CN114172007B - 基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器 - Google Patents

基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器，包括依次设置的全反射器、第一横模选择器、多横模增益介质、第二横模选择器和部分反射器；多横模增益介质在接收到泵浦源后，将产生的自发辐射能量分布到多个横模上，并将分布到多个横模上的自发辐射能量分别传输给第一横模选择器、第二横模选择器；第一横模选择器和第二横模选择器从分布到多个横模上的自发辐射能量中，选择出分布在相同横模上的自发辐射能量，并对应传输给全反射器和部分反射器；全反射器、部分反射器以及两者之间的结构形成的谐振腔对选择出的横模上的自发辐射能量进行增益，最终形成单频激光从所述部分反射器的输出端输出。本发明结构简单、体积小、成本低且线宽压缩效果好。

Description

基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器
技术领域
本发明属于激光器领域，具体涉及一种基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器。
背景技术
超窄线宽的单频激光器由于其具有超长的相干长度以及极低的相位噪声，在光纤传感、光原子钟、相干光通信、激光雷达等领域中有着广阔的应用前景。激光器中由于自发辐射中的能级具有一定的宽度，其输出激光在频域上并不是理想的单频，而是存在一定的宽度，这是激光器线宽存在的根源，无法根除，而且由于其他因素的影响，如驱动电流稳定性，温度抖动，发光介质的晶格缺陷等都会对激光器的线宽造成很大影响。
现有技术中形成超窄线宽的单纵模激光束的方法多种多样，比如短腔法、饱和吸收体、多环环形腔等方法，但基于前述方法的激光器大多存在结构复杂、体积较大、成本高昂、线宽压缩效果不理想的缺陷，且传统线宽压缩方式始终无法消除由于激光自发辐射带来的线宽展宽，难以进一步实现对激光线宽的压缩，这大大的限制了超窄线宽的单纵模激光束的应用。
发明内容
本发明提供一种基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器，以解决目前单频激光器结构复杂、体积较大、成本高昂和线宽压缩效果不理想的问题。
根据本发明实施例的第一方面，提供一种基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器，包括依次设置的全反射器、第一横模选择器、多横模增益介质、第二横模选择器和部分反射器，其中所述全反射器的反射侧朝向所述第一横模选择器，所述部分反射器的反射侧朝向所述第二横模选择器，所述部分反射器的另一侧为其输出端；所述多横模增益介质在接收到泵浦源后，将产生的自发辐射能量分布到多个横模上，并将分布到多个横模上的自发辐射能量分别传输给所述第一横模选择器、第二横模选择器；
所述第一横模选择器和第二横模选择器从所述分布到多个横模上的自发辐射能量中，选择出分布在相同横模上的自发辐射能量，所述第一横模选择器将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述全反射器，所述第二横模选择器将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述部分反射器；
所述全反射器、部分反射器以及两者之间的结构形成谐振腔，所述谐振腔对选择出的该横模上的自发辐射能量进行增益，最终形成单频激光从所述部分反射器的输出端输出。
在一种可选的实现方式中，所述激光器为光纤激光器时，所述全反射器为窄带光纤布拉格光栅，所述第一横模选择器为第一单横模拉锥光纤，所述多横模增益介质为多横模增益光纤，所述第二横模选择器为第二单横模拉锥光纤，所述部分反射器为宽带光纤布拉格光栅，所述窄带光纤布拉格光栅、第一单横模拉锥光纤、多横模增益光纤、第二单横模拉锥光纤以及宽带光纤布拉格光栅依次连接；所述泵浦源为光泵浦；
所述光泵浦依次通过所述窄带光纤布拉格光栅、第一单横模拉锥光纤传输给所述多横模增益光纤，所述多横模增益光纤在接收到所述光泵浦后，将产生的自发辐射能量分布到多个横模上，并将分布到多个横模上的自发辐射能量分别传输给所述第一单横模拉锥光纤、第二单横模拉锥光纤；
所述第一单横模拉锥光纤和第二单横模拉锥光纤从所述分布到多个横模上的自发辐射能量中，选择出分布在相同横模上的自发辐射能量，所述第一单横模拉锥光纤将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述窄带光纤布拉格光栅，所述第二单横模拉锥光纤将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述宽带光纤布拉格光栅；
所述窄带光纤布拉格光栅、宽带光纤布拉格光栅以及两者之间的结构形成谐振腔，所述谐振腔对选择出的该横模上的自发辐射能量进行增益，最终形成单频激光从所述宽带光纤布拉格光栅的输出端输出。
在另一种可选的实现方式中，所述多横模增益光纤为多模增益光纤，所述多模增益光纤在接收到所述光泵浦后，将产生的自发辐射能量分布到多个小于所述多模增益光纤的截止波长的横模上。
在另一种可选的实现方式中，所述第一单横模拉锥光纤和第二单横模拉锥光纤均为拉锥光纤，所述拉锥光纤只能让基模无损耗或低损耗通过，而所有高阶模都在锥形过渡区耗散。
在另一种可选的实现方式中，所述激光器为半导体激光器时，所述全反射器为窄带光纤布拉格光栅，所述部分反射器为宽带光纤布拉格光栅，所述多横模增益介质为PN结形成的量子阱增益结构，包括上下两层的P结和N结以及中间的有源层，有源层通过特殊掺杂形成比上下两侧P结和N结更高的折射率，从而在有源层形成光学局域波导，所述有源层的左右两侧被制成锥形结构，位于所述有源层的左右两侧的第一锥形结构和第二锥形结构对应作为所述第一横模选择器和第二横模选择器；
所述泵浦源为电流泵浦，所述有源层在接收到所述电流泵浦后，通过所述有源层将产生的自发辐射能量分布到多个横模上，并将分布到多个横模上的自发辐射能量分别传输给所述第一锥形结构、第二锥形结构；
所述第一锥形结构和第二锥形结构从所述分布到多个横模上的自发辐射能量中，选择出分布在相同横模上的自发辐射能量，所述第一锥形结构将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述窄带光纤布拉格光栅，所述第二锥形结构将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述宽带光纤布拉格光栅；所述窄带光纤布拉格光栅、宽带光纤布拉格光栅以及两者之间的结构形成谐振腔，所述谐振腔对选择出的该横模上的自发辐射能量进行增益，最终形成单频激光从所述宽带光纤布拉格光栅的输出端输出。
在另一种可选的实现方式中，通过沉积技术依次沉积P结、有源层以及N结，形成量子阱增益结构，其中有源层由一具有锥形形状的掩膜版制成其锥形结构。
在另一种可选的实现方式中，通过增加所述有源层的厚度，使得所述增益介质层能将自发辐射能量分布到多个横模上。
在另一种可选的实现方式中，所述第一锥形结构通过第一单横模光纤与该窄带光纤布拉格光栅连接，所述第二锥形结构通过第二单横模光纤与该宽带光纤布拉格光栅连接。
在另一种可选的实现方式中，所述第一锥形结构和第二锥形结构相对于所述有源层的竖直中心轴对称。
在另一种可选的实现方式中，所述第一锥形结构和第二锥形结构分别为增厚后的长方体有源层的左侧部分和右侧部分，所述第一锥形结构和第二锥形结构均包括两个前后对称且向内弯曲的半圆弧面，两个弧面的上下两端与所述有源层的上下两面对准，每个弧面都左右对称且前弧面的左右两端与所述有源层的前侧面相交，后弧面的左右两端与所述有源层的后侧面相交，通过对所述第一锥形结构和第二锥形结构中弧面的半径大小进行调节，可使所述有源层满足选择出的基模通过，高阶模耗散的要求。
本发明的有益效果是：
本发明在形成激光信号之前，首先将产生的自发辐射能量分布到多个横模上，然后利用横模选择器从其中选择出仅分布在一个横模上的自发辐射能量，基于选择出的该横模上的自发辐射能量来形成激光，这样可以从根本上解决自发辐射能量导致的激光线宽较宽的问题，通过抑制自发辐射能量在多个横模上的分布，基于一个横模上的自发辐射能量来生成激光，可以获得真正的单频激光信号，本发明结构简单、体积较小、成本低且线宽压缩效果理想。
附图说明
图1是本发明基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器的结构示意图；
图2是本发明基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器的一个实施例结构示意图；
图3是本发明基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器的另一实施例结构示意图；
图4是本发明多横模增益介质的俯视图；
图5是本发明基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器的又一实施例结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明实施例中的技术方案，并使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明实施例中技术方案作进一步详细的说明。
在本发明的描述中，除非另有规定和限定，需要说明的是，术语“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
参见图1，为本发明基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器的一个实施例结构示意图。该基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器可以包括依次设置的全反射器、第一横模选择器、多横模增益介质、第二横模选择器和部分反射器，其中所述全反射器的反射侧朝向所述第一横模选择器，所述部分反射器的反射侧朝向所述第二横模选择器，所述部分反射器的另一侧为其输出端；所述多横模增益介质在接收到泵浦源后，将产生的自发辐射能量分布到多个横模上，并将分布到多个横模上的自发辐射能量分别传输给所述第一横模选择器、第二横模选择器；所述第一横模选择器和第二横模选择器从所述分布到多个横模上的自发辐射能量中，选择出分布在相同横模上的自发辐射能量，所述第一横模选择器将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述全反射器，所述第二横模选择器将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述部分反射器；所述全反射器、部分反射器以及两者之间的结构形成谐振腔，所述谐振腔对选择出的该横模上的自发辐射能量进行增益，最终形成单频激光从所述部分反射器的输出端输出。
传统地，由于激光器在接收到泵浦源后，其产生的自发辐射能量使得激光器产生的激光信号具有一定的线宽，从而使得现有的激光线宽压缩效果不好。本发明在形成激光信号之前，首先将产生的自发辐射能量分布到多个横模上，然后利用横模选择器从其中选择出仅分布在一个横模上的自发辐射能量，基于选择出的该横模上的自发辐射能量来形成激光，这样可以从根本上解决自发辐射能量导致的激光线宽较宽的问题，通过抑制自发辐射能量在多个横模上的分布，基于一个横模上的自发辐射能量来生成激光，可以获得真正的单频激光信号，本发明结构简单、体积较小、成本低且线宽压缩效果理想。其中，未选择的其他横模上的自发辐射能量在空间中辐射进而被耗散掉。
参见图2，为本发明基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器的一个实施例结构示意图。图2与图1的区别在于，所述激光器为光纤激光器，此时所述全反射器为窄带光纤布拉格光栅，所述第一横模选择器为第一单横模拉锥光纤，所述多横模增益介质为多横模增益光纤，所述第二横模选择器为第二单横模拉锥光纤，所述部分反射器为宽带光纤布拉格光栅，所述窄带光纤布拉格光栅、第一单横模拉锥光纤、多横模增益光纤、第二单横模拉锥光纤以及宽带光纤布拉格光栅依次连接；所述泵浦源为光泵浦。
所述光泵浦依次通过所述窄带光纤布拉格光栅、第一单横模拉锥光纤传输给所述多横模增益光纤，所述多横模增益光纤在接收到所述光泵浦后，将产生的自发辐射能量分布到多个横模上，并将分布到多个横模上的自发辐射能量分别传输给所述第一单横模拉锥光纤、第二单横模拉锥光纤；所述第一单横模拉锥光纤和第二单横模拉锥光纤从所述分布到多个横模上的自发辐射能量中，选择出分布在相同横模上的自发辐射能量，所述第一单横模拉锥光纤将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述窄带光纤布拉格光栅，所述第二单横模拉锥光纤将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述宽带光纤布拉格光栅；所述窄带光纤布拉格光栅、宽带光纤布拉格光栅以及两者之间的结构形成谐振腔，所述谐振腔对选择出的该横模上的自发辐射能量进行增益，最终形成单频激光从所述宽带光纤布拉格光栅的输出端输出。
光纤传输的截止波长公式可以表示为：
其中a表示光纤的半径，n1表示纤芯折射率，n2表示包层折射率，从公式中可以看出，当光纤半径a越大，截止波长越长。当光泵浦输入到该光纤后，小于截止波长的多个横模能在光纤中传输，从而出现多横模状态，因此可以通过制作特定直径的增益光纤得到多横模增益光纤。本实施例中，所述多横模增益光纤可以为多模增益光纤，其中当所述多模增益光纤在接收到所述光泵浦后，将产生的自发辐射能量分布到多个小于该多模增益光纤的截止波长的横模上。所述第一单横模拉锥光纤和第二单横模拉锥光纤可以均为拉锥光纤，通过拉锥光纤使得光纤直径逐渐变小，使得所述拉锥光纤只能让基模无损耗或低损耗通过，而所有高阶模都在锥形过渡区耗散。
由上述实施例可见，本发明在形成激光信号之前，首先将产生的自发辐射能量分布到多个横模上，然后利用横模选择器从其中选择出仅分布在一个横模上的自发辐射能量，基于选择出的该横模上的自发辐射能量来形成激光，这样可以从根本上解决自发辐射能量导致的激光线宽较宽的问题，通过抑制自发辐射能量在多个横模上的分布，基于一个横模上的自发辐射能量来生成激光，可以获得真正的单频激光信号，本发明结构简单、体积较小、成本低且线宽压缩效果理想。
参见图3，为本发明基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器的另一实施例结构示意图。图3与图1的区别在于，所述激光器为半导体激光器，此时所述全反射器为窄带光纤布拉格光栅，所述部分反射器为宽带光纤布拉格光栅，所述多横模增益介质为PN结形成的量子阱增益结构，包括上下两层的P结和N结以及中间的有源层，有源层通过特殊掺杂形成比上下两侧P结和N结的折射率更高的折射率，从而在有源层形成光学局域波导，所述有源层的左右两侧均被制成锥形结构，位于所述有源层的左右两侧的第一锥形结构和第二锥形结构对应作为所述第一横模选择器和第二横模选择器；所述第一锥形结构与该窄带光纤布拉格光栅连接，所述第二锥形结构与该宽带光纤布拉格光栅连接，所述泵浦源为电流泵浦；所述有源层在接收到所述电流泵浦后，通过所述有源层将产生的自发辐射能量分布到多个横模上，并将分布到多个横模上的自发辐射能量分别传输给所述第一锥形结构、第二锥形结构；所述第一锥形结构和第二锥形结构从所述分布到多个横模上的自发辐射能量中，选择出分布在相同横模上的自发辐射能量，所述第一锥形结构将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述窄带光纤布拉格光栅，所述第二锥形结构将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述宽带光纤布拉格光栅；所述窄带光纤布拉格光栅、宽带光纤布拉格光栅以及两者之间的结构形成谐振腔，所述谐振腔对选择出的该横模上的自发辐射能量进行增益，最终形成单频激光从所述宽带光纤布拉格光栅的输出端输出。
本实施例中，通过沉积技术依次沉积P结、有源层以及N结，形成量子阱增益结构，其中有源层由一具有锥形形状的掩膜版制成其锥形结构。通过增加所述有源层的厚度，可以使得所述有源层能将自发辐射能量分布到多个横模上。为了保证第一锥形结构和第二锥形结构从分布到多个横模上的自发辐射能量中，选择出的自发辐射能量分布在相同的横模上，所述第一锥形结构和第二锥形结构相对于所述增益介质层的竖直中心轴对称。
结合图3和图4所示，所述第一锥形结构和第二锥形结构分别为增厚后的长方体有源层的左侧部分和右侧部分，所述第一锥形结构和第二锥形结构均包括两个前后对称且向内弯曲的半圆弧面，两个弧面的上下两端与所述有源层的上下两面对准，每个弧面都左右对称且前弧面的左右两端与所述有源层的前侧面相交，后弧面的左右两端与所述有源层的后侧面相交，通过对所述第一锥形结构和第二锥形结构中弧面的半径大小进行调节，可使所述有源层满足选择出的基模通过，高阶模耗散的要求。在制作第一锥形结构和第二锥形结构时，可以首先形成增厚的长方体有源层，接着利用对应形状的掩膜版对有源层进行曝光，最后对有源层进行蚀刻，从而在有源层的左右两侧分别形成锥形结构。另外，如图5所示，图5与图3所示实施例的区别在于，所述第一锥形结构通过第一单横模光纤与该窄带光纤布拉格光栅连接，所述第二锥形结构通过第二单横模光纤与该宽带光纤布拉格光栅连接。本发明在第一锥形结构与窄带光纤布拉格光栅之间设置第一单横模光纤，在第二锥形结构与宽带光纤布拉格光栅之间设置第二单横模光纤，一方面可以方便锥形结构与布拉格光栅之间的连接，另一方面可以进一步优化横模选择性能。
由上述实施例可见，本发明在形成激光信号之前，首先将产生的自发辐射能量分布到多个横模上，然后利用横模选择器从其中选择出仅分布在一个横模上的自发辐射能量，基于选择出的该横模上的自发辐射能量来形成激光，这样可以从根本上解决自发辐射能量导致的激光线宽较宽的问题，通过抑制自发辐射能量在多个横模上的分布，基于一个横模上的自发辐射能量来生成激光，可以获得真正的单频激光信号，本发明结构简单、体积较小、成本低且线宽压缩效果理想。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来管制。

Claims (10)

1.一种基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器，其特征在于，包括依次设置的全反射器、第一横模选择器、多横模增益介质、第二横模选择器和部分反射器，其中所述全反射器的反射侧朝向所述第一横模选择器，所述部分反射器的反射侧朝向所述第二横模选择器，所述部分反射器的另一侧为其输出端；所述多横模增益介质在接收到泵浦源后，将产生的自发辐射能量分布到多个横模上，并将分布到多个横模上的自发辐射能量分别传输给所述第一横模选择器、第二横模选择器；
所述第一横模选择器和第二横模选择器从所述分布到多个横模上的自发辐射能量中，选择出分布在相同横模上的自发辐射能量，所述第一横模选择器将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述全反射器，所述第二横模选择器将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述部分反射器；
所述全反射器、部分反射器以及两者之间的结构形成谐振腔，所述谐振腔对选择出的该横模上的自发辐射能量进行增益，最终形成单频激光从所述部分反射器的输出端输出。
2.根据权利要求1所述的基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器，其特征在于，所述激光器为光纤激光器时，所述全反射器为窄带光纤布拉格光栅，所述第一横模选择器为第一单横模拉锥光纤，所述多横模增益介质为多横模增益光纤，所述第二横模选择器为第二单横模拉锥光纤，所述部分反射器为宽带光纤布拉格光栅，所述窄带光纤布拉格光栅、第一单横模拉锥光纤、多横模增益光纤、第二单横模拉锥光纤以及宽带光纤布拉格光栅依次连接；所述泵浦源为光泵浦；
所述光泵浦依次通过所述窄带光纤布拉格光栅、第一单横模拉锥光纤传输给所述多横模增益光纤，所述多横模增益光纤在接收到所述光泵浦后，将产生的自发辐射能量分布到多个横模上，并将分布到多个横模上的自发辐射能量分别传输给所述第一单横模拉锥光纤、第二单横模拉锥光纤；
所述第一单横模拉锥光纤和第二单横模拉锥光纤从所述分布到多个横模上的自发辐射能量中，选择出分布在相同横模上的自发辐射能量，所述第一单横模拉锥光纤将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述窄带光纤布拉格光栅，所述第二单横模拉锥光纤将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述宽带光纤布拉格光栅；
所述窄带光纤布拉格光栅、宽带光纤布拉格光栅以及两者之间的结构形成谐振腔，所述谐振腔对选择出的该横模上的自发辐射能量进行增益，最终形成单频激光从所述宽带光纤布拉格光栅的输出端输出。
3.根据权利要求2所述的基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器，其特征在于，所述多横模增益光纤为多模增益光纤，所述多模增益光纤在接收到所述光泵浦后，将产生的自发辐射能量分布到多个小于所述多模增益光纤的截止波长的横模上。
4.根据权利要求2或3所述的基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器，其特征在于，所述第一单横模拉锥光纤和第二单横模拉锥光纤均为拉锥光纤，所述拉锥光纤只能让基模无损耗或低损耗通过，而所有高阶模都在锥形过渡区耗散。
5.根据权利要求1所述的基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器，其特征在于，所述激光器为半导体激光器时，所述全反射器为窄带光纤布拉格光栅，所述部分反射器为宽带光纤布拉格光栅，所述多横模增益介质为PN结形成的量子阱增益结构，包括上下两层的P结和N结以及中间的有源层，有源层通过特殊掺杂形成比上下两侧P结和N结更高的折射率，从而在有源层形成光学局域波导，所述有源层的左右两侧被制成锥形结构，位于所述有源层的左右两侧的第一锥形结构和第二锥形结构对应作为所述第一横模选择器和第二横模选择器；
所述泵浦源为电流泵浦，所述有源层在接收到所述电流泵浦后，通过所述有源层将产生的自发辐射能量分布到多个横模上，并将分布到多个横模上的自发辐射能量分别传输给所述第一锥形结构、第二锥形结构；
所述第一锥形结构和第二锥形结构从所述分布到多个横模上的自发辐射能量中，选择出分布在相同横模上的自发辐射能量，所述第一锥形结构将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述窄带光纤布拉格光栅，所述第二锥形结构将选择出的该横模上的自发辐射能量传输给所述宽带光纤布拉格光栅；所述窄带光纤布拉格光栅、宽带光纤布拉格光栅以及两者之间的结构形成谐振腔，所述谐振腔对选择出的该横模上的自发辐射能量进行增益，最终形成单频激光从所述宽带光纤布拉格光栅的输出端输出。
6.根据权利要求5所述的基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器，其特征在于，通过沉积技术依次沉积P结、有源层以及N结，形成量子阱增益结构，其中有源层由一具有锥形形状的掩膜版制成其锥形结构。
7.根据权利要求6所述的基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器，其特征在于，通过增加所述有源层的厚度，使得所述增益介质层能将自发辐射能量分布到多个横模上。
8.根据权利要求5至7中任意一项所述的基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器，其特征在于，所述第一锥形结构通过第一单横模光纤与该窄带光纤布拉格光栅连接，所述第二锥形结构通过第二单横模光纤与该宽带光纤布拉格光栅连接。
9.根据权利要求5至7中任意一项所述的基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器，其特征在于，所述第一锥形结构和第二锥形结构相对于所述有源层的竖直中心轴对称。
10.根据权利要求5所述的基于自发辐射抑制的超窄线宽激光器，其特征在于，所述第一锥形结构和第二锥形结构分别为增厚后的长方体有源层的左侧部分和右侧部分，所述第一锥形结构和第二锥形结构均包括两个前后对称且向内弯曲的半圆弧面，两个弧面的上下两端与所述有源层的上下两面对准，每个弧面都左右对称且前弧面的左右两端与所述有源层的前侧面相交，后弧面的左右两端与所述有源层的后侧面相交，通过对所述第一锥形结构和第二锥形结构中弧面的半径大小进行调节，可使所述有源层满足选择出的基模通过，高阶模耗散的要求。
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