为读出线，存储在电容Cst内的电荷读出；EM信号线可以一直为高电平，因此像素电路内的OLED并不发光。在此阶段，像素电路内的传感读出可以是逐行读出的也可以是同时多行读出的，具有多种读出模式。
本实施例的像素电路，读出线直接耦合着IGZO TFT(即晶体管T7)，且远离光电TFT(即晶体管T5)，由于IGZO TFT漏电流小，列线上的噪声小；此电路可以不受PPC效应的影响，即在等待读出的时间，不会继续产生光生电流。
请参照图13，为一些实施例的像素电路，该像素电路图中感光单元60包括晶体管T5和晶体管T7，其他描述——包括电路结构和图像显示模式，可参见对图5的像素电路的描述。而对于图像传感模式，下面结合图14的时序，分阶段地描述像素电路是如何实现图像传感器的功能的。在复位阶段的描述可以参见图5的像素电路的复位阶段的描述。而对于积分阶段：在此阶段，晶体管T5和晶体管T7的控制电压Nscan[n]和Nscan[n-1]均为低电平，Rd/OUT线为高电平，信号Pscan[n]和Pscan[n-1]为低电平，晶体管T4和晶体管T6打开；第一个感光晶体管T5受到光照后在电压差下产生光生的电流，使得电容Cst下极板电位逐渐抬高，同时，感光晶体管T7作为第二个感光晶体管，也会受到光照后在电压差下产生光生的电流，使得电容Cst下极板电位抬升的更多。在读出阶段：在Nscan[n-1]的高电平脉冲下打开晶体管T7，此时Rd/OUT线为读出线，存储在电容Cst内的电荷读出；EM信号线可以一直为高电平，因此像素电路内的OLED并不发光。在此阶段，像素电路内的传感读出可以是逐行读出的也可以是同时多行读出的，具有多种读出模式。
本实施例的像素电路，IGZO TFT漏电流小，列线上的噪声小，而且有两个感光晶体管使得此电路对弱光强更敏感。
请参照图15，为一些实施例的像素电路：选通单元20包括晶体管T4，存储单元30包括电容Cst，驱动单元40包括晶体管T1；复位单元50包括晶体管T5和晶体管T6；感光单元60包括晶体管T5，即复位单元50复用为感光单元60。具体地，晶体管T4的控制极连接扫描线，晶体管T4的第一极连接数据线Data，晶体管T4的第二极连接晶体管T1的第一极；晶体管T1的第二极连接发光单元10(例如图中OLED)；电容Cst连接在晶体管T1的控制极和第一极之间；晶体管T5的第一极连接晶体管T1的控制极，晶体管T5的第二极连接晶体管T1的第二极；晶体管T6的第一极连接复位线Rd，晶体管T6的第二极连接晶体管T5的第二极。一些实施例，像素电路还可以包括发光控制单元80，控制单元80包括晶体管T2和晶体管T3；电容Cst与晶体管T1的第一极连接的那一端，与晶体管T1的第一极之间，还连接有晶体管T2，其中晶体管T2的第一极与电容Cst与晶体管T1的第一极连接的那一端连接，晶体管T2的第二极与晶体管T1的第一极；晶体管T1的第二极和发光单元10之间还连接有晶体管T3，其中晶体管T3的第一极与晶体管T1的第二极连接，晶体管T3的第二极与发光单元连接；晶体管T2和晶体管T3的控制极用于接收发光信号，图中的发光信号为EM。
一些实施例中，图5中可以由6个TFT和1个电容构成，其中包括了1个IGZO TFT和5个LTPS TFT，具体地，晶体管T5为IGZO TFT，晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4和晶体管T6为LTPS TFT，可以理解地，图中晶体管T2和晶体管T3不是必需的。
一些实施例中，晶体管T4用于接收本行的扫描信号Pscan[n]；一些实施例中，晶体管T6接收上一行的扫描信号Pscan[n-1]；一些实施例中，晶体管T5的控制极用于接收本行的控制信号Nscan[n-1]或者本行的控制信号Nscan[n]；一些实施例中，晶体管T2的控制极用于接收发光信号EM，一些实施例中，晶体管T3的控制极用于接收发光信号EM。
对于图像显示模式：
可以通过信号Nscan[n-1]和Pscan[n-1]分别选通晶体管T5和晶体管T6，通过复位线Rd对电容Cst进行复位；为了达到精简像素电路设计的目的，这里在复位线Rd上可以采用了电压值可变的偏置电压源Vref，其在不同的工作阶段采用不同的电压值，从而可以节省额外的偏置电压源。复位后，再通过本行扫描信号Pscan[n]选通晶体管T4，使得通过数据线Data传递过来的显示信号对电容Cst充电，晶体管T5则提取驱动晶体管T1的阈值电压，因此电容Cst中存储显示信号，该显示信号包含有由数据线Data传递过来的原始显示信号和晶体管T5所提取的驱动晶体管T1的阈值电压；最后电容Cst中所存储的显示信号通过晶体管T1来驱动发光单元10以进行发光。
对于图像传感模式，下面结合图16的时序，分阶段地描述像素电路是如何实现图像传感器的功能。
(1)复位阶段：
复位阶段目的是对像素电路的电容Cst进行复位。信号Nscan[n-1]为高电平脉冲，Pscan[n-1]为低电平，使得晶体管T5和晶体管T6导通，此时Vref为低电平，使得电容Cst的下极板为低电平。
(2)积分阶段：
在此阶段，晶体管T5的控制电压Nscan[n-1]为低电平，Vref为高电平，信号Pscan[n-1]仍然为低电平，晶体管T6导通；感光晶体管T5受到光照后产生光生的电流，使得电容Cst下极板电位逐渐抬高；对应于不同的光照强度，晶体管T5产生的光生电流大小不同。
(3)读出阶段
在Pscan[n]和Pscan[n-1]信号线的高电平脉冲下晶体管T6和晶体管T4打开，使得带有光电信息的电容下极板控制晶体管T1的控制极，晶体管T1产生的输出电流到DATA/OUT线上进行读出。EM信号线可以一直为高电平，因此像素电路内的OLED并不发光。在此阶段，像素电路内的传感读出可以是逐行读出的也可以是同时多行读出的，具有多种读出模式。
本实施例的像素电路的优点在于：像素内的器件数量少，只有一个IGZO TFT，像素电路可以实现更高的PPI；此像素电路可以将晶体管T5产生的光生电流通过晶体管T1进行放大，相当于在像素电路内进行预放大，使得输出信号更易被读出及处理。
请参照图17，为一些实施例的像素电路，该像素电路与图14的像素电路不同之处在于，其复位单元50可用作读出单元70，此时复位线Rd可用作读出线OUT。其他描述——包括电路结构和图像显示模式，可参见对图14的像素电路的描述。对于图像传感模式，下面结合图18的时序，分阶段地描述像素电路是如何实现图像传感器的功能。
(1)复位阶段：
复位阶段目的是对像素电路的电容Cst进行复位。信号Nscan[n-1]为高电平脉冲，Pscan[n-1]为低电平，使得晶体管T5和晶体管T6导通，此时复位线Rd为低电平，使得电容Cst的下极板为低电平。
(2)积分阶段：
在此阶段，晶体管T5的控制电压Nscan[n-1]为低电平，复位线Rd为高电平，信号Pscan[n-1]仍然为低电平，晶体管T6导通；感光晶体管T5受到光照后产生光生的电流，使得电容Cst下极板电位逐渐抬高；对应于不同的光照强度，晶体管T5产生的光生电流大小不同。
(3)读出阶段
在Pscan[n]和Pscan[n-1]信号线的高电平脉冲下晶体管T6和晶体管T4打开，使得带有光电信息的电容下极板控制晶体管T1的控制极，晶体管T1产生的输出电流到DATA/OUT线上进行读出。EM信号线可以一直为高电平，因此像素电路内的OLED并不发光。在此阶段，像素电路内的传感读出可以是逐行读出的也可以是同时多行读出的，具有多种读出模式。
在Nscan[n-1]的高电平脉冲下打开晶体管T5，Pscan[n-1]的高电平脉冲下打开晶体管T6，此时复位线Rd线变为读出线OUT，存储在电容Cst内的电荷读出。EM信号线可以一直为高电平，因此像素电路内的OLED并不发光。在此阶段，像素电路内的传感读出可以是逐行读出的也可以是同时多行读出的，也可以是奇数行与偶数行分开读的，具有多种读出模式。
本实施例的像素电路的优势在于：奇数和偶数分开读出，可以防止串扰，并且精度可以满足例如指纹感应的要求。
以上就是本发明的像素电路的一些说明。一些实施例还公开了一种多功能显示的系统，该系统可以包括矩阵式的像素电路，例如包括N行M列的像素电路。图19为多功能显示的系统的一种结构示意图，其包括像素电路的矩阵、栅极驱动电路100和源极驱动电路200，栅极驱动电路100用于提供各行的扫描信号Pscan，各行的控制信号(或者说图传的扫描信号)Nscan，各行的发光控制信号EM；源极驱动电路200则可以通过数据线Data用于提供显示信号，还可以提供复位线和读出线等。图中单个像素电路的工作需要的输入信号包括正脉冲扫描信号Nscan[n]，负脉冲扫描信号Pscan[n-1]及Pscan[n]，发光控制信号EM[n]，及数据信号(即显示信号)Vdata；如上所述，正/负脉冲扫描信号及发光控制信号均由栅极驱动电路100提供；数据线连接到源极驱动电路200，源极驱动电路200包括了应用于显示驱动的缓冲放大电路，也包括了应用于传感读出的电荷放大电路；由于像素电路的阵列(矩阵)中最大程度地复用了TFT、栅极驱动电路、源极驱动电路，因此其体积可以做得很小很薄，集成度高，元器件使用小，成本降低，故障率等也降低。
图20示意了像素电路工作时的一种时序图；显示模式时序主要值得注意的几个点包括：1)当Pscan[n-1]为低电平时，像素电路进入复位阶段，电容Cst被初始化；2)当Pscan[n]为低电平时，像素电路进入编程及阈值电压提取阶段，电容Cst下极板的电压变为Vdata-|Vthp|，其中Vdata为源极驱动电路200提供的显示信号，Vthp为晶体管T1的阈值电压；当驱动晶体管T1的阈值电压绝对值更大时，则电容Cst下极板的电压更低，以保持驱动晶体管T1的过驱动电压值(即Vsg-|Vthp|)保持着恒定的值；3)当EM[n]变为低电平，则发光控制部分被导通，OLED像素电路提供较恒定的驱动电流，从而像素电路进入发光显示阶段。
本发明一些实施例的像素电路和系统，除了具有图像显示功能，还具有图像传感器的功能，且分时段地进行显示器驱动以及图像传感，以减少显示驱动以及图像传感之间的相互干扰。本发明一些实施例的像素电路和系统，其所增加的图像传感功能，是通过分时地复用已经有的信号线例如显示驱动线(即数据线)等，修改显示驱动线的时序完成，并没有增加显示像素电路阵列的复杂度。本发明一些实施例的像素电路和系统，参与图像传感的行列数，可通过驱动时序进行修改，图像传感的阵列大小及像素尺寸具有灵活可调的优势。
本文参照了各种示范实施例进行说明。然而，本领域的技术人员将认识到，在不脱离本文范围的情况下，可以对示范性实施例做出改变和修正。例如，各种操作步骤以及用于执行操作步骤的组件，可以根据特定的应用或考虑与系统的操作相关联的任何数量的成本函数以不同的方式实现(例如一个或多个步骤可以被删除、修改或结合到其他步骤中)。
虽然在各种实施例中已经示出了本文的原理，但是许多特别适用于特定环境和操作要求的结构、布置、比例、元件、材料和部件的修改可以在不脱离本披露的原则和范围内使用。以上修改和其他改变或修正将被包含在本文的范围之内。
前述具体说明已参照各种实施例进行了描述。然而，本领域技术人员将认识到，可以在不脱离本披露的范围的情况下进行各种修正和改变。因此，对于本披露的考虑将是说明性的而非限制性的意义上的，并且所有这些修改都将被包含在其范围内。同样，有关于各种实施例的优点、其他优点和问题的解决方案已如上所述。然而，益处、优点、问题的解决方案以及任何能产生这些的要素，或使其变得更明确的解决方案都不应被解释为关键的、必需的或必要的。本文中所用的术语“包括”和其任何其他变体，皆属于非排他性包含，这样包括要素列表的过程、方法、文章或设备不仅包括这些要素，还包括未明确列出的或不属于该过程、方法、系统、文章或设备的其他要素。此外，本文中所使用的术语“耦合”和其任何其他变体都是指物理连接、电连接、磁连接、光连接、通信连接、功能连接和/或任何其他连接。
具有本领域技术的人将认识到，在不脱离本发明的基本原理的情况下，可以对上述实施例的细节进行许多改变。因此，本发明的范围应仅由权利要求确定。

Claims (13)

1.一种多功能显示的像素电路，其特征在于，包括：
数据线，用于提供显示信号；
复位线，用于提供复位电压；
扫描线，用于提供扫描信号；
读出线，用于将图像传感信号传输出去；
发光单元，用于发光；
选通单元，响应于扫描线的扫描信号被选通，以接收数据线上的显示信号；
存储单元，用于存储电荷；
驱动单元，用于驱动所述发光单元进行发光；
复位单元，用于通过复位线对所述存储单元进行复位；
感光单元，用于接收光照时提供一个响应于光照强度的泄漏电流，所述泄漏电流用于改变所述存储单元所存储的电荷量；
读出单元，用于读取所述存储单元的电信号以作为所述图像传感信号，并通过所述读出线输出去；
其中：
所述像素电路具有图像显示模式和图像传感模式；
在所述图像显示模式下：
所述复位单元通过所述复位线对所述存储单元进行复位；所述选通单元响应于所述扫描线的扫描信号以接收并传递所述数据线的显示信号；所述存储单元存储所述显示信号；所述驱动单元响应于所述存储单元所存储的显示信号，驱动所述发光单元发光；
在所述图像传感模式下：
所述复位单元通过所述复位线对所述存储单元进行复位；所述感光单元接收光照时提供一个响应于所述光照强度的泄漏电流，所述泄漏电流用于改变所述存储单元所存储的电荷量；所述读出单元用于读取所述存储单元的电信号以作为所述图传信号，并通过所述读出线传输出去；
其中：
所述复位单元还用作所述感光单元；或者，所述感光单元还用作阈值提取单元，所述阈值提取单元用于提取所述驱动单元的老化信息并存储于所述存储单元；
所述数据线或所述复位线还用作所述读出线。
2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述选通单元包括晶体管T4，所述存储单元包括电容Cst，所述驱动单元包括晶体管T1；
所述晶体管T4的控制极连接所述扫描线，所述晶体管T4的第一极连接所述数据线，所述晶体管T4的第二极连接所述晶体管T1的第一极；所述晶体管T1的第二极连接所述发光单元；所述电容Cst连接在所述晶体管T1的控制极和第一极之间。
3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述复位单元包括晶体管T7；所述感光单元和所述阈值提取单元为同一单元，包括晶体管T5；
所述晶体管T7的第一极连接所述复位线，所述晶体管T7的第二极连接所述晶体管T1的控制极；所述晶体管T5的第一极连接所述晶体管T1的控制极，所述晶体管T5的第二极连接所述晶体管T1的第二极。
4.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于：
所述复位单元包括晶体管T7，或者，所述复位单元包括晶体管T5和晶体管T6，或者，所述复位单元包括晶体管T7、晶体管T5和晶体管T6；
所述感光单元包括所述晶体管T5，或者，所述感光单元包括所述晶体管T7，或者，所述感光单元包括所述晶体管T5和晶体管T7；
所述晶体管T7的第一极连接所述复位线，所述晶体管T7的第二极连接所述晶体管T1的控制极；所述晶体管T5的第一极连接所述晶体管T1的控制极，所述晶体管T5的第二极连接所述晶体管T1的第二极；所述晶体管T6的第一极连接所述复位线，所述晶体管T6的第二极连接所述晶体管T5的第二极。
5.如权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述感光单元中的晶体管T5，还用作所述阈值提取单元。
6.如权利要求3或5所述的像素电路，其特征在于，所述晶体管T7的控制极用于接收控制信号Nscan[n-1]，所述晶体管T5的控制极用于接收控制信号Nscan[n]。
7.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述复位单元包括晶体管T5和晶体管T6；所述感光单元包括所述晶体管T5；
所述晶体管T5的第一极连接所述晶体管T1的控制极，所述晶体管T5的第二极连接所述晶体管T1的第二极；所述晶体管T6的第一极连接所述复位线，所述晶体管T6的第二极连接所述晶体管T5的第二极。
8.如权利要求7所述的像素电路，其特征在于，所述晶体管T5的控制极用于接收控制信号Nscan[n-1]。
9.如权利要求4或7所述的像素电路，其特征在于，所述晶体管T6的控制极用于接收扫描信号Pscan[n-1]，所述晶体管T4的控制极用于接收扫描信号Pscan[n]。
10.如权利要求1至9中任一项所述的像素电路，其特征在于，还包括发光控制单元，所述发光控制单元能够根据发光控制信号接通和断开流向所述发光单元的电流；
所述发光控制单元包括晶体管T2和晶体管T3；电容Cst与晶体管T1的第一极连接的那一端，与晶体管T1的第一极之间，还连接有所述晶体管T2，其中所述晶体管T2的第一极与所述电容Cst与晶体管T1的第一极连接的那一端连接，所述晶体管T2的第二极与晶体管T1的第一极；晶体管T1的第二极和发光单元之间还连接有所述晶体管T3，其中所述晶体管T3的第一极与晶体管T1的第二极连接，晶体管T3的第二极与发光单元连接；所述晶体管T2和晶体管T3的控制极用于接收发光信号。
11.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述复位单元还用作所述读出单元，所述复位单元读取所述存储单元的电压并通过所述复位线传递出去，以作为图传信号；或者，所述选通单元还用作所述读出单元，所述选通单元读取所述驱动单元响应于存储单元所存储的电荷而输出的电信号，并通过所述数据线传递出去，以作为所述图传信号。
12.如权利要求2至11中任一项所述的像素电路，其特征在于，晶体管T1为低温多晶硅TFT，晶体管T2为低温多晶硅TFT，晶体管T3为低温多晶硅TFT，晶体管T4为低温多晶硅TFT，晶体管T6为低温多晶硅TFT；晶体管T5为铟镓锌氧化物TFT，晶体管T7为铟镓锌氧化物TFT。
13.一种多功能显示的系统，其特征在于，包括N行M列的如权利要求1至12中任一项所述的多功能显示的像素电路。
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