CN114235205A - 温度检测方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质 - Google Patents

温度检测方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN114235205A
CN114235205A CN202111539864.7A CN202111539864A CN114235205A CN 114235205 A CN114235205 A CN 114235205A CN 202111539864 A CN202111539864 A CN 202111539864A CN 114235205 A CN114235205 A CN 114235205A
Authority
CN
China
Prior art keywords
voltage
temperature
chip
real
historical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202111539864.7A
Other languages
English (en)
Inventor
戴延中
成晓龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Eswin Computing Technology Co Ltd
Guangzhou Quanshengwei Information Technology Co Ltd
Original Assignee
Beijing Eswin Computing Technology Co Ltd
Guangzhou Quanshengwei Information Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Eswin Computing Technology Co Ltd, Guangzhou Quanshengwei Information Technology Co Ltd filed Critical Beijing Eswin Computing Technology Co Ltd
Priority to CN202111539864.7A priority Critical patent/CN114235205A/zh
Publication of CN114235205A publication Critical patent/CN114235205A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2872—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation
    • G01R31/2874—Environmental, reliability or burn-in testing related to electrical or environmental aspects, e.g. temperature, humidity, vibration, nuclear radiation related to temperature

Abstract

本申请提供了一种温度检测方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，涉及芯片技术领域。该方法包括：获取至少一个芯片的实时电压，至少一个芯片包括的温度传感器为同一型号；根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度；其中，目标线性关系是根据至少一个芯片的历史温度和历史电压预先确定的。本申请实施例考虑了到各个芯片实际使用情况的区别，提高了温度检测的效率，并减小了温度检测的误差，得到的实时温度更为准确。

Description

温度检测方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质
技术领域
本申请涉及芯片技术领域，具体而言，本申请涉及一种温度检测方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。
背景技术
芯片是一种将电路小型化，集成电路的半导体元件，芯片的正常运行是基于晶体提供的时钟频率，而晶体会受到温度的影响，振动产生的时钟频率会发生变化，从而影响芯片的性能。
现有技术中一般通过晶体振荡器实现温度补偿，根据芯片中晶体的温度，补偿晶体提供的时钟频率，芯片的温度测量通常是通过集成在芯片中的温度传感器来实现的，温度传感器可以将温度转换为电压，根据电压与温度之间的关系，确定芯片的实时温度。
而实际情况下，由于不同芯片的制造方法或制造厂商不同，芯片中的温度传感器确定的温度通常是不一致的，即使是同一批制造出来的相同的芯片，包含有相同的温度传感器，由于实际使用情况的不同，各个芯片中的温度传感器所确定的温度也存在较大误差，影响芯片的使用性能。
发明内容
本申请实施例提供了一种温度检测的方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，可以解决温度检测误差较大的问题。所述技术方案如下：
获取至少一个芯片的实时电压，至少一个芯片包括的温度传感器为同一型号；
根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度；
其中，目标线性关系是根据至少一个芯片的历史温度和历史电压预先确定的。
在一个可能的实现方式中，根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度，之前还包括：
对于至少一个芯片中的任意一个芯片，根据芯片的历史温度和历史电压，确定芯片的历史温度与历史电压之间的线性关系；
将所有芯片的历史温度与历史电压之间的线性关系进行拟合，获得第一线性关系。
在另一个可能的实现方式中，根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度，之前还包括确定目标线性关系，包括：
将第一线性关系作为目标线性关系。
在又一个可能的实现方式中，根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度，之前还包括：
将芯片的历史温度和历史电压作为预设的最小均方误差算法的参数，将电压温度系数作为最小均方误差算法的估计量进行估计，获得目标电压温度系数；
根据目标电压温度系数，确定第二线性关系。
在又一个可能的实现方式中，根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度，之前还包括确定目标线性关系，包括：
将第二线性关系作为目标线性关系。
在又一个可能的实现方式中，根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度，之前还包括确定目标线性关系的步骤，包括：
预先设置一个环境温度，确定芯片在环境温度下测量得到的电压；
根据电压，划分出第一范围和第二范围；
若确定实时电压在第一范围中，则将第一线性关系作为目标线性关系；
若确定实时电压在第二范围中，则将第二线性关系作为目标线性关系。
在又一个可能的实现方式中，根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度，之前还包括确定目标线性关系的步骤，还包括：
预先设置至少两个环境温度，对于至少两个环境温度中的任意一个环境温度，确定芯片在环境温度下测量得到的电压；
根据所有环境温度对应测量得到的电压，划分出至少三个范围；
对于至少三个范围中的任意一个范围，若确定实时电压在范围中，则将第一线性关系作为目标线性关系，或者将第二线性关系作为目标线性关系。
在又一个可能的实现方式中，将芯片的历史温度和历史电压作为预设的最小均方误差算法的参数，将电压温度系数作为最小均方误差算法的估计量进行估计，获得目标电压温度系数，包括：
对于任意一个芯片，获取芯片在至少一个历史时刻的历史观察记录，历史观察记录用于记录芯片在相应时刻的历史温度和历史电压；
确定历史温度与预设的环境温度之间的第一差值，以及历史电压与芯片在环境温度下测量得到的电压之间的第二差值；
根据第一差值以及第二差值，获得目标电压温度系数。
在又一个可能的实现方式中，根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度，包括：
根据目标线性关系确定电压温度系数；
确定实时电压与目标电压的差值，目标电压为芯片在预设的目标环境温度下测量得到的电压；
确定差值与电压温度系数的商；
确定商与目标环境温度的和，作为芯片的实时温度。
根据本申请实施例的另一个方面，提供了一种温度检测装置，该装置包括：
获取模块，用于获取至少一个芯片的实时电压，至少一个芯片包括的温度传感器为同一型号；
温度模块，用于根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度；
其中，目标线性关系是根据至少一个芯片的历史温度和历史电压预先确定的。
根据本申请实施例的另一个方面，提供了一种电子设备，该电子设备包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，处理器执行计算机程序以实现上述的温度计算方法的步骤。
根据本申请实施例的再一个方面，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述的温度计算方法的步骤。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
本申请实施例通过至少一个芯片的历史温度和历史电压确定温度与电压之间的目标线性关系，考虑到了各个芯片实际使用情况的区别，综合各个芯片的历史温度和历史电压，得到更为准确的目标线性关系；获取至少一个芯片的实时电压，根据目标线性关系确定各个芯片的实时电压对应的实时温度，提高了温度检测的效率，并减小了温度检测的误差。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对本申请实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为本申请实施例提供的一种温度检测方法的流程示意图；
图2为本申请实施例提供的一种历史温度与历史电压的线性关系示意图；
图3为本申请实施例提供的一种温度检测装置的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种温度检测的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面结合本申请中的附图描述本申请的实施例。应理解，下面结合附图所阐述的实施方式，是用于解释本申请实施例的技术方案的示例性描述，对本申请实施例的技术方案不构成限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请实施例所使用的术语“包括”以及“包含”是指相应特征可以实现为所呈现的特征、信息、数据、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除实现为本技术领域所支持其他特征、信息、数据、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合等。应该理解，当我们称一个元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，该一个元件可以直接连接或耦接到另一元件，也可以指该一个元件和另一元件通过中间元件建立连接关系。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的术语“和/或”指示该术语所限定的项目中的至少一个，例如“A和/或B”可以实现为“A”，或者实现为“B”，或者实现为“A和B”。
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
首先对本申请涉及的几个名词进行介绍和解释：
芯片，是半导体元件产品的统称，在电子学中是一种将电路小型化的方式，并制造在半导体晶圆表面上，也即集成电路，采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连在一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。
温度传感器，是指能感知温度并将温度转换成可用输出信号的传感器，温度传感器是温度测量仪表的核心部分，品种繁多，按测量方式可分为接触式和非接触式，按照传感器材料及电子元件特性分为热电阻和热电偶两类，在本申请实施例中是指芯片内部含有的温度传感器，可以将温度转换为可输出的电压信号。
电压温度系数，半导体电压随温度的变化而变化，这种变化的系数称为电压温度系数，也即电压的变化量与温度的变化量之比，法定单位是伏特每开尔文，外文符号为V/K，中文符号为“伏/开”。
时钟频率，是指同步电路中时钟的基础频率，它以“若干次每秒”来度量，度量单位采用SI单位赫兹(Hz)，它是评定CPU性能的重要指标。
芯片的运行基于晶体振动产生的时钟频率，时钟频率越大表示芯片的性能越强，但晶体所处环境的温度不同，晶体振动所产生的时钟频率会发生变化，如随着芯片的持续运行，芯片的温度可能会变高，导致时钟频率发生变化，进而影响芯片的性能，目前一般通过晶体振荡器来实现温度补偿，温度补偿晶体振荡器可以利用晶体负载电抗随温度的变化而补偿晶体的频率-温度特性，以达到减少晶体的频率-温度偏移的目的。
因此，需要准确估计出芯片的温度，芯片的温度测量通常是通过包含在芯片内部的温度传感器实现，温度传感器可以将温度转换成电压，通过电压衡量芯片的温度，然而芯片与芯片之间测量得到的结果差异较大，即使是相同的芯片，如同一批制造出来的相同的芯片，这些芯片具备相同的温度传感器，在芯片的实际使用过程中，各个芯片的使用情况一般均是不同的，有的芯片经常使用，而有的芯片可能并没有使用，导致各个芯片的损耗、使用寿命均不同，测量温度时，基于各个芯片中的温度传感器得出的温度也是不同的，存在较大误差。
本申请提供的温度检测方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质以，旨在解决现有技术的如上技术问题。
下面通过对几个示例性实施方式的描述，对本申请实施例的技术方案以及本申请的技术方案产生的技术效果进行说明。需要指出的是，下述实施方式之间可以相互参考、借鉴或结合，对于不同实施方式中相同的术语、相似的特征以及相似的实施步骤等，不再重复描述。
本申请实施例的应用场景是基于芯片中的温度传感器估计芯片的温度，可以由终端本身实现终端中所使用的芯片的温度检测，也可以是由服务器获取终端所使用的芯片的温度传感器输出的电压估计芯片的温度，进一步实现芯片的温度检测，本申请实施例不作具体限定。
本申请实施例中提供了一种温度检测方法，如图1所示，该方法包括：
S101、获取至少一个芯片的实时电压，至少一个芯片包括的温度传感器为同一型号。
应当理解的是，本申请实施例中获取的是芯片中的温度传感器输出的电压，获取的对象是芯片，芯片的数量为至少一个，而这些芯片中的温度传感器为同一型号，即可以认为这些芯片中包括的温度传感器是相同的。
本申请实施例的执行主体可以是终端，也可以是服务器，如终端本身获取终端所使用的芯片的温度传感器输出的电压，或者服务器获取终端所使用的芯片的温度传感器输出的电压，本申请实施例不作具体限定。
芯片的实时电压是指芯片在当前进行温度检测时所获取到的芯片中的温度传感器输出的电压，获取到的是电压具体的数值，
S102、根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度；
其中，目标线性关系是根据至少一个芯片的历史温度和历史电压预先确定的。
在获取到至少一个芯片的实时电压后，对于至少一个芯片中的任意一个芯片，可以根据预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定该芯片的实时电压对应的实时温度，实时温度是指芯片当前进行温度检测时芯片的温度。
其中，目标线性关系是预先根据至少一个芯片的历史温度和历史电压确定的，历史温度与历史电压是一一对应的，包括各个芯片中的温度传感器在之前已经测量获得的一一对应的温度和电压，记录在该芯片的历史观察记录中，可以根据各个芯片的历史温度和历史电压，确定各个芯片的历史温度与历史温度之间的线性关系，然后根据各个芯片的历史温度与历史温度之间的线性关系，确定目标线性关心，具体的实现过程在后续的实施例中进行描述。
本申请实施例通过至少一个芯片的历史温度和历史电压确定温度与电压之间的目标线性关系，考虑到了各个芯片实际使用情况的区别，综合各个芯片的历史温度和历史电压，得到更为准确的目标线性关系；获取至少一个芯片的实时电压，根据目标线性关系确定各个芯片的实时电压对应的实时温度，提高了温度检测的效率，并减小了温度检测的误差。
本申请实施例中提供了一种可能的实现方式，根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度，之前还包括：
对于至少一个芯片中的任意一个芯片，根据芯片的历史温度和历史电压，确定芯片的历史温度与历史电压之间的线性关系；
将所有芯片的历史温度与历史电压之间的线性关系进行拟合，获得第一线性关系。
应当理解的是，芯片的历史温度和历史电压是预先已经记录好的，如可以是记录在该芯片的历史观察记录中，历史观察记录可以存储在终端或服务器中，该芯片的历史温度和历史电压可以从该芯片的历史观察记录中直接获取得到。
在本申请实施例中以四个芯片为例进行描述，如图2所示，图中坐标系以温度为横坐标，以电压为纵坐标，以四个芯片的历史电压以及历史电压对应的历史温度为点，构成图2中所示的四条直线。
应当理解的是，对于本申请实施例中的电压与温度之间是线性关系，其中，电压变化量与温度变化量之间的关系以及电压温度系数，也即电压变化量与温度变化量之比，因此，确定电压与温度之间的线性关系，即是确定电压温度系数。
在本申请实施例中根据图2记录的四个芯片的历史电压和历史温度，分别确定四个芯片的历史温度与历史电压之间的线性关系，具体地，即是确定四个芯片的历史温度与历史电压之间的线性关系的电压温度系数，也即图2中四条直线的斜率，记为k1、k2、k3以及k4。
进一步地，对所有芯片的历史温度和历史电压之间的线性关系进行拟合，获得目标线性关系，可以根据如下公式进行计算：
k＝(k1+k2+k3+k4)/4 (1)
其中，k为温度与电压之间的第一线性关系；k1、k2、k3以及k4分别为本申请实施例中的四个芯片的历史温度与历史电压之间的线性关系。
应当理解的是，为了使计算获得的目标线性关系更为准确，分别计算这四个芯片的历史电压与历史温度之间的线性关系，可以将这四个芯片的线性关系的平均值作为温度与电压之间的目标线性关系。
本申请实施例中提供了一种可能的实现方式，根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度，之前还包括确定目标线性关系，包括：
将第一线性关系作为目标线性关系。
应当理解的是，在本申请实施例中通过上述实施例确定了第一线性关系后，可以直接将第一线性关系作为目标线性关系，根据芯片的实时电压以及第一线性关系，计算获得芯片的实时温度。
本申请实施例中提供了一种可能的实现方式，根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度，之前还包括：
将芯片的历史温度和历史电压作为预设的最小均方误差算法的参数，将电压温度系数作为最小均方误差算法的估计量进行估计，获得目标电压温度系数；
根据目标电压温度系数，获得第二线性关系。
本申请实施例中还提供了另一种确定电压与温蒂之间的线性关系的方式，基于芯片的历史电压和历史温度，结合预设的最小均方误差算法，确定目标电压温度系数。
均方误差(mean-square error,MSE)是反映估计量与被估计量之间差异程度的一种度量，一般地，在样本量一定时，可以通过这些样本估计出最小均方差，作为偏差最小的结果。具体地，在本申请实施例中是线性最小均方误差估计，也称最优线性估计一种参数估计量，是线性估计量中均方误差最小的估计量。
在本申请实施例中将芯片的历史电压和历史温度作为最小均方误差算法的参数，将电压温度系数作为最小均方误差算法的估计量，估计出误差最小的电压温度系数作为目标电压温度系数，具体的过程在后续的实施例中进行描述。
根据目标电压温度系数，获得第二线性关系，即是将目标电压温度系数作为第二线性关系的电压变化系数，并结合在最小均方误差算法中预设环境温度，获得第二线性关系。
本申请实施例中提供了一种可能的实现方式，根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度，之前还包括确定目标线性关系，包括：
将第二线性关系作为目标线性关系。
应当理解的是，在本申请实施例中通过上述实施例确定了第二线性关系后，也可以直接将第二线性关系作为目标线性关系，根据芯片的实时电压以及第二线性关系，计算芯片的实时温度。
本申请实施例中提供了一种可能的实现方式，根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度，之前还包括确定目标线性关系的步骤，包括：
预先设置一个环境温度，确定芯片在环境温度下测量得到的电压；
根据电压，划分出第一范围和第二范围；
若确定实时电压在第一范围中，则将第一线性关系作为目标线性关系；
若确定实时电压在第二范围中，则将第二线性关系作为目标线性关系。
应当理解的是，环境温度是指芯片所处环境的温度，在本申请实施例中预先设置了一个环境温度，测量该芯片在该环境温度下的一个电压，那么，可以根据这个电压，将所有电压划分为两个范围，也即第一范围和第二范围，如第一范围为小于该电压，第二范围为大于该电压。例如设置一个环境温度25°，在常温25°测量得到的电压，记为V25，可以将电压划分为两个范围，即第一范围为大于等于V25，第二范围为小于V25。
在获取到芯片的实时电压后，可以将实时电压与该电压进行比较，确定实时电压所属的范围，在本申请实施例中，若确定实时电压在第一范围，则将第一线性关系作为目标线性关系；若确定实时电压在第二范围，则将第二线性关系作为目标线性关系。
本申请实施例中通过划分两个电压的范围，在两个范围中的电压分别使用第一线性关系或者第二线性关系进行计算，是考虑到了实际情况下芯片所处的环境的温度不同，对芯片的性能可能会造成不同的影响，解决了温度检测单一的问题，增加了温度检测的多样性。
本申请实施例中提供了一种可能的实现方式，根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度，之前还包括确定目标线性关系的步骤，还包括：
预先设置至少两个环境温度，对于至少两个环境温度中的任意一个环境温度，确定芯片在环境温度下测量得到的电压；
根据所有环境温度对应测量得到的电压，划分出至少三个范围；
对于至少三个范围中的任意一个范围，若确定实时电压在范围中，则将第一线性关系作为目标线性关系，或者将第二线性关系作为目标线性关系。
应当理解的是，上述实施例中设置了一个环境温度，在本申请实施例中为了更贴合实际情况，可以设置至少两个环境温度，分别测量该芯片在各个环境温度下的电压，具体的，根据实际情况下环境温度对芯片的影响程度确定设置的环境温度的个数和数值，环境温度的数值可以在0°至45°之间任意选取，例如可以是一般定义的常温25°，也可以是其他温度，如15°、30°等，本申请实施例不作具体限定。
根据所有环境温度对应测量得到的电压，根据各个电压的大小，划分出至少三个范围，例如在环境温度15°，30°下测量得到电压记为V15，V30，可以将电压划分为三个范围，假设V15小于V30，划分出的范围包括小于V15，大于等于V15且小于等于V30以及大于V30。
本申请实施例中提供了一种可能的实现方式，将芯片的历史温度和历史电压作为预设的最小均方误差算法的参数，将电压温度系数作为最小均方误差算法的估计量进行估计，获得目标电压温度系数，包括：
对于任意一个芯片，获取芯片在至少一个历史时刻的历史观察记录，历史观察记录用于记录芯片在相应时刻的历史温度和历史电压；
确定历史温度与预设的环境温度之间的第一差值，以及历史电压与芯片在环境温度下测量得到的电压之间的第二差值；
根据第一差值以及第二差值，获得目标电压温度系数。
在本申请实施例中是基于当前进行温度检测的所有芯片的所有已记录的历史温度和历史电压进行估计，其中，对于任意一个芯片，可以获取芯片在至少一个历史时刻的历史观察记录，历史观察记录是用于记录该芯片在各个历史时刻的对应测量得到的历史温度和历史电压，如上述图2中展示的四个芯片的历史温度和历史电压。
具体地，本申请实施例中根据预设的最小均方误差算法对四个芯片的历史温度和历史电压进行计算，如下公式所示：
MMSE(∑((Ti–25)*k+V25–Vi)2) (2)
其中，MMSE表示最小均方误差；Vi是芯片i在历史温度Ti对应的历史电压；V25是芯片i在环境温度25°下对应测量得到的电压，为已知常数；k为电压温度系数。
历史温度与预设的环境温度之间的第一差值也即公式(2)中所示的Ti–25，历史电压与该芯片在环境温度下测量得到的电压之间的第二差值也即公式(2)中所示的V25–Vi。根据第一差值以及第二差值，获得目标电压温度系数，即是将各个芯片的历史温度和历史电压分别代入公式，然后进行累加计算，获得一个关于电压温度系数k的一元二次多项式，根据数学领域的常规计算，计算出一个k值，使得该k值代入一元二次多项式中时一元二次多项式的值最小，将该k值作为目标电压温度系数。
本申请实施例通过线性最小均方误差估计，基于各个芯片的历史温度和历史电压，估计出误差最小的电压温度系数作为目标电压温度系数，提高了温度检测的准确性，降低了误差。
本申请实施例中提供了一种可能的实现方式，根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度，包括：
根据目标线性关系确定电压温度系数；
确定实时电压与目标电压的差值，目标电压为芯片在预设的目标环境温度下测量得到的电压；
确定差值与电压温度系数的商；
确定商与目标环境温度的和，作为芯片的实时温度。
本申请实施例中在获取到芯片的实时电压，并确定了电压与温度之间的目标线性关系后，可以根据实时电压和目标线性关系计算实时温度对应的实时温度，具体地，需根据目标线性关系确定进行计算时的电压温度系数，并确定预设的目标环境温度以及该芯片在目标环境温度下测量得到的目标电压，然后可以按照如下公式进行计算：
T＝(V–V′)/k+T′ (3)
其中，T表示实时温度；V表示实时电压；V′表示目标电压；k表示目标电压温度系数；T′表示目标环境温度。
应当理解的是，电压温度系数是电压变化量与温度变化量的比值，将实时电压V与目标电压V′的差值除以目标电压温度系数k，获得的商实际上就是芯片的实时温度相比于目标环境温度的温度变化量，再将商也即温度变化量与目标环境温度相加，获得的和可以作为芯片的实时温度。
具体的，本申请实施例中还提供了一种具体的应用场景，如若预先设置一个环境温度为25°，确定芯片在环境温度25°下测量得到的电压记为V25，根据电压V25划分出两个范围，第一范围为大于等于V25，第二范围为小于V25，那么对于获取到的任意一个芯片的实时电压V，可以根据如下所示的公式计算出实时温度：
Figure BDA0003413667220000141
其中，T表示实时温度；V表示实时电压；V25表示环境温度25°下测量得到的电压；k1为第一线性关系的电压温度系数；k2为第二线性关系的电压温度系数。
应当注意的是，若确定实时电压V在第一范围中，也即V≥V25，则确定第一线性关系为目标线性关系，也即使用第一线性关系的电压温度系数k1进行计算；若确定实时电压V在第二范围中，也即V<V25，则确定第二线性关系为目标线性关系，也即使用第二线性关系的电压温度系数k2进行计算。
进一步的，本申请实施例中还可以设置多个环境温度，划分出多个范围，并根据实际情况确定实时温度在各个范围中时对应的目标线性关系，例如设置两个环境温度，包括T1和T2，对应测量得到的电压为VT1和VT2，若VT1<VT2，可以根据如下公式进行计算：
Figure BDA0003413667220000142
其中，T表示实时温度，Vi表示芯片i的实时电压；T1、T2表示环境温度；VT1、VT2分别表示环境温度T1、T2下测量得到的电压；k1为第一线性关系的电压温度系数；k2为第二线性关系的电压温度系数。
应当理解的是，上述公式(5)中三个范围的划分、各个范围对应的目标线性关系、预设的环境温度可以是多样化的，可以根据实际情况确定误差较小的选择，本申请实施例不作具体线性，例如还可以将范围划分为V≤VT1、VT2>V>VT1以及V≥VT2，电压区间V≤VT1选用环境温度T1以及对应的k1，电压区间VT2>V>VT1选用环境温度T2以及对应的k2，电压区间V≥VT2选用环境温度T2以及对应的k2。
本申请实施例考虑到实际情况下不同环境温度对于芯片性能的影响，可以设置多个环境温度，并在相应的电压范围选用误差较小的目标线性关系计算实时温度，提高了温度检测的效率，也降低了误差。
本申请实施例提供了一种温度检测装置，如图3所示，该温度检测装置可以包括：获取模块110以及温度模块210，其中，
获取模块110，获取至少一个芯片的实时电压，至少一个芯片包括的温度传感器为同一型号；
温度模块210，用于根据芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定芯片的实时温度；
其中，目标线性关系是根据至少一个芯片的历史温度和历史电压预先确定的。
在一个可能的实现方式中，温度模块210包括：
第一线性关系模块，用于对于至少一个芯片中的任意一个芯片，根据芯片的历史温度和历史电压，确定芯片的历史温度与历史电压之间的线性关系；
将所有芯片的历史温度与历史电压之间的线性关系进行拟合，获得第一线性关系。
在另一个可能的实现方式中，第一线性关系模块包括：
第一确定模块，用于将第一线性关系作为目标线性关系。
在又一个可能的实现方式中，第一线性关系模块还包括：
第二线性关系模块，用于将芯片的历史温度和历史电压作为预设的最小均方误差算法的参数，将电压温度系数作为最小均方误差算法的估计量进行估计，获得目标电压温度系数；
根据目标电压温度系数，确定第二线性关系。
在又一个可能的实现方式中，第二线性关系模块包括：
第二确定模块，用于将第二线性关系作为目标线性关系。
在又一个可能的实现方式中，第二线性关系模块还包括：
第三确定模块，用于预先设置一个环境温度，确定芯片在环境温度下测量得到的电压；
根据电压，划分出第一范围和第二范围；
若确定实时电压在第一范围中，则将第一线性关系作为目标线性关系；
若确定实时电压在第二范围中，则将第二线性关系作为目标线性关系。
在又一个可能的实现方式中，第三确定模块包括：
第四确定模块，用于预先设置至少两个环境温度，对于至少两个环境温度中的任意一个环境温度，确定芯片在环境温度下测量得到的电压；
根据所有环境温度对应测量得到的电压，划分出至少三个范围；
对于至少三个范围中的任意一个范围，若确定实时电压在范围中，则将第一线性关系作为目标线性关系，或者将第二线性关系作为目标线性关系。
在又一个可能的实现方式中，第二线性关系模块包括：
电压温度系数模块，用于对于任意一个芯片，获取芯片在至少一个历史时刻的历史观察记录，历史观察记录用于记录芯片在相应时刻的历史温度和历史电压；
确定历史温度与预设的环境温度之间的第一差值，以及历史电压与芯片在环境温度下测量得到的电压之间的第二差值；
根据第一差值以及第二差值，获得目标电压温度系数。
在又一个可能的实现方式中，第三确定模块还包括：
计算模块，用于根据目标线性关系确定电压温度系数；
确定实时电压与目标电压的差值，目标电压为芯片在预设的目标环境温度下测量得到的电压；
确定差值与电压温度系数的商；
确定商与目标环境温度的和，作为芯片的实时温度。
本申请实施例中提供了一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，该处理器执行上述计算机程序以实现温度检测方法的步骤，与相关技术相比可实现：本申请实施例通过至少一个芯片的历史温度和历史电压确定温度与电压之间的目标线性关系，考虑到了各个芯片实际使用情况的区别，综合各个芯片的历史温度和历史电压，得到更为准确的目标线性关系；获取至少一个芯片的实时电压，根据目标线性关系确定各个芯片的实时电压对应的实时温度，提高了温度检测的效率，并减小了温度检测的误差。
在一个可选实施例中提供了一种电子设备，如图4所示，图4所示的电子设备4000包括：处理器4001和存储器4003。其中，处理器4001和存储器4003相连，如通过总线4002相连。可选地，电子设备4000还可以包括收发器4004，收发器4004可以用于该电子设备与其他电子设备之间的数据交互，如数据的发送和/或数据的接收等。需要说明的是，实际应用中收发器4004不限于一个，该电子设备4000的结构并不构成对本申请实施例的限定。
处理器4001可以是CPU(Central Processing Unit，中央处理器)，通用处理器，DSP(Digital Signal Processor，数据信号处理器)，ASIC(Application SpecificIntegrated Circuit，专用集成电路)，FPGA(Field Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)或者其他可编程逻辑器件、晶体管逻辑器件、硬件部件或者其任意组合。其可以实现或执行结合本申请公开内容所描述的各种示例性的逻辑方框，模块和电路。处理器4001也可以是实现计算功能的组合，例如包含一个或多个微处理器组合，DSP和微处理器的组合等。
总线4002可包括一通路，在上述组件之间传送信息。总线4002可以是PCI(Peripheral Component Interconnect，外设部件互连标准)总线或EISA(ExtendedIndustry Standard Architecture，扩展工业标准结构)总线等。总线4002可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图4中仅用一条粗线表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。
存储器4003可以是ROM(Read Only Memory，只读存储器)或可存储静态信息和指令的其他类型的静态存储设备，RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)或者可存储信息和指令的其他类型的动态存储设备，也可以是EEPROM(Electrically ErasableProgrammable Read Only Memory，电可擦可编程只读存储器)、CD-ROM(Compact DiscRead Only Memory，只读光盘)或其他光盘存储、光碟存储(包括压缩光碟、激光碟、光碟、数字通用光碟、蓝光光碟等)、磁盘存储介质、其他磁存储设备、或者能够用于携带或存储计算机程序并能够由计算机读取的任何其他介质，在此不做限定。
存储器4003用于存储执行本申请实施例的计算机程序，并由处理器4001来控制执行。处理器4001用于执行存储器4003中存储的计算机程序，以实现前述方法实施例所示的步骤。
本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时可实现前述方法实施例的步骤及相应内容。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“1”、“2”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除图示或文字描述以外的顺序实施。
应该理解的是，虽然本申请实施例的流程图中通过箭头指示各个操作步骤，但是这些步骤的实施顺序并不受限于箭头所指示的顺序。除非本文中有明确的说明，否则在本申请实施例的一些实施场景中，各流程图中的实施步骤可以按照需求以其他的顺序执行。此外，各流程图中的部分或全部步骤基于实际的实施场景，可以包括多个子步骤或者多个阶段。这些子步骤或者阶段中的部分或全部可以在同一时刻被执行，这些子步骤或者阶段中的每个子步骤或者阶段也可以分别在不同的时刻被执行。在执行时刻不同的场景下，这些子步骤或者阶段的执行顺序可以根据需求灵活配置，本申请实施例对此不限制。
以上所述仅是本申请部分实施场景的可选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请的方案技术构思的前提下，采用基于本申请技术思想的其他类似实施手段，同样属于本申请实施例的保护范畴。

Claims (12)

1.一种温度检测方法，其特征在于，所述方法包括：
获取至少一个芯片的实时电压，所述至少一个芯片包括的温度传感器为同一型号；
根据所述芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定所述芯片的实时温度；
其中，所述目标线性关系是根据所述至少一个芯片的历史温度和历史电压预先确定的。
2.根据权利要求1所述的温度检测方法，其特征在于，所述根据所述芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定所述芯片的实时温度，之前还包括：
对于所述至少一个芯片中的任意一个芯片，根据所述芯片的历史温度和历史电压，确定所述芯片的历史温度与历史电压之间的线性关系；
将所有芯片的历史温度与历史电压之间的线性关系进行拟合，获得第一线性关系。
3.根据权利要求2所述的温度检测方法，其特征在于，所述根据所述芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定所述芯片的实时温度，之前还包括确定所述目标线性关系，包括：
将所述第一线性关系作为所述目标线性关系。
4.根据权利要求2所述的温度检测方法，其特征在于，所述根据所述芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定所述芯片的实时温度，之前还包括：
将所述芯片的历史温度和历史电压作为预设的最小均方误差算法的参数，将电压温度系数作为所述最小均方误差算法的估计量进行估计，获得目标电压温度系数；
根据所述目标电压温度系数，获得第二线性关系。
5.根据权利要求4所述的温度检测方法，其特征在于，所述根据所述芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定所述芯片的实时温度，之前还包括确定所述目标线性关系，包括：
将所述第二线性关系作为所述目标线性关系。
6.根据权利要求4所述的温度检测方法，其特征在于，所述根据所述芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定所述芯片的实时温度，之前还包括确定所述目标线性关系的步骤，包括：
预先设置一个环境温度，确定所述芯片在所述环境温度下测量得到的电压；
根据所述电压，划分出第一范围和第二范围；
若确定所述实时电压在所述第一范围中，则将所述第一线性关系作为所述目标线性关系；
若确定所述实时电压在所述第二范围中，则将所述第二线性关系作为所述目标线性关系。
7.根据权利要求6所述的温度检测方法，其特征在于，所述根据所述芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定所述芯片的实时温度，之前还包括确定所述目标线性关系的步骤，还包括：
预先设置至少两个环境温度，对于所述至少两个环境温度中的任意一个环境温度，确定所述芯片在所述环境温度下测量得到的电压；
根据所有环境温度对应测量得到的电压，划分出至少三个范围；
对于所述至少三个范围中的任意一个范围，若确定所述实时电压在所述范围中，则将所述第一线性关系作为目标线性关系，或者将所述第二线性关系作为目标线性关系。
8.根据权利要求4所述的温度检测方法，其特征在于，将所述芯片的历史温度和历史电压作为预设的最小均方误差算法的参数，将电压温度系数作为所述最小均方误差算法的估计量进行估计，获得目标电压温度系数，包括：
对于任意一个芯片，获取所述芯片在至少一个历史时刻的历史观测记录，所述历史观察记录用于记录所述芯片在相应时刻的历史温度和历史电压；
确定所述历史温度与预设的环境温度之间的第一差值，以及所述历史电压与所述芯片在所述环境温度下测量得到的电压之间的第二差值；
根据所述第一差值以及所述第二差值，确定所述目标电压温度系数。
9.根据权利要求6所述的温度检测方法，其特征在于，所述根据所述芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定所述芯片的实时温度，包括：
根据所述目标线性关系确定电压温度系数；
确定所述实时电压与目标电压的差值，所述目标电压为所述芯片在预设的目标环境温度下测量得到的电压；
确定所述差值与所述电压温度系数的商；
确定所述商与所述目标环境温度的和，作为所述芯片的实时温度。
10.一种温度检测装置，其特征在于，所述装置包括：
获取模块，用于获取至少一个芯片的实时电压，所述至少一个芯片包括的温度传感器为同一型号；
温度模块，用于根据所述芯片的实时电压以及预设的电压与温度之间的目标线性关系，确定所述芯片的实时温度；
其中，所述目标线性关系是根据所述至少一个芯片的历史温度和历史电压预先确定的。
11.一种电子设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序以实现权利要求1-9任一项所述的温度检测方法的步骤。
12.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-9任一项所述的温度检测方法的步骤。
CN202111539864.7A 2021-12-15 2021-12-15 温度检测方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质 Pending CN114235205A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111539864.7A CN114235205A (zh) 2021-12-15 2021-12-15 温度检测方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111539864.7A CN114235205A (zh) 2021-12-15 2021-12-15 温度检测方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114235205A true CN114235205A (zh) 2022-03-25

Family

ID=80756790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111539864.7A Pending CN114235205A (zh) 2021-12-15 2021-12-15 温度检测方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114235205A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107621279B (zh) 数据处理方法、传感器数据校准方法及装置
JP5116307B2 (ja) 集積回路装置異常検出装置、方法およびプログラム
CN110220945B (zh) 半导体气体传感器的全量程温度补偿方法
US8326568B2 (en) Temperature sensor and temperature sensing method
CN112946560B (zh) 电能表校准方法、装置、电能表及电能表系统
JP2019039763A (ja) 温度推定装置
CN114459525B (zh) 适用于霍尔传感器的校准方法、装置及存储介质
CN111208425B (zh) 高精度异步电机系统状态模型的构建方法及异步电机状态检测方法
CN104970776A (zh) 一种体温检测方法和一种高精度动态校准电子体温计装置
CN112578840B (zh) 一种利用温度校准基准电压的方法、系统及存储介质
CN114235205A (zh) 温度检测方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质
CN110857890A (zh) 一种高精度温度检测方法及装置
CN112816752B (zh) 电容互感器温度补偿方法及设备
JP7287290B2 (ja) 半導体素子診断装置および半導体素子診断方法
CN114325315A (zh) 一种芯片老化补偿方法、装置、soc芯片及电子设备
CN114111846A (zh) 适用于霍尔传感器的补偿方法、装置及存储介质
US20100321050A1 (en) On-chip measurement of signals
JP6956344B2 (ja) 信号処理回路と、関連するチップ、流量計および方法
CN113218527B (zh) 基于热敏电阻的温度检测方法、装置、设备、介质及系统
Souri et al. Ramp calibration of temperature sensors
JP2002022552A (ja) 測定データの整定推定方法
CN112366148B (zh) 衬底浓度确定方法、装置、计算机设备及可读存储介质
CN113030821A (zh) 一种电量校准方法及装置
CN116862269B (zh) 一种利用大数据评估快速检测方法精密度的方法
CN116577596B (zh) 振荡器的测量方法、测量系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information

Address after: 100176 Room 101, 1f, building 3, yard 18, Kechuang 10th Street, Beijing Economic and Technological Development Zone, Beijing

Applicant after: Beijing yisiwei Computing Technology Co.,Ltd.

Applicant after: GUANGZHOU QUANSHENGWEI INFORMATION TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: 100176 Room 101, 1f, building 3, yard 18, Kechuang 10th Street, Beijing Economic and Technological Development Zone, Beijing

Applicant before: Beijing yisiwei Computing Technology Co.,Ltd.

Applicant before: GUANGZHOU QUANSHENGWEI INFORMATION TECHNOLOGY Co.,Ltd.

CB02 Change of applicant information