CN114122195A - 一种绕镀多晶硅的清洗工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种绕镀多晶硅的清洗工艺，包括以下步骤：获取存在绕镀多晶硅的硅片，采用氢氟酸溶液对硅片正面和边缘进行清洗，控制水膜流量为5mL/片～40mL/片，使得正面BSG层的减薄量为20nm～60nm，BSG层的保留厚度在40nm以上；在硅片正背面BSG层和PSG层的保护下去除硅片正面和边缘绕镀多晶硅，去除硅片正面BSG层和背面PSG层。本发明清洗工艺，既能够有效解决因多晶硅绕镀而导致的电池转换效率和良品率低的问题，又能释放LPCVD机台产能，使用价值高，应用前景好，对于降低TOPCon电池的生产成本，提升TOPCon电池的产能，提高TOPCon电池的转换效率和良品率均具有重要意义。
Description
技术领域
本发明属于TOPCon电池制备技术领域，涉及一种绕镀多晶硅的清洗工艺，具体涉及一种适用于TOPCon电池绕镀多晶硅的清洗工艺。
背景技术
遂穿氧化钝化接触太阳能电池(TOPCon电池)具有理论效率高，与PERC产线兼容度高，生产原料丰富价廉，设备投资相对HJT电池偏低等优点，有望接棒PERC电池成为下一代主流N型晶硅电池技术。由于LPCVD技术生产的poly(多晶硅)具有优异的钝化性能，LPCVD技术路线成为了TOPCon电池最先成熟的技术路线。虽然LPCVD制备的poly层钝化效果好，但是，poly绕镀清洗却成为了该技术路线的一个痛点问题。
为了改善poly绕镀导致的效率和良率问题，主流的解决方案是以硼扩散面BSG为掩膜，以单槽单插方式进行双面氧化和双面poly沉积，正面poly清洗可以通过混酸洗方案或者链式去PSG加槽式碱性方案完成，该方案虽然能够有效解决poly绕镀导致的效率和良率问题，但是在LPCVD工序需要进行单槽单插双面沉积工艺，意味着LPCVD产能减半，增加制造成本，且不利于LPCVD机台产能释放。另外一种清洗方案是直接对正面绕镀多晶硅进行链式混酸洗，该方案绕镀清洗外观和EL不良的比例较高，且正面非绕镀区域硼扩散发射极方阻上升过大，导致烧结接触不佳，电池片中心和边缘区域EL明暗程度不一。此外，在本申请的实际研究过程中还发现：上述现有清洗方法，用于清洗以单槽双插方式进行单面poly沉积所带来的poly绕镀时，并不能有效的将绕镀多晶硅清洗干净，或者为了实现绕镀多晶硅的清洗干净，容易破坏硼发射极原有结构，不利于提高电池的转换效率和良品率，因而现有清洗方法并不能用于单槽双插单面沉积工艺，难以提高TOPCon电池的产能。因此，如何获得一种既能够有效解决因多晶硅绕镀而导致的电池转换效率和良品率低的问题，又能释放LPCVD机台产能的绕镀多晶硅的清洗工艺，对于降低TOPCon电池的生产成本以及提高TOPCon电池的产能具有重要意义。
发明内容
本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种既能够有效解决因多晶硅绕镀而导致的电池转换效率和良品率低的问题，又能释放LPCVD机台产能的绕镀多晶硅的清洗工艺。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：
一种绕镀多晶硅的清洗工艺，包括以下步骤：
(1)获取存在绕镀多晶硅的硅片；
(2)采用氢氟酸溶液对硅片正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层进行链式清洗，所述链式清洗过程中控制水膜流量为5mL/片～40mL/片，使得硅片正面BSG层的减薄量为20nm～60nm，且硅片正面BSG层的保留厚度在40nm以上；
(3)在硅片正面BSG层和背面PSG层的保护作用，采用碱性溶液对硅片正面和边缘绕镀多晶硅进行清洗；
(4)去除硅片正面BSG层和背面PSG层，完成对硅片绕镀多晶硅的去除。
上述的清洗工艺，进一步改进的，步骤(2)中，所述硅片正面BSG层的保留厚度为40nm～100nm。
上述的清洗工艺，进一步改进的，步骤(2)中，所述氢氟酸溶液的体积比浓度为0.5％～5％；所述氢氟酸溶液的温度为10℃～25℃。
上述的清洗工艺，进一步改进的，步骤(2)中，将硅片正面朝下漂浮在氢氟酸溶液上，采用链式清洗工艺对硅片正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层进行链式清洗；所述链式清洗工艺的工艺参数为：泵浦为40％～70％，带速为1.2m/min～2.4m/min，反应时间为0.3min～3min；所述硅片经氢氟酸溶液清洗完成后，还包括对硅片进行水洗、吹干；所述硅片在去除正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层后，正面绕镀多晶硅的表面呈现疏水性。
上述的清洗工艺，进一步改进的，步骤(3)中，将硅片浸没在碱性溶液中，采用槽式碱洗工艺对硅片正面及边缘绕镀多晶硅进行清洗；所述碱性溶液为氢氧化钾溶液和/或氢氧化钠溶液；所述碱性溶液的体积比浓度为3％～10％；所述碱性溶液的温度为55℃～65℃；所述清洗的时间为180s～600s；所述碱性溶液中还包括用于同时保护BSG层和PSG层的添加剂，所述添加剂的体积比浓度为0.5％～3％；所述添加剂为碱洗添加剂或碱抛光添加剂。
上述的清洗工艺，进一步改进的，步骤(3)中，所述硅片经碱性溶液清洗完成后，还包括以下处理：
(a)采用温度为20℃～25℃的水对硅片进行水洗120s～360s；
(b)将硅片置于臭氧水或H2O2/碱的混合溶液中，对硅片表面有机物进行清洗；
(c)用温度为20℃～25℃的水对硅片进行水洗120s～360s。
上述的清洗工艺，进一步改进的，步骤(b)中，所述H2O2/碱的混合溶液中碱液的体积比浓度为10％～20％，H2O2的体积比浓度为3％～20％；所述H2O2/碱的混合溶液中的碱液为KOH溶液、NaOH溶液和NH4OH溶液中的至少一种；所述H2O2/碱的混合溶液的温度为40℃～70℃；所述清洗的时间为120s～360s。
上述的清洗工艺，进一步改进的，步骤(4)中，采用氢氟酸/盐酸的混合溶液去除硅片正面BSG层和背面PSG层，包括以下步骤：将硅片置于氢氟酸/盐酸的混合溶液中，对硅片正面BSG层和背面PSG层进行清洗；所述氢氟酸/盐酸的混合溶液中HF溶液的体积比浓度为10％～50％，HCl溶液的体积比浓度为0％～10％；所述氢氟酸/盐酸的混合溶液的温度为20℃～25℃；所述清洗的时间为180s～600s。
上述的清洗工艺，进一步改进的，所述硅片经氢氟酸/盐酸的混合溶液清洗完成后，还包括以下处理：采用温度为60℃～90℃的去离子水对硅片进行慢提拉10s～120s，在5s～60s内将硅片提出；在氮气气氛下，于温度为75℃～90℃的条件下对硅片进行干燥300s～900s。
上述的清洗工艺，进一步改进的，步骤(1)中，所述获取存在绕镀多晶硅的硅片，包括以下步骤：
(1.1)对硅片进行制绒；
(1.2)对制绒后硅片正面进行硼扩散，在硅片正面形成p+发射极和BSG层，所述BSG层的厚度为70nm～130nm；
(1.3)对硼扩散后硅片进行刻蚀和清洗，去除边缘和背面的BSG层和硼发射极；
(1.4)以单槽双插的方式，对硅片进行LPCVD和磷扩散处理，在硅片抛光清洗面依次生长隧穿氧化层、多晶硅层和PSG层，所述PSG层的厚度为10nm～60nm，得到正面和边缘绕镀有多晶硅、PSG层、BPSG层的硅片。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
(1)本发明提供了一种绕镀多晶硅的清洗工艺，通过控制氢氟酸溶液清洗过程中水膜流量为5mL/片～40mL/片，使得硅片正面BSG层的减薄量为20nm～60nm，且硅片正面BSG层的保留厚度在40nm以上，在有效去除硅片正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层的同时使得硅片正面留有足够厚的BSG层，进一步的，在硅片正面BSG和背面PSG的保护作用下，通过碱性溶液去除正面和边缘裸露的poly层，同时在此过程中，基于硅片正面BSG和背面PSG的保护作用，清洗溶液并不会破坏硅片的原有结构，最后去除硅片正面BSG层和背面PSG层，完成对硅片绕镀多晶硅的有效去除。本发明绕镀多晶硅的清洗工艺，既能够有效解决因多晶硅绕镀而导致的电池转换效率和良品率低的问题，又能释放LPCVD机台产能，特别适用于去除单槽双插方式单面poly沉积绕镀，降低LPCVD技术路线的生产成本(特种气体、备件、耗电量和化学药剂)，使用价值高，应用前景好，对于降低TOPCon电池的生产成本，提升TOPCon电池的产能，提高TOPCon电池的转换效率和良品率均具有重要意义。
附图说明
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。
图1为基于LPCVD路线的TOPCon电池的制备工艺流程示意图。
图2为本发明实施例1中单槽双插方式多晶硅绕镀硅片的结构示意图。
图3为本发明实施例1中LPCVD多晶硅绕镀磷扩散后硅片正面的亲水性测试图。
图4为本发明实施例1中经氢氟酸溶液去除硅片边缘和正面绕镀多晶硅上的PSG层后硅片正面的亲水性测试图。
图5为本发明实施例1中BSG层的减薄量和保留厚度合格时所得清洗后硅片的正面外观图。
图6为本发明实施例1中BSG层的减薄量和保留厚度不合格时所得清洗后硅片的正面外观图。
具体实施方式
以下结合说明书附图和具体优选的实施例对本发明作进一步描述，但并不因此而限制本发明的保护范围。
以下实施例中所采用的原料和仪器均为市售；所采用的设备和制备工艺若无特别说明均为常规设备和常规工艺。
实施例
一种绕镀多晶硅的清洗工艺，包括以下步骤：
(1)获取存在绕镀多晶硅的硅片，具体为：
(1.1)对硅片进行制绒；
(1.2)对制绒后硅片正面进行硼扩散，在硅片正面形成p+发射极和BSG层，其中BSG层的厚度为70nm～130nm；
(1.3)对硼扩散后硅片进行刻蚀和清洗，去除边缘和背面的BSG层和硼发射极；
(1.4)以单槽双插的方式，对硅片进行LPCVD和磷扩散处理，在硅片抛光清洗面依次生长隧穿氧化层、多晶硅层和PSG层，其中PSG层的厚度为10nm～60nm，得到正面和边缘绕镀有多晶硅、PSG层、BPSG层的硅片。
(2)采用氢氟酸溶液对硅片正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层进行链式清洗，具体为：将硅片正面朝下漂浮在体积比浓度为0.5％～5％、温度为10℃～25℃的氢氟酸溶液上，采用链式清洗工艺对硅片正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层进行链式清洗，其中链式清洗过程中控制水膜流量为5mL/片～40mL/片，使得硅片正面BSG层的减薄量为20nm～60nm，且硅片正面BSG层的保留厚度在40nm以上，为了能够获得更高性价比的，硅片正面BSG层的保留厚度为40nm～100nm。该步骤中，链式清洗工艺的工艺参数为：泵浦为40％～70％，带速为1.2m/min～2.4m/min，反应时间为0.3min～3min；同时，硅片经氢氟酸溶液清洗完成后，还包括对硅片进行水洗、吹干，且硅片在去除正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层后，正面绕镀多晶硅的表面呈现疏水性。
(3)在硅片正面BSG层和背面PSG层的保护作用，采用碱性溶液对硅片正面和边缘绕镀多晶硅进行清洗，具体为：将硅片浸没在体积比浓度为3％～10％、温度为55℃～65℃的碱性溶液中，采用槽式碱洗工艺对硅片正面及边缘绕镀多晶硅进行清洗180s～600s，碱性溶液为氢氧化钾溶液和/或氢氧化钠溶液；根据实际需要，碱性溶液中还包括用于同时保护BSG层和PSG层的添加剂，添加剂的体积比浓度为0.5％～3％，添加剂为碱洗添加剂或碱抛光添加剂。
该步骤(3)中，硅片经碱性溶液清洗完成后，还包括以下处理：
(a)采用温度为20℃～25℃的水对硅片进行水洗120s～360s；
(b)将硅片置于臭氧水或H2O2/碱的混合溶液中，对硅片表面有机物进行清洗120s～360s，其中H2O2/碱的混合溶液中碱液的体积比浓度为10％～20％，H2O2的体积比浓度为3％～20％；H2O2/碱的混合溶液中的碱液为KOH溶液、NaOH溶液和NH4OH溶液中的至少一种；H2O2/碱的混合溶液的温度为40℃～70℃。
(c)用温度为20℃～25℃的水对硅片进行水洗120s～360s。
(4)采用氢氟酸/盐酸的混合溶液去除硅片正面BSG层和背面PSG层，包括以下步骤：将硅片置于氢氟酸/盐酸的混合溶液(该混合溶液中HF溶液的体积比浓度为10％～50％，HCl溶液的体积比浓度为0％～10％，且该混合溶液的温度为20℃～25℃)中，对硅片正面BSG层和背面PSG层进行清洗180s～600s，去除硅片正面BSG层和背面PSG层，进一步的，硅片经氢氟酸/盐酸的混合溶液清洗完成后，采用温度为60℃～90℃的去离子水对硅片进行慢提拉10s～120s，在5s～60s内将硅片提出，在氮气气氛下，于温度为75℃～90℃的条件下对硅片进行干燥300s～900s，完成对硅片绕镀多晶硅的去除。
实施例1
一种适用于TOPCon电池绕镀多晶硅的清洗工艺，具体为：基于LPCVD路线的TOPCon电池的制备工艺(如图1所示)中存在的绕镀多晶硅进行清洗，包括以下步骤：
(1)对硅片正面和背面进行制绒。
(2)对制绒后硅片正面进行硼扩散，在硅片正面形成p+发射极和BSG层(硼硅玻璃层)，BSG层的厚度为100nm。
(3)对硼扩散后硅片进行刻蚀和清洗，去除边缘和背面的BSG层和硼发射极。
(4)采用单槽双插方式，利用LPCVD技术在硅片背面依次生长隧穿氧化层和多晶硅层，对背面多晶硅层进行磷扩散掺杂，形成PSG层(磷硅玻璃层)，PSG层的厚度为20nm～30nm；在多晶硅层的制备过程中部分多晶硅绕镀到硅片正面和边缘区域形成绕镀多晶硅，且在磷扩散掺杂过程中，绕镀到硅片正面和边缘区域的多晶硅上形成绕镀PSG层，以及在硅片正面绕镀多晶硅与未绕镀多晶硅BSG界面区域会形成BPSG层(硼磷硅玻璃层)，如图2和图3所示。图2为本发明实施例1中单槽双插方式多晶硅绕镀硅片的结构示意图。图3为本发明实施例1中LPCVD多晶硅绕镀磷扩散后硅片正面的亲水性测试图。
(5)绕镀清洗：
(5.1)利用氢氟酸溶液去除硅片正面及边缘绕镀多晶硅上的PSG层，控制BSG层的减薄量为35nm，且硅片正面BSG层的保留厚度为65nm，具体为：将硅片正面朝下漂浮在体积比浓度为1.3％、温度为20℃～25℃的氢氟酸溶液(氢氟酸原始溶液为市购含量50％左右的氢氟酸溶液)上，采用链式清洗工艺对硅片正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层进行清洗，其中链式清洗工艺的工艺参数为：水膜流量为20mL/片～30mL/片，泵浦为65％，带速为2m/min，反应时间为1min。该步骤中，硅片经氢氟酸溶液清洗完成后，还需要经过水洗，接着通过冷风刀对硅片进行吹干，硅片在去除正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层后，正面绕镀多晶硅上呈现疏水性，如图4所示。图4为本发明实施例1中经氢氟酸溶液去除硅片边缘和正面绕镀多晶硅上的PSG层后硅片正面的亲水性测试图。
由图2至图4可知，在poly和BSG相邻部分有一个BPSG区域，正常情况HF腐蚀PSG、BSG和BPSG的速率：r(BPSG)>r(PSG)>r(BSG)，而硅片正面绕镀poly上PSG的厚度一般在20-30nm，因而为了避免链式HF洗绕镀poly的PSG过程中因BPSG区域腐蚀厚度过大而出现印痕残留，还需要严格控制掩膜BSG层的厚度、溶液温度、HF浓度和带速。
(5.2)在硅片正面BSG层和背面PSG层的保护作用，采用碱性溶液去除硅片正面及边缘绕镀多晶硅，具体为：将硅片和花篮浸没在体积比浓度为5％、温度为60℃的氢氧化钾溶液(氢氧化钾原始溶液为市购含量40％以上的氢氧化钾溶液)中，采用槽式碱洗工艺、鼓泡模式对硅片正面绕镀多晶硅进行清洗480s。该步骤中，采用的氢氧化钾溶液中还包括用于保护BSG层和PSG层的添加剂，添加剂的体积比浓度为1.2％，添加剂为碱抛光添加剂(市购，拓邦BP63)。该步骤中，硅片经碱性溶液清洗完成后，还包括采用温度为20℃～25℃的水对硅片正面进行水洗180s。
(5.3)采用NH4OH和H2O2的混合溶液去除硅片表面的有机物，具体为：将硅片置于温度为75℃为NH4OH和H2O2的混合溶液(该混合溶液中，NH4OH溶液的体积比浓度为15％，H2O2的体积比浓度为15％，其中该混合溶液由市购的NH4OH溶液(含量30％左右)、H2O2(含量30％左右)经水稀释后制备得到)中，在鼓泡模式下对硅片表面有机物进行清洗180s，NH4OH和H2O2的混合溶液。该步骤中，硅片经NH4OH和H2O2的混合溶液清洗完成后，还包括采用温度为20℃～25℃的水对硅片进行水洗180s。
(5.4)采用氢氟酸/盐酸的混合溶液去除硅片正面BSG层和背面PSG层，完成对硅片正面绕镀多晶硅的清洗，具体为：将硅片和花篮浸没于温度为20℃～25℃的氢氟酸/盐酸的混合溶液(该氢氟酸/盐酸的混合溶液中，氢氟酸溶液的体积比浓度为11％，HCl溶液的体积比浓度为1％，其中该氢氟酸/盐酸的混合溶液由市购的氢氟酸溶液(含量50％左右氢氟酸溶液)、HCl溶液(含量38％左右盐酸溶液)经水稀释后获得)中，在鼓泡模式下对硅片正面BSG层和背面PSG层进行清洗480s。该步骤中，硅片经氢氟酸/盐酸溶液清洗完成后，还包括：采用温度为60℃的去离子水对硅片进行慢提拉60s，在5s内将硅片提出；在氮气气氛下，于温度为75℃的条件下对硅片进行干燥800s。该步骤中，去除绕镀多晶硅和PSG层后，硅片正面的外观如图5所示。图5为本发明实施例1中BSG层的减薄量和保留厚度不合格时所得清洗后硅片的正面外观图。由图5可知，经上述的清洗工艺清洗后，硅片正面poly清洗干净，且无“印痕”残留。
本实施例中，还考察了BSG层的减薄量为80nm且硅片正面BSG层的保留厚度为20nm的清洗效果，其他条件相同。该条件下，去除绕镀多晶硅和PSG层后，硅片正面的外观如图6所示。图6为本发明实施例1中BSG层的减薄量和保留厚度不合格时所得清洗后硅片的正面外观图。由图6可知，硅片正面仍然存在典型的绕镀“印痕”残留。
(6)将绕镀多晶硅和PSG层去除后，该TOPCon电池的后续制备还包括：正面PEALD和PECVD、背面PECVD、丝印烧结、光注入退火和测试分选。
由上述结果可知，本发明绕镀多晶硅的清洗工艺，通过控制氢氟酸溶液清洗过程中水膜流量为5mL/片～40mL/片，使得硅片正面BSG层的减薄量为20nm～60nm，且硅片正面BSG层的保留厚度在40nm以上，在有效去除硅片正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层的同时使得硅片正面留有足够厚的BSG层，进一步的，在硅片正面BSG和背面PSG的保护作用下，通过碱性溶液去除正面和边缘裸露的poly层，同时在此过程中，基于硅片正面BSG和背面PSG的保护作用，清洗溶液并不会破坏硅片的原有结构，最后去除硅片正面BSG层和背面PSG层，完成对硅片绕镀多晶硅的有效去除。本发明绕镀多晶硅的清洗工艺，既能够有效解决因多晶硅绕镀而导致的电池转换效率和良品率低的问题，又能释放LPCVD机台产能，特别适用于去除单槽双插方式单面poly沉积绕镀，降低LPCVD技术路线的生产成本(特种气体、备件、耗电量和化学药剂)，使用价值高，应用前景好，对于降低TOPCon电池的生产成本，提升TOPCon电池的产能，提高TOPCon电池的转换效率和良品率均具有重要意义。
以上实施例仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例。凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应该指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下的改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种绕镀多晶硅的清洗工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)获取存在绕镀多晶硅的硅片；
(2)采用氢氟酸溶液对硅片正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层进行链式清洗，所述链式清洗过程中控制水膜流量为5mL/片～40mL/片，使得硅片正面BSG层的减薄量为20nm～60nm，且硅片正面BSG层的保留厚度在40nm以上；
(3)在硅片正面BSG层和背面PSG层的保护作用，采用碱性溶液对硅片正面和边缘绕镀多晶硅进行清洗；
(4)去除硅片正面BSG层和背面PSG层，完成对硅片绕镀多晶硅的去除。
2.根据权利要求1所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(2)中，所述硅片正面BSG层的保留厚度为40nm～100nm。
3.根据权利要求2所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(2)中，所述氢氟酸溶液的体积比浓度为0.5％～5％；所述氢氟酸溶液的温度为10℃～25℃。
4.根据权利要求3所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(2)中，将硅片正面朝下漂浮在氢氟酸溶液上，采用链式清洗工艺对硅片正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层进行链式清洗；所述链式清洗工艺的工艺参数为：泵浦为40％～70％，带速为1.2m/min～2.4m/min，反应时间为0.3min～3min；所述硅片经氢氟酸溶液清洗完成后，还包括对硅片进行水洗、吹干；所述硅片在去除正面和边缘绕镀多晶硅上的PSG层后，正面绕镀多晶硅的表面呈现疏水性。
5.根据权利要求4所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(3)中，将硅片浸没在碱性溶液中，采用槽式碱洗工艺对硅片正面及边缘绕镀多晶硅进行清洗；所述碱性溶液为氢氧化钾溶液和/或氢氧化钠溶液；所述碱性溶液的体积比浓度为3％～10％；所述碱性溶液的温度为55℃～65℃；所述清洗的时间为180s～600s；所述碱性溶液中还包括用于同时保护BSG层和PSG层的添加剂，所述添加剂的体积比浓度为0.5％～3％；所述添加剂为碱洗添加剂或碱抛光添加剂。
6.根据权利要求5所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(3)中，所述硅片经碱性溶液清洗完成后，还包括以下处理：
(a)采用温度为20℃～25℃的水对硅片进行水洗120s～360s；
(b)将硅片置于臭氧水或H2O2/碱的混合溶液中，对硅片表面有机物进行清洗；
(c)用温度为20℃～25℃的水对硅片进行水洗120s～360s。
7.根据权利要求6所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(b)中，所述H2O2/碱的混合溶液中碱液的体积比浓度为10％～20％，H2O2的体积比浓度为3％～20％；所述H2O2/碱的混合溶液中的碱液为KOH溶液、NaOH溶液和NH4OH溶液中的至少一种；所述H2O2/碱的混合溶液的温度为40℃～70℃；所述清洗的时间为120s～360s。
8.根据权利要求7所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(4)中，采用氢氟酸/盐酸的混合溶液去除硅片正面BSG层和背面PSG层，包括以下步骤：将硅片置于氢氟酸/盐酸的混合溶液中，对硅片正面BSG层和背面PSG层进行清洗；所述氢氟酸/盐酸的混合溶液中HF溶液的体积比浓度为10％～50％，HCl溶液的体积比浓度为0％～10％；所述氢氟酸/盐酸的混合溶液的温度为20℃～25℃；所述清洗的时间为180s～600s。
9.根据权利要求8所述的清洗工艺，其特征在于，所述硅片经氢氟酸/盐酸的混合溶液清洗完成后，还包括以下处理：采用温度为60℃～90℃的去离子水对硅片进行慢提拉10s～120s，在5s～60s内将硅片提出；在氮气气氛下，于温度为75℃～90℃的条件下对硅片进行干燥300s～900s。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的清洗工艺，其特征在于，步骤(1)中，所述获取存在绕镀多晶硅的硅片，包括以下步骤：
(1.1)对硅片进行制绒；
(1.2)对制绒后硅片正面进行硼扩散，在硅片正面形成p+发射极和BSG层，所述BSG层的厚度为70nm～130nm；
(1.3)对硼扩散后硅片进行刻蚀和清洗，去除边缘和背面的BSG层和硼发射极；
(1.4)以单槽双插的方式，对硅片进行LPCVD和磷扩散处理，在硅片抛光清洗面依次生长隧穿氧化层、多晶硅层和PSG层，所述PSG层的厚度为10nm～60nm，得到正面和边缘绕镀有多晶硅、PSG层、BPSG层的硅片。
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