CN114123801A - 基于llc电路的升压电路、控制方法、控制装置、电子设备 - Google Patents

基于llc电路的升压电路、控制方法、控制装置、电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN114123801A
CN114123801A CN202210083120.7A CN202210083120A CN114123801A CN 114123801 A CN114123801 A CN 114123801A CN 202210083120 A CN202210083120 A CN 202210083120A CN 114123801 A CN114123801 A CN 114123801A
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit
llc
boost
mosfets
control method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210083120.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114123801B (zh
Inventor
朱哲
陈岩
杨锡旺
付瑜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changzhou Shiwei Electronics Co ltd
Original Assignee
Changzhou Soarwhale Electronic Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changzhou Soarwhale Electronic Technology Co ltd filed Critical Changzhou Soarwhale Electronic Technology Co ltd
Priority to CN202210083120.7A priority Critical patent/CN114123801B/zh
Publication of CN114123801A publication Critical patent/CN114123801A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114123801B publication Critical patent/CN114123801B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/3353—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having at least two simultaneously operating switches on the input side, e.g. "double forward" or "double (switched) flyback" converter
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/33569—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements
    • H02M3/33576—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements having at least one active switching element at the secondary side of an isolation transformer
    • H02M3/33584—Bidirectional converters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

本发明提供了基于LLC电路的升压电路、控制方法、控制装置、电子设备。该电路包括原边、变压器、副边以及控制器；其中，原边为全桥电路，包括直流输入源，Q2A、Q2B组成的第一桥臂开关管，Q3A、Q3B组成的第二桥臂开关管，由谐振电容、谐振电感、励磁电感组成的LLC谐振槽；变压器中设有中心抽头；副边为包括Q4A、Q5A、输出滤波电容组成的整流电路；Q2A、Q2B、Q3A、Q3B、Q4A、Q5A为MOSFET；当LLC电路反向运行且处于Boost区间时，控制器向Q2A、Q2B、Q3A以及Q3B中的任意一个MOSFET发送触发电压。以此方式，可以在不另外增设元件的基础上，利用传统LLC电路，实现电能的双向流动，能降低成本、简化设计，提高功率密度。

Description

基于LLC电路的升压电路、控制方法、控制装置、电子设备
技术领域
本公开涉及电力电子变换器技术领域，尤其涉及基于LLC电路的升压领域。
背景技术
传统LLC电路能够在进行宽范围调压的同时，实现开关管软开关，因此在对效率要求较高的场合得到了广泛的应用。
而在车载电源、分布式发电、储能等应用场景，需要实现电能的双向流动，此时一般在传统LLC电路的基础上，在副边增加电感或者电容，以实现反向运行时获得与正向运行相近的增益特性，从而适应反向运行时，也能宽范围调压。但这种方式，由于增加了无源器件，增大了变换器体积、器件成本，降低了功率密度。也有在反向时，对原边开关管驱动进行移相控制，以获得单位增益大于1的升压模式实现，但这种通过移相角控制输出电压的方式，能够调节的升压范围有限，在达到最大增益点后，增益曲线下降，易发生过调制。
发明内容
本公开提供了一种基于LLC电路的升压电路、控制方法、控制装置、电子设备。
根据本公开的第一方面，提供了一种基于LLC电路的升压电路，包括原边、变压器、副边以及控制器；其中，原边为全桥电路，包括直流输入源，Q2A、Q2B组成的第一桥臂开关管，Q3A、Q3B组成的第二桥臂开关管，由谐振电容、谐振电感、励磁电感组成的LLC谐振槽；变压器中设有中心抽头；副边为包括Q4A、Q5A、输出滤波电容组成的整流电路；Q2A、Q2B、Q3A、Q3B、Q4A、Q5A为MOSFET；当LLC电路反向运行且处于Boost区间时，控制器向Q2A、Q2B、Q3A以及Q3B中的任意一个MOSFET发送触发电压。
在第一方面的一些实现方式中，控制器向Q4A以及Q5A按照百分之五十的占空比发送触发电压。
在第一方面的一些实现方式中，控制器还用于根据原边中MOSFET的导通情况以及副边中MOSFET的导通情况确定增益曲线。
根据本公开的第二方面，提供了一种基于上述第一方面以及第一方面的一些实现方式中升压电路的控制方法，该方法包括：
当LLC电路反向运行且处于Boost区间时，向Q2A、Q2B、Q3A以及Q3B中的任意一个MOSFET发送触发电压。
在第二方面的一些实现方式中，该控制方法还包括：
向Q4A以及Q5A按照百分之五十的占空比发送触发电压。
在第二方面的一些实现方式中，该控制方法还包括：
根据原边中MOSFET的导通情况以及副边中MOSFET的导通情况确定增益曲线。
根据本公开的第三方面，提供了一种基于上述第一方面以及第一方面的一些实现方式中升压电路的控制装置，其特征在于，该控制装置包括：
发送模块，用于当LLC电路反向运行且处于Boost区间时，向Q2A、Q2B、Q3A以及Q3B中的任意一个MOSFET发送触发电压。
在第三方面的一些实现方式中，发送模块，还用于向Q4A以及Q5A按照百分之五十的占空比发送触发电压。
根据本公开的第四方面，提供了一种电子设备。该电子设备包括：存储器和处理器，所述存储器上存储有计算机程序，所述处理器执行所述程序时实现如以上所述第二方面，以及第二方面的一些实现方式中的控制方法。
根据本公开的第五方面，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现如以上所述第二方面，以及第二方面的一些实现方式中的控制方法。
根据本公开的第六方面，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序在被处理器执行时实现如以上所述第二方面，以及第二方面的一些实现方式中的控制方法。
本公开提供的基于LLC电路的升压电路、控制方法、控制装置、电子设备，在当LLC电路反向运行且处于Boost区间时，向Q2A、Q2B、Q3A以及Q3B中的任意一个MOSFET发送触发电压，以基于LLC电路的升压电路在不另外增设元件的基础上，利用传统LLC电路，实现电能的双向流动，具有降低成本、简化设计，提高功率密度的好处
应当理解，发明内容部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键或重要特征，亦非用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。
附图说明
结合附图并参考以下详细说明，本公开各实施例的上述和其他特征、优点及方面将变得更加明显。附图用于更好地理解本方案，不构成对本公开的限定在附图中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的元素，其中：
图1示出了本公开实施例的一种基于LLC电路的升压电路的结构示意图；
图2示出了本公开实施例的一种升压电路中驱动/电流等波形的示意图；
图3示出了本公开的实施例的一种控制方法的流程示意图；
图4示出了本公开的实施例的一种控制装置的结构示意图；
图5示出了能够实施本公开的实施例的示例性电子设备的结构框图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的全部其他实施例，都属于本公开保护的范围。
另外，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
传统LLC电路能够在进行宽范围调压的同时，实现开关管软开关，因此在对效率要求较高的场合得到了广泛的应用。
而在车载电源、分布式发电、储能等应用场景，需要实现电能的双向流动，此时一般在传统LLC电路的基础上，在副边增加电感或者电容，以实现反向运行时获得与正向运行相近的增益特性，从而适应反向运行时，也能宽范围调压。但这种方式，由于增加了无源器件，增大了变换器体积、器件成本，降低了功率密度。也有在反向时，对原边开关管驱动进行移相控制，以获得单位增益大于1的升压模式实现，但这种通过移相角控制输出电压的方式，能够调节的升压范围有限，在达到最大增益点后，增益曲线下降，易发生过调制。
为了解决上述支持反向运行的电路中，存在的体积大、功率密度低以及易发生过调制的问题，本公开提供了一种基于LLC电路的升压电路、控制方法、控制装置、电子设备以及计算机可读存储介质，在LLC电路反向运行且处于Boost区间时，向所述Q2A、Q2B、Q3A以及Q3B中的任意一个MOSFET发送触发电压，即原边只需要开通单个开关管，来实现电感储能，最终实现反向升压的要求。可以在不额外增加其他器件的基础上，实现LLC反向运行时的宽范围调压。
下面结合附图对本公开实施例提供的技术方案进行描述。
如图1所示，基于LLC电路的升压电路可以包括原边、变压器、副边以及控制器；其中，原边为全桥电路，包括直流输入源，Q2A、Q2B组成的第一桥臂开关管，Q3A、Q3B组成的第二桥臂开关管，由谐振电容、谐振电感、励磁电感组成的LLC谐振槽；
变压器中设有中心抽头；
副边为包括Q4A、Q5A、输出滤波电容组成的整流电路；
Q2A、Q2B、Q3A、Q3B、Q4A、Q5A为MOSFET；
当LLC电路反向运行且处于Boost区间时，控制器向Q2A、Q2B、Q3A以及Q3B中的任意一个MOSFET发送触发电压。
在一个实施例中，Q2A、Q3B的漏极相连并与输入直流源的正极相连，Q2A、Q3B的源极分别与Q2B、Q3A的漏极相连，Q2B、Q3A的源极相连并与输入直流源的负极相连，谐振电感Lr的一端与Q2A的源极和Q2B的漏极相连，另一端与励磁电感Lm的一端以及变压器T0的原边的一端相连，谐振电容Cr的一端与Q3B的源极和Q3A的漏极相连，另一端与励磁电感Lm的另一端以及变压器T0的原边的另一端相连，而且Q2A、Q2B、Q3A以及Q3B的栅极也与控制器连接。
在一个实施例中，变压器T0的副边的一端连接Q4A的漏极，变压器T0的副边上的中心抽头连接输出滤波电容Co的一端；变压器T0的副边的另一端连接Q5A的漏极；Q4A的源极与Q5A的源极相连，连接输出滤波电容Co的另一端。
在一个实施例中，Q2A、Q2B、Q3A、Q3B、Q4A、Q5A为MOSFET。
在一个实施例中，控制器还与Q4A以及Q5A的栅极连接，以用于向Q4A以及Q5A按照百分之五十的占空比发送触发电压。
本公开通过合理改变LLC原边和副边的开关管驱动方法，推导/仿真得到内在的增益曲线，以实现反向运行时，原边可以获得较大的输出电压调节范围。
在一个实施例中，控制器还用于根据原边中MOSFET的导通情况以及副边中MOSFET的导通情况确定增益曲线。
图2示出了上述升压电路中驱动/电流等波形的示意图；在图2中，纵坐标epwm1为各个管子经过脉宽调制（PWM）的计数值；横坐标为时间，单位为1/60微秒；PRD表示一个周期，1/2PRD表示半个周期；图2中“12”、“18”和“22”为时间长度差，例如“12”表示开关管Q4A与开关管Q2B输入端上升沿的时间长度差，因为横坐标的时间单位为1/60微秒，因此时间长度差“12”对应的时间为12/60=0.2微秒；图2中的“18”和“22”也如此类推。
本公开所提供的基于LLC电路的升压电路可以在不另外增设元件的基础上，利用传统LLC电路，实现电能的双向流动，具有降低成本、简化设计，提高功率密度的好处，此外，本公开的技术方案不影响LLC电路正向运行的原有优势，也不影响正向运行的参数设计，因此保留了LLC正向运行的优势，进一步拓宽了LLC电路的应用场合。
与图1所示的基于LLC电路的升压电路相对应，本公开还提供了一种控制方法，图3是本公开实施例提供的一种控制方法的流程示意图，该控制方法包括：
S301：当LLC电路反向运行且处于Boost区间时，向Q2A、Q2B、Q3A以及Q3B中的任意一个MOSFET发送触发电压。
在一个实施例中，该方法还包括向Q4A以及Q5A按照百分之五十的占空比发送触发电压。
在一个实施例中，该方法还包括根据原边中MOSFET的导通情况以及副边中MOSFET的导通情况确定增益曲线。
本公开提供的基于LLC电路的升压电路的控制方法，可以在不另外增设元件的基础上，利用传统LLC电路，实现电能的双向流动，具有降低成本、简化设计，提高功率密度的好处，此外，本公开的技术方案不影响LLC电路正向运行的原有优势，也不影响正向运行的参数设计，因此保留了LLC正向运行的优势，进一步拓宽了LLC电路的应用场合。
需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本公开并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本公开，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于可选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本公开所必须的。
与图3所示的基于LLC电路的升压电路的控制方法相对应，本公开还提供了一种控制装置。
图4示出了一种控制装置的结构示意图，如图4所示，该装置可以包括发送模块401，用于当LLC电路反向运行且处于Boost区间时，向Q2A、Q2B、Q3A以及Q3B中的任意一个MOSFET发送触发电压。
在一个实施例中，发送模块401，还用于向所述Q4A以及Q5A按照百分之五十的占空比发送触发电压。
在一个实施例中，控制装置还可以包括增益曲线确定模块（图中未示出），用于根据原边中MOSFET的导通情况以及副边中MOSFET的导通情况确定增益曲线。
本公开提供的基于LLC电路的升压电路的控制装置，可以在不另外增设元件的基础上，利用传统LLC电路，实现电能的双向流动，具有降低成本、简化设计，提高功率密度的好处，此外，本公开的技术方案不影响LLC电路正向运行的原有优势，也不影响正向运行的参数设计，因此保留了LLC正向运行的优势，进一步拓宽了LLC电路的应用场合。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，所述描述的模块的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
可以理解的是，图4所示的基于桥式MOSFET的软开关变频控制电路的控制装置中的各个模块具有实现图3中各个步骤的功能，并能达到其相应的技术效果，为简洁描述，在此不再赘述。
本公开的技术方案中，所涉及的用户个人信息的获取，存储和应用等，均符合相关法律法规的规定，且不违背公序良俗。
根据本公开的实施例，本公开还提供了一种电子设备、一种可读存储介质和一种计算机程序产品。
图5示出了可以用来实施本公开的实施例的电子设备500的示意性框图。电子设备旨在表示各种形式的数字计算机，诸如，膝上型计算机、台式计算机、工作台、个人数字助理、服务器、刀片式服务器、大型计算机、和其它适合的计算机。电子设备还可以表示各种形式的移动装置，诸如，个人数字处理、蜂窝电话、智能电话、可穿戴设备和其它类似的计算装置。本文所示的部件、它们的连接和关系、以及它们的功能仅仅作为示例，并且不意在限制本文中描述的和/或者要求的本公开的实现。
电子设备500包括计算单元501，其可以根据存储在只读存储器（ROM）502中的计算机程序或者从存储单元508加载到随机访问存储器（RAM）503中的计算机程序，来执行各种适当的动作和处理。在RAM503中，还可存储电子设备500操作所需的各种程序和数据。计算单元501、ROM502以及RAM503通过总线504彼此相连。输入/输出（I/O）接口505也连接至总线504。
电子设备500中的多个部件连接至I/O接口505，包括：输入单元506，例如键盘、鼠标等；输出单元507，例如各种类型的显示器、扬声器等；存储单元508，例如磁盘、光盘等；以及通信单元509，例如网卡、调制解调器、无线通信收发机等。通信单元509允许电子设备500通过诸如因特网的计算机网络和/或各种电信网络与其他设备交换信息/数据。
计算单元501可以是各种具有处理和计算能力的通用和/或专用处理组件。计算单元501的一些示例包括但不限于中央处理单元（CPU）、图形处理单元（GPU）、各种专用的人工智能（AI）计算芯片、各种运行机器学习模型算法的计算单元、数字信号处理器（DSP）、以及任何适当的处理器、控制器、微控制器等。计算单元501执行上文所描述的各个方法和处理，例如图3中的基于LLC电路的升压电路的控制方法。例如，在一些实施例中，图3中的基于LLC电路的升压电路的控制方法可被实现为计算机软件程序，其被有形地包含于机器可读介质，例如存储单元508。在一些实施例中，计算机程序的部分或者全部可以经由ROM502和/或通信单元509而被载入和/或安装到电子设备500上。当计算机程序加载到RAM503并由计算单元501执行时，可以执行上文描述的基于LLC电路的升压电路的控制方法的一个或多个步骤。备选地，在其他实施例中，计算单元501可以通过其他任何适当的方式（例如，借助于固件）而被配置为执行图3中的基于LLC电路的升压电路的控制方法。
本文中以上描述的系统和技术的各种实施方式可以在数字电子电路系统、集成电路系统、场可编程门阵列（FPGA）、专用集成电路（ASIC）、专用标准产品（ASSP）、芯片上系统的系统（SOC）、负载可编程逻辑设备（CPLD）、计算机硬件、固件、软件、和/或它们的组合中实现。这些各种实施方式可以包括：实施在一个或者多个计算机程序中，该一个或者多个计算机程序可在包括至少一个可编程处理器的可编程系统上执行和/或解释，该可编程处理器可以是专用或者通用可编程处理器，可以从存储系统、至少一个输入装置、和至少一个输出装置接收数据和指令，并且将数据和指令传输至该存储系统、该至少一个输入装置、和该至少一个输出装置。
用于实施本公开的方法的程序代码可以采用一个或多个编程语言的任何组合来编写。这些程序代码可以提供给通用计算机、专用计算机或其他可编程数据处理装置的处理器或控制器，使得程序代码当由处理器或控制器执行时使流程图和/或框图中所规定的功能/操作被实施。程序代码可以完全在机器上执行、部分地在机器上执行，作为独立软件包部分地在机器上执行且部分地在远程机器上执行或完全在远程机器或服务器上执行。
在本公开的上下文中，机器可读介质可以是有形的介质，其可以包含或存储以供指令执行系统、装置或设备使用或与指令执行系统、装置或设备结合地使用的程序。机器可读介质可以是机器可读信号介质或机器可读储存介质。机器可读介质可以包括但不限于电子的、磁性的、光学的、电磁的、红外的、或半导体系统、装置或设备，或者上述内容的任何合适组合。机器可读存储介质的更具体示例会包括基于一个或多个线的电气连接、便携式计算机盘、硬盘、随机存取存储器（RAM）、只读存储器（ROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM或快闪存储器）、光纤、便捷式紧凑盘只读存储器（CD-ROM）、光学储存设备、磁储存设备、或上述内容的任何合适组合。
为了提供与用户的交互，可以在计算机上实施此处描述的系统和技术，该计算机具有：用于向用户显示信息的显示装置（例如，CRT（阴极射线管）或者LCD（液晶显示器）监视器）；以及键盘和指向装置（例如，鼠标或者轨迹球），用户可以通过该键盘和该指向装置来将输入提供给计算机。其它种类的装置还可以用于提供与用户的交互；例如，提供给用户的反馈可以是任何形式的传感反馈（例如，视觉反馈、听觉反馈、或者触觉反馈）；并且可以用任何形式（包括声输入、语音输入或者、触觉输入）来接收来自用户的输入。
可以将此处描述的系统和技术实施在包括后台部件的计算系统（例如，作为数据服务器）、或者包括中间件部件的计算系统（例如，应用服务器）、或者包括前端部件的计算系统（例如，具有图形用户界面或者网络浏览器的用户计算机，用户可以通过该图形用户界面或者该网络浏览器来与此处描述的系统和技术的实施方式交互）、或者包括这种后台部件、中间件部件、或者前端部件的任何组合的计算系统中。可以通过任何形式或者介质的数字数据通信（例如，通信网络）来将系统的部件相互连接。通信网络的示例包括：局域网（LAN）、广域网（WAN）和互联网。
计算机系统可以包括客户端和服务器。客户端和服务器一般远离彼此并且通常通过通信网络进行交互。通过在相应的计算机上运行并且彼此具有客户端-服务器关系的计算机程序来产生客户端和服务器的关系。服务器可以是云服务器，也可以为分布式系统的服务器，或者是结合了区块链的服务器。
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发公开中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本公开公开的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
上述具体实施方式，并不构成对本公开保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本公开的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本公开保护范围之内。

Claims (10)

1.一种基于LLC电路的升压电路，包括原边、变压器、副边以及控制器；其中，所述原边为全桥电路，包括直流输入源，Q2A、Q2B组成的第一桥臂开关管，Q3A、Q3B组成的第二桥臂开关管，由谐振电容、谐振电感、励磁电感组成的LLC谐振槽；
所述变压器中设有中心抽头；
所述副边为包括Q4A、Q5A、输出滤波电容组成的整流电路；
Q2A、Q2B、Q3A、Q3B、Q4A、Q5A为MOSFET；
当所述LLC电路反向运行且处于Boost区间时，所述控制器向所述Q2A、Q2B、Q3A以及Q3B中的任意一个MOSFET发送触发电压。
2.根据权利要求1所述的升压电路，其特征在于，所述控制器向所述Q4A以及Q5A按照百分之五十的占空比发送触发电压。
3.根据权利要求2所述的升压电路，其特征在于，所述控制器还用于根据所述原边中MOSFET的导通情况以及所述副边中MOSFET的导通情况确定增益曲线。
4.一种基于上述权利要求1-3中任意一项权利要求所述升压电路的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：
当所述LLC电路反向运行且处于Boost区间时，向所述Q2A、Q2B、Q3A以及Q3B中的任意一个MOSFET发送触发电压。
5.根据权利要求4所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法还包括：
向所述Q4A以及Q5A按照百分之五十的占空比发送触发电压。
6.根据权利要求4所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法还包括：
根据所述原边中MOSFET的导通情况以及所述副边中MOSFET的导通情况确定增益曲线。
7.一种基于上述权利要求1-3中任意一项权利要求所述升压电路的控制装置，其特征在于，所述控制装置包括：
发送模块，用于当所述LLC电路反向运行且处于Boost区间时，向所述Q2A、Q2B、Q3A以及Q3B中的任意一个MOSFET发送触发电压。
8.根据权利要求7所述的控制装置，其特征在于，所述发送模块，还用于向所述Q4A以及Q5A按照百分之五十的占空比发送触发电压。
9.一种电子设备，包括：
至少一个处理器；以及
与所述至少一个处理器通信连接的存储器；其中，
所述存储器存储有可被所述至少一个处理器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行权利要求4-6任意所述的方法。
10.一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其中，所述计算机指令用于使所述计算机执行根据权利要求4-6任意所述的方法。
CN202210083120.7A 2022-01-25 2022-01-25 基于llc电路的升压电路的控制方法和控制装置 Active CN114123801B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210083120.7A CN114123801B (zh) 2022-01-25 2022-01-25 基于llc电路的升压电路的控制方法和控制装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210083120.7A CN114123801B (zh) 2022-01-25 2022-01-25 基于llc电路的升压电路的控制方法和控制装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114123801A true CN114123801A (zh) 2022-03-01
CN114123801B CN114123801B (zh) 2022-04-22

Family

ID=80361146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210083120.7A Active CN114123801B (zh) 2022-01-25 2022-01-25 基于llc电路的升压电路的控制方法和控制装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114123801B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114268213A (zh) * 2022-03-01 2022-04-01 常州索维尔电子科技有限公司 基于llc电路的软开关电路、控制方法、控制装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2795781A2 (en) * 2011-12-21 2014-10-29 Eaton Industries Company Llc bidirectional resonant converter and method of controlling
CN104993707A (zh) * 2015-07-28 2015-10-21 深圳市盛普威技术有限公司 基于llc谐振的双向dc/dc变换器的控制方法
US20160365803A1 (en) * 2014-07-21 2016-12-15 Huawei Technologies Co., Ltd. Bi-directional dc-dc converter
CN108322055A (zh) * 2018-02-11 2018-07-24 深圳市保益新能电气有限公司 一种双向直流变换电路及其控制方法
CN109495006A (zh) * 2018-12-29 2019-03-19 北汽（常州）汽车有限公司 一种用于车载双向dc-dc的逆变电路
CN110168896A (zh) * 2017-02-04 2019-08-23 Abb瑞士股份有限公司 Dc到dc变流器和控制方法
CN112134453A (zh) * 2020-09-08 2020-12-25 台达电子企业管理（上海）有限公司 启动控制方法及系统、尖峰电压检测电路及方法
CN112865545A (zh) * 2021-03-09 2021-05-28 深圳市英可瑞科技股份有限公司 一种双向dcdc功率变换电路

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2795781A2 (en) * 2011-12-21 2014-10-29 Eaton Industries Company Llc bidirectional resonant converter and method of controlling
US20160365803A1 (en) * 2014-07-21 2016-12-15 Huawei Technologies Co., Ltd. Bi-directional dc-dc converter
CN104993707A (zh) * 2015-07-28 2015-10-21 深圳市盛普威技术有限公司 基于llc谐振的双向dc/dc变换器的控制方法
CN110168896A (zh) * 2017-02-04 2019-08-23 Abb瑞士股份有限公司 Dc到dc变流器和控制方法
CN108322055A (zh) * 2018-02-11 2018-07-24 深圳市保益新能电气有限公司 一种双向直流变换电路及其控制方法
CN109495006A (zh) * 2018-12-29 2019-03-19 北汽（常州）汽车有限公司 一种用于车载双向dc-dc的逆变电路
CN112134453A (zh) * 2020-09-08 2020-12-25 台达电子企业管理（上海）有限公司 启动控制方法及系统、尖峰电压检测电路及方法
CN112865545A (zh) * 2021-03-09 2021-05-28 深圳市英可瑞科技股份有限公司 一种双向dcdc功率变换电路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114268213A (zh) * 2022-03-01 2022-04-01 常州索维尔电子科技有限公司 基于llc电路的软开关电路、控制方法、控制装置
CN114268213B (zh) * 2022-03-01 2022-05-10 常州索维尔电子科技有限公司 基于llc电路的软开关电路、控制方法、控制装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN114123801B (zh) 2022-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20150194909A1 (en) Zvs voltage source inverter
CN108599549B (zh) 图腾柱pfc电路、脉宽控制方法、空调器及存储介质
EP3176932A1 (en) Control method and device for i-type three-level circuit
CN108809076B (zh) 图腾柱pfc电路、脉宽控制方法、空调器及存储介质
CN108809075B (zh) 图腾柱pfc电路、脉宽控制方法、空调器及存储介质
CN114123801B (zh) 基于llc电路的升压电路的控制方法和控制装置
EP2725693A1 (en) Method and device for driving power switch tube
CN104113214A (zh) 三电平dcdc变换器双闭环控制
CN104811049A (zh) 一种谐振电路
CN109889030A (zh) 一种多砖块电源并行启动方法和装置
CN210405099U (zh) 有源钳位反激电路
CN114268213B (zh) 基于llc电路的软开关电路、控制方法、控制装置
WO2016082418A1 (zh) 一种功率因数控制方法及装置
CN103475198B (zh) 适用于双管软开关变换器的定导通时间模式反馈控制电路
CN209911804U (zh) 脉冲电流工作状态的老化回馈负载控制电路
CN215378784U (zh) 一种逆变电桥控制电路和电控设备
CN115508670B (zh) 柔性直流牵引供电系统接触网故障电流计算方法及装置
CN113224931B (zh) 一种整流器的控制方法、装置、设备和存储介质
CN112865582B (zh) 一种能量回馈控制方法、设备及介质
CN117294147A (zh) 一种变换器控制方法、装置、设备以及存储介质
CN109149988A (zh) 一种辅助电源
CN111130421A (zh) 变频器控制方法
CN117792047A (zh) 基于谐波优化的电源电路的控制方法、装置、设备及介质
CN114333807B (zh) 电力调度方法、装置、设备、存储介质及程序
CN113411004A (zh) 一种逆变电桥控制电路和电控设备

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 213300 building 19, No. 618, wharf West Street, Kunlun Street, Liyang City, Changzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Changzhou Shiwei Electronics Co.,Ltd.

Address before: 213300 building 19, No. 618, wharf West Street, Kunlun Street, Liyang City, Changzhou City, Jiangsu Province

Patentee before: CHANGZHOU SOARWHALE ELECTRONIC TECHNOLOGY Co.,Ltd.