CN114185201A - 液晶显示母板及其配向方法、液晶显示面板 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种液晶显示母板及其配向方法、液晶显示面板。液晶显示母板包括液晶显示面板和位于液晶显示面板一侧的配向基板，液晶显示面板包括对盒设置的阵列基板和对置基板、及设于两者之间的液晶分子，阵列基板包括子像素、数据线和栅线，子像素包括晶体管和像素电极，栅线、数据线和像素电极分别对应与晶体管的栅极、源极和漏极连接；配向基板包括配向盘，配向盘包括与栅线连接的扫描电压端子和与数据线连接的数据电压端子；在液晶显示母板配向时，数据电压端子输入配向电压；且扫描电压端子输入导通电压，使得配向电压输入至像素电极，并使液晶分子在配向电压的作用下产生预倾角度。该方案能够提高配向品质。

Description

液晶显示母板及其配向方法、液晶显示面板

技术领域

本公开属于显示技术领域，具体涉及一种液晶显示母板及其配向方法、液晶显示面板。

背景技术

随着整个TFT(薄膜晶体管)行业的快速发展，市场对TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)产品提出更多高品质需求，其中大视角需求便是之一。对于液晶显示器，当观察者从不同角度观看时，画面显示品质不一致，通常视角越大，画面显示品质越差。为确保用户具有更好的观看体验，需提升产品的视角，但目前大视角的液晶显示器在采用公共电压加压配向的过程中，容易发生配向电场紊乱现象。

发明内容

本公开的目的在于提供一种液晶显示母板及其配向方法、液晶显示面板，能够提高配向品质。

本公开第一方面提供了一种液晶显示母板，所述液晶显示母板包括至少一个面板加工区，所述面板加工区包括液晶显示面板和位于所述液晶显示面板一侧的配向基板，所述液晶显示面板包括对盒设置的阵列基板和对置基板、及设于所述阵列基板和所述对置基板之间的液晶分子，所述阵列基板包括子像素、数据线和栅线，所述子像素包括晶体管和像素电极，所述栅线、所述数据线和所述像素电极分别对应与所述晶体管的栅极、源极和漏极连接；其中，

所述配向基板包括配向盘，所述配向盘包括与所述栅线连接的扫描电压端子和与所述数据线连接的数据电压端子；其中，

所述数据电压端子用于在所述液晶显示母板进行配向过程中向所述数据线输入配向电压；且所述扫描电压端子用于在所述液晶显示母板进行配向过程中向所述栅线输入能够导通所述晶体管的导通电压，使得所述配向电压输入至所述像素电极，并使所述液晶分子在所述配向电压的作用下产生预倾角度。

在本公开的一种示例性实施例中，

所述子像素还包括与所述像素电极相对设置的第一公共电极，所述对置基板包括第二公共电极；

所述配向盘还包括与所述第一公共电极连接的第一公共电压端子和与所述第二公共电极连接的第二公共电压端子；

其中，在向所述像素电极输入所述配向电压时，所述第一公共电压端子和所述第二公共电压端子分别用于向所述第一公共电极和所述第二公共电极输入公共电压，所述公共电压小于所述配向电压。

在本公开的一种示例性实施例中，

所述像素电极包括位于所述栅线相对两侧的主电极和副电极；所述晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的源极与所述数据线连接，所述第一晶体管的漏极与所述副电极连接，所述第二晶体管的源极与所述第一晶体管的源极连接，所述第二晶体管的漏极与所述主电极连接，其中，

所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极与所述栅线同层设置，并与同一所述栅线连接；和/或

所述第一公共电极与所述栅线同层设置，所述第一公共电极包括主环形电极框和副环形电极框，所述主环形电极框与所述主电极相对并在所述液晶显示母板的厚度方向存在交叠，所述副环形电极框与所述副电极相对并在所述液晶显示母板的厚度方向存在交叠；和/或

所述第二公共电极为整面板状结构，且所述第二公共电极在所述阵列基板上的正投影覆盖各所述子像素。

在本公开的一种示例性实施例中，

所述主电极和所述副电极均包括在行方向和列方向上阵列排布的四个狭缝图案区，在所述四个狭缝图案区中：相邻两行所述狭缝图案区呈镜像对称，相邻两列所述狭缝图案区呈镜像对称；和/或

所述主电极在列方向上尺寸大于所述副电极在列方向上的尺寸。

在本公开的一种示例性实施例中，

所述阵列基板还包括与所述数据线同层设置的电压线，所述电压线与所述数据线均在列方向上延伸，且在行方向上间隔设置；所述电压线与所述像素电极和所述栅线在所述液晶显示母板的厚度方向上存在重合；

所述晶体管还包括第三晶体管，所述第三晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极与所述栅线同层设置，并与同一所述栅线连接；所述第三晶体管的源极为所述电压线的部分结构，且所述第三晶体管与所述第二晶体管共用漏极，所述第三晶体管用于在所述液晶显示面板进行配向的过程中拉低所述主电极的电压，以使所述主电极的电压小于所述副电极的电压。

在本公开的一种示例性实施例中，

所述面板加工区设置多个，且在行方向和列方向上呈阵列排布，在所述面板加工区中：所述配向基板位于所述液晶显示面板在列方向上的一侧；其中，

各所述面板加工区的所述液晶显示面板相一致；和/或

在同一行所述面板加工区中，各所述面板加工区的所述配向基板位于所述液晶显示面板的同一侧。

本公开第二方面提供了一种液晶显示母板的配向方法，所述液晶显示母板包括至少一个面板加工区，所述面板加工区包括液晶显示面板和位于所述液晶显示面板一侧的配向基板，所述液晶显示面板包括对盒设置的阵列基板和对置基板、及设于所述阵列基板和所述对置基板之间的液晶分子，所述阵列基板包括子像素、数据线和栅线，所述子像素包括晶体管和像素电极，所述栅线、所述数据线和所述像素电极分别对应与所述晶体管的栅极、源极和漏极连接；所述配向基板包括配向盘，所述配向盘包括与所述栅线连接的扫描电压端子和与所述数据线连接的数据电压端子；其中，所述配向方法包括：

使所述配向盘与外接电源连接，所述外接电源通过所述数据电压端子向所述数据线输入配向电压，且通过所述扫描电压端子向所述栅线输入能够导通所述晶体管的导通电压，使得所述配向电压输入至所述像素电极，并使所述液晶分子在所述配向电压的作用下产生预倾角度；

利用紫外光照射所述液晶显示面板，以使所述液晶分子在所述预倾角度下固定。

在本公开的一种示例性实施例中，所述子像素还包括与所述像素电极相对设置的第一公共电极，所述对置基板包括第二公共电极；所述配向盘还包括与所述第一公共电极连接的第一公共电压端子和与所述第二公共电极连接的第二公共电压端子；且所述配向方法还包括：

在向所述像素电极输入所述配向电压时，所述外接电源通过所述第一公共电压端子和所述第二公共电压端子分别向所述第一公共电极和所述第二公共电极输入公共电压，所述公共电压小于所述配向电压。

在本公开的一种示例性实施例中，所述公共电压为0V，所述配向电压为10V至50V。

本公开第三方面提供了一种液晶显示面板，其中，所述液晶显示面板为由上述任一项所述的液晶显示母板切割得到，所述液晶显示面板内的液晶分子具有预倾角度。

本公开方案的有益效果：

本公开通过调整配向加压方式，即：利用数据线提供的数据电压进行配向，相比于采用公共电压进行配向的方案，可避免或缓解配向时出现干扰电压的情况，从而可提高液晶配向品质，进而可提高后续显示产品的显示效果。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本公开实施例一所述的液晶显示母板的平面示意图；

图2示出了本公开实施例一所述的液晶显示面板中液晶分子处于未配向状态下的结构示意图；

图3示出了本公开实施例一所述的液晶显示面板中子像素与数据线、电压线和栅线之间的位置关系示意图；

图4示出了本公开实施例一所述的配向盘与外接电源的连接示意图；

图5示出了本公开实施例一所述的液晶显示面板在利用数据线提供的电压进行配向后产生配向电场的示意图；

图6示出了本公开实施例一所述的液晶显示面板在利用第一公共电极和第二公共电极的公共电压进行配向后产生配向电场和干扰电场的示意图；

图7示出了本公开实施例二所述的液晶显示母板的配向方法的流程图；

图8示出了本公开实施例二所述的液晶显示母板的配向方法中向液晶显示面板施加配向电压和紫外光照的示意图；

图9示出了本公开实施例三所述的液晶显示面板的结构示意图。

附图标记说明：

1、液晶显示母板；10、液晶显示面板；100、阵列基板；1001、数据线；1002、栅线；1003、主电极；1004、副电极；1005、第一晶体管；1006、第二晶体管；1007、第三晶体管；1008、电压线；1009、主环形电极框；1010、副环形电极框；101、对置基板；102、液晶分子；103、配向膜；104、上偏光片；105、下偏光片；11、配向基板；110、配向盘；111、外接电源。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。

在本公开中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本公开的各方面。

实施例一

如图1所示，本公开实施例提供了一种液晶显示母板1，此液晶显示母板1包括面板加工区A，此面板加工区A包括液晶显示面板10和位于液晶显示面板10一侧的配向基板11，配向基板11用于实现液晶显示面板10的配向，应当理解的是，在制作液晶显示面板10的过程中，再利用配向基板11完成配向后，可沿着液晶显示面板10与配向基板11之间的切割线进行切割，以得到液晶显示面板10，也就是说，最终的液晶显示面板10成品可不包括配向基板11。

如图1所示，液晶显示母板1可包括多个面板加工区A，也就是说，一个液晶显示母板1可切割出来多个液晶显示面板10，以实现液晶显示面板10的批量生产，降低成本，但不限于此，液晶显示母板1也可仅包括一个面板加工区A，即可仅切割出来一个液晶显示面板10，视具体情况而定。

如图1所示，在面板加工区A中：配向基板11位于液晶显示面板10在列方向Y上的一侧。其中，在液晶显示母板1包括多个面板加工区A时，多个面板加工区A可在行方向X和列方向Y上呈阵列排布，在同一行面板加工区A中，各面板加工区A的配向基板11位于液晶显示面板10的同一侧，这样方便后续进行整体切割，以提高加工效率。

在本实施例中，各面板加工区A的液晶显示面板10相一致，比如：形状、尺寸均相同，举例而言，各面板加工区A的液晶显示面板10的形状可均为矩形，且尺寸为55寸，本实施例通过将各面板加工区A的液晶显示面板10设计为一致，这样方便统一配向，降低配向难度。

但应当理解的是，各面板加工区A的液晶显示面板10也可不一致，以充分利用液晶显示母板1的空间。

下面结合附图对本公开实施例的液晶显示母板1的面板加工区A进行详细介绍。

如图2所示，液晶显示面板10可包括对盒设置的阵列基板100和对置基板101、及设于阵列基板100和对置基板101之间的液晶分子102。

如图3所示，阵列基板100可包括子像素、数据线1001和栅线1002。此子像素可设置多个，并沿行方向X和列方向Y阵列排布。数据线1001可设置多条，数据线1001可理解为整体在列方向Y上延伸，栅线1002可理解为整体在行方向X上延伸。

在本实施例中，每行栅线1002可和与其相邻的一行子像素中所有子像素连接，每列数据线1001可和与其相邻的一列子像素中所有子像素连接，但不限与此，每行栅线1002也可和与其相邻的一行子像素中部分子像素连接，每列数据线1001可和与其相邻的一列子像素中部分子像素连接，视具体情况而定。

应当理解的是，阵列基板100还可包括衬底基板(图中未示出)，此衬底基板可为玻璃基板或者PI(聚酰亚胺)基板，前述提到的子像素、数据线1001和栅线1002均形成在一衬底基板上，以形成阵列基板100。

其中，子像素可包括晶体管和像素电极。此晶体管可包括有源层、栅极、源极和漏极。其中，源极和漏极同层设置。在晶体管为底栅型时，栅极可位于有源层靠近衬底基板的一侧，并与有源层之间可设置有绝缘层，源极和漏极分别与有源层两端的源掺杂区和漏掺杂区搭接；在晶体管为顶栅型时，栅极可位于有源层远离衬底基板的一侧，并与有源层之间可设置有绝缘层，而源极和漏极位于栅极远离衬底基板的一侧，且与栅极之间设置有绝缘层，其中，源极和漏极可通过绝缘层上的过孔结构与有源层两端的源掺杂区和漏掺杂区连接。

在本实施例中，晶体管的栅极可与栅线1002连接；举例而言，此栅极可与栅线1002同层设置，换言之，可将晶体管的栅极理解为栅线1002的部分结构。晶体管的源极可与数据线1001连接；举例而言，数据线1001可与晶体管的源极同层设置。晶体管的漏极可与像素电极连接；举例而言，像素电极可位于源漏极所在层远离衬底基板的一侧，其中，像素电极与源漏极所在层之间可设置有绝缘层，像素电极通过此绝缘层上的过孔结构与像素电极连接，但不限于此。

应该理解的是，在本公开中，“同层设置”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。即一次构图工艺对应一道掩模板(mask，也称光罩)。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度，从而简化制作工艺，节省制作成本，提高生产效率。

举例而言，栅线1002、栅极、源极、漏极、数据线1001等可采用金属材料制作而成，例如包括钼、铝及钛等，以保证其良好的导电性能，但不限于此，也可采用其他具有良好导电性能的材料制作而成。像素电极可为透明导电材料制作而成，例如：ITO(氧化铟锡)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等。

其中，为了提升液晶显示面板10的视角，在本实施例的子像素中：如图3所示，像素电极可包括位于栅线1002相对两侧的主电极1003和副电极1004，晶体管可包括第一晶体管1005和第二晶体管1006，此第一晶体管1005的源极与数据线1001连接，第一晶体管1005的漏极与副电极1004连接，第二晶体管1006的源极与第一晶体管1005的源极连接，第二晶体管1006的漏极与主电极1003连接。

在本实施例中，第一晶体管1005可漏电给第二晶体管1006，从而使主电极1003和副电极1004电压不一致，具体地，主电极1003的电压可小于副电极1004的电压，进而配向时主电极1003对应的液晶分子102翻转角度与副电极1004对应的液晶分子102翻转角度有差异，从而可提升液晶显示面板10的视角。

应当理解的是，像素电极中的主电极1003和副电极1004同层设置，第一晶体管1005和第二晶体管1006的栅极同层设置并与同一栅线1002连接，第一晶体管1005和第二晶体管1006两者的源极、漏极、有源层分别同层设置。

如图3所示，主电极1003在列方向Y上尺寸可大于副电极1004在列方向Y上的尺寸，以在配向时可进一步增大主电极1003对应的液晶分子102翻转角度与副电极1004对应的液晶分子102翻转角度之间的差异，提升液晶显示面板10的视角；但不限于此，主电极1003在列方向Y上尺寸也可小于或等于副电极1004在列方向Y上的尺寸。

如图3所示，在子像素中，主电极1003和副电极1004均可包括在行方向X和列方向Y上阵列排布的四个狭缝图案区，此狭缝图案区为开设有狭缝(slit)，在四个狭缝图案区中：相邻两行狭缝图案区呈镜像对称，相邻两列狭缝图案区呈镜像对称，这样设计使得主电极1003和副电极1004均为4Domain(4畴)设计，即：在配向时，主电极1003和副电极1004对应的液晶分子102均具有4个方向，也就是说，整个子像素采用了8畴设计，可实现液晶分子4+4方向控制，从而进一步提升视角。

但应当理解的是，主电极1003和副电极1004不限于包括四个狭缝图案区，也可设置两个等等，且主电极1003和副电极1004的狭缝图案区个数也可不同，视具体情况而定。

在本实施例中，子像素还可包括与像素电极相对设置的第一公共电极，应当理解的是，此第一公共电极可与像素电极之间为绝缘设置，此第一公共电极可与像素电极形成存储电容。

其中，在像素电极包括主电极1003和副电极1004时，第一公共电极也可设置主、副两块电极，分别与主电极1003和副电极1004对应设置。

在本实施例中，如图3所示，阵列基板100还可包括与数据线1001同层设置的电压线1008，此电压线1008可理解为整体在列方向Y上延伸，此电压线1008与数据线1001在行方向X上间隔设置；其中，电压线1008与像素电极和栅线1002在液晶显示母板1的厚度方向上存在重合；如图3所示，子像素的晶体管还可包括第三晶体管1007，此第三晶体管1007、第一晶体管1005和第二晶体管1006的栅极与栅线1002同层设置，并与同一栅线1002连接，也就是说，利用同一扫描信号可同时打开第一晶体管1005、第二晶体管1006和第三晶体管1007。

其中，第三晶体管1007的源极可为电压线1008的部分结构，第三晶体管1007与第二晶体管1006共用漏极。第三晶体管1007的有源层与第二晶体管1006的有源层同层设置并相互间隔，应当理解的是，电压线1008中与第三晶体管1007的有源层的源掺杂区搭接的部分可定义为第三晶体管1007的源极，第二晶体管1006的漏极部分与第三晶体管1007的有源层的漏掺杂区搭接作为第三晶体管1007的漏极。

具体地，第一公共电极可与栅线1002同层设置，由于栅线1002常采用金属材料制作而成，因此，第一公共电极也采用金属材料制作而成，这样为了避免第一公共电极影响透光率，在设计第一公共电极的主、副两块电极时，可使主、副两块电极设置为环形框，也就是说，如图3所示，第一公共电极包括主环形电极框1009和副环形电极框1010；此主环形电极框1009与主电极1003相对并在液晶显示母板1的厚度方向存在交叠，具体地，主环形电极框1009与主电极1003的边缘相对，并可形成主存储电容；副环形电极框1010与副电极1004相对并在液晶显示母板1的厚度方向存在交叠，具体地，副环形电极框1010与副电极1004的边缘相对，并可形成副存储电容。

在本实施例中，通过将第一公共电极的主、副两块电极设计为环形框，在保证开口率的同时，可增大主电极1003和副电极1004处形成存储电容。

需要说明的是，本实施例的阵列基板100不限于包括前述提到的结构，如图2所示，其靠近液晶分子102的一侧还可设有配向膜103等。

在本实施例中，对置基板101可包括第二公共电极，应当理解的是，对置基板101可包括衬底基板，此衬底基板可为玻璃基板或PI基板，第二公共电极形成在此衬底基板上。

举例而言，第二公共电极可为整面板状结构，此第二公共电极在阵列基板100上的正投影(即：在液晶显示面板10的厚度方向上得到的正投影)可覆盖各子像素，这样设计可降低对置基板101的设计难度；但应当理解的是，第二公共电极也可分块设置，每块与一子像素对应设置等等。

其中，对置基板101还可包括形成在衬底基板上的黑矩阵层、彩膜层，如图2所示，且对置基板101靠近液晶分子102的一侧还可设置配向膜103等等。

需要说明的是，彩膜层不限于设置在对置基板101上，也可设置在阵列基板100上，视具体情况而定。

在本实施例中，如图1所示，配向基板11包括配向盘110，应当理解的是，配向基板11可包括衬底基板，此衬底基板可为玻璃基板或PI基板，配向盘110形成在此衬底基板上。举例而言，此配向基板11可与阵列基板100共用同一衬底基板，这样设计使得配向基板11上的配向盘110或者一些走线可与衬底基板上的一些结构同层设置，降低设计成本。

其中，此配向盘110可与液晶显示面板10中一些结构连接，在配向过程中，如图4所示，此配向盘110可连接外接电源111，以向液晶显示面板10外加一个电压，使液晶分子102翻转一定的角度，实现配向，应当理解的是，不同畴对应液晶分子102翻转角度不同。

具体地，在本实施例中，如图4所示，配向盘110可包括与栅线1002连接的扫描电压端子Gate和与数据线1001连接的数据电压端子Data；此外，配向盘110还可包括与第一公共电极连接的第一公共电压端子A com和与第二公共电极连接的第二公共电压端子C com。

数据电压端子Data用于在液晶显示母板1进行配向过程中向数据线1001输入配向电压；且扫描电压端子Gate用于在液晶显示母板1进行配向过程中向栅线1002输入能够导通晶体管的导通电压，这样使得配向电压从晶体管的源极流向晶体管的漏极，从而输入至像素电极，如图5所示，此时，像素电极Pixel受电后整面加压，并产生朝向对置基板的配向电场，在此配向电场下液晶分子102可发生偏转，即：液晶分子102在配向电压的作用下产生预倾角度。

其中，结合图4和图5所示，在向像素电极Pixel输入配向电压时，即：在利用数据线1001(图5中所示的Data)提供至像素电极Pixel的数据电压作为配向电压时，第一公共电压端子A com和第二公共电压端子C com还可分别向第一公共电极(图5中所示的ACOM)和第二公共电极(图5中所示的COM)输入公共电压，此公共电压远小于配向电压，以避免或降低第一公共电极和第二公共电极产生配向电场而干扰液晶分子102偏转的情况。

举例而言，此公共电压可为0V，但不限于此，只要在配向过程中第一公共电极和第二公共电极处的电压不足以产生配向电场即可。

在本实施例中，可仅利用数据线1001(图5中所示的Data)提供至像素电极Pixel的数据电压作为配向电压，而第一公共电极和第二公共电极处的公共电压不作为配向电压；尤其是在本实施例的子像素设计为前述提到的8畴结构时；因此，在子像素设计为前述提到的8畴结构时，子像素设计地形复杂，至少存在第一晶体管1005和第二晶体管1006，甚至还可存在第三晶体管1007，晶体管处线路较多，若使用第一公共电极和第二公共电极的公共电压作为配向电压，在配向时易发生配向电场紊乱现象。

具体地，如图6所示，若使用第一公共电极(图6中所示的ACOM)和第二公共电极(图6中所示的COM)的公共电压作为配向电压，由于第二公共电极的面积大于第一公共电极的面积，因此，第二公共电极(图6中所示的COM)带电产生的电场为配向电场，即：从对置基板101侧至阵列基板100侧，如图6所示；而第一公共电极(图6中所示的ACOM)带电产生的电场为与配向电场逆反的干扰电场，从阵列基板100侧至对置基板101侧，如图6所示，干扰电场致使像素电极Pixel边缘产生配向异常，即：暗纹不良，宏观影响品味检良率。

此外，在使用第一公共电极和第二公共电极的公共电压作为配向电压时，数据线1001也会向像素电极Pixel提供一定的数据电压，此数据电压小于公共电压，通常为0V或接近0V，这样使得像素电极Pixel面内不足以产生影响液晶分子102配向的电场，但由于8畴结构晶体管处线路较多、设计更复杂，因此，在8畴结构晶体管处各线路相互作用下，也容易产生与配向电场逆反的干扰电场，继而影响配向效果。

基于此，本实施例仅利用数据线提供至像素电极的数据电压作为配向电压，而第一公共电极和第二公共电极处的公共电压不作为配向电压，这样相比于前述提到的采用第一公共电极和第二公共电极的公共电压进行配向的方案，可避免或缓解产品配向时出现干扰电压的情况，从而可提高液晶配向品质，进而可提高后续显示产品的显示效果，也就是说，本实施例的配向方法可适用8畴等更多复杂产品的液晶配向，但不限于此，也可适用于2畴、4畴等产品的液晶配向。

此外，还需说明的是，本实施例虽然在利用数据线提供至像素电极的数据电压作为配向电压时，还利用如图4所示的第一公共电压端子A com和第二公共电压端子C com分别向第一公共电极和第二公共电极输入公共电压，但由于此公共电压远小于配向电压，例如：公共电压为0V或接近0V，且第一公共电极和第二公共电极的设计以及周围设计并不复杂，因此，第一公共电极和第二公共电极面内不足以产生影响液晶分子102配向的干扰电场。

本实施例中，以55寸液晶显示面板10为例，其对应的配向盘110可包括25颗引脚，具体如图4所示，25颗引脚包括1个矢量信号引脚VST--H，1个电源信号引脚VSS--H，8个时钟信号引脚CK1--H、CK2--H……CK7--H、CK8--H，9个空置引脚Dummy，2个滤波引脚LC1、LC2，2个数据信号引脚D-even、D-odd，1个第一公共电压引脚A COM，1个第二公共电压引脚C COM，其中，1个矢量信号引脚VST--H，1个电源信号引脚VST—H，8个时钟信号引脚CK1--H、CK2--H……CK7--H、CK8--H、2个滤波引脚LC1、LC2可共同组成前述提到的扫描电压端子Gate，第一公共电压引脚A COM可相当于前述提到第一公共电压端子A com，第二公共电压引脚CCOM可相当于前述提到第二公共电压端子C com，2个数据信号引脚D-even、D-odd可共同组成前述提到的数据电压端子Data。

应当理解的是，各引脚可通过引线与液晶显示面板内对应的引线连接，以实现其对应功能。

如图2所示，本实施例的液晶显示面板10还可包括上偏光片104和下偏光片105，此上偏光片104位于对置基板101远离阵列基板100的一侧，下偏光片105位于阵列基板100远离对置基板101的一侧。

实施例二

本实施例提供了一种液晶显示母板1的配向方法，液晶显示母板1的具体结构可参考前述实施例一所提到的内容，在此不作重复赘述。

具体地，如图7所示，本实施例的配向方法可包括：

步骤S200、使配向盘与外接电源连接，外接电源通过数据电压端子向数据线输入配向电压，且通过扫描电压端子向栅线输入能够导通晶体管的导通电压，使得配向电压输入至像素电极，并使液晶分子在配向电压的作用下产生预倾角度；

步骤S202、利用紫外光照射液晶显示面板，以使液晶分子在预倾角度下固定。

其中，在向像素电极输入配向电压时，外接电源通过第一公共电压端子和第二公共电压端子分别向第一公共电极和第二公共电极输入公共电压，公共电压小于配向电压。

在本实施例中，此公共电压可为0V或接近0V，而配向电压可为10V至50V，比如：10V、20V、30V、40V、50V等等，视具体情况而定，但不限于此，此配向电压也可在其他取值范围内，只要能够产生所需的配向电场即可，即能够使得液晶分子达到预倾角度即可。

此外，结合实施例一中提到的液晶显示面板的具体结构，在配向过程中，还可向电压线供电压，且第三晶体管呈导通状，这样设计可拉低主电极的电压，以使主电极的电压小于副电极的电压，从而使得主电极对应的液晶翻转角度与副电极对应的液晶翻转角度有差异，继而可提升液晶显示面板的视角。

应当理解的是，在配向过程中，电压线获得电压可为外接电源通过配向盘输入的，但不限于此；且此电压线获得的电压可等于数据线提供的电压，也可小于数据线提供的电压，视具体情况而定，只要能够起到拉低主电极的电压，以使主电极的电压小于副电极的电压的作用即可，在此不作特殊说明。

其中，本实施例的液晶显示面板10可为VA系列机种，该机种优势之一即为宽视角。VA系列机种的液晶配向为垂直配向，采用光配向技术。光配向技术可在如图2所示的配向膜103上生成一层可以使VA液晶分子102形成预倾角度的聚合物层。

具体地，在液晶分子102中掺入一定比例的趋光型高分子液晶，这种反应型液晶较常规液晶末端多一个或多个可反应官能基，该基体在UV(紫外)光照射下聚合成高分子网络，实现永久固定。在UV光照射前，先在液晶显示面板10上下外加一个配向电压，如图8所示，具体利用配向盘向阵列基板的像素电极施加配向电压，使液晶分子102翻转一定的角度，对应阵列基板的子像素中不同的畴(即：不同的狭缝图案区，对应不同的狭缝方向)，液晶分子102倾斜的方向不同。外加电压稳定后，如图8所示，使用UV光照射，从而液晶分子102中的可反应官能基聚合成高分子网络，吸引表层的液晶分子102形成一定的预倾角度α。电压撤掉以后，表层液晶分子102在高分子网络的作用下依然保持的预倾角度α，如图9所示。

实施例三

本实施例提供了一种液晶显示面板10，此液晶显示面板10为由实施例一所提到的液晶显示母板1切割得到，如图9所示，此液晶显示面板10内的液晶分子102具有预倾角度α，具体可在对液晶显示母板1进行切割之前，利用实施例二的配向方法对液晶显示面板10中的液晶分子102进行配向，以使最后切割获得的液晶显示面板10内的液晶分子102具有预倾角度α。

此液晶显示面板10的具体结构可参考实施一中的内容，在此不做重复赘述。

本公开实施例的液晶显示面板10可配合背光模组形成液晶显示器，此液晶显示器可应用于电视、手机、平板、笔记本电脑等电子设备，在此不再赘述。

在本说明书的描述中，参考术语“一些实施例”、“示例地”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本公开的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本公开的限制，本领域的普通技术人员在本公开的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，故但凡依本公开的权利要求和说明书所做的变化或修饰，皆应属于本公开专利涵盖的范围之内。

Claims (10)

1.一种液晶显示母板，所述液晶显示母板包括至少一个面板加工区，所述面板加工区包括液晶显示面板和位于所述液晶显示面板一侧的配向基板，所述液晶显示面板包括对盒设置的阵列基板和对置基板、及设于所述阵列基板和所述对置基板之间的液晶分子，所述阵列基板包括子像素、数据线和栅线，所述子像素包括晶体管和像素电极，所述栅线、所述数据线和所述像素电极分别对应与所述晶体管的栅极、源极和漏极连接；其特征在于，

所述配向基板包括配向盘，所述配向盘包括与所述栅线连接的扫描电压端子和与所述数据线连接的数据电压端子；其中，

所述数据电压端子用于在所述液晶显示母板进行配向过程中向所述数据线输入配向电压；且所述扫描电压端子用于在所述液晶显示母板进行配向过程中向所述栅线输入能够导通所述晶体管的导通电压，使得所述配向电压输入至所述像素电极，并使所述液晶分子在所述配向电压的作用下产生预倾角度。

2.根据权利要求1所述的液晶显示母板，其特征在于，

所述子像素还包括与所述像素电极相对设置的第一公共电极，所述对置基板包括第二公共电极；

所述配向盘还包括与所述第一公共电极连接的第一公共电压端子和与所述第二公共电极连接的第二公共电压端子；

其中，在向所述像素电极输入所述配向电压时，所述第一公共电压端子和所述第二公共电压端子分别用于向所述第一公共电极和所述第二公共电极输入公共电压，所述公共电压小于所述配向电压。

3.根据权利要求2所述的液晶显示母板，其特征在于，所述像素电极包括位于所述栅线相对两侧的主电极和副电极；所述晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的源极与所述数据线连接，所述第一晶体管的漏极与所述副电极连接，所述第二晶体管的源极与所述第一晶体管的源极连接，所述第二晶体管的漏极与所述主电极连接，其中，

所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极与所述栅线同层设置，并与同一所述栅线连接；和/或

所述第一公共电极与所述栅线同层设置，所述第一公共电极包括主环形电极框和副环形电极框，所述主环形电极框与所述主电极相对并在所述液晶显示母板的厚度方向存在交叠，所述副环形电极框与所述副电极相对并在所述液晶显示母板的厚度方向存在交叠；和/或

所述第二公共电极为整面板状结构，且所述第二公共电极在所述阵列基板上的正投影覆盖各所述子像素。

4.根据权利要求3所述的液晶显示母板，其特征在于，

所述主电极和所述副电极均包括在行方向和列方向上阵列排布的四个狭缝图案区，在所述四个狭缝图案区中：相邻两行所述狭缝图案区呈镜像对称，相邻两列所述狭缝图案区呈镜像对称；和/或

所述主电极在列方向上尺寸大于所述副电极在列方向上的尺寸。

5.根据权利要求3所述的液晶显示母板，其特征在于，

所述阵列基板还包括与所述数据线同层设置的电压线，所述电压线与所述数据线均在列方向上延伸，且在行方向上间隔设置；所述电压线与所述像素电极和所述栅线在所述液晶显示母板的厚度方向上存在重合；

所述晶体管还包括第三晶体管，所述第三晶体管、所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极与所述栅线同层设置，并与同一所述栅线连接；所述第三晶体管的源极为所述电压线的部分结构，且所述第三晶体管与所述第二晶体管共用漏极，所述第三晶体管用于在所述液晶显示面板进行配向的过程中拉低所述主电极的电压，以使所述主电极的电压小于所述副电极的电压。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的液晶显示母板，其特征在于，

所述面板加工区设置多个，且在行方向和列方向上呈阵列排布，在所述面板加工区中：所述配向基板位于所述液晶显示面板在列方向上的一侧；其中，

各所述面板加工区的所述液晶显示面板相一致；和/或

在同一行所述面板加工区中，各所述面板加工区的所述配向基板位于所述液晶显示面板的同一侧。

7.一种液晶显示母板的配向方法，所述液晶显示母板包括至少一个面板加工区，所述面板加工区包括液晶显示面板和位于所述液晶显示面板一侧的配向基板，所述液晶显示面板包括对盒设置的阵列基板和对置基板、及设于所述阵列基板和所述对置基板之间的液晶分子，所述阵列基板包括子像素、数据线和栅线，所述子像素包括晶体管和像素电极，所述栅线、所述数据线和所述像素电极分别对应与所述晶体管的栅极、源极和漏极连接；所述配向基板包括配向盘，所述配向盘包括与所述栅线连接的扫描电压端子和与所述数据线连接的数据电压端子；其特征在于，所述配向方法包括：

使所述配向盘与外接电源连接，所述外接电源通过所述数据电压端子向所述数据线输入配向电压，且通过所述扫描电压端子向所述栅线输入能够导通所述晶体管的导通电压，使得所述配向电压输入至所述像素电极，并使所述液晶分子在所述配向电压的作用下产生预倾角度；

利用紫外光照射所述液晶显示面板，以使所述液晶分子在所述预倾角度下固定。

8.根据权利要求7所述的配向方法，其特征在于，所述子像素还包括与所述像素电极相对设置的第一公共电极，所述对置基板包括第二公共电极；所述配向盘还包括与所述第一公共电极连接的第一公共电压端子和与所述第二公共电极连接的第二公共电压端子；且所述配向方法还包括：

在向所述像素电极输入所述配向电压时，所述外接电源通过所述第一公共电压端子和所述第二公共电压端子分别向所述第一公共电极和所述第二公共电极输入公共电压，所述公共电压小于所述配向电压。

9.根据权利要求8所述的配向方法，其特征在于，所述公共电压为0V，所述配向电压为10V至50V。

10.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板为由如权利要求1至6中任一项所述的液晶显示母板切割得到，所述液晶显示面板内的液晶分子具有预倾角度。

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