CN114122882A - 一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器 - Google Patents

一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器 Download PDF

Info

Publication number
CN114122882A
CN114122882A CN202210083124.5A CN202210083124A CN114122882A CN 114122882 A CN114122882 A CN 114122882A CN 202210083124 A CN202210083124 A CN 202210083124A CN 114122882 A CN114122882 A CN 114122882A
Authority
CN
China
Prior art keywords
laser
wavelength
annular cavity
light
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202210083124.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114122882B (zh
Inventor
王庆
高春清
李岩
王润雨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Institute of Technology BIT
Original Assignee
Beijing Institute of Technology BIT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Institute of Technology BIT filed Critical Beijing Institute of Technology BIT
Priority to CN202210083124.5A priority Critical patent/CN114122882B/zh
Publication of CN114122882A publication Critical patent/CN114122882A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114122882B publication Critical patent/CN114122882B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018—Mode suppression
    • H01S3/08022—Longitudinal modes
    • H01S3/08031—Single-mode emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08086—Multiple-wavelength emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

本发明公开的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，属于激光技术领域。本发明包括泵浦激光器、泵浦准直系统、聚焦透镜、双色镜、单块环形腔、半波片、偏振分光器、光束准直系统、狭缝、反射式衍射光栅。所述反射式衍射光栅用于实现激光波长可调谐输出和线宽的压窄。本发明在单块环形腔的基础采用反射式闪耀光栅实现自种子注入，在不添加磁场的情况下实现高质量的单纵模输出，并大幅拓展单频激光器波长调谐范围，且能够压窄线宽，提高激光器输出光束的稳定性，输出的光束具有频率及功率噪声小的优点。本发明采用反射式衍射光栅反射的衍射级实现波长筛选，通过改变Littrow角度并调整狭缝大小实现单纵模激光输出的波长可调谐输出。

Description

一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器
技术领域
本发明涉及一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，属于激光技术领域。
背景技术
分子光谱学、遥感探测、医疗诊断及治疗、光电对抗、光通信等诸多激光器的应用均需要波长可调谐的单频光源。在量子光学、凝聚态物理、光频标等领域需要高稳定性、噪声小、线宽窄、波长可调谐的单频激光光源。在气体探测方面，具有宽调谐范围的单频激光器可以测量多种气体成分，很好地拓宽了激光器的适用范围。为了提高单频激光的稳定性，采用单块非平面环形腔的方法被提出，如发明专利ZL 200620120648.3。这种装置采用单块非平面环形腔作为增益介质，通过在晶体上加上0.2至1T的强磁场实现激光的单向运转，从而获得稳定的窄线宽激光输出。这种方法稳定性好，频率及功率噪声小。单块非平面环形腔采用的均为YAG晶体、陶瓷等。但激光工作物质往往都具有一定的荧光光谱宽度，而单块非平面环形腔单频激光的缺点是输出波长往往固定在几个特殊波长，只能通过调节整个单块非平面环形腔的温度实现非常窄范围波长调谐，波长拓展性较差。
发明内容
为解决现有单块非平面环形腔单频激光技术波长拓展性差的缺点。本发明的主要目的在于提供一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，在单块环形腔的基础采用反射式闪耀光栅实现了自种子注入，在不添加磁场的情况下实现高质量的单纵模输出，并大幅拓展单频激光器波长调谐范围，且能够压窄线宽，提高激光器输出光束的稳定性，输出的光束具有频率及功率噪声小的优点。
本发明的目的是通过下述技术方案实现：
本发明公开的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，包括泵浦激光器、泵浦准直系统、聚焦透镜、双色镜、单块环形腔、半波片、偏振分光器、光束准直系统、狭缝、反射式衍射光栅。所述反射式衍射光栅用于实现激光波长可调谐输出和线宽的压窄。所述泵浦准直系统、聚焦透镜依次位于泵浦激光器后，将泵浦激光器输出的泵浦激光成像到单块环形腔上，在单块环形腔上的腰斑要与单块环形腔内模式匹配。所述双色镜位于聚焦透镜和单块环形腔中间，对泵浦光的波长增透范围与泵浦激光的输出波长相匹配，对激光的高反范围应覆盖要实现的可调谐单频激光的调谐范围。通过聚焦透镜将准直的泵浦激光聚焦在单块环形腔中。通过偏振分光器将光分成水平和垂直偏振光。所述单块环形腔位于泵浦激光光路上，单块环形腔同时也是激光增益介质，其增益光谱范围与调谐范围相匹配。所述半波片、偏振分光器、光束准直系统、狭缝依次位于光路的一臂上。所述反射式衍射光栅摆放在输出光的一臂上，单块环形腔产生的信号光经偏振选择器件后，经过光束准直系统和狭缝后，以Littrow 角照射到反射式衍射光栅上，反射式衍射光栅的负一级衍射光沿入射光原路返回，经过单块环形腔的输出面膜系再次返回到单块环形腔中，所述的单块环形腔激光在单块环形腔内往返一周输入和输出点在空间上重合。通过调节反射式衍射光栅的入射角度实现对激光的线宽压窄，在单块环形腔的另一臂输出波长可调谐的单纵模激光束。所述单块环形腔一输出臂上由于半波片、偏振分光器、光束准直系统、狭缝、反射式衍射光栅组成反射臂实现自种子注入，单块环形腔不需要添加磁场即能够实现高质量的单纵模输出。
本发明公开的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器的工作方法为：泵浦激光器经泵浦准直系统和聚焦透镜后通过双色镜聚焦到单块环形腔上，增益晶体制成的单块环形腔产生的信号光首先经过双色镜反射到半波片和偏振分光器上，通过旋转半波片，让光束的偏振态经过偏振分光器选择为垂直偏振光，经过光束准直系统和狭缝，照射到反射式衍射光栅上。反射式衍射光栅衍射光沿原光路返回至单块环形腔中，经单块环形腔后光线稳定出射单纵模激光。通过旋转改变反射式衍射光栅入射角的角度，实现波长可调谐输出。
作为优选，通过旋转改变反射式衍射光栅入射角，实现波长可调谐输出和激光线宽的压窄，即使反射式衍射光栅满足如下调节目标：
目标一：所述的反射式衍射光栅与入射光路的夹角θ为:0度＜θ＜90度。
目标二：所述的反射式衍射光栅的参数根据不同调谐范围以及增益介质的增益带宽进行调节。
目标三：所述的反射式衍射光栅工作在输出波长对应的Littrow角度。
通过选择反射式衍射光栅合适的刻线数，选择合适的入射角使得其负一级衍射光与入射光夹角为0度，此时以Littrow角照射到反射式衍射光栅上，反射式衍射光栅的负一级衍射光沿入射光原路返回，经过单块环形腔的输出面膜系再次返回到单块环形腔中，所述的单块环形腔激光在单块环形腔内往返一周输入和输出点在空间上重合。
作为优选，由于所述单块环形腔一输出臂上由半波片、偏振分光器、光束准直系统、狭缝、反射式衍射光栅组成反射臂实现自种子注入，所述环形腔周围不添加磁场。
作为优选，所述的单块环形腔，除入射光和出射光的谐振腔平面镀膜外，其它面均采用全反射的形式实现光束反射，光在腔内的反射次数可以为2N次（N≥2），其中全反射次数为（2N－1）次。
作为优选，所述的泵浦激光器的类型包括光纤耦合输出的半导体激光器、空间耦合输出的半导体激光器、光纤激光器或者固体激光器，但不限于上述泵浦激光器。
作为优选，所述的泵浦准直系统为单透镜或者多透镜组合，用于将泵浦激光准直。
作为优选，所述的单块环形腔为稀土离子掺杂的增益介质，其增益光谱范围要与调谐范围相匹配，增益介质形态为晶体、陶瓷、玻璃，包括但不限于晶体、陶瓷、玻璃。
作为优选，所述的偏振分光器采用的偏振元件为薄膜偏振片、偏振分光棱镜，所述偏振元件包括但不限于薄膜偏振片、偏振分光棱镜。
作为优选，所述的准直系统为单透镜或者多透镜组合。
作为优选，所述的狭缝为一维或者二维狭缝，狭缝大小根据光斑大小为从100μm到1mm。
作为优选，所述的反射式衍射光栅为体光栅或者闪耀光栅。
作为优选，所述的单块环形腔激光在单块环形腔内往返一周的各个反射点在一个平面内，但不强制要求在一个平面内。
作为优选，所述的单块环形腔输入和输出端面镀有对泵浦光的波长增透膜，其波长范围与泵浦激光器的输出波长相匹配，且镀有覆盖要实现的可调谐单频激光的波长范围的输出透过率膜系，其反射率在40％至90％之间。
有益效果
1、本发明公开的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，采用由增益介质组成的单块环形腔结构作为可调谐激光器谐振腔，相比于平面环形腔，具有非常高的稳定性、噪声小、线宽窄。
2、本发明公开的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，增益介质能够采用各种类型的晶体、陶瓷或者玻璃加工而成，不需要像传统的非平面环形腔的方法一样只能由各向同性增益介质加工而成，能够拓宽输出波长的可选择性，增加输出光谱的范围。
3、本发明公开的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，引入具有宽荧光谱的增益介质作为单块环形腔材料，采用反射式衍射光栅反射的衍射级实现波长筛选，通过调节光栅的角度以实现对激光线宽实现压窄和大范围可调谐单频激光输出，通过旋转反射式衍射光栅入射角（改变Littrow角度）并调整狭缝大小的方法，实现单纵模激光输出的波长可调谐输出。
4、本发明公开的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，通过旋转改变反射式衍射光栅入射角，实现波长可调谐输出和激光线宽的压窄，即使反射式衍射光栅满足如下调节目标：
目标一：所述的反射式衍射光栅与入射光路的夹角θ为:0度＜θ＜90度。
目标二：所述的反射式衍射光栅的参数根据不同调谐范围以及增益介质的增益带宽进行调节，通过选择反射式衍射光栅的刻线数，选择合适的入射角使得其负一级衍射光与入射光夹角为0度
5、本发明公开的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，由于所述单块环形腔一输出臂上由半波片、偏振分光器、光束准直系统、狭缝、反射式衍射光栅组成反射臂实现自种子注入，所述环形腔周围不添加磁场，进一步简化激光器结构。
附图说明
图1为本发明的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器结构示意图。
图2为本发明的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器线宽测量图，其中图2（a）为1617.33nm输出激光的线宽测量图，图2（b）为1645.22nm输出激光的线宽测量图。
具体实施方式
为了更好的说明本发明的目的和优点，下面结合附图和实例对发明内容做进一步说明。
实施例1：
本实施例公开请参阅图1所示，本实施例公开的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，包括：
泵浦激光器1为波长在1470 nm的半导体激光器，光谱宽度为7nm，泵浦激光经过芯径为200μm、数值孔径为0.22的光纤耦合输出，输出功率为8W。
泵浦准直系统2为焦距为37mm的非球面透镜，两面镀有对1470nm±10nm的增透膜，可以将泵浦激光的发散角压缩到0.02度，光斑大小为16.3mm。
聚焦透镜3为焦距为75mm的球面透镜，两面镀有对1470nm±10nm的增透膜，将激光聚焦到单块环形腔内，光斑大小约为400μm。
双色镜4对1470 nm±10nm的透过率大于95％，对1600至650 nm的反射率大于99.5％。
单块环形腔5为一块Er3＋掺杂的YAG，掺杂浓度为0.5at.％，采用非平面环形腔的方式，激光在晶体内全反射3次，在晶体的输出膜面镀有对1470nm±10nm的增透膜，且镀有对1600至1650 nm的反射率在70％的部分反射膜。单块环形腔上下紧贴紫铜水冷夹具进行冷却。
半波片6为波长在1600至1650nm的空气隙零级波片。
偏振分光器7为一个波长覆盖1617至1645nm的偏振分光棱镜，对s光高反，对p光高通。
光束准直系统8为一个焦距为500mm的透镜。
狭缝9为1维狭缝，狭缝大小为1mm。
反射式衍射光栅10为闪耀光栅，闪耀波长为1.6μm，刻线数为800线／mm，所述的反射式衍射光栅10的负一级衍射光的衍射效率为30％至99％。
泵浦激光器1经泵浦准直系统2和聚焦透镜3后通过双色镜4聚焦到单块环形腔5上，增益晶体制成的单块非平面环形腔产生的信号光首先经过双色镜反射到半波片6和偏振分光器7上，通过旋转半波片，让光束的偏振态经过偏振分光器选择为垂直偏振光，经过光束准直系统8和狭缝9，照射到反射式衍射光栅10上。反射式衍射光栅10在1617nm和1645nm的Littrow角度分别为40.30度和41.15度。闪耀光栅衍射光沿原光路返回至单块环形腔5中，经激光晶体后光线稳定出射单纵模激光。通过旋转改变反射式衍射光栅10入射角的角度，实现波长可调谐输出。本实施例中通过调节光栅角度可以实现1617.33nm和1645.22nm 的单纵模激光输出，输出功率为1.5W和1.2W，测量输出激光的线宽分别为131kHz和125kHz，即实现波长可调谐输出。
以上所述的具体描述，对发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，其特征在于：包括泵浦激光器（1）、泵浦准直系统（2）、聚焦透镜（3）、双色镜（4）、单块环形腔（5）、半波片（6）、偏振分光器（7）、光束准直系统（8）、狭缝（9）、反射式衍射光栅（10）；所述反射式衍射光栅（10）用于实现激光波长可调谐输出和线宽的压窄；所述泵浦准直系统 （2）、聚焦透镜（3）依次位于泵浦激光器（1）后，将泵浦激光器（1）输出的泵浦激光成像到单块环形腔（5）上，在单块环形腔（5）上的腰斑要与单块环形腔（5）内模式匹配；所述双色镜（4）位于聚焦透镜（3）和单块环形腔（5）中间，对泵浦光的波长增透范围与泵浦激光的输出波长相匹配，对激光的高反范围应覆盖要实现的可调谐单频激光的调谐范围；通过聚焦透镜（3）将准直的泵浦激光聚焦在单块环形腔（5）中；通过偏振分光器（7）将光分成水平和垂直偏振光；所述单块环形腔（5）位于泵浦激光光路上，单块环形腔（5）同时也是激光增益介质，其增益光谱范围与调谐范围相匹配；所述半波片（6）、偏振分光器（7）、光束准直系统（8）、狭缝（9）依次位于光路的一臂上；所述反射式衍射光栅（10）摆放在输出光的一臂上，单块环形腔（5）产生的信号光经偏振选择器件后，经过光束准直系统（8）和狭缝（9）后，以Littrow 角照射到反射式衍射光栅（10）上，反射式衍射光栅（10）的负一级衍射光沿入射光原路返回，经过单块环形腔（5）的输出面膜系再次返回到单块环形腔（5）中，所述的单块环形腔（5）激光在单块环形腔内往返一周输入和输出点在空间上重合；通过调节反射式衍射光栅（10）的入射角度实现对激光的线宽压窄，在单块环形腔（5）的另一臂输出波长可调谐的单纵模激光束；所述单块环形腔（5）一输出臂上由于半波片（6）、偏振分光器（7）、光束准直系统（8）、狭缝（9）、反射式衍射光栅（10）组成反射臂实现自种子注入，单块环形腔（5）不需要添加磁场即能够实现高质量的单纵模输出。
2.如权利要求1所述的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，其特征在于：泵浦激光器（1）经泵浦准直系统（2）和聚焦透镜（3）后通过双色镜（4）聚焦到单块环形腔（5）上，增益晶体制成的单块环形腔（5）产生的信号光首先经过双色镜（4）反射到半波片（6）和偏振分光器（7）上，通过旋转半波片（6），让光束的偏振态经过偏振分光器（7）选择为垂直偏振光，经过光束准直系统（8）和狭缝（9），照射到反射式衍射光栅（10）上；反射式衍射光栅（10）衍射光沿原光路返回至单块环形腔（5）中，经单块环形腔（5）后光线稳定出射单纵模激光；通过旋转改变反射式衍射光栅（10）入射角的角度，实现波长可调谐输出。
3.如权利要求1或2所述的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，其特征在于：通过旋转改变反射式衍射光栅入射角，实现波长可调谐输出和激光线宽的压窄，即使反射式衍射光栅（10）满足如下调节目标：
目标一：所述的反射式衍射光栅（10）与入射光路的夹角θ为:0度＜θ＜90度；
目标二：所述的反射式衍射光栅（10）的参数根据不同调谐范围以及增益介质的增益带宽进行调节；
目标三：所述的反射式衍射光栅工作在输出波长对应的Littrow角度；
通过选择反射式衍射光栅合适的刻线数，选择合适的入射角使得其-1级衍射光与入射光夹角为0度，此时以Littrow 角照射到反射式衍射光栅（10）上，反射式衍射光栅（10）的负一级衍射光沿入射光原路返回，经过单块环形腔（5）的输出面膜系再次返回到单块环形腔（5）中，所述的单块环形腔（5）激光在单块环形腔内往返一周输入和输出点在空间上重合。
4.如权利要求1或2所述的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，其特征在于：由于所述单块环形腔（5）一输出臂上由半波片（6）、偏振分光器（7）、光束准直系统（8）、狭缝（9）、反射式衍射光栅（10）组成反射臂实现自种子注入，所述环形腔（5）周围不添加磁场。
5.如权利要求1或2所述的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，其特征在于：所述的泵浦激光器（1）的类型包括光纤耦合输出的半导体激光器、空间耦合输出的半导体激光器、光纤激光器或者固体激光器；
所述的泵浦准直系统（2）为单透镜或者多透镜组合，用于将泵浦激光准直；
所述的单块环形腔（5）为稀土离子掺杂的增益介质，其增益光谱范围与调谐范围相匹配，增益介质形态为晶体、陶瓷、玻璃。
6.如权利要求1或2所述的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，其特征在于：所述的偏振分光器（7）采用的偏振元件为薄膜偏振片、偏振分光棱镜，所述偏振元件包括但不限于薄膜偏振片、偏振分光棱镜，
所述的准直系统（8）为单透镜或者多透镜组合。
7.如权利要求1或2所述的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，其特征在于：所述的狭缝（9）为一维或者二维狭缝，狭缝大小根据光斑大小为从100μm到1mm。
8.如权利要求1或2所述的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，其特征在于：所述的反射式衍射光栅（10）为体光栅或者闪耀光栅。
9.如权利要求1或2所述的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，其特征在于：所述的单块环形腔（5），除入射光和出射光的谐振腔平面镀膜外，其它面均采用全反射的形式实现光束反射，光在腔内的反射次数为2N次（N≥2），其中全反射次数为（2N－1）次，激光在单块环形腔内往返一周的各个反射点在一个平面内，但不强制要求在一个平面内。
10.如权利要求1或2所述的一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器，其特征在于：所述的单块环形腔（5）输入和输出端面镀有对泵浦光的波长增透膜，其波长范围与泵浦激光器（1）的输出波长相匹配，且镀有覆盖要实现的可调谐单频激光的波长范围的输出透过率膜系，其反射率在40％至90％之间。
CN202210083124.5A 2022-01-25 2022-01-25 一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器 Active CN114122882B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210083124.5A CN114122882B (zh) 2022-01-25 2022-01-25 一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210083124.5A CN114122882B (zh) 2022-01-25 2022-01-25 一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114122882A true CN114122882A (zh) 2022-03-01
CN114122882B CN114122882B (zh) 2022-04-29

Family

ID=80361168

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210083124.5A Active CN114122882B (zh) 2022-01-25 2022-01-25 一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114122882B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115128820A (zh) * 2022-08-30 2022-09-30 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 啁啾反射式体布拉格光栅反馈的光谱合束装置及方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6501591B1 (en) * 1999-01-07 2002-12-31 Northwestern University Tunable fiber optic parametric oscillator
CN1897370A (zh) * 2006-06-23 2007-01-17 北京理工大学 2μm键合单块非平面单纵模激光器
CN102769251A (zh) * 2011-05-04 2012-11-07 中国计量科学研究院 谐振腔器件、以及使用该谐振腔的系统和装置
CN103401129A (zh) * 2013-08-01 2013-11-20 哈尔滨工业大学 一种LD泵浦的单纵模连续波1645nm固体激光装置
CN107069409A (zh) * 2017-01-20 2017-08-18 西北核技术研究所 一种外腔主动调q的双波长脉冲交替输出激光装置及方法
CN111404015A (zh) * 2020-03-26 2020-07-10 富通尼激光科技（东莞）有限公司 一种高重复频率激光器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6501591B1 (en) * 1999-01-07 2002-12-31 Northwestern University Tunable fiber optic parametric oscillator
CN1897370A (zh) * 2006-06-23 2007-01-17 北京理工大学 2μm键合单块非平面单纵模激光器
CN102769251A (zh) * 2011-05-04 2012-11-07 中国计量科学研究院 谐振腔器件、以及使用该谐振腔的系统和装置
CN103401129A (zh) * 2013-08-01 2013-11-20 哈尔滨工业大学 一种LD泵浦的单纵模连续波1645nm固体激光装置
CN107069409A (zh) * 2017-01-20 2017-08-18 西北核技术研究所 一种外腔主动调q的双波长脉冲交替输出激光装置及方法
CN111404015A (zh) * 2020-03-26 2020-07-10 富通尼激光科技（东莞）有限公司 一种高重复频率激光器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115128820A (zh) * 2022-08-30 2022-09-30 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 啁啾反射式体布拉格光栅反馈的光谱合束装置及方法
CN115128820B (zh) * 2022-08-30 2022-11-08 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 啁啾反射式体布拉格光栅反馈的光谱合束装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114122882B (zh) 2022-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6584133B1 (en) Frequency-narrowed high power diode laser array method and system
US7636376B2 (en) Method and apparatus for wavelength tuning laser diodes
US8184285B2 (en) Method and apparatus using volume holographic wavelength blockers
JP3916876B2 (ja) 複光路２重エタロン分光器
JP2017530403A (ja) 単体の帯域幅制限装置を使用するレーザー組立体および検査システム
US10148057B2 (en) Microchip laser
JP2018518048A (ja) 可変フィードバック制御をともなう稠密波長ビーム結合
US5835210A (en) Multi-pass spectrometer
CN114122882B (zh) 一种基于单块环形腔的波长宽调谐单纵模激光器
US8717666B2 (en) Compact solid state entangled photon source
Lawler et al. Narrow bandwidth dye laser suitable for pumping by a short pulse duration N 2 laser
CN113092379A (zh) 空间分辨瞬态系统
CN110911963B (zh) 一种高稳定性的偏振光谱稳频装置
CN103036143A (zh) 一种连续调节激光相干长度的方法和装置
JP2004072069A (ja) 可変多波長半導体レーザーの共振空洞システム
JP2016218373A (ja) 多波長発振型光パラメトリック発振装置および多波長発振型光パラメトリック発振方法
JP2003043531A (ja) 広帯域波長可変レーザ光発生装置
CN103762489B (zh) 波长连续可调谐激光装置
CN102035136B (zh) 一种外腔半导体激光器
US6723977B1 (en) System and method for sensing atmospheric contaminants using transmitter with dual optical parametric oscillators and receiver for the same
CN113851921B (zh) 双波长激光输出装置及方法、半导体激光器
CN103762488A (zh) 高功率窄线宽可调谐激光器
CN114665369A (zh) 一种单频窄线宽中波红外原子气室激光器及激光干涉仪
CN101958510A (zh) 外腔半导体激光器
CN114050470B (zh) 一种稀土晶体红外激光器的波长控制方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant