CN114234845B - 周期纳米结构形貌参数测量方法、装置、设备及介质 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种周期纳米结构形貌参数测量方法、装置、设备及介质,其方法包括:确定周期纳米结构的当前形貌参数;基于所述当前形貌参数,获取所述周期纳米结构的当前测量信号以及当前仿真信号;根据所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定所述当前形貌参数是否为目标形貌参数;当所述当前形貌参数不是所述目标形貌参数时,基于鲁棒非线性修正方法,根据所述当前形貌参数、所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定备选形貌参数;根据所述备选形貌参数确定所述目标形貌参数。本发明通过基于鲁棒非线性修正方法确定备选形貌参数,可有效抑制当前测量信号中的显著偏离正态统计分布中的数据点,进而提高获得的目标形貌参数的准确性。
Description
技术领域
本发明涉及光学精密测量技术领域,具体涉及一种周期纳米结构形貌参数测量方法、装置、设备及介质。
背景技术
在半导体集成电路制造、光通讯、虚拟现实等领域中,对周期纳米结构需求较大,如矩形光栅、闪耀光栅、孔阵列、光子晶体等等。这些周期纳米结构在以上领域中扮演着重要的功能性角色,如在半导体集成电路领域中,存储器芯片是由大量的重复性周期晶体管构成,每一个晶体管具有多个几何形貌参数,其数值对晶体管的电学性能(如漏电流、电压等)有重要的影响。与此同时,考虑到以上工业领域中周期纳米结构的制备过程往往是大批量的,因此,需要对周期纳米结构的三维形貌参数进行精确、快速、鲁棒测量。
现有技术中,扫描电子显微镜、透射电子显微镜、原子力显微镜等传统超高精度测量设备能够实现单纳米乃至原子量级的精密测量,然而,其固有的扫描特性、破坏性制样等特点,使其难以适配工业级周期纳米结构的快速测量需求。光学显微镜具有测量非破坏、高速等特性,然而受限于光学分辨率极限以及横向测量特性,其难以实现300纳米以下尺寸的周期纳米结构三维测量。为此,近期业界在传统椭偏仪的基础上,发展了一种基于逆向求解算法的高速周期结构三维形貌测量方法,即光学散射仪,其基本原理是首先利用传统椭偏仪对待测周期纳米结构进行测量进而获得测量信号,然后基于计算电磁学原理对待测周期纳米结构进行三维建模并计算其对应的光学仿真信号,通过将测量信号与仿真信号进行实时对比并调用非线性回归算法,来重构出待测周期纳米结构的三维形貌参数。
但光学散射仪的逆向求解算法是基于系统测量误差的正态分布假设的,实际测量过程中的系统噪声却往往不满足这一假设,这导致测量结果往往并不准确。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种周期纳米结构形貌参数测量方法、装置、设备及介质,用以解决现有技术中存在的周期纳米结构形貌参数测量不准确的技术问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种周期纳米结构形貌参数测量方法,包括:确定周期纳米结构的当前形貌参数;
基于所述当前形貌参数,获取所述周期纳米结构的当前测量信号以及当前仿真信号;
根据所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定所述当前形貌参数是否为目标形貌参数;
当所述当前形貌参数不是所述目标形貌参数时,基于鲁棒非线性修正方法,根据所述当前形貌参数、所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定备选形貌参数;
根据所述备选形貌参数确定所述目标形貌参数。
在一种可能的实现方式中,所述根据所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定所述当前形貌参数是否为目标形貌参数,包括:
确定所述当前测量信号和所述当前仿真信号的当前信号差值;
判断所述当前信号差值是否小于阈值差值;
若所述当前信号差值小于所述阈值差值,则所述当前形貌参数是所述目标形貌参数;
若所述当前信号差值大于或等于所述阈值差值,则所述当前形貌参数不是所述目标形貌参数。
在一种可能的实现方式中,所述当前测量信号包括多个当前测量信号点,所述当前仿真信号包括与所述多个当前测量信号点一一对应的多个当前仿真信号点;所述确定所述当前测量信号和所述当前仿真信号的当前信号差值,包括:
确定所述多个当前测量信号点中各当前测量信号点和与之对应的所述多个当前仿真信号点中各当前仿真信号点的多个当前信号点差值;
计算所述多个当前信号点差值的平方和,所述多个当前信号点差值的平方和为所述当前信号差值。
在一种可能的实现方式中,所述备选形貌参数为:
式中,为所述备选形貌参数;为所述当前形貌参数;为形貌参数变化值;为最小二乘函数;为获取所述当前测量信号和所述当前仿真信号的通道序号;为通道的总个数;为鲁棒评价函数;为第个通道的所述当前测量信号和所述当前仿真信号的当前信号差值;为第个通道的所述当前形貌参数的雅克比矩阵;为形貌参数的当前迭代值;为第个通道的所述当前仿真信号;为第个通道的所述当前测量信号。
在一种可能的实现方式中,所述鲁棒评价函数为:
在一种可能的实现方式中,所述根据备选形貌参数确定所述目标形貌参数,包括:
基于所述备选形貌参数,获取所述周期纳米结构的备选测量信号以及备选仿真信号;
根据所述备选测量信号和所述备选仿真信号确定所述备选形貌参数是否为所述目标形貌参数;
当所述备选形貌参数不是所述目标形貌参数时,基于所述鲁棒非线性修正方法对所述备选形貌参数进行更新,直至所述备选形貌参数是所述目标形貌参数。
在一种可能的实现方式中,所述当前形貌参数的初始值为所述周期纳米结构的初始设计值。
另一方面,本发明还提供了一种周期纳米结构形貌参数测量装置,包括:
当前形貌参数确定单元,用于确定周期纳米结构的当前形貌参数;
信号获取单元,用于基于所述当前形貌参数,获取所述周期纳米结构的当前测量信号以及当前仿真信号;
形貌参数判断单元,用于根据所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定所述当前形貌参数是否为目标形貌参数;
备选形貌参数确定单元,用于当所述当前形貌参数不是所述目标形貌参数时,基于鲁棒非线性修正方法,根据所述当前形貌参数、所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定备选形貌参数;
目标形貌参数确定单元,用于根据所述备选形貌参数确定所述目标形貌参数。
另一方面,本发明还提供了一种电子设备,包括:一个或多个处理器;
存储器;以及
一个或多个应用程序,其中所述一个或多个应用程序被存储于所述存储器中,并配置为由所述处理器执行以实现上述任意一种可能的实现方式中所述的周期纳米结构形貌参数测量方法。
另一方面,本发明还提供了一种计算机存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器进行加载,以执行上述任意一种可能的实现方式中所述的周期纳米结构形貌参数测量方法中的步骤。
采用上述实施例的有益效果是:本发明提供的周期纳米结构形貌参数测量方法,在当前形貌参数不是目标形貌参数时,基于鲁棒非线性修正方法,根据当前形貌参数、当前测量信号和当前仿真信号确定备选形貌参数。由于鲁棒非线性修正方法是基于非正态统计假设,因此,通过基于鲁棒非线性修正方法确定备选形貌参数,可有效抑制当前测量信号中的显著偏离正态统计分布中的数据点,从而增强当前测量信号和当前仿真信号的匹配程度,进而提高获得的目标形貌参数的准确性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的周期纳米结构形貌参数测量方法的一个实施例流程示意图;
图2为本发明提供的椭偏仪的一个实施例结构示意图;
图3为本发明图1中S103的一个实施例流程示意图;
图4为本发明图3中S301的一个实施例流程示意图;
图5为本发明图3中S105的一个实施例流程示意图;
图6为本发明提供的周期纳米结构的一个实施例结构示意图;
图7为本发明提供的形貌参数的效果对比图;
图8为本发明提供的周期纳米结构形貌参数测量装置的一个实施例结构示意图;
图9为本发明提供的电子设备的一个实施例结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本文中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
本发明提供了一种周期纳米结构形貌参数测量方法、装置、设备及介质,以下分别进行说明。
图1为本发明提供的周期纳米结构形貌参数测量方法的一个实施例流程示意图,如图1所示,该周期纳米结构形貌参数测量方法包括:
S101、确定周期纳米结构的当前形貌参数;
S102、基于当前形貌参数,获取周期纳米结构的当前测量信号以及当前仿真信号;
S103、根据当前测量信号和当前仿真信号确定当前形貌参数是否为目标形貌参数;
S104、当当前形貌参数不是目标形貌参数时,基于鲁棒非线性修正方法,根据当前形貌参数、当前测量信号和当前仿真信号确定备选形貌参数;
S105、根据备选形貌参数确定目标形貌参数。
与现有技术相比,本发明实施例提供的周期纳米结构形貌参数测量方法,在当前形貌参数不是目标形貌参数时,基于鲁棒非线性修正方法,根据当前形貌参数、当前测量信号和当前仿真信号确定备选形貌参数。由于鲁棒非线性修正方法是基于非正态统计假设,因此,通过基于鲁棒非线性修正方法确定备选形貌参数,可有效抑制当前测量信号中的显著偏离正态统计分布中的数据点,从而增强当前测量信号和当前仿真信号的匹配程度,进而提高获得的目标形貌参数的准确性。
在本发明的一些实施例中,周期纳米结构的当前测量信号可通过椭偏仪获得,如图2所示,椭偏仪200由光源210、入射臂220、样品台230上的待测周期纳米结构、接收臂240以及探测器250组成。光源210发出的宽光谱非相干光经过入射臂220中的偏振器、延迟器等部件实现偏振态调制,调制后的偏振光入射到待测周期纳米结构表面。在光-纳米结构反应作用下,入射光的偏振态被改变进而携带纳米结构的三维形貌信息。被改变偏振态的入射光经由周期纳米结构反射出去,被右侧的接收臂240接收。从接收臂240出射的偏振光最后由探测器250接收。
应当理解的是:不同的椭偏仪类型,获取的测量信号也不同,可分为Mueller矩阵型椭偏仪、Psi-Delta型椭偏仪、反射型椭偏仪等等,这些不同类型的测量信号(即Mueller矩阵、Psi-Delta或反射率谱)均可以用于本发明实施例中的周期纳米结构三维形貌参数测量方法。
在本发明的一些实施例中,周期纳米结构的当前仿真信号可通过构建的周期纳米结构光学散射特性仿真建模算法获得。
具体地,周期纳米结构光学散射特性仿真建模算法可为严格耦合波方法、时域有限差分发、有限元方法、矩量法中的任意一种。
在本发明的一些实施例中,如图3所示,步骤S103包括:
S301、确定当前测量信号和当前仿真信号的当前信号差值;
S302、判断当前信号差值是否小于阈值差值;
S303、若当前信号差值小于阈值差值,则当前形貌参数是目标形貌参数;
S304、若当前信号差值大于或等于阈值差值,则当前形貌参数不是目标形貌参数。
由于当前信号差值的值越大,则表示当前测量信号和当前仿真信号的差值越大,即代表当前形貌参数与真实形貌参数差别越大,这种差别可以是由于当前形貌参数的不准确或当前测量信号的测量不准确造成的。
因此,通过设置阈值差值,并对当前信号差值和阈值差值进行比较,以判定当前形貌参数是否是目标形貌参数,可提高目标形貌参数的准确性。
在本发明的一些实施例中,阈值差值可根据实际情况进行设定,具体数值在此不做限定。
由于光源210发出的是宽光谱非相干光,因此当前仿真信号和当前测量信号均为光谱信号,即:当前测量信号包括多个当前测量信号点,当前仿真信号包括与多个当前测量信号点一一对应的多个当前仿真信号点;在本发明的一些实施例中,如图4所示,步骤S301包括:
S401、确定多个当前测量信号点中各当前测量信号点和与之对应的多个当前仿真信号点中各当前仿真信号点的多个当前信号点差值;
S402、计算多个当前信号点差值的平方和,多个当前信号点差值的平方和为当前信号差值。
通过上述步骤,将当前测量信号和当前仿真信号转换为一个当前信号差值,可便于其与阈值差值进行比较。
在本发明的一些实施例中,由于当前测量信号和当前仿真信号为光谱信号,其光谱范围较宽,因此,可通过若干个通道接收当前测量信号和当前仿真信号,具体地,备选形貌参数为:
式中,为备选形貌参数;为当前形貌参数;为形貌参数变化值;为最小二乘函数;为获取当前测量信号和当前仿真信号的通道序号;为通道的总个数;为鲁棒评价函数;为第个通道的当前测量信号和当前仿真信号的当前信号差值;为第个通道的当前形貌参数的雅克比矩阵;为形貌参数的当前迭代值;为第j个通道的当前仿真信号;为第个通道的当前测量信号。
本发明实施例通过引入鲁棒评价函数对备选形貌参数进行确定,可实现鲁棒非线性修正,从而提高目标形貌参数的准确性。
在本发明的一些实施例中,鲁棒评价函数为:
通过上述公式可计算出鲁棒评价函数,并将鲁棒评价函数应用于备选形貌参数中。
在本发明的一个具体实施例中,cA为1.339,使得应用鲁棒非线性修正方法的过程中的当前测量信号的测量误差有95%的概率从统计上满足正态分布假设,通过鲁棒非线性修正方法,能够抑制当前测量信号中的非正态误差以及显著偏离正态统计分布的数据点(即野点),使得备选形貌参数更准确,进而提高获得的目标形貌参数的准确性。
在本发明的一些实施例中,如图5所示,步骤S105包括:
S501、基于备选形貌参数,获取周期纳米结构的备选测量信号以及备选仿真信号;
S502、根据备选测量信号和备选仿真信号确定备选形貌参数是否为目标形貌参数;
S503、当备选形貌参数不是目标形貌参数时,基于鲁棒非线性修正方法对备选形貌参数进行更新,直至备选形貌参数是目标形貌参数。
具体地,当备选形貌参数不是目标形貌参数时,此时的备选形貌参数为这一时刻的当前形貌参数,则根据鲁棒非线性修正方法对此时的备选形貌参数进行更新,并重复步骤S502和S503,直至备选测量信号和备选仿真信号的信号差值小于阈值差值,以获得目标形貌参数。
需要说明的是:当前形貌参数的初始值为周期纳米结构的初始设计值。即:周期纳米结构的理论值。
在本发明的一个具体实施例中,如图6所示,周期纳米结构为线条光栅结构,线条光栅结构的形貌特征包括顶宽、高度和底宽,且线条性光栅可认为沿着界面方向无限周期延伸。
如图7所示,为通过本发明实施例提出的周期纳米结构形貌参数测量方法和现有技术中的测量方法所获得的形貌参数的效果对比图,图7中带有三角形标记的曲线为本发明实施例提出的周期纳米结构形貌参数测量方法获得的形貌参数,带有正方形标记的曲线为根据现有技术中的测量方法所获得的形貌参数,图7中水平点划线为由扫描电子显微镜测量的形貌参数,其用于作为参考值或真值,由图7中可以看出,本发明提出的周期纳米结构形貌参数测量方法测量出的形貌参数相比于现有技术,更接近于参考值,由此可见,本发明实施例提出的周期纳米结构形貌参数测量方法的测量结果准确度更高。
为了更好实施本发明实施例中的周期纳米结构形貌参数测量方法,在周期纳米结构形貌参数测量方法基础之上,对应的,如图8所示,本发明实施例还提供了一种周期纳米结构形貌参数测量装置800,包括:
当前形貌参数确定单元801,用于确定周期纳米结构的当前形貌参数;
信号获取单元802,用于基于当前形貌参数,获取周期纳米结构的当前测量信号以及当前仿真信号;
形貌参数判断单元803,用于根据当前测量信号和当前仿真信号确定当前形貌参数是否为目标形貌参数;
备选形貌参数确定单元804,用于当当前形貌参数不是目标形貌参数时,基于鲁棒非线性修正方法,根据当前形貌参数、当前测量信号和当前仿真信号确定备选形貌参数;
目标形貌参数确定单元805,用于根据备选形貌参数确定目标形貌参数。
上述实施例提供的周期纳米结构形貌参数测量装置800可实现上述周期纳米结构形貌参数测量方法实施例中描述的技术方案,上述各模块或单元具体实现的原理可参见上述周期纳米结构形貌参数测量方法实施例中的相应内容,此处不再赘述。
如图9所示,本发明还相应提供了一种电子设备900。该电子设备900包括处理器901、存储器902及显示器903。图9仅示出了电子设备900的部分组件,但是应理解的是,并不要求实施所有示出的组件,可以替代的实施更多或者更少的组件。
存储器902在一些实施例中可以是电子设备900的内部存储单元,例如电子设备900的硬盘或内存。存储器902在另一些实施例中也可以是电子设备900的外部存储设备,例如电子设备900上配备的插接式硬盘,智能存储卡(Smart Media Card,SMC),安全数字(Secure Digital,SD)卡,闪存卡(Flash Card)等。
进一步地,存储器902还可既包括电子设备900的内部储存单元也包括外部存储设备。存储器902用于存储安装电子设备900的应用软件及各类数据。
处理器901在一些实施例中可以是一中央处理器(Central Processing Unit,CPU),微处理器或其他数据处理芯片,用于运行存储器902中存储的程序代码或处理数据,例如本发明中的周期纳米结构形貌参数测量方法。
显示器903在一些实施例中可以是LED显示器、液晶显示器、触控式液晶显示器以及OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)触摸器等。显示器903用于显示在电子设备900的信息以及用于显示可视化的用户界面。电子设备900的部件901-903通过系统总线相互通信。
在一实施例中,当处理器901执行存储器902中的周期纳米结构形貌参数测量程序时,可实现以下步骤:
确定周期纳米结构的当前形貌参数;
基于当前形貌参数,获取周期纳米结构的当前测量信号以及当前仿真信号;
根据当前测量信号和当前仿真信号确定当前形貌参数是否为目标形貌参数;
当当前形貌参数不是目标形貌参数时,基于鲁棒非线性修正方法,根据当前形貌参数、当前测量信号和当前仿真信号确定备选形貌参数;
根据备选形貌参数确定目标形貌参数。
应当理解的是:处理器901在执行存储器902中的周期纳米结构形貌参数测量程序时,除了上面的功能之外,还可实现其它功能,具体可参见前面相应方法实施例的描述。
进一步地,本发明实施例对提及的电子设备900的类型不做具体限定,电子设备900可以为手机、平板电脑、个人数字助理(personal digital assistant,PDA)、可穿戴设备、膝上型计算机(laptop)等便携式电子设备。便携式电子设备的示例性实施例包括但不限于搭载IOS、android、microsoft或者其他操作系统的便携式电子设备。上述便携式电子设备也可以是其他便携式电子设备,诸如具有触敏表面(例如触控面板)的膝上型计算机(laptop)等。还应当理解的是,在本发明其他一些实施例中,电子设备900也可以不是便携式电子设备,而是具有触敏表面(例如触控面板)的台式计算机。
相应地,本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质,计算机可读存储介质用于存储计算机可读取的程序或指令,程序或指令被处理器执行时,能够实现上述各方法实施例提供的方法步骤或功能。
本领域技术人员可以理解,实现上述实施例方法的全部或部分流程,可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,程序可存储于计算机可读存储介质中。其中,计算机可读存储介质为磁盘、光盘、只读存储记忆体或随机存储记忆体等。
以上对本发明所提供的周期纳米结构形貌参数测量方法、装置、设备及介质进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (9)
1.一种周期纳米结构形貌参数测量方法,其特征在于,包括:
确定周期纳米结构的当前形貌参数;
基于所述当前形貌参数,获取所述周期纳米结构的当前测量信号以及当前仿真信号;
根据所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定所述当前形貌参数是否为目标形貌参数;
当所述当前形貌参数不是所述目标形貌参数时,基于鲁棒非线性修正方法,根据所述当前形貌参数、所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定备选形貌参数;
根据所述备选形貌参数确定所述目标形貌参数;
所述备选形貌参数为:
2.根据权利要求1所述的周期纳米结构形貌参数测量方法,其特征在于,所述根据所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定所述当前形貌参数是否为目标形貌参数,包括:
确定所述当前测量信号和所述当前仿真信号的当前信号差值;
判断所述当前信号差值是否小于阈值差值;
若所述当前信号差值小于所述阈值差值,则所述当前形貌参数是所述目标形貌参数;
若所述当前信号差值大于或等于所述阈值差值,则所述当前形貌参数不是所述目标形貌参数。
3.根据权利要求2所述的周期纳米结构形貌参数测量方法,其特征在于,所述当前测量信号包括多个当前测量信号点,所述当前仿真信号包括与所述多个当前测量信号点一一对应的多个当前仿真信号点;所述确定所述当前测量信号和所述当前仿真信号的当前信号差值,包括:
确定所述多个当前测量信号点中各当前测量信号点和与之对应的所述多个当前仿真信号点中各当前仿真信号点的多个当前信号点差值;
计算所述多个当前信号点差值的平方和,所述多个当前信号点差值的平方和为所述当前信号差值。
5.根据权利要求1所述的周期纳米结构形貌参数测量方法,其特征在于,所述根据备选形貌参数确定所述目标形貌参数,包括:
基于所述备选形貌参数,获取所述周期纳米结构的备选测量信号以及备选仿真信号;
根据所述备选测量信号和所述备选仿真信号确定所述备选形貌参数是否为所述目标形貌参数;
当所述备选形貌参数不是所述目标形貌参数时,基于所述鲁棒非线性修正方法对所述备选形貌参数进行更新,直至所述备选形貌参数是所述目标形貌参数。
6.根据权利要求1所述的周期纳米结构形貌参数测量方法,其特征在于,所述当前形貌参数的初始值为所述周期纳米结构的初始设计值。
7.一种周期纳米结构形貌参数测量装置,其特征在于,包括:
当前形貌参数确定单元,用于确定周期纳米结构的当前形貌参数;
信号获取单元,用于基于所述当前形貌参数,获取所述周期纳米结构的当前测量信号以及当前仿真信号;
形貌参数判断单元,用于根据所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定所述当前形貌参数是否为目标形貌参数;
备选形貌参数确定单元,用于当所述当前形貌参数不是所述目标形貌参数时,基于鲁棒非线性修正方法,根据所述当前形貌参数、所述当前测量信号和所述当前仿真信号确定备选形貌参数;
目标形貌参数确定单元,用于根据所述备选形貌参数确定所述目标形貌参数;
所述备选形貌参数为:
8.一种电子设备,其特征在于,包括:
一个或多个处理器;
存储器;以及
一个或多个应用程序,其中所述一个或多个应用程序被存储于所述存储器中,并配置为由所述处理器执行以实现权利要求1-6任意一项所述的周期纳米结构形貌参数测量方法。
9.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器进行加载,以执行权利要求1-6任意一项所述的周期纳米结构形貌参数测量方法中的步骤。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2703448A1 (fr) * | 1993-03-31 | 1994-10-07 | Attm | Standard de calibration. |
US5963329A (en) * | 1997-10-31 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measuring the profile of small repeating lines |
CN102735183A (zh) * | 2012-06-01 | 2012-10-17 | 华中科技大学 | 一种用于识别半导体纳米结构形貌的方法 |
CN108287967A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-07-17 | 北京航空航天大学 | 一种含表面形貌信息的摩擦片接触压力仿真方法 |
CN111637849A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-09-08 | 上海精测半导体技术有限公司 | 一种形貌参数测量方法、装置及测量设备 |
-
2022
- 2022-02-23 CN CN202210165655.9A patent/CN114234845B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2703448A1 (fr) * | 1993-03-31 | 1994-10-07 | Attm | Standard de calibration. |
US5963329A (en) * | 1997-10-31 | 1999-10-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measuring the profile of small repeating lines |
CN102735183A (zh) * | 2012-06-01 | 2012-10-17 | 华中科技大学 | 一种用于识别半导体纳米结构形貌的方法 |
CN108287967A (zh) * | 2018-01-29 | 2018-07-17 | 北京航空航天大学 | 一种含表面形貌信息的摩擦片接触压力仿真方法 |
CN111637849A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-09-08 | 上海精测半导体技术有限公司 | 一种形貌参数测量方法、装置及测量设备 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
基于灵敏度分析的一维纳米结构光学散射测量条件优化配置;董正琼等;《红外与毫米波学报》;20160229(第01期);第117页1.1 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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CN114234845A (zh) | 2022-03-25 |
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