CN114122182B - 一种红外焦平面阵列及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种红外焦平面阵列及其制备方法，其中，红外焦平面阵列包括：图形衬底；IV族材料外延层，生长于上述图形衬底上；钝化层，覆盖于上述IV族材料外延层上，且设有第一电极孔和第二电极孔；第一电极，设置于上述第一电极孔内，与上述图形衬底相连接；第二电极，设置于上述第二电极孔内，与上述IV族材料外延层相连接；抗氧化层，覆盖于上述钝化层上，且设有通孔；互联金属层，设置于上述通孔内。本公开提供的红外焦平面阵列中的带有图形的图形衬底能够增加进入IV族材料外延层中的光，并且能够改善外延材料的应力，提高外延材料质量，同时，采用IV族材料还可以提高红外焦平面阵列的读出电路的兼容性，以及降低制作成本。
Description
技术领域
本公开涉及光电子材料与器件领域，尤其涉及一种红外焦平面阵列及其制备方法。
背景技术
短波红外成像受大气散射作用小，透雾、霭、烟尘能力较强，有效探测距离远，对气候条件和战场环境的适应性优于可见光成像。在大气辉光的夜视条件下，光子辐照度主要分布在1.0～1.8μm的波段范围内，这使得短波红外夜视成像相比于可见光夜视成像具有显著的优势。硅基Ge、GeSn合金等IV族材料与硅工艺兼容性好，带隙可调，吸收波长能够覆盖1.1μm以上的波段，并且在室温下依旧有很好的工作性能。此外，通过对探测器吸收区材料的组分进行调节可以改变材料的折射率和能带结构，可以起到增强光吸收的作用。
目前用于短波红外焦平面阵列的主要有III-V、II-VI族材料，它们生长所需的衬底难以做大，机械强度小，并且价格昂贵，和硅基读出电路进行电学和机械互联，红外焦平面阵列和电路之间的热匹配性能差异较大，因此抗热冲击能力弱，封装成本较大，使得成品体积增大，价格升高。
公开内容
鉴于上述问题，本公开提供了一种红外焦平面阵列及其制备方法。
根据本公开的第一个方面，提供了一种红外焦平面阵列，包括：
图形衬底；
IV族材料外延层，生长于上述图形衬底上；
钝化层，覆盖于上述IV族材料外延层上，且设有第一电极孔和第二电极孔；
第一电极，设置于上述第一电极孔内，与上述图形衬底相连接；
第二电极，设置于上述第二电极孔内，与上述IV族材料外延层相连接；
抗氧化层，覆盖于上述钝化层上，且设有通孔；
互联金属层，设置于上述通孔内。
优选地，上述图形衬底的第一表面上制备有预设图形；
上述预设图形包括满足预设深宽比的条状图形。
优选地，上述IV族材料外延层包括至少一个像元凸起和至少一个电极凸起；
上述像元凸起之间通过上述图形衬底连接，上述电极凸起之间通过上述图形衬底连接，上述像元凸起和上述电极凸起之间通过上述图形衬底连接。
优选地，上述第二电极孔开设于每一个上述像元凸起上。
优选地，上述第一电极覆盖所有电极凸起。
优选地，上述通孔设置于每一个上述像元凸起和每一个上述电极凸起上。
优选地，上述互联金属层和上述第一电极、上述第二电极相连接。
优选地，上述IV族材料外延层生长于上述第一表面上。
优选地，上述第一电极不与上述预设图形相接触。
本公开的第二方面提供了一种红外焦平面阵列制备方法，适用于上述的红外焦平面阵列，该方法包括：
在衬底上制备带有预设图形的掩膜层，刻蚀后清洗掉上述掩膜层，得到图形衬底；
在上述图形衬底上制备IV族材料外延层；
刻蚀带有IV族材料外延层的图形衬底，得到具有至少一个像元凸起和至少一个电极凸起的IV族材料外延层；
在上述IV族材料外延层上制备钝化层；
在上述钝化层上制备第一电极孔和第二电极孔；
在上述钝化层上制备第一电极和第二电极；
在上述钝化层上制备抗氧化层；
在上述抗氧化层上以光刻胶为掩膜刻蚀得到通孔；
在上述通孔内制作互联金属层。
本公开提供的一种红外焦平面阵列包括：衬底，制备有预设图形；IV族材料外延层，生长于衬底上；钝化层，覆盖于IV族材料外延层上，且设有第一电极孔和第二电极孔；第一电极，设置于第一电极孔内，与衬底相连接；第二电极，设置于第二电极孔内，与IV族材料外延层相连接；抗氧化层，覆盖于金属之上，且开有通孔；互联金属层，设置于通孔内，和第二电极相连接。其中，带有图形的图形衬底能够增加进入IV族材料外延层中的光，并且能够改善外延材料的应力，提高外延材料质量，同时，采用IV族材料还可以提高红外焦平面阵列的读出电路的兼容性，以及降低制作成本。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开中的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。
图1示意性示出了根据本公开实施例的一种红外焦平面阵列结构示意图；
图2示意性示出了本公开一实施例提供的一种红外焦平面阵列的局部结构剖视示意图；
图3示意性示出了本公开一实施例提供的一种红外焦平面阵列制备方法的流程示意图；
图4-图13示意性示出了本公开一实施例提供的一种红外焦平面阵列制备方法制备过程示意图；
图14A示意性示出了本公开一实施例提供的红外焦平面阵列中单个像元的光场分布图；以及
图14B示意性示出了本公开一实施例提供的未使用图形衬底的红外焦平面阵列中单个像元的光场分布图。
附图标记说明：
1公共下电极区域；2像元；10第一电极；20第二电极；200图形衬底；210第一表面；300IV族材料外延层；310像元凸起；320电极凸起；400钝化层；500抗氧化层；600互联金属层；700二氧化硅层。
具体实施方式
以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本公开实施例的全面理解。然而，明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
在此使用的术语仅仅是为了描述具体实施例，而并非意在限制本公开。在此使用的术语“包括”、“包含”等表明了所述特征、步骤、操作和/或部件的存在，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作或部件。
在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本领域技术人员通常所理解的含义，除非另外定义。应注意，这里使用的术语应解释为具有与本说明书的上下文相一致的含义，而不应以理想化或过于刻板的方式来解释。
在使用类似于“A、B和C等中至少一个”这样的表述的情况下，一般来说应该按照本领域技术人员通常理解该表述的含义来予以解释(例如，“具有A、B和C中至少一个的系统”应包括但不限于单独具有A、单独具有B、单独具有C、具有A和B、具有A和C、具有B和C、和/或具有A、B、C的系统等)。在使用类似于“A、B或C等中至少一个”这样的表述的情况下，一般来说应该按照本领域技术人员通常理解该表述的含义来予以解释(例如，“具有A、B或C中至少一个的系统”应包括但不限于单独具有A、单独具有B、单独具有C、具有A和B、具有A和C、具有B和C、和/或具有A、B、C的系统等)。本领域技术人员还应理解，实质上任意表示两个或更多可选项目的转折连词和/或短语，无论是在说明书、权利要求书还是附图中，都应被理解为给出了包括这些项目之一、这些项目任一方、或两个项目的可能性。例如，短语“A或B”应当被理解为包括“A”或“B”、或“A和B”的可能性。
图1示意性示出了本公开一实施例提供的一种红外焦平面阵列结构示意图。
如图1所示，红外焦平面阵列包括：公共下电极区域1和若干个像元2，其中若干个像元2在公共下电极区域1的内部。
为了便于理解红外焦平面阵列的具体结构，如图1所示，从A-A处剖开，得到红外焦平面阵列的局部剖视图。
应当理解，图1中的公共下电极区域和像元2的数目仅仅是示意性的。可以根据实际需要选择公共下电极区域和像元2的数目。
图2示意性示出了本公开一实施例提供的一种红外焦平面阵列的局部结构剖视示意图。
如图2所示，在本公开一实施例中，该红外焦平面阵列包括：图形衬底200；IV族材料外延层300，生长于上述图形衬底200上；钝化层400，覆盖于上述IV族材料外延层300上，且设有第一电极孔和第二电极孔；第一电极10，设置于上述第一电极孔内，与上述图形衬底200相连接；第二电极20，设置于上述第二电极孔内，与上述IV族材料外延层100相连接；抗氧化层500，覆盖于上述钝化层400上，且设有通孔；互联金属层600，设置于上述通孔内。
在本实施例中，在图形衬底200上依次制备有IV族材料外延层300、钝化层400、抗氧化层500和互联金属层600，其中，图形衬底200带有图形，能够增加进入IV族材料外延层300中的光，并且能够改善外延材料的应力，提高外延材料质量，此外，IV族材料的吸收波长可调，吸收波段能够覆盖整个短波红外，因此，采用IV族材料作为外延层还可以提高红外焦平面阵列的读出电路的兼容性，同时降低制作成本。
在本公开一实施例中，上述图形衬底200的第一表面210上制备有预设图形，上述预设图形包括满足预设深宽比的条状图形，上述IV族材料外延层300生长于上述第一表面210上，上述第一电极10不与上述预设图形相接触。
在本实施例中，为了使更多的光进入IV族材料外延层300中，图形衬底200上的预设图形需要满足一定的条件，在本实施例中，预设图形需满足预设的深宽比，且为条状图形，例如，满足预设深宽比的光栅结构。因为图形衬底200上的预设图形可以使更多的光进入IV族材料外延层300中，因此，IV族材料外延层300需要生长在图形衬底200具有预设图形的表面上。
应该理解，本实施例中的关于预设图形的说明仅是示例性的，以帮助本领域技术人员理解本公开的技术方案，并非用以限制本公开的保护范围。可以根据实际需要选择预设图形。
在本公开一实施例中，上述IV族材料外延层300包括至少一个像元凸起310和至少一个电极凸起320，上述像元凸起310之间通过上述图形衬底200连接，上述电极凸起320之间通过上述图形衬底200连接，上述像元凸起310和上述电极凸起320凸起结构之间通过上述图形衬底200连接。
在本实施例中，IV族材料外延层300并不是一个连续的层面，而是由至少一个像元凸起310和至少一个电极凸起320组成的，如图2所述，像元凸起310和电极凸起320之间通过图形衬底200连接。
在本公开一实施例中，上述第二电极孔20开设于每一个上述像元凸起310结构上，上述第一电极10覆盖所有电极凸起320。
在本实施例中，钝化层400上开设有第一电极孔和第二电极孔，如图2所示，第二电极孔开设在IV族材料外延层300的每一个像元凸起310上，而公共下电极区域1中的电极凸起320仅起支撑作用，因此不需要在公共下电极区域1所包括的电极凸起320上开设第二电极孔。
在本公开一实施例中，上述通孔设置于每一个上述像元凸起310和每一个上述电极凸起320上，上述互联金属层600和上述第一电极10、上述第二电极20相连接。
在本实施例中，通孔是用于设置金属互联层600的，而金属互联层600需要和第二电极20相连接，因此通孔需要开设在每个像元凸起310上的第二电极20对应的位置，而为了使整个红外焦平面阵列保持平衡，在没有第二电极20电极凸起310上也开设了用于设置金属互联层600的通孔。
应当理解，图2中的像元凸起和电极凸起等部件的数目仅仅是示意性的。可以根据实际需要选择像元凸起和电极凸起等部件的数目。
图4-图13示意性示出了本公开一实施例提供的一种红外焦平面阵列制备方法的流程示意图。如图3所示，在本公开一实施例中，该方法包括操作S310～操作S390。
在操作S310，在衬底上制备带有预设图形的掩膜层，刻蚀后清洗掉上述掩膜层，得到图形衬底200。
在本实施例中，可以选择硅衬底作为原始衬底，在其一表面上制作预设图形，掩膜层选择二氧化硅，例如，在硅衬底的(100)晶面上采用等离子体增强化学气相沉积法制备二氧化硅层700，二氧化硅层的厚度可以为20～500nm，本实施例中选择的是硅衬底，因为在刻蚀硅材料的情况下，硬掩模的厚度要大于刻蚀深度的十分之一，因此，本实施例中的二氧化硅层700的厚度优选为50nm，在生成二氧化硅层700后，再使用电子束曝光的方法将预设图形转移到电子束胶上，例如占空比为50％、周期为400nm的光栅结构，使用干法刻蚀的方法将预设图形转移到二氧化硅层700上，如图4所示，然后使用电感耦合等离子体刻蚀的方法，以二氧化硅图形为掩膜将硅衬底刻蚀200nm，如图5所示，最后使用氢氟酸清洗掉二氧化硅层700，得到带有预设图形的图形衬底200，如图6所示。
本公开采用硅衬底作为原始衬底，在硅衬底上制作预设图形，得到图形衬底200，图形衬底200有利于将更多的光子能量传输进吸收层(即IV族材料外延层)，提升了吸收层的吸收效果，吸收层和图形衬底200接触，减少了接触面积，因此能够减小器件暗电流，进而增强红外焦平面阵列的探测率。
应当理解，本实施例中的关于衬底的材料、预设图形的制作方法、预设图形的结构、衬底和刻蚀厚度以及掩膜层的材料等的说明仅是示例性的，以帮助本领域技术人员理解本公开的技术方案，并非用以限制本公开的保护范围。可以根据实际需要选择衬底的材料、预设图形的制作方法、预设图形的结构、衬底和刻蚀厚度以及掩膜层的材料等。例如，还可以采用热氧化法、低压化学气相沉积法、等离子体化学气相沉积法等方法制作预设图形。
在操作S320，在上述图形衬底200上制备IV族材料外延层300。
在本实施例中，可应采用分子束外延法、化学气相沉积法，溅射等方法在图形衬底200上生长IV族材料外延层300。本实施例中，制备时，首先在图形衬底200上外延一层IV族材料作为缓冲层，缓冲层的厚度可以为170nm～700nm，本实施例中优选为厚度250nm的锗材料作为缓冲层。在制备IV族材料外延层300的过程中，随着IV族材料外延层300的厚度的增加，IV族材料外延层300的表面按照图7所示的方向延特定晶面延伸，当IV族材料外延层300的厚度达到250nm时，IV族材料外延层300的表面没有缝隙，如图7所示，但此时IV族材料外延层300的表面为锯齿状的(111)晶面，与图形衬底200的(100)晶面不同，(111)晶面更有利于IV族材料，例如锗锡，硅锗锡等材料的外延，继续生长IV族材料外延层300，当IV族材料外延层300的总厚度达到2000nm后停止生长，此时根据生长条件的不同，IV族外延层表面可以是锯齿状，也可能是其他表面形貌。如设计器件结构需要平整表面，可以通过化学机械抛光等方式获得。如图8所示。
应当理解，本实施例中的关于IV族材料外延层的制作方法和厚度等的说明仅是示例性的，以帮助本领域技术人员理解本公开的技术方案，并非用以限制本公开的保护范围。可以根据实际需要选择IV族材料外延层的制作方法和厚度。
在操作S330，刻蚀带有IV族材料外延层300的图形衬底200，得到具有至少一个像元凸起310和至少一个电极凸起320的IV族材料外延层300。
在本实施例中，采用电感耦合等离子体刻蚀法刻蚀带有IV族材料外延层300的图形衬底200，刻蚀深度为操作S220中IV族材料外延层300的厚度2000nm加上图形衬底200的刻蚀深度，本实施例中总刻蚀深度为2200nm，得到包括至少一个像元凸起310和至少一个电极凸起320的IV族材料外延层300，如图9所示。
应当理解，本实施例中的关于刻蚀方法和厚度等的说明仅是示例性的，以帮助本领域技术人员理解本公开的技术方案，并非用以限制本公开的保护范围。可以根据实际需要选择刻蚀方法和厚度。例如，还可以采用湿法腐蚀法。
在操作S340，在上述IV族材料外延层300上制备钝化层400。
在操作S350，在上述钝化层400上制备第一电极孔和第二电极孔。
在本实施例中，选择采用带胶剥离原子层沉积氧化铝薄膜的方法制作钝化层400，首先利用光刻技术，在需要开第一电极孔和第二电极孔的地方制作光刻胶图形，在140℃的温度下利用原子层沉积技术淀积15nm的氧化铝，使用丙酮浸泡上一步处理后的产品，结合超声，将光刻胶以及光刻胶上的氧化铝去除，得到带有第一电极孔和第二电极孔的钝化层400，如图10所示。
应当理解，本实施例中的关于钝化层材料、的制作方法以及厚度等的说明仅是示例性的，以帮助本领域技术人员理解本公开的技术方案，并非用以限制本公开的保护范围。可以根据实际需要选择钝化层的材料、制作方法以及厚度。例如，还可以采用化学气相沉积法制作钝化层，钝化层的材料还可以是氧化硅。
在操作S360，在上述钝化层400上制备第一电极10和第二电极20。
在本实施例中，第一电极10和第二电极20是金属电极，电极材料包括：镍、铬、铝、钛、铂、金等材料中的一种或多种组合，每种金属的厚度可以为10～1000nm，本实施例中优选从下到上分别是20nm镍、400nm铝、50nm钛、200nm金的材料作为第一电极10和第二电极20。
首先采用光刻技术在钝化层400上形成与第一电极10、第二电极20互补的图形，使用溅射、蒸发的方法依次制作20nm镍、400nm铝、50nm钛、200nm金，最后将前述步骤得到的产品浸泡在丙酮中，以去除光刻胶以及光刻胶上的金属，得到第一电极10和第二电极20，如图11所示。
应当理解，本实施例中的关于钝化层的材料、制作方法以及厚度等的说明仅是示例性的，以帮助本领域技术人员理解本公开的技术方案，并非用以限制本公开的保护范围。可以根据实际需要选择钝化层的材料、制作方法以及厚度。例如，还可以采用化学气相沉积法制作钝化层，钝化层的材料还可以是氧化硅。
在操作S370，在上述钝化层400上制备抗氧化层500。
在操作S380，在上述抗氧化层500上以光刻胶为掩膜刻蚀得到通孔。
在本实施例中，抗氧化层500的制备方法包括：化学气相沉积法、带胶剥离原子层沉积法等。本实施例中，采用化学气相沉积法在钝化层400上制备一层氧化硅薄膜，然后采用干法刻蚀得到带有通孔的抗氧化层500。首先在产品表面制作300nm的氮化硅，然后利用光刻的方法制作出与通孔互补的图形，利用干法刻蚀的方法将通孔中的氮化硅刻掉，露出第一电极10或第二电极20，最后使用丙酮、乙醇清洗掉产品表面的光刻胶，得到带通孔的抗氧化层500，如图12所示。
应当理解，本实施例中的关于抗氧化层的材料、制作方法以及厚度等的说明仅是示例性的，以帮助本领域技术人员理解本公开的技术方案，并非用以限制本公开的保护范围。可以根据实际需要选择抗氧化层的材料、制作方法以及厚度。例如，抗氧化层的材料还可以是氧化铝。
在操作S390，在上述通孔内制作互联金属层600。
在本实施例中，采用光刻技术在产品表面制作互联金属层600的光刻胶通孔，在光刻胶表面使用蒸发的方法制作厚度为8μm的铟膜，使用丙酮溶液浸泡产品一定时间后将多余的铟膜撕掉，得到带有互联金属层600的红外焦平面阵列，如图13所示。
应当理解，本实施例中的关于互联金属层的材料、制作方法以及厚度等的说明仅是示例性的，以帮助本领域技术人员理解本公开的技术方案，并非用以限制本公开的保护范围。可以根据实际需要选择互联金属层的材料、制作方法以及厚度。
图14A示意性示出了本公开一实施例提供的红外焦平面阵列中单个像元的光场分布图，图14B示意性示出了本公开一实施例提供的未使用图形衬底的红外焦平面阵列中单个像元的光场分布图，其中x表示与第一表面210相平行的方向，z表示与第一表面210相垂直的方向。
如图2所示，本公开提供的红外焦平面阵列中，图形衬底200和IV族材料外延层300构成了入射光进入吸收区(即IV族材料外延层)所走的路径，如图14A和图14B所示，跟据模拟结果可以看出带有图形衬底的器件比不带有图形衬底的器件能够将更多的光传出进吸收区。
本公开提供的一种红外焦平面阵列包括：衬底，制备有预设图形；IV族材料外延层，生长于衬底上；钝化层，覆盖于IV族材料外延层上，且设有第一电极孔和第二电极孔；第一电极，设置于第一电极孔内，与衬底相连接；第二电极，设置于第二电极孔内，与IV族材料外延层相连接；抗氧化层，覆盖于金属之上，且开有通孔；互联金属层，设置于通孔内，和第二电极相连接。其中，带有图形的图形衬底能够增加进入IV族材料外延层中的光，并且能够改善外延材料的应力，提高外延材料质量，同时，采用IV族材料还可以提高红外焦平面阵列的读出电路的兼容性，以及降低制作成本。
附图中的流程图和框图，图示了按照本公开各种实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段、或代码的一部分，上述模块、程序段、或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图或流程图中的每个方框、以及框图或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
本领域技术人员可以理解，本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合和/或结合，即使这样的组合或结合没有明确记载于本公开中。特别地，在不脱离本公开精神和教导的情况下，本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合和/或结合。所有这些组合和/或结合均落入本公开的范围。
以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。尽管已经参照本公开的特定示例性实施例示出并描述了本公开，但是本领域技术人员应该理解，在不背离所附权利要求及其等同物限定的本公开的精神和范围的情况下，可以对本公开进行形式和细节上的多种改变。因此，本公开的范围不应该限于上述实施例，而是应该不仅由所附权利要求来进行确定，还由所附权利要求的等同物来进行限定。
Claims (10)
1.一种红外焦平面阵列，其特征在于，包括：
图形衬底（200）；
Ⅳ族材料外延层（300），生长于所述图形衬底（200）上；
钝化层（400），覆盖于所述Ⅳ族材料外延层（300）上，且设有第一电极孔和第二电极孔；
第一电极（10），设置于所述第一电极孔内，与所述图形衬底（200）相连接；
第二电极（20），设置于所述第二电极孔内，与所述Ⅳ族材料外延层（300）相连接；
抗氧化层（500），覆盖于所述钝化层（400）上，且设有通孔；
互联金属层（600），设置于所述通孔内。
2.根据权利要求1所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述图形衬底（200）的第一表面（210）上制备有预设图形；
所述预设图形包括满足预设深宽比的条状图形。
3.根据权利要求1所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述Ⅳ族材料外延层（300）包括至少一个像元凸起（310）和至少一个电极凸起（320）；
所述像元凸起（310）之间通过所述图形衬底（200）连接，所述电极凸起（320）之间通过所述图形衬底（200）连接，所述像元凸起（310）和所述电极凸起（320）之间通过所述图形衬底（200）连接。
4.根据权利要求3所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述第二电极孔开设于每一个所述像元凸起（310）上。
5.根据权利要求3所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述第一电极（10）覆盖所有电极凸起（320）。
6.根据权利要求3所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述通孔设置于每一个所述像元凸起（310）和每一个所述电极凸起（320）上。
7.根据权利要求1所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述互联金属层（600）和所述第一电极（10）、所述第二电极（20）相连接。
8.根据权利要求2所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述Ⅳ族材料外延层（300）生长于所述第一表面（210）上。
9.根据权利要求2所述的红外焦平面阵列，其特征在于，所述第一电极（10）不与所述预设图形相接触。
10.一种红外焦平面阵列制备方法，其特征在于，适用于如权利要求1-9任一项所述的红外焦平面阵列，所述方法包括：
在衬底上制备带有预设图形的掩膜层，刻蚀后清洗掉所述掩膜层，得到图形衬底（200）；
在所述图形衬底（200）上制备Ⅳ族材料外延层（300）；
刻蚀带有Ⅳ族材料外延层（300）的图形衬底（200），得到具有至少一个像元凸起（310）和至少一个电极凸起（320）的Ⅳ族材料外延层（300）；
在所述Ⅳ族材料外延层（300）上制备钝化层（400）；
在所述钝化层（400）上制备第一电极孔和第二电极孔；
在所述钝化层（400）上制备第一电极（10）和第二电极（20）；
在所述钝化层（400）上制备抗氧化层（500）；
在所述抗氧化层（500）上以光刻胶为掩膜刻蚀得到通孔；
在所述通孔内制作互联金属层（600）。
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