CN114193641A - 晶片的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供晶片的制造方法，能够防止分离层弯曲。晶片的制造方法包含如下的工序：Z坐标测量工序，将所要形成的分离层作为XY平面，与X坐标Y坐标对应地测量照射激光光线的锭的上表面的高度Z(X,Y)；计算工序，将所要形成的分离层的Z坐标设为Z0，计算与所测量的高度Z(X,Y)的差(Z(X,Y)‑Z0)，求出聚光器的Z坐标；分离层形成工序，使保持单元与聚光器在X轴方向和Y轴方向上相对地移动，根据通过计算工序而求出的Z坐标使聚光器在Z轴方向上移动而将聚光点定位于Z0，形成分离层；以及晶片分离工序，从分离层将锭与晶片分离。

Description

晶片的制造方法
技术领域
本发明涉及晶片的制造方法，从半导体锭(以下简称为锭)的端面将对于锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于锭的内部而向锭照射激光光线，形成分离层，从分离层制造晶片。
背景技术
晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件，该晶片通过切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
形成器件的Si(硅)基板是通过具有内周刃、线切割机等的切断装置将Si锭切片成1mm左右的厚度并经过研磨、抛光而形成的(例如参照专利文献1)。
另外，形成功率器件、LED等的单晶SiC(碳化硅)基板也与上述同样地形成。但是，当利用线切割机将SiC锭切断并对正面和背面进行研磨而制造晶片时，SiC锭的大致一半会被舍弃，存在不经济的问题。因此，本申请人提出了如下的技术：将对于单晶SiC具有透过性的激光光线的聚光点定位于SiC锭的内部而向SiC锭照射激光光线，在切断预定面上形成分离层，沿着形成有分离层的切断预定面将SiC锭与晶片分离(例如参照专利文献2)。
专利文献1：日本特开2000-94221号公报
专利文献2：日本特开2016-111143号公报
通过上述专利文献2所公开的技术，能够高效地从锭制造晶片，但是存在分离层略微弯曲的问题。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供晶片的制造方法，能够防止分离层弯曲。
根据本发明，提供晶片的制造方法，从半导体锭的端面将对于半导体锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于半导体锭的内部而向半导体锭照射激光光线，形成分离层，从该分离层制造晶片，其中，该晶片的制造方法包含如下的工序：准备工序，准备激光加工装置，该激光加工装置具有保持单元、激光光线照射单元、X轴移动机构以及Y轴移动机构，该保持单元对半导体锭进行保持，该激光光线照射单元具有能够使聚光点在Z轴方向上移动的聚光器并从该保持单元所保持的半导体锭的端面照射激光光线，该X轴移动机构使该保持单元与该聚光器在X轴方向上相对地移动，该Y轴移动机构使该保持单元与该聚光器在Y轴方向上相对地移动；Z坐标测量工序，将所要形成的分离层作为XY平面，与X坐标Y坐标对应地测量要照射激光光线的半导体锭的上表面的高度Z(X,Y)；计算工序，将该要形成的分离层的Z坐标设为Z0，计算与所测量的高度Z(X,Y)的差(Z(X,Y)-Z0)，从而求出该聚光器的Z坐标；分离层形成工序，使该X轴移动机构和该Y轴移动机构进行动作而使该保持单元与该聚光器在X轴方向和Y轴方向上相对地移动，根据通过该计算工序而求出的Z坐标使该聚光器在Z轴方向上移动，从而将聚光点定位于Z0而形成分离层；以及晶片分离工序，从该分离层将半导体锭与晶片分离。
优选在该计算工序中，在将该聚光器的物镜的数值孔径设为NA(sinθ)，将该物镜的焦点距离设为h，将锭的折射率设为n(sinθ/sinβ)，将该物镜的Z坐标设为Z的情况下，对该物镜进行定位的Z坐标通过Z＝h+(Z(X,Y)-Z0)(1-tanβ/tanθ)而求出。
优选半导体锭是SiC锭，该分离层形成工序包含如下的工序：加工进给工序，将与c面相对于SiC锭的端面倾斜而形成偏离角的方向垂直的方向作为X轴方向，将该保持单元与该聚光器在X轴方向上相对地进行加工进给；以及分度进给工序，将该保持单元与该聚光器在Y轴方向上相对地进行分度进给。
优选半导体锭是Si锭，该分离层形成工序包含如下的工序：加工进给工序，将晶面(100)作为该SiC锭的端面，将与晶面{100}和晶面{111}相交的交叉线平行的方向<110>或与该交叉线垂直的方向[110]作为X轴方向，将该保持单元与该聚光器在X轴方向上相对地进行加工进给；以及分度进给工序，将该保持单元与该聚光器在Y轴方向上相对地进行分度进给。
根据本发明的晶片的制造方法，能够在利用Z0坐标位置确定的XY平面上形成分离层，能够防止分离层弯曲。
附图说明
图1的(a)是SiC锭的立体图，图1的(b)是图1的(a)所示的SiC锭的俯视图，图1的(c)是图1的(a)所示的SiC锭的主视图。
图2的(a)是Si锭的立体图，图2的(b)是图2的(a)所示的Si锭的俯视图。
图3是激光加工装置的立体图。
图4是示出图3所示的激光加工装置的结构的示意图。
图5的(a)是示出在Z坐标测量工序中将图1所示的SiC锭调整为规定的朝向的状态的立体图，图5的(b)是示出在Z坐标测量工序中将图2所示的Si锭调整为规定的朝向的状态的立体图，图5的(c)是示出在Z坐标测量工序中将图2所示的Si锭调整为其他朝向的状态的立体图。
图6是示出所测量的锭的上表面的高度Z(X,Y)的数据的表。
图7是从聚光器的物镜向锭照射的脉冲激光光线的示意图。
图8的(a)是示出对图1所示的SiC锭实施分离层形成工序的状态的立体图，
图8的(b)是示出实施图8的(a)所示的分离层形成工序的状态的侧视图，图8的(c)是形成有分离层的SiC锭的剖视图。
图9的(a)是示出对图2所示的Si锭实施分离层形成工序的状态的立体图，图9的(b)是示出实施图9的(a)所示的分离层形成工序的状态的侧视图，图9的(c)是形成有分离层的Si锭的剖视图。
图10是示出实施晶片分离工序的状态的立体图。
标号说明
2：SiC锭；16：Si锭；28：激光加工装置；30：保持单元；32：激光光线照射单元；34：X轴移动机构；36：Y轴移动机构；48：聚光器；48a：物镜；84：分离层(SiC锭)；92：分离层(Si锭)；α：偏离角；A：形成偏离角的方向。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。
在图1中示出能够在本发明的晶片的制造方法中使用的圆柱状的SiC(碳化硅)锭2。SiC锭2由六方晶单晶SiC形成。SiC锭2具有：圆形状的第一端面4；第一端面4的相反侧的圆形状的第二端面6；位于第一端面4和第二端面6之间的周面8；从第一端面4至第二端面6的c轴(<0001>方向)；以及与c轴垂直的c面({0001}面)。至少第一端面4通过磨削或研磨平坦化至不妨碍激光光线入射的程度。
在SiC锭2中，c轴相对于第一端面4的垂线10倾斜，由c面和第一端面4形成偏离角α(例如α＝1度、3度、6度)。在图1中用箭头A示出形成偏离角α的方向。另外，在SiC锭2的周面8上形成有均示出晶体取向的矩形状的第一定向平面12和第二定向平面14。第一定向平面12与形成偏离角α的方向A平行，第二定向平面14与形成偏离角α的方向A垂直。如图1的(b)所示，从上方观察，第二定向平面14的长度L2比第一定向平面12的长度L1短(L2<L1)。
能够在本发明的晶片的制造方法中使用的锭不限于SiC锭2，例如可以是图2所示的圆柱状的Si(硅)锭16。Si锭16具有：以晶面(100)作为端面的圆形状的第一端面18；第一端面18的相反侧的圆形状的第二端面20；以及位于第一端面18和第二端面20之间的周面22。至少第一端面18通过磨削或研磨平坦化至不妨碍激光光线入射的程度。在Si锭16的周面22上形成有示出晶体取向的矩形状的定向平面24。定向平面24按照相对于晶面{100}与晶面{111}相交的交叉线26的角度为45°的方式进行定位。
在本实施方式中，首先实施准备激光加工装置的准备工序，该激光加工装置具有：保持单元，其对锭进行保持；激光光线照射单元，其具有能够使聚光点在Z轴方向上移动的聚光器，激光光线照射单元从保持单元所保持的锭的端面照射激光光线；X轴移动机构，其使保持单元和聚光器在X轴方向上相对地移动；以及Y轴移动机构，其使保持单元和聚光器在Y轴方向上相对地移动。
在准备工序中，例如准备图3所示的激光加工装置28即可。激光加工装置28具有保持单元30、激光光线照射单元32、X轴移动机构34以及Y轴移动机构36。
如图3所示，保持单元30包含：X轴可动板40，其在X轴方向上移动自如地搭载于基台38上；Y轴可动板42，其在Y轴方向上移动自如地搭载于X轴可动板40上；保持工作台44，其旋转自如地搭载于Y轴可动板42的上表面上；以及电动机(未图示)，其使保持工作台44旋转。另外，X轴方向是图3中箭头X所示的方向，Y轴方向是图3中箭头Y所示的方向，是与X轴方向垂直的方向，X轴方向和Y轴方向所限定的平面实质上是水平的。另外，图3中箭头Z所示的方向是分别与X轴方向和Y轴方向垂直的上下方向。
并且，在保持单元30中，借助适当的粘接剂(例如环氧树脂系粘接剂)而利用保持工作台44的上表面对锭进行保持。或者，可以在保持工作台44的上表面上形成多个吸引孔，在保持工作台44的上表面上产生吸引力而对锭进行吸引保持。
参照图3和图4进行说明，激光光线照射单元32包含：壳体46(参照图3)，其从基台38的上表面向上方延伸，接着实质上水平延伸；激光振荡器(未图示)，其内置于壳体46；聚光器48(参照图3和图4)，其升降自如地搭载于壳体46的前端下表面上；以及升降机构50(参照图4)，其使聚光器48升降。
激光振荡器振荡出对于锭具有透过性的波长的脉冲激光。如图4所示，聚光器48具有使从激光振荡器射出的脉冲激光光线会聚于保持单元30所保持的锭的物镜48a。升降机构50例如可以由音圈电动机或线性电动机构成。并且，在激光光线照射单元32中，通过升降机构50使聚光器48升降而调整物镜48a的Z坐标，由此能够使脉冲激光光线的聚光点在Z轴方向上移动。另外，如图3所示，在壳体46的前端下表面上安装有对保持单元30所保持的锭进行拍摄的拍摄单元52，在壳体46的上表面上配置有显示拍摄单元52所拍摄的图像的显示单元54。
参照图3继续进行说明，X轴移动机构34具有：滚珠丝杠56，其与X轴可动板40连结，沿X轴方向延伸；以及电动机58，其使滚珠丝杠56旋转。X轴移动机构34通过滚珠丝杠56将电动机58的旋转运动转换成直线运动并传递至X轴可动板40，使X轴可动板40沿着基台38上的导轨38a相对于聚光器48在X轴方向上移动。
Y轴移动机构36具有：滚珠丝杠60，其与Y轴可动板42连结，沿Y轴方向延伸；以及电动机62，其使滚珠丝杠60旋转。Y轴移动机构36通过滚珠丝杠60将电动机62的旋转运动转换成直线运动并传递至Y轴可动板42，使Y轴可动板42沿着X轴可动板40上的导轨40a相对于聚光器48在Y轴方向上移动。
激光加工装置28还具有：Z坐标测量单元64(参照图3和图4)，其对锭的上表面的高度进行测量；控制单元66(参照图4)，其对激光加工装置28的动作进行控制；以及分离机构68(参照图3)，其从分离层将锭与晶片分离。
作为Z坐标测量单元64，可以使用公知的激光方式或超声波方式的高度测量器。在本实施方式中，在聚光器48的X轴方向两侧设置有一对Z坐标测量单元64，但Z坐标测量单元64可以是一个。能够由计算机构成的控制单元66包含：按照控制程序进行运算处理的中央处理装置(CPU)；对控制程序等进行保存的只读存储器(ROM)；以及对运算结果等进行保存的能够读取的随机存取存储器(RAM)(均未图示)。
如图3所示，分离机构68包含：长方体状的壳体70，其从基台38上的导轨38a的终端部向上方延伸；以及臂72，其从升降自如地安装于壳体70的基端起沿X轴方向延伸。在壳体70中内置有使臂72升降的臂升降机构(未图示)。在臂72的前端附设有电动机74，在电动机74的下表面上按照以沿上下方向延伸的轴线为中心旋转自如的方式连结有吸附片76。在下表面上形成有多个吸引孔(未图示)的吸附片76通过流路而与吸引单元(未图示)连接。另外，在吸附片76中内置有对吸附片76的下表面赋予超声波振动的超声波振动赋予单元(未图示)。
在实施了准备工序之后，实施Z坐标测量工序，将所要形成的分离层作为XY平面，与X坐标Y坐标对应地测量照射激光光线的锭的上表面的高度Z(X,Y)。
在Z坐标测量工序中，首先利用保持工作台44的上表面对锭(SiC锭2、Si锭16均可)进行保持。接着，利用拍摄单元52从上方拍摄锭2(16)，根据拍摄单元52所拍摄的锭2(16)的图像，使保持工作台44旋转和移动，由此将锭2(16)的朝向调整成规定的朝向，并且调整Z坐标测量单元64与锭2(16)的位置关系。
在将锭2(16)的朝向调整成规定的朝向时，在SiC锭2的情况下，如图5的(a)所示，使第二定向平面14与X轴方向一致，由此使垂直于形成偏离角α的方向A的方向与X轴方向一致。另外，在Si锭16的情况下，如图5的(b)所示，按照X轴方向与定向平面24所成的角度为45°的方式进行调整，使平行于晶面{100}与晶面{111}相交的交叉线26的方向<110>与X轴方向一致。或者，在Si锭16的情况下，可以如图5的(c)所示，按照X轴方向与定向平面24所成的角度为315°的方式进行调整，使垂直于交叉线26的方向[110]与X轴方向一致。
接着，一边利用X轴移动机构34使保持着锭2(16)的保持工作台44在X轴方向上移动一边使一对Z坐标测量单元64中的任意一方进行动作，由此测量坐标(X1,Y1)、(X2,Y1)、(X3,Y1)、…、(Xm,Y1)各处的锭2(16)的上表面(在本实施方式中为第一端面4(18))的高度Z(X1,Y1)、Z(X2,Y1)、Z(X3,Y1)、…、Z(Xm,Y1)。所测量的锭2(16)的上表面的高度是将所要形成的分离层作为XY平面(基准平面)时的锭2(16)的上表面的高度。
接着，利用Y轴移动机构36将保持工作台44在Y轴方向上分度进给规定的间距(Y2-Y1)之后，一边使保持工作台44在X轴方向上移动一边使Z坐标测量单元64进行动作，测量坐标(X1,Y2)、(X2,Y2)、(X3,Y2)、…、(Xm,Y2)各处的锭2(16)的上表面的高度Z(X1,Y2)、Z(X2,Y2)、Z(X3,Y2)、…、Z(Xm,Y2)。并且，一边按照规定的间距(Yn-Yn-1)将保持工作台44在Y轴方向上分度进给至坐标Yn，一边沿着X轴方向测量多个点的锭2(16)的上表面的高度，与X坐标Y坐标对应地测量图6所示那样的、与锭2(16)的上表面的高度Z(X,Y)相关的数据，将所测量的数据保存于控制单元64的随机存取存储器。
在实施了Z坐标测量工序之后，实施计算工序，将所要形成的分离层的Z坐标设为Z0，计算与所测量的高度Z(X,Y)的差(Z(X,Y)-Z0)，求出聚光器48的Z坐标。
参照图7进行说明，在本实施方式的计算工序中，在将聚光器48的物镜48a的数值孔径设为NA(sinθ)，将物镜48a的焦点距离设为h，将锭2(16)的折射率设为n(sinθ/sinβ)，将物镜48a的Z坐标设为Z的情况下，有：
(Z(X,Y)-Z0)tanβ＝[h-{Z-(Z(X,Y)-Z0)}]tanθ
当将上述式进行变形时，成为：
(Z(X,Y)-Z0)tanβ/tanθ＝h-Z+(Z(X,Y)-Z0)
Z＝h+(Z(X,Y)-Z0)-(Z(X,Y)-Z0)tanβ/tanθ
Z＝h+(Z(X,Y)-Z0)(1-tanβ/tanθ) 式(1)
并且，利用上述式(1)求出对聚光器48的物镜48a进行定位的Z坐标。
在计算工序中，根据在Z坐标测量工序中测量的与锭2(16)的上表面的高度Z(X,Y)相关的数据，在从坐标(X1,Y1)至坐标(Xm,Yn)的所有坐标中，计算对聚光器48的物镜48a进行定位的Z坐标。并且，在从坐标(X1,Y1)至坐标(Xm,Yn)的所有点中，通过将聚光器48的物镜48a定位于在计算工序中计算出的Z坐标，能够将脉冲激光光线LB的聚光点FP定位于Z0。另外，在图7中，将空气中的物镜48a的焦点位置用标号f(h)表示。
在实施了计算工序之后，实施分离层形成工序，使X轴移动机构34和Y轴移动机构36进行动作，使保持单元30和聚光器48在X轴方向和Y轴方向上相对地移动，根据在计算工序中求出的Z坐标，使聚光器48在Z轴方向上移动，将聚光点FP定位于Z0而形成分离层。
关于分离层形成工序，分成对SiC锭2实施的情况和对Si锭16实施的情况进行说明。首先，参照图8说明对SiC锭2实施分离层形成工序的情况。在分离层形成工序中，首先调整聚光器48和SiC锭2的位置关系，并且将聚光器48的物镜48a定位于通过计算工序而计算的Z坐标。由此，将脉冲激光光线LB的聚光点FP(参照图8的(b))定位于要形成的分离层的Z坐标(Z0)。参照图8的(a)可理解，在分离层形成工序中，也与Z坐标测量工序同样地使垂直于形成偏离角α的方向A的方向与X轴方向一致。
接着，一边利用X轴移动机构34将保持工作台44在X轴方向上以规定的进给速度进行加工进给，并且根据在计算工序中求出的Z坐标而利用升降机构50使聚光器48在Z轴方向上移动，一边对SiC锭2照射对于SiC锭2具有透过性的波长(例如为1064nm)的脉冲激光光线LB(加工进给步骤)。由此，SiC分离成Si(硅)和C(碳)，接着照射的脉冲激光光线LB被之前形成的C吸收，SiC连锁地分离成Si和C，并且从分离成Si和C的部分78沿着c面按照各向同性延伸的裂纹80延伸，形成分离带82。
在加工进给步骤中，将聚光器48的物镜48a定位于通过计算工序而计算的Z坐标，因此即使在由于SiC锭2的上表面存在起伏而使SiC锭2的上表面的高度不恒定时，也能够将脉冲激光光线LB的聚光点FP定位于Z0。因此，分离带82中的分离成Si和C的部分78在坐标Z0的位置沿着X轴方向笔直地形成。
接着，利用Y轴移动机构36将保持工作台44在Y轴方向上分度进给规定的分度进给量Li(分度进给步骤)。分度进给量Li与Z坐标测量工序中的规定的间距(Yn-Yn-1)相同。并且，通过交替重复地进行加工进给步骤和分度进给步骤，能够在由Z0坐标位置确定的XY平面上形成由多个分离带82构成且强度降低的分离层84。
另外，优选使分度进给量Li为不超过裂纹80的宽度的范围，使在Y轴方向上相邻的裂纹80彼此在上下方向观察时重叠。由此，能够进一步降低分离层84的强度，在后述的晶片分离工序中，晶片的分离变得容易。
接着，参照图9说明对Si锭16实施分离层形成工序的情况。在对Si锭16的分离层形成工序中，首先也将聚光器48的物镜48a定位于通过计算工序而计算的Z坐标。由此，将脉冲激光光线LB’的聚光点FP’(参照图9的(b))定位于要形成的分离层的Z坐标(Z0)。参照图9的(a)可理解，在对Si锭16的分离层形成工序中，也与Z坐标测量工序同样地，使平行于晶面{100}和晶面{111}相交的交叉线26的方向<110>与X轴方向一致。或者，虽未图示，但也可以使垂直于交叉线26的方向[110]与X轴方向一致。
接着，一边利用X轴移动机构34将保持工作台44在X轴方向上以规定的进给速度进行加工进给，并且根据在计算工序中求出的Z坐标而利用升降机构50使聚光器48在Z轴方向上移动，一边对Si锭16照射对于Si锭16具有透过性的波长(例如为1342nm)的脉冲激光光线LB’(加工进给步骤)。由此，将硅的结晶构造破坏，并且裂纹88从结晶构造破坏的部分86沿着(111)面按照各向同性延伸，形成分离带90。分离带90中的结晶构造破坏的部分86在坐标Z0的位置沿着X轴方向笔直地形成。
在本实施方式中，使保持工作台44和聚光器48在与晶面{100}和晶面{111}相交的交叉线26平行的方向<110>相对地移动，但在使保持工作台44和聚光器48在与交叉线26垂直的方向[110]上相对地移动的情况下，也形成与上述同样的分离带90。
接着，利用Y轴移动机构36将保持工作台44在Y轴方向上分度进给规定的分度进给量Li’(分度进给步骤)。分度进给量Li’与对Si锭16实施的Z坐标测量工序中的规定的间距(Yn-Yn-1)相同。并且，通过交替重复地进行加工进给步骤和分度进给步骤，能够在由Z0坐标位置确定的XY平面上形成由多个分离带90构成且强度降低的分离层92。
另外，可以在Y轴方向相邻的分离带90的裂纹88彼此之间设置略微的间隙，但优选使分度进给量Li’为不超过裂纹88的宽度的范围，使相邻的分离带90接触。由此，能够使相邻的分离带90彼此连结而进一步降低分离层92的强度，在后述的晶片分离工序中，晶片的分离变得容易。
在实施了分离层形成工序之后，实施晶片分离工序，从分离层84(92)将锭2(16)与晶片分离。
参照图10，对从分离层84将SiC锭2与晶片分离的例子进行说明。在晶片分离工序中，首先利用X轴移动机构34将保持工作台44定位于分离机构68的吸附片76的下方。接着，使臂72下降而使吸附片76的下表面紧贴于SiC锭2的上表面上。接着，使吸引单元进行动作，而使吸附片76的下表面吸附在SiC锭2的上表面上。接着，使超声波振动赋予单元进行动作，对吸附片76的下表面赋予超声波振动，并且利用电动机74使吸附片76旋转。由此，能够以分离层84作为起点而将SiC锭2与晶片94分离。在将晶片94分离之后，通过磨削或研磨将SiC锭2的分离面和晶片94的分离面平坦化。另外，在从分离层92将Si锭16与晶片分离时，也与上述同样地进行。
如上所述，根据本实施方式的晶片的制造方法，能够在由Z0坐标位置确定的XY平面上形成分离层84(92)，能够防止分离层84(92)弯曲。并且，分离层84(92)不弯曲，因此能够从锭2(16)制造几乎没有起伏的晶片94，能够缩短或省略将所制造的晶片94的起伏去除的作业。
另外，在本实施方式中，对分别实施Z坐标测量工序、计算工序和分离层形成工序的例子进行了说明，但也可以并行地实施Z坐标测量工序、计算工序和分离层形成工序。即，可以一边利用X轴移动机构34使保持工作台44移动至X轴方向一侧(例如图4中的左侧)一边利用图4中的左侧的Z坐标测量单元64测量锭2(16)的上表面的高度Z(X,Y)(Z坐标测量工序)，并且使用所测量的上表面的高度Z(X,Y)求出聚光器48的Z坐标(计算工序)，根据所计算的Z坐标而使聚光器48在Z轴方向上移动，并且向锭2(16)照射激光光线(分离层形成工序)。
在这样并行地实施Z坐标测量工序、计算工序和分离层形成工序的情况下，优选在聚光器48的X轴方向两侧设置有Z坐标测量单元64。由此，在使保持工作台44移动至X轴方向一侧或另一侧(图4中的左侧或右侧)中的任意侧的情况下，均能够在从聚光器48对锭2(16)照射激光光线之前测量锭2(16)的上表面的高度。因此，在聚光器48的X轴方向两侧设置有Z坐标测量单元64的情况下，能够最初将保持工作台44加工进给至X轴方向一侧，形成分离层84(92)，接着进行分度进给之后，将保持工作台44加工进给至X轴方向另一侧，形成分离层84(92)，即能够在往路和返路这双方上形成分离层84(92)，因此能够实现生产率的提高。

Claims (4)

1.一种晶片的制造方法，从半导体锭的端面将对于半导体锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于半导体锭的内部而向半导体锭照射激光光线，形成分离层，从该分离层制造晶片，其中，
该晶片的制造方法包含如下的工序：
准备工序，准备激光加工装置，该激光加工装置具有保持单元、激光光线照射单元、X轴移动机构以及Y轴移动机构，该保持单元对半导体锭进行保持，该激光光线照射单元具有能够使聚光点在Z轴方向上移动的聚光器并从该保持单元所保持的半导体锭的端面照射激光光线，该X轴移动机构使该保持单元与该聚光器在X轴方向上相对地移动，该Y轴移动机构使该保持单元与该聚光器在Y轴方向上相对地移动；
Z坐标测量工序，将待形成的分离层作为XY平面，与X坐标Y坐标对应地测量要照射激光光线的半导体锭的上表面的高度Z(X,Y)；
计算工序，将该待形成的分离层的Z坐标设为Z0，计算与所测量的高度Z(X,Y)的差(Z(X,Y)-Z0)，从而求出该聚光器的Z坐标；
分离层形成工序，使该X轴移动机构和该Y轴移动机构进行动作而使该保持单元与该聚光器在X轴方向和Y轴方向上相对地移动，根据通过该计算工序而求出的Z坐标使该聚光器在Z轴方向上移动，从而将聚光点定位于Z0而形成分离层；以及
晶片分离工序，从该分离层将半导体锭与晶片分离。
2.根据权利要求1所述的晶片的制造方法，其中，
在该计算工序中，在将该聚光器的物镜的数值孔径设为NA(sinθ)，将该物镜的焦距设为h，将锭的折射率设为n(sinθ/sinβ)，将该物镜的Z坐标设为Z的情况下，
对该物镜进行定位的Z坐标通过Z＝h+(Z(X,Y)-Z0)(1-tanβ/tanθ)而求出。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其中，
半导体锭是SiC锭，
该分离层形成工序包含如下的工序：
加工进给工序，将与形成偏离角的方向垂直的方向作为X轴方向，将该保持单元与该聚光器在X轴方向上相对地进行加工进给，其中，该偏离角是c面相对于SiC锭的端面倾斜而形成的；以及
分度进给工序，将该保持单元与该聚光器在Y轴方向上相对地进行分度进给。
4.根据权利要求1或2所述的晶片的制造方法，其中，
半导体锭是Si锭，
该分离层形成工序包含如下的工序：
加工进给工序，将晶面(100)作为该SiC锭的端面，将与晶面{100}和晶面{111}相交的交叉线平行的方向<110>或与该交叉线垂直的方向[110]作为X轴方向，将该保持单元与该聚光器在X轴方向上相对地进行加工进给；以及
分度进给工序，将该保持单元与该聚光器在Y轴方向上相对地进行分度进给。
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