CN114126772B - 板式换能器规模封装及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种制造板式换能器规模封装的方法，包括：将声学部件固定在第一载体衬底上的预定位置处，声学部件的第一表面定位成邻近第一载体衬底；将ASIC部件也固定在第一载体衬底上的预定位置处，ASIC部件的第一表面定位成邻近第一载体衬底；将光刻胶树脂施加到声学部件和ASIC部件上，使得声学部件的第二表面从光刻胶树脂中暴露出；去除第一载体衬底以暴露出声学部件的第一表面和ASIC部件的第一表面；形成包括声学部件和ASIC部件中的每一个之间的电通路的堆积层，并且去除光刻胶树脂。

Description

板式换能器规模封装及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年7月24日提交的申请号为62/878,080的美国临时申请的权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开主题涉及一种超声板式换能器规模封装，具有用于减少电缆数量、简化系统的嵌入式集成电路(IC)以及医学成像、治疗和超声无损检测(NDT)中的数字系统。

背景技术

当前的超声矩阵阵列展示了数千个非常小的单个元件以实现体积成像。这些元件中的每一个都需要由电子器件(例如，模拟前端(“AFE”))单独模拟驱动。然而，用于这样的超声矩阵阵列的成像系统过于昂贵并且系统复杂度太高。进一步地，这种系统的布线需要数千根电线，因此对于实际使用来说过大过重。

因此成像系统制造商已经开发了多种策略来减少独立电子通道的数量。其中一些策略包括：微波束形成和/或信号多路复用，例如时域多路复用。这些策略表现出的减缩因数介于1:9和1:64之间，甚至更大。所有这些技术都依赖于将IC集成为靠近有源超声矩阵阵列(例如，在容纳超声矩阵阵列的探头中)。超声矩阵阵列可以是块状压电部件，也可以是电容式或压电式硅基微机械换能器(CMUT或PMUT)。需要一个或多个IC来显著减少连接装置和独立通道的数量。

一种现有的解决方案是基于通过垂直架构将IC直接连接到矩阵换能器，其中一个或多个专用集成电路(ASIC)彼此连接并使用引线键合技术连接，最后将声学模块倒装到最上面的IC上。由于IC不需要表现出与声学模块相同的面积和元件布置，互连模块提供了若干优点。因此，一个或几个IC可用于每个探针拓扑结构，而无需为每个拓扑结构开发ASIC。然而，存在一些限制，因为除非添加几层导体迹线，否则当前技术不允许以精细间距(低于200μm)和大型阵列(超过60x 60)互连，从而显著降低了此类印刷电路的灵活性。关于第一种策略，需要注意的是每个换能器(即声学模块)配置(即元件的布置和间距)需要不同的特定IC。IC的开发成本非常昂贵，而且绝对不可重新配置。

另一种现有的解决方案使用互连模块，其中模块可以是可折叠的柔性印刷电路或将声学模块的每个元件与扩展的IC接口连接的固体中介层。值得注意的是，该第二种策略仍然是一种垂直集成。针对第二种策略的中介层，试图通过插入适应间距甚至扩展互连的中介层材料来解决可配置性问题，但代价是使互连模块复杂化。

最后，已经提出了模块化方法，其中多个声学模块对齐并组装在一起以克服挠曲限制。整个系统是机械对齐的，但在平移和旋转中的元件位置可能存在不确定性，这对于波束的形成是不可接受的。这是水平集成，但可寻址的元件数量较少，适用于正常间距。

发明内容

本发明涉及一种允许将高密度超声矩阵阵列与集成电路(IC)接口连接的板式换能器以及制造板式换能器规模封装的方法。

在该方法的一些示例性实施方案中，一个或多个声学部件和一个或多个ASIC部件固定在第一载体衬底上的预定位置处，其中一个或多个声学部件的第一表面定位成邻近第一载体衬底，并且一个或多个ASIC部件的第一表面定位成邻近第一载体衬底。然后将光刻胶树脂施加到一个或多个声学部件和一个或多个ASIC部件上，使得一个或多个声学部件的第二表面从光刻胶树脂暴露出。然后去除第一载体衬底以暴露出一个或多个声学部件的第一表面和一个或多个ASIC部件的第一表面。堆积层形成为包括一个或多个声学部件中的每一个的第一表面与一个或多个ASIC部件中的至少一个的第一表面之间的电通路。最后，去除光刻胶树脂。

根据该方法的一些示例性实施方案，每个电通路将一个或多个声学部件中的一个的一个声学元件连接到一个或多个ASIC部件中的一个的一个焊盘。

根据该方法的一些示例性实施方案，首先提供框架，限定用于一个或多个声学部件中的每一个和一个或多个ASIC部件中的每一个的槽。一个或多个声学部件中的每一个定位在框架的相应的槽中，其中声学部件的第一表面与框架的外表面对齐。一个或多个ASIC部件中的每一个也定位在框架的相应的槽中，ASIC部件的第一表面与框架的外表面对齐。然后将第一载体衬底粘合到一个或多个声学部件中的每一个的第一表面和一个或多个ASIC部件中的每一个的第一表面，并通过第一载体衬底将一个或多个声学部件和一个或多个ASIC部件从框架去除。

根据该方法的一些示例性实施方案，在将光刻胶树脂施加到一个或多个声学部件和一个或多个ASIC部件上之后，接着去除多余的光刻胶树脂以暴露出一个或多个声学部件的第二表面。

根据该方法的一些示例性实施方案，在将光刻胶树脂施加到一个或多个声学部件上之后，将第二载体衬底施加到光刻胶树脂和一个或多个声学部件的暴露的第二表面上。

根据该方法的一些示例性实施方案，一个或多个声学部件的第一表面被细分为形成多个声学元件。在一些示例性实施方案中，在将一个或多个声学部件固定在第一载体衬底上之前，将一个或多个声学部件完全金属化(metallize)。然后细分步骤将第一表面上的金属化层分离成用于多个声学元件的电极。根据一些示例性实施方案，通过物理气相沉积施加金属化层至约200nm的厚度。

根据该方法的一些示例性实施方案，形成堆积层的步骤包括：将绝缘层沉积到一个或多个声学部件的第一表面、一个或多个ASIC部件的第一表面以及光刻胶上；形成穿过绝缘层的通孔开口；并且将导电层沉积到绝缘层上以在每个通孔开口中形成通孔，并形成贯穿绝缘层的电迹线。

在一些示例性实施方案中，堆积层包括多个绝缘层，其中通孔在多个绝缘层之间延伸，并且电迹线在相邻绝缘层之间延伸。

在一些示例性实施方案中，绝缘层形成为具有约3μm或更小的厚度。

在一些示例性实施方案中，绝缘层由聚酰亚胺形成。

在一些示例性实施方案中，通孔开口是通过飞秒激光形成的。

在一些示例性实施方案中，一个或多个声学部件中的每一个包括在声学部件的第一表面上的多个声学元件，并且一个或多个ASIC部件中的每一个包括在ASIC部件的第一表面上的多个焊盘。然后通孔开口穿过绝缘层形成在声学部件的多个声学元件中的每一个和ASIC部件的多个焊盘中的每一个的位置处。

在一些示例性实施方案中，第一载体衬底是紫外线胶带。

在一些示例性实施方案中，第二载体衬底是紫外线胶带。

附图说明

在下文中，将结合被提供用于说明而非限制权利要求范围的附图和说明来描述本文的实施例：

图1是在制造根据本发明形成的板式换能器时使用的示例性框架的立体图；

图2是示出第一载体衬底施加工艺的示意性截面图；

图3是示出光刻胶树脂施加工艺的示意性立体截面图；

图4是示出细分工艺的示意性截面图；

图5是示出绝缘体施加工艺的示意性截面图；

图6是示出通孔开口形成工艺的示意性截面图；

图7是示出导体施加工艺的示意性截面图；

图8是示出作为制造根据本发明形成的板式换能器的中间步骤的完成的堆积层的示意性截面图；

图9是示出作为制造根据本发明形成的板式换能器的中间步骤的在细分之前的中间组合件的示意性截面图；并且

图10是根据本发明形成的示例性板式换能器的示意性截面图。

具体实施方式

本发明涉及一种板式换能器，其允许将高密度超声矩阵阵列与集成电路(IC)接口连接。

首先参照图1，本发明的一个示例性实施方案开始于提供框架100，框架100限定多个声学部件槽120和多个专用集成电路(ASIC)部件槽130。在图1所示的示例性实施例中，有两排声学部件槽120，ASIC部件槽130设置在声学部件槽120中的每一个的两侧。如下文将描述的，图1所示的框架100将最终形成八个板式换能器，每个板式换能器具有一个声学部件，该声学部件连接到位于声学部件相对两侧的两个ASIC部件。当然，根据期望的板式换能器最终数量和配置，也可以使用具有不同配置的声学部件槽和ASIC部件槽的其他框架。

现在参照图1和图2，声学部件200和ASIC部件300首先定位到框架100的相应的槽120、130中的每一个中。然后，将例如UV胶带的第一载体衬底400放置在框架100上并且粘合到声学部件200和ASIC部件300。值得注意的是，声学部件200中的每一个的第一表面(即，图2中的上表面)与框架100的外表面对齐，并且ASIC部件300中的每一个的第一表面(即，图2中的上表面)与框架100的外表面对齐。这样，声学部件200中的每一个的第一表面定位成邻近第一载体衬底400，并且ASIC部件300中的每一个的第一表面定位成邻近第一载体衬底400。然后使用第一载体衬底400将声学部件200和ASIC部件300从框架100去除。在一些替代实施方案中，不使用UV胶带，而是可以使用通过UV胶粘合到声学部件200和ASIC部件300的玻璃晶片作为第一载体衬底400。然而，无论哪种情况，第一载体衬底400具有足够的刚性以允许声学部件200和ASIC部件300在保持它们的相对位置的同时从框架100去除。

框架100有利地允许声学部件200和ASIC部件300相对于彼此精确地放置在第一载体衬底400上。在一个示例性实施例中，框架100由塑料制成，槽120、130被精密模制，以确保当相应的部件200、300定位在槽120、130内时，部件200、300定位在期望的精度范围内。在不脱离本发明的精神和范围的情况下，诸如抓取和放置法的其他精确放置部件200、300的方法也是可能的。无论哪种情况，声学部件200和ASIC部件300在预定位置固定到第一载体衬底400。

特别地，关于声学部件200，在一些示例性实施例中，例如通过物理气相沉积，声学部件200被完全金属化。如下文将描述的，细分步骤将声学部件200的一个主表面上的金属化层分离成用于形成声学换能器阵列的元件的电极。与该被细分的表面相对的声学元件200的主表面是最靠近超声传播介质的表面。该第二主表面的全金属化用作所有换能器阵列元件的电屏蔽和公共接地电极。由于声学部件200被完全金属化，因此该屏蔽被延长并且在其侧面上具有电连续性。通过在如下所述的细分步骤期间将金属化的一部分保持在该表面的周边上，在第一主表面上获得该屏蔽的延续。

现在参照图3，一旦声学部件200和ASIC部件300在它们的预定位置固定到第一载体衬底400并从框架100去除，则翻转具有附接的部件200、300的第一载体衬底400并且施加光刻胶树脂500到声学部件200和ASIC部件300上。如图3所示，光刻胶树脂500完全包覆ASIC部件300，但留下声学部件200的第二表面(即，图3中的上表面)暴露出来。为此，在一些实施例中，将光刻胶树脂500模压在第一载体衬底400上以完全包覆ASIC部件300和声学部件200，但随后去除多余的树脂(例如，通过研磨)以暴露出声学部件200的第二表面。

现在参照图4，在声学元件200的第二表面暴露出来之后，与第一载体基底400相对地施加第二载体基底600。也就是说，将第二载体衬底600施加到光刻胶树脂500和声学元件200的暴露出的第二表面上。如图4所示，倒置所得到的子组合件并且去除第一载体衬底400，以让声学部件200中的每一个的第一表面和ASIC部件300中的每一个的第一表面暴露出来。有利地，声学部件200和ASIC部件300现在嵌入到光刻胶树脂500内，其中每个声学部件200的第一表面和每个ASIC部件300的第一表面定位在同一水平。

与第一载体衬底400类似，在一些实施例中，第二载体衬底600是UV胶带，而在其他实施例中，第二载体衬底600是通过UV胶粘合到声学部件200和ASIC部件300的玻璃晶片。无论哪种情况，第二载体衬底600都具有足够的刚性以在进一步的制造步骤期间操纵声学部件200和ASIC部件300同时保持它们的相对位置。

仍然参照图4，一旦声学部件200的第一表面暴露出来，则执行将声学部件200细分成多个声学元件210以在声学部件200的整个第一表面上形成阵列的可选步骤。可选的细分步骤并非在所有应用中都是必需的，但可以考虑到，在如上文所述的声学部件200被完全金属化的实施例中，细分是必要的。全金属化和细分在块状PZT换能器的制造中是首选，而压电式硅基微机械换能器(PMUT)和电容式硅基微机械换能器(CMUT)的制造过程通常会有其他机会在同一个第一表面上提供分离的电极。

在一些示例性实施例中，声学元件210布置成阵列并且用作高密度超声矩阵阵列换能器。根据一些实施例，声学元件210布置成30x30的正方形阵列(即，总共有1024个元件)，但元件阵列的具体尺寸和形状由相关的换能器阵列的尺寸和形状来决定。例如，在一些实施例中，最小维度有至少三十个元件，而在其他实施例中，每个维度有大约100个元件(即大约10,000个元件)。同样，还考虑了元件的直线、圆形和随机布置。

在一些示例性实施例中，声学元件210本身也是具有大约150μm的宽度和长度的正方形，但是声学元件210的具体尺寸和形状也不受限制。声学元件210的间隔或间距也可以变化，但在一些实施例中，声学元件210在每个方向上的间距在大约20μm到大约500μm之间。当然，每个方向上的距离不一定相同，并且为了达到切趾(apodization)的目的，间距也可以变化。

鉴于上述情况，应当理解的是，必须以高精度执行细分步骤。例如，在通过物理气相沉积对表面进行金属化从而产生厚度约为200nm的金属层的实施例中，可以使用飞秒激光进行细分，直至十分之几微米的深度。

在一些示例性实施例中，在将ASIC部件300定位在图1和图2所示的框架100中之前，ASIC部件300已经具有形成在ASIC部件300的第一表面上的焊盘(未示出)。因此，这些焊盘将暴露在图4中的ASIC部件300的上表面。

现在参照图5-8，然后在图4的子组合件上形成堆积层900，其中堆积层900包括声学部件200和ASIC部件300之间的电通路910。

特别地参照图5，在形成堆积层900的第一步骤中，将初始绝缘层700沉积到声学部件200、ASIC部件300和光刻胶树脂500上。在一些示例性实施例中，初始绝缘层700是聚酰亚胺并且形成为具有约3μm或更小并且优选地约2μm或更小的厚度。预期初始绝缘层700可通过本领域已知的任意手段形成，但在一些示例性实施例中，通过旋涂或喷涂形成初始绝缘层700。有利地，旋涂初始绝缘层700可以提供自然的平坦化。

现在参照图6，然后穿过初始绝缘层700形成多个通孔开口710。这些通孔开口710被钻出为具有几微米的直径，从而提供通向声学部件200的单独元件210中的每一个以及ASIC部件300的焊盘中的每一个的离散通道。在本发明的一些示例性实施方案中，通孔开口710是用飞秒激光器钻出的。通过适当地设置激光的强度，绝缘层700被去除而不影响下面的元件或焊盘。在其他示例性实施方案中，通孔开口710是通过干蚀刻和/或湿蚀刻(例如，用氢氧化钾)或使用干膜光刻胶(例如，热障涂层)形成的。

有利地，当使用聚酰亚胺作为初始绝缘层700时，由于绝缘层700的厚度相对较薄，结合聚酰亚胺的相对清晰的性质，可以通过目测的手段来验证元件或焊盘的位置从而确保通孔开口710被准确定位。可以预期，与使用掩模相比，这种目测验证可以克服由于使用激光切割而导致的精度不足。

现在参照图7，初始导电层800沉积在初始绝缘层700上方，以在通孔开口710中的每一个中形成通孔以及贯穿初始绝缘层700的电迹线。在一些示例性实施方案中，初始导电层800由以下步骤形成：首先在整个初始绝缘层700(如图7所示)上沉积诸如金或铜的导体材料，然后例如通过激光烧蚀或其他蚀刻工艺(例如，激光、等离子体蚀刻、干蚀刻、湿蚀刻、机械研磨、化学机械平坦化)去除多余的材料，留下贯穿初始绝缘层700的通孔和电迹线。在其他示例性实施方案中，通过用作掩模的导电材料的选择性沉积，例如通过光刻工艺，形成初始导电层800。无论哪种情况，产生的迹线通常小于10μm宽并且大约1μm深。

现在参照图8，重复上述沉积绝缘层、在预定位置形成贯穿绝缘层的通孔开口以及在绝缘层上方沉积导电层以形成通孔和迹线的步骤，最终得到图8所示的堆积层900。换句话说，堆积层900包括多个绝缘层，其中通孔在多个绝缘层之间延伸并且电迹线在两个相邻绝缘层之间延伸。在沉积各种绝缘层时使用旋涂的实施例中，每个绝缘层的自然平坦化减少或消除了迹线和通孔位置的高度不匹配。

如上所述，堆积层900包括声学部件200和ASIC部件300之间的电通路910。更具体地，每个声学部件200的声学元件210中的每一个连接到ASIC部件300中的一个的一个焊盘。堆积层900为电通路910提供更大的路由灵活性，允许声学部件200的更多数量的元件210与ASIC部件300电通信。同样，相对简单的是，根据所得到的板式换能器的预期用途而修改堆积层900的制造以使特定声学部件200与ASIC部件300匹配。

更进一步地，如图8中所示，还有不与声学部件200连接的从ASIC部件300延伸出来的一个或多个附加电通路920。如下面进一步讨论的，这些附加电通路920稍后用于将ASIC部件300连接到外部系统或部件。

现在参照图9，在完成堆积层900后，去除第二载体衬底600和光刻胶层500，留下如图9所示的中间组合件。然后沿着图9中所示的虚线对该中间组合件进行细分以生产本发明的示例性板式换能器。然后通过包括例如使用适当的溶剂、在界面处使用牺牲材料、或UV固化(热障涂层)的各种手段中的一种来去除光刻胶层50。

如前所述，在一些示例性实施例中，声学部件200被完全金属化，使得声学部件200的周边上的金属层用作声学部件200的接地。虽然没有明确示出，但是声学部件200周边上的这样的接地金属层电连接到ASIC部件300的接地。

现在参照图10，根据本发明制造的示例性板式换能器能够折叠，从而减小相对于声学部件200的尺寸的换能器封装的整体尺寸。

如前所述，声学部件200的每个元件210通过电通路910连接到特定的ASIC部件300，并且ASIC部件300中的每一个由此与声学部件200的元件210的特定组进行电通信。每个ASIC部件300不是依赖于外部系统和声学部件200的每个元件210之间的直接通信，而是允许对声学部件200的一组元件210进行本地控制。因此包括ASIC部件300显着减少与外部系统的连接的数量。

然后，向外部延伸的电通路920允许电信号在ASIC部件300和外部系统之间传递。例如，在创建图10中所示的换能器封装时，该封装利用各向异性导电粘合剂、焊接等通过朝向连接器的向外部延伸的电通路920或诸如通向PCB的线或通向导线电连接件的线的任意其他常用互连方案而固定到PCB(具有附加的电子部件)。换能器封装因此被集成到超声探头中，并且这些向外部延伸的电通路920提供与外部系统的通信，外部系统包括例如成像设备、显示器、用户控件等。根据本发明的一些示例性实施例，图10中所示的板式换能器配置为被封闭在超声探头的外壳内。

虽然以上示例性实施例仅示出了仅有两个ASIC部件300设置在每一个声学部件200的任一侧上，但不同的几何布置也是可能的。例如，通过引用并入本文的申请号为PCT/IB2020/051481的PCT申请描述了用于柔性折叠包括电连接到多个集成电路的声学部件的衬底的各种不同几何布置和折叠技术。

在一些替代实施方案中，首先制造堆积层900，然后作为最后步骤将声学部件200和ASIC部件300粘合到堆积层900。

无论哪种情况，堆积层900的设计应考虑以下机械对齐公差：i)声学部件200和ASIC部件300的机械对齐公差；以及ii)堆积层900的中间层的机械对齐公差。

有利地，通过沉积绝缘层、在贯穿绝缘层的预定位置处形成通孔开口以及将导电层沉积在绝缘层上以形成通孔和迹线的重复步骤来制备堆积层900，不需要为连接多个层或部件设置额外的公差。该处理还允许减小通孔和迹线的间距。因此，在堆积层900中具有更高的电路密度。同样地，当堆叠多个层时不存在平坦性的问题。

更进一步地，由于其自动化性质，每个制造步骤都是高度准确、可靠、可重复和成本有效的。如前所述，重新配置堆积层900以连接新的声学部件和/或新的集成电路也容易得多。

由于不需要附加的装配步骤和装配层，所以混合互连的良率也很高。在使用飞秒激光源的实施例中，该工艺对于活性材料是安全的，并且具有具有高空间分辨率的良好的材料烧蚀选择性，并减少了烧蚀材料的再沉积污染。

上述本发明的方法对于晶圆封装和板式封装都是同样可行的，并且所得尺寸为约2英寸至约12英寸。

本领域的普通技术人员将认识到，在不脱离本发明的教导的情况下，另外的实施例也是可能的。给出该详细描述，特别是其中公开的示例性实施例的具体细节，主要是为了进行清楚地理解而给出，并且不应由此而理解成是不必要的限制，在阅读本公开后，修改对于本领域技术人员而言显而易见的，并且可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下做出修改。

Claims (16)

1.一种制造板式换能器规模封装的方法，所述方法包括以下步骤：

将一个或多个声学部件固定在第一载体衬底上的预定位置，所述一个或多个声学部件的第一表面定位成邻近所述第一载体衬底；

将一个或多个ASIC部件固定在第一载体衬底上的预定位置，所述一个或多个ASIC部件的第一表面定位成邻近所述第一载体衬底；

将光刻胶树脂施加到所述一个或多个声学部件和所述一个或多个ASIC部件上，使得所述一个或多个声学部件和所述一个或多个ASIC部件嵌入在所述光刻胶树脂中并且所述一个或多个声学部件的第二表面从所述光刻胶树脂中暴露出；

去除所述第一载体衬底以暴露出所述一个或多个声学部件的第一表面以及所述一个或多个ASIC部件的第一表面；

在所述一个或多个声学部件、所述一个或多个ASIC部件和所述光刻胶树脂上形成堆积层，所述堆积层包括在所述一个或多个声学部件中的每一个的第一表面和所述一个或多个ASIC部件中的至少一个的第一表面之间的电通路；并且

去除所述光刻胶树脂。

2.根据权利要求1所述的方法，其中每个电通路将所述一个或多个声学部件中的每一个的一个声学元件连接到所述一个或多个ASIC部件中的一个的一个焊盘。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

提供框架，所述框架限定用于所述一个或多个声学部件中的每一个和所述一个或多个ASIC部件中的每一个的槽；

将所述一个或多个声学部件中的每一个定位到所述框架的相应的槽中，其中所述声学部件的第一表面与所述框架的外表面对齐；

将所述一个或多个ASIC部件中的每一个定位到所述框架的相应的槽中，其中所述ASIC部件的第一表面与所述框架的外表面对齐；

将所述第一载体衬底粘合到所述一个或多个声学部件中的每一个的第一表面以及所述一个或多个ASIC部件中的每一个的第一表面；并且

经由所述第一载体衬底将所述一个或多个声学部件和所述一个或多个ASIC部件从所述框架去除。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述光刻胶树脂施加到所述一个或多个声学部件和所述一个或多个ASIC部件上之后，去除多余的光刻胶树脂以暴露出所述一个或多个声学部件的第二表面。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将第二载体衬底施加到所述光刻胶树脂和所述一个或多个声学部件的第二表面上。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括细分所述一个或多个声学部件的第一表面以形成多个声学元件。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在将所述一个或多个声学部件固定到所述第一载体衬底之前，将所述一个或多个声学部件完全金属化，使得所述细分将第一表面上的金属化层分离成用于所述多个声学元件的电极。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，通过物理气相沉积施加所述金属化层至约200nm的厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述堆积层的步骤包括：

将绝缘层沉积在所述一个或多个声学部件的第一表面、所述一个或多个ASIC部件的第一表面以及所述光刻胶树脂上；

形成穿过所述绝缘层的通孔开口；并且

将导电层沉积在所述绝缘层上，以形成在所述通孔开口中的每一个中的通孔以及贯穿所述绝缘层的电迹线。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述堆积层包括多个绝缘层，并且所述通孔在所述多个绝缘层之间延伸且所述电迹线在相邻绝缘层之间延伸。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述绝缘层形成为具有约3μm或更小的厚度。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述绝缘层由聚酰亚胺形成。

13.根据权利要求9所述的方法，其中使用飞秒激光形成所述通孔开口。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述一个或多个声学部件中的每一个包括在所述声学部件的第一表面上的多个声学元件，并且所述一个或多个ASIC部件中的每一个包括在所述ASIC部件的第一表面上的多个焊盘；并且

其中在所述声学部件的所述多个声学元件中的每一个和所述ASIC部件的所述多个焊盘中的每一个的位置处形成穿过所述绝缘层的通孔开口。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一载体衬底是紫外线胶带。

16.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二载体衬底是紫外线胶带。