CN114115666B - 半导体结构检测方法及装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半导体结构检测方法及装置。所述方法包括：提取多个半导体结构分别在其周向上的侧面图；响应于对所述多个半导体结构中目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个所述侧面图同时进行调整，并将多个调整后的侧面图显示在用户界面上；根据所述用户界面上的显示信息，对所述多个半导体结构进行缺陷检测。本发明实施例能够提高检测效率和检测准确率。

Description

半导体结构检测方法及装置
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构检测方法及装置。
背景技术
在半导体结构存在缺陷(defect)时，需要手动点开每一膜层结构(layer)和/或每一晶圆(wafer)的图像，以检测并分析缺陷信息，追溯缺陷原因，使得检测工作极其繁琐复杂，导致缺陷检测效率低下，且检测误差较大。
发明内容
本发明提供一种半导体结构检测方法及装置，能够提高检测效率和检测准确率。
本发明提供了一种半导体结构检测方法，所述方法包括：
提取多个半导体结构分别在其周向上的侧面图；
响应于对所述多个半导体结构中目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个所述侧面图同时进行调整，并将多个调整后的侧面图显示在用户界面上；
根据所述用户界面上的显示信息，对所述多个半导体结构进行缺陷检测。
进一步优选地，所述调整指令包括缩放指令；
所述响应于对所述多个半导体结构中目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个所述侧面图同时进行调整的步骤，包括：
响应于对所述目标半导体结构的侧面图的缩放指令，对提取的多个所述侧面图同时进行缩放，且多个所述侧面图的缩放倍数相同。
进一步优选地，所述调整指令包括移动指令；
所述响应于对所述多个半导体结构中目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个所述侧面图同时进行调整的步骤，包括：
响应于对所述目标半导体结构的侧面图的移动指令，对提取的多个所述侧面图在所述用户界面上的显示范围同时进行调整，且多个所述侧面图调整后的显示范围相同。
进一步优选地，所述方法还包括：
确定所述用户界面上的侧面图对应的半导体结构周向上的角度范围以及轴向上的位置范围，并将所述角度范围和位置范围与所述侧面图对应显示在所述用户界面上。
进一步优选地，所述方法还包括：
获取所述半导体结构的标识信息，并将所述半导体结构的标识信息与所述侧面图对应显示在所述用户界面上。
进一步优选地，所述侧面图包括所述半导体结构在明场照明下的明场图、在暗场照明下的暗场图或在明暗场照明下的明暗场图；
所述方法还包括：
响应于第一切换指令，控制所述用户界面上的多个所述侧面图同时在所述明场图、暗场图和明暗场图之间切换。
进一步优选地，所述方法还包括：
响应于对所述目标半导体结构的选取指令，提取所述目标半导体结构的正面图，并将所述正面图显示在所述用户界面上。
进一步优选地，所述选取指令包括所述目标半导体结构的选取位置；
所述方法还包括：
在所述用户界面上的所述正面图中标记所述选取位置。
进一步优选地，所述方法还包括：
确定所述选取位置对应的目标半导体结构周向上的角度信息以及轴向上的位置信息，并将所述角度信息和所述位置信息显示在所述用户界面上。
进一步优选地，所述正面图包括所述目标半导体结构的俯视图或仰视图；
所述方法还包括：
响应于第二切换指令，控制所述用户界面上的所述正面图在所述俯视图和所述仰视图之间切换。
进一步优选地，所述方法还包括：
从所述半导体结构的侧面图中识别所述半导体结构的洗边位置。
进一步优选地，在所述获取多个半导体结构分别在其周向上的侧面图的步骤之前，还包括：
输入所述半导体结构的侧面图和正面图，并将所述半导体结构的侧面图、正面图和标识信息对应存储在数据库中。
进一步优选地，所述方法还包括：
在检测到所述半导体结构存在缺陷时，通过所述数据库查找存在相同缺陷的其他半导体结构。
进一步优选地，所述方法还包括：
在实时输入所述半导体结构的侧面图或正面图时，检测所述半导体结构的侧面图或正面图，并在检测到异常时进行报警提醒。
进一步优选地，所述半导体结构包括膜层结构和晶圆中的任意一种。
相应地，本发明还提供了一种半导体结构检测装置，所述装置包括：
提取模块，用于提取多个半导体结构分别在其周向上的侧面图；
调整模块，用于响应于对所述多个半导体结构中目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个所述侧面图同时进行调整，并将多个调整后的侧面图显示在用户界面上；以及，
检测模块，用于根据所述用户界面上的显示信息，对所述多个半导体结构进行缺陷检测。
进一步优选地，所述调整指令包括缩放指令；
所述调整模块还用于：
响应于对所述目标半导体结构的侧面图的缩放指令，对提取的多个所述侧面图同时进行缩放，且多个所述侧面图的缩放倍数相同。
进一步优选地，所述调整指令包括移动指令；
所述调整模块还用于：
响应于对所述目标半导体结构的侧面图的移动指令，对提取的多个所述侧面图在所述用户界面上的显示范围同时进行调整，且多个所述侧面图调整后的显示范围相同。
进一步优选地，所述装置还包括：
确定模块，用于确定所述用户界面上的侧面图对应的半导体结构周向上的角度范围以及轴向上的位置范围，并将所述角度范围和位置范围与所述侧面图对应显示在所述用户界面上。
进一步优选地，所述装置还包括：
信息获取模块，用于获取所述半导体结构的标识信息，并将所述半导体结构的标识信息与所述侧面图对应显示在所述用户界面上。
进一步优选地，所述侧面图包括所述半导体结构在明场照明下的明场图、在暗场照明下的暗场图或在明暗场照明下的明暗场图；
所述装置还包括：
控制模块，用于响应于第一切换指令，控制所述用户界面上的多个所述侧面图同时在所述明场图、暗场图和明暗场图之间切换。
进一步优选地，所述装置还包括：
正面图提取模块，用于响应于对所述目标半导体结构的选取指令，提取所述目标半导体结构的正面图，并将所述正面图显示在所述用户界面上。
进一步优选地，所述选取指令包括所述目标半导体结构的选取位置；
所述装置还包括：
标记模块，用于在所述用户界面上的所述正面图中标记所述选取位置。
进一步优选地，所述装置还包括：
信息确定模块，用于确定所述选取位置对应的目标半导体结构周向上的角度信息以及轴向上的位置信息，并将所述角度信息和所述位置信息显示在所述用户界面上。
进一步优选地，所述正面图包括所述目标半导体结构的俯视图或仰视图；
所述装置还包括：
切换控制模块，用于响应于第二切换指令，控制所述用户界面上的所述正面图在所述俯视图和所述仰视图之间切换。
进一步优选地，所述装置还包括：
识别模块，用于从所述半导体结构的侧面图中识别所述半导体结构的洗边位置。
进一步优选地，所述装置还包括：
存储模块，用于输入所述半导体结构的侧面图和正面图，并将所述半导体结构的侧面图、正面图和标识信息对应存储在数据库中。
进一步优选地，所述装置还包括：
查找模块，用于在检测到所述半导体结构存在缺陷时，通过所述数据库查找存在相同缺陷的其他半导体结构。
进一步优选地，所述装置还包括：
检测模块，用于在实时输入所述半导体结构的侧面图或正面图时，检测所述半导体结构的侧面图或正面图，并在检测到异常时进行报警提醒。
进一步优选地，所述半导体结构包括膜层结构和晶圆中的任意一种。
本发明的有益效果为：通过提取多个半导体结构分别在其周向上的侧面图，响应于对目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个侧面图同时进行调整，并将多个调整后的侧面图显示在用户界面上，以根据用户界面上的显示信息，对多个半导体结构进行缺陷检测，即通过对一个侧面图的调整，实现对多个侧面图的同时调整，以同时对多个半导体结构进行对比检测，提高半导体结构的缺陷检测效率，且提高缺陷检测准确率。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的半导体结构检测方法的一个流程示意图；
图2为本发明实施例提供的半导体结构检测方法中用户界面的一个示意图；
图3为本发明实施例提供的半导体结构检测方法中第一显示区的一个示意图；
图4为本发明实施例提供的半导体结构检测方法中第一显示区的另一个示意图；
图5为本发明实施例提供的半导体结构检测方法中第一显示区的又一个示意图；
图6为本发明实施例提供的半导体结构检测装置的一个结构示意图。
具体实施方式
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
参见图1，是本发明实施例提供的半导体结构检测方法的流程示意图。
如图1所示，本发明实施例提供的半导体结构检测方法可以应用于电子设备中，所述方法包括步骤101至步骤103，具体如下：
步骤101、提取多个半导体结构分别在其周向上的侧面图。
本发明实施例中，电子设备可以预先存储所有半导体结构的侧面图，例如电子设备采集所有半导体结构的侧面图，并将所有半导体结构的侧面图存储至数据库中。侧面图是指围绕半导体结构侧面一周(360度)所采集的图像，每个半导体结构的采集起始位置相同，且采集方向相同，即从每个半导体结构侧面的固定位置开始，并沿固定方向(顺时针或逆时针)围绕该半导体结构一周采集该半导体结构的侧面图。
半导体结构包括膜层结构(layer)和晶圆(wafer)中的任意一种。其中，膜层结构包括晶圆的部分膜层，在制作晶圆的过程中，每沉积一层膜层，即可将当前所沉积的所有膜层作为膜层结构，采集该膜层结构的侧面图并存储至数据库中。例如，膜层结构包括衬底以及位于衬底上的堆栈层，或者膜层结构包括衬底，位于衬底上的堆栈层，以及位于堆栈层上的互联层。在晶圆制作完成后，采集该晶圆的侧面图并存储至数据库中。
电子设备上具有用户界面100，如图2所示，用户通过在用户界面100上的操作可以同时选取多个所需的半导体结构，电子设备从数据库中读取用户所选取的多个半导体结构的侧面图，并将多个半导体结构的侧面图显示在用户界面100上。其中，多个半导体结构可以均为膜层结构，也可以均为晶圆，也可以部分半导体结构为膜层结构，部分半导体结构为晶圆。
如图2所示，用户界面100上具有多个第一显示区1，多个半导体结构的侧面图一一对应地显示在多个第一显示区1中。在步骤101中提取多个半导体结构的侧面图时，每个侧面图可以恰好全部显示在对应的第一显示区1中，每个侧面图也可以部分显示在对应的第一显示区1中。若每个侧面图仅部分显示，则多个侧面图在对应的第一显示区1中的显示范围相同。
本实施例将多个半导体结构的侧面图同时显示在用户界面100上，有助于后续对多个半导体结构进行对比检测和分析。
进一步地，所述方法还包括：
确定所述用户界面上的侧面图对应的半导体结构周向上的角度范围以及轴向上的位置范围，并将所述角度范围和位置范围与所述侧面图对应显示在所述用户界面上。
需要说明的是，在半导体结构的周向上，采集侧面图时的采集起始位置可以设置为0度，采集结束位置可以设置为360度，即侧面图的左侧边缘对应0度，侧面图的右侧边缘对应360度。在半导体结构的轴向上，可以设置半导体结构的中心位置为参考点，根据半导体结构中其他位置到中心位置的轴向距离，设置位置参数，且中心位置上方的位置对应的参数为正，中心位置下方的位置对应的参数为负；在半导体结构的轴向上，也可以设置半导体结构的底部(下表面)为参考点，根据半导体结构中其他位置到底部位置的轴向距离，设置位置参数。
如图2所示，用户界面100上的第一显示区1的上方设置角度标尺2，第一显示区1的左侧设置位置(bevel)标尺3，以通过角度标尺2表明第一显示区1中的侧面图所对应的半导体结构在周向上的角度范围，通过位置标尺3表明第一显示区1中的侧面图所对应的半导体结构在轴向上的位置范围。
如图3所示，半导体结构的侧面图10恰好全部显示在第一显示区1中，确定第一显示区1中的侧面图10对应的角度范围为0度至360度，位置范围为-L1至L1(半导体结构的厚度为2L1)，即角度标尺2最左侧为0度，最右侧为360度，位置标尺3的最下方为-L1，最上方为L1。如图4所示，半导体结构的侧面图10仅部分显示在第一显示区1中，则根据侧面图的显示范围，确定第一显示区1中侧面图对应的角度范围和位置范围，例如，角度范围为A至B，且A和B均位于0度至360度之间，位置范围为-L2至L3，L2和L3均小于L1，即角度标尺2最左侧为A，最右侧为B，位置标尺3的最下方为-L2，最上方为L3。
本实施例将第一显示区1中侧面图对应的角度范围和位置范围与侧面图对应显示在用户界面100上，有助于快速将侧面图与半导体结构的实际位置相对应。
进一步地，所述方法还包括：
获取所述半导体结构的标识信息，并将所述半导体结构的标识信息与所述侧面图对应显示在所述用户界面上。
每个半导体结构具有唯一的标识信息，在将半导体结构的侧面图存储至数据库时，还会将半导体结构的标识信息与侧面图对应存储至数据库中。在从数据库中读取半导体结构的侧面图并显示在第一显示区1中时，还会从数据库中读取该侧面图对应的标识信息并与该侧面图对应显示在用户界面100上。其中，若半导体结构为晶圆，则半导体结构的标识信息包括晶圆所在晶圆组(lot)的识别码以及晶圆的识别码；若半导体结构为膜层结构，则半导体结构的标识信息包括膜层结构所在晶圆组的识别码，膜层结构所在晶圆的识别码以及膜层结构的识别码。
如图2所示，每个第一显示区1的左侧设有一个第二显示区4，第一显示区1中侧面图所对应的半导体结构的标识信息ID对应显示在第二显示区4中。
在采集每个半导体结构的侧面图时，分别采集每个半导体结构在多种照明模式下的侧面图，多种照明模式可以包括明场照明、暗场照明和明暗场照明等，即所述侧面图可以包括所述半导体结构在明场照明下的明场图、在暗场照明下的暗场图或在明暗场照明下的明暗场图。每个半导体结构的明场图、暗场图和明暗场图均存储至数据库中。
进一步地，所述方法还包括：
响应于第一切换指令，控制所述用户界面上的多个所述侧面图同时在所述明场图、暗场图和明暗场图之间切换。
用户界面100上的第一显示区1中的侧面图可以为明场图、暗场图或明暗场图，根据用户需求，电子设备可以控制第一显示区1中的侧面图在明场图、暗场图和明暗场图之间切换。
如图2所示，第一显示区1的上方设有三个控件(如按钮)，即第一控件51、第二控件52和第三控件53。其中，第一控件51对应明场图，第二控件52对应暗场图，第三控件53对应明暗场图。第一切换指令可以包括明场图切换指令、暗场图切换指令和明暗场图切换指令中的任意一种。用户点击第一控件51，电子设备生成明场图切换指令并响应该明场图指令，从数据库中读取多个半导体结构的明场图，并将多个半导体结构的明场图一一对应地显示在多个第一显示区1中。用户点击第二控件52，电子设备生成暗场图切换指令并响应该暗场图指令，从数据库中读取多个半导体结构的暗场图，并将多个半导体结构的暗场图一一对应地显示在多个第一显示区1中。用户点击第三控件53，电子设备生成明暗场图切换指令并响应该明暗场图指令，从数据库中读取多个半导体结构的明暗场图，并将多个半导体结构的明暗场图一一对应地显示在多个第一显示区1中。
本实施例控制第一显示区1中的侧面图在明场图、暗场图和明暗场图之间切换，有助于后续在多种照明模式下对半导体结构进行缺陷检测。
步骤102、响应于对所述多个半导体结构中目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个所述侧面图同时进行调整，并将多个调整后的侧面图显示在用户界面上。
本发明实施例中，在对任一半导体结构的侧面图进行调整时，可以实现多个半导体结构的侧面图的同步调整。如图2所示，用户点击用户界面100上任一第一显示区1中的侧面图，以选取该侧面图，该侧面图对应的半导体结构即为目标半导体结构。然后，用户对该侧面图进行调整操作，例如缩放、移动等，电子设备根据用户的调整操作生成调整指令并响应该调整指令，对用户界面100上多个第一显示区1中的侧面图进行同步调整，调整后的侧面图仍显示在对应的第一显示区1中。在对第一显示区1中的侧面图进行调整的过程中，第一显示区1对应的角度标尺2和位置标尺3的参数也会对应调整，以保证角度标尺2的参数与第一显示区1中侧面图对应的角度范围相一致，位置标尺3的参数与第一显示区1中侧面图对应的位置范围相一致。
在一个实施方式中，所述调整指令包括缩放指令，步骤102中的所述响应于对所述多个半导体结构中目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个所述侧面图同时进行调整，包括：
响应于对所述目标半导体结构的侧面图的缩放指令，对提取的多个所述侧面图同时进行缩放，且多个所述侧面图的缩放倍数相同。
用户在用户界面100上选取目标半导体结构的侧面图后，对该侧面图进行缩放操作，电子设备根据用户的缩放操作生成缩放指令并响应该缩放指令，对用户界面100上多个第一显示区1中的侧面图进行同步缩放。用户在缩放操作时可以设置缩放倍数，使得电子设备生成的缩放指令中包括缩放倍数，电子设备按照该缩放倍数对所有第一显示区1中的侧面图进行同步缩放。
需要说明的是，由于第一显示区1大小的限制，侧面图放大后可能仅部分显示在第一显示区1中。缩放前，多个侧面图在其对应的第一显示区1中的显示范围相同；缩放后，多个侧面图在其对应的第一显示区1中的显示范围仍相同。
例如，用户对目标半导体结构的侧面图进行放大操作，电子设备对多个第一显示区1中的侧面图进行同步放大。放大前，如图3所示，每个侧面图10恰好全部显示在其对应的第一显示区1中，即每个侧面图10对应的角度范围均为0度至360度，位置范围均为-L1至L1，使得每个侧面图10在其对应的第一显示区1中的显示范围相同。放大后，如图4所示，每个侧面图10仅部分显示在其对应的第一显示区1中，且每个侧面图10在第一显示区1中对应的角度范围均为A至B，位置范围均为-L2至L3，使得放大后每个侧面图10在其对应的第一显示区1中的显示范围仍相同。
在另一个实施方式中，所述调整指令包括移动指令，步骤102中的所述响应于对所述多个半导体结构中目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个所述侧面图同时进行调整，包括：
响应于对所述目标半导体结构的侧面图的移动指令，对提取的多个所述侧面图在所述用户界面上的显示范围同时进行调整，且多个所述侧面图调整后的显示范围相同。
在第一显示区1中仅显示部分侧面图时，用户在选取任一第一显示区的侧面图后，可以对该第一显示区中的侧面图进行移动操作。电子设备根据用户的移动操作生成移动指令并响应该移动指令，对用户界面100上的多个第一显示区1中的侧面图进行同步移动，以调整侧面图在其对应的第一显示区1中的显示范围。用户在移动操作时可以设置移动方向和移动距离，使得电子设备生成的移动指令中包括移动方向和移动距离，电子设备按照该移动方向和移动距离对多个第一显示区1中的侧面图进行移动。移动前，多个侧面图在其对应的第一显示区1中的显示范围相同；移动后，多个侧面图在其对应的第一显示区1中的显示范围仍相同。
例如，用户对目标半导体结构的侧面图向上移动距离△L，电子设备将多个侧面图相对于其对应的第一显示区1向上移动距离△L，以改变多个侧面图在其对应的第一显示区1中的显示范围。移动前，如图4所示，每个侧面图10部分显示在其对应的第一显示区1中，且每个侧面图10在第一显示区1中对应的角度范围均为A至B，位置范围均为-L2至L3，使得每个侧面图10在其对应的第一显示区1中的显示范围相同。移动后，如图5所示，每个侧面图10仍部分显示在其对应的第一显示区1中，但每个侧面图10在第一显示区1中对应的角度范围均为A至B，位置范围均为-L2-△L至L3-△L，使得移动后每个侧面图10在其对应的第一显示区1中的显示范围仍相同。
另外，在对多个侧面图进行调整后，也可以控制调整后的侧面图在明场图、暗场图和明暗场图之间切换。
本实施例在调整任一侧面图时，可以同步调整其他侧面图，保证多个侧面图相同区域的同步展示，有助于提高后续半导体结构的检测效率。
进一步地，所述方法还包括：
响应于对所述目标半导体结构的选取指令，提取所述目标半导体结构的正面图，并将所述正面图显示在所述用户界面上。
半导体结构的正面图是通过对半导体结构的上表面或下表面进行图像采集而得到的，即正面图可以包括半导体结构的俯视图或仰视图。在采集半导体结构的正面图后，将半导体结构的正面图与该半导体结构的侧面图、标识信息对应存储在数据库中。
在多个半导体结构的侧面图一一对应地显示在用户界面100上的多个第一显示区1中后，用户可以对任一第一显示区1中的侧面图(如目标半导体结构的侧面图)进行选取操作，电子设备根据用户的选取操作生成选取指令并响应该选取指令，从数据库中读取目标半导体结构的正面图。如图2所示，用户界面100上的第一显示区1的右侧设有第三显示区6，目标半导体结构的正面图恰好全部显示在第三显示区6中。
本实施例在用户界面100上同时显示目标半导体结构的侧面图和正面图，有助于后续对目标半导体结构的多个视图进行对比检测和分析。
进一步地，所述选取指令包括所述目标半导体结构的选取位置，所述方法还包括：
在所述用户界面上的所述正面图中标记所述选取位置。
用户在对任一第一显示区1中的侧面图(如目标半导体结构的侧面图)进行选取操作时，点击目标半导体结构的侧面图，该点击位置即为目标半导体结构的选取位置。将选取位置映射到目标半导体结构的正面图上，并在第三显示区6中的正面图上对映射的位置进行标记。如图2所示，第三显示区6中的正面图上具有标记7，通过标记7可以反映用户所点击的位置映射到目标半导体结构周向上的位置。
用户还可以实时调整在目标半导体结构的侧面图上的点击位置，电子设备根据调整后的点击位置，调整标记7在第三显示区6中的正面图上的位置。
进一步地，所述方法还包括：
确定所述选取位置对应的目标半导体结构周向上的角度信息以及轴向上的位置信息，并将所述角度信息和所述位置信息显示在所述用户界面上。
用户在点击目标半导体结构的侧面图时，点击位置对应角度标尺2中的一角度参数，且对应位置标尺3中的一位置参数。该点击位置即为目标半导体结构的选取位置，点击位置对应的角度参数即为选取位置对应的目标半导体结构周向上的角度信息，点击位置对应的位置参数即为选取位置对应的目标半导体结构轴向上的位置信息。如图2所示，用户界面100上的第三显示区6上方设有第四显示区8，将选取位置对应的角度信息和位置信息显示在第四显示区8中。
用户还可以实时调整在目标半导体结构的侧面图上的点击位置，电子设备根据调整后的点击位置，调整第四显示区8中的角度信息和位置信息。
进一步地，所述方法还包括：
响应于第二切换指令，控制所述用户界面上的所述正面图在所述俯视图和所述仰视图之间切换。
正面图可以包括半导体结构的俯视图或仰视图，且半导体结构的俯视图和仰视图均存储在数据库中。用户界面100上的第三显示区6中的正面图可以为俯视图或仰视图，根据用户需求，电子设备可以控制第三显示区6中的正面图在俯视图和仰视图之间切换。
如图2所示，第三显示区6的两侧分别设有一个控件(如按钮)，即第四控件54和第五控件55。第二切换指令可以包括俯视图切换指令和仰视图切换指令中的任意一种。在第三显示区6中的正面图为俯视图时，用户点击第五控件55，电子设备生成仰视图切换指令并响应该仰视图切换指令，从数据库中读取目标半导体结构的仰视图，并将第三显示区6中的俯视图替换为仰视图。在第三显示区6中的正面图为仰视图时，用户点击第四控件54，电子设备生成俯视图切换指令并响应该俯视图切换指令，从数据库中读取目标半导体结构的俯视图，并将第三显示区6中的仰视图替换为俯视图。
本实施例控制第三显示区6中的正面图在俯视图和仰视图之间切换，有助于后续通过多种视图对半导体结构进行缺陷检测。
步骤103、根据所述用户界面上的显示信息，对所述多个半导体结构进行缺陷检测。
本发明实施例中，用户界面100上的显示信息可以包括多个第一显示区1中的侧面图，还可以包括第三显示区6中的正面图等。根据用户界面上的显示信息，可以采用多种检测方式对多个半导体结构进行缺陷检测。例如，人工检测方式，即用户通过查看用户界面100上的侧面图和/或正面图，自行判断多个半导体结构中是否存在缺陷；图像识别的检测方式，即电子设备对用户界面100上的侧面图和/或正面图进行图像识别，以检测多个半导体结构中是否存在缺陷。
具体地，半导体结构的缺陷可以包括电弧(arcing)现象引起的缺陷、剥离(peeling)缺陷和变色(discolor)缺陷等。预先存储半导体结构存在不同缺陷时的图像(即多种缺陷图像)，将用户界面100上的侧面图和/或正面图与半导体结构的多种缺陷图像分别进行对比，若用户界面100上的侧面图和/或正面图与某种缺陷图像的相似度达到预设值，则确定用户界面100上的侧面图和/或正面图对应的半导体结构存在该种缺陷图像对应的缺陷。半导体结构还可以通过其他方式来检测缺陷，此处不做具体限定。
由于用户界面100上的显示信息还包括角度标尺和位置标尺中的参数，第二显示区4中的标识信息ID，以及第四显示区8中的角度信息和位置信息等。在检测出半导体结构存在缺陷时，还可以根据用户界面100上的显示信息对缺陷位置进行快速定位。
进一步地，所述方法还包括：
在检测到所述半导体结构存在缺陷时，通过所述数据库查找存在相同缺陷的其他半导体结构。
由于数据库中存储有所有半导体结构的侧面图和/或正面图，因此通过对用户界面100上的侧面图和/或正面图检测，确定对应的半导体结构存在缺陷时，可以继续对数据库中存储的侧面图和/或正面图进行检测，查找存在相同缺陷的其他半导体结构，以便及时发现其他半导体结构存在的缺陷，进一步提高缺陷检测效率。
进一步地，所述方法还包括：
在实时输入所述半导体结构的侧面图或正面图时，检测所述半导体结构的侧面图或正面图，并在检测到异常时进行报警提醒。
电子设备在实时采集半导体结构的侧面图或正面图时，可以先对采集的侧面图或正面图进行检测，以判断对应的半导体结构是否存在缺陷，若采集的侧面图或正面图异常，表明对应的半导体结构存在缺陷，可进行线上报警提醒(OCAP，Out of Control ActionPlan)，以便用户及时采取相应措施。
进一步地，所述方法还包括：
从所述半导体结构的侧面图中识别所述半导体结构的洗边位置。
根据半导体结构的侧面图，可以检测对应的半导体结构是否存在缺陷，还可以识别半导体结构的洗边位置。由于半导体结构的洗边区域的颜色不同于其他区域的颜色，因此根据颜色可以从半导体结构的侧面图中识别出洗边区域，即洗边位置。
由上述可知，本发明实施例通过提取多个半导体结构分别在其周向上的侧面图，响应于对目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个侧面图同时进行调整，并将多个调整后的侧面图显示在用户界面上，以根据用户界面上的显示信息，对多个半导体结构进行缺陷检测，即通过对一个侧面图的调整，实现对多个侧面图的同时调整，提高半导体结构的缺陷检测效率，且同时对多个半导体结构进行对比检测，提高缺陷检测准确率。
相应地，本发明实施例还提供一种半导体结构检测装置，能够实现上述实施例中的半导体结构检测方法。
参见图6，是本发明实施例提供的半导体结构检测装置的结构示意图。
如图6所示，本实施例提供一种半导体结构检测装置，所述装置包括：
提取模块61，用于提取多个半导体结构分别在其周向上的侧面图；
调整模块62，用于响应于对所述多个半导体结构中目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个所述侧面图同时进行调整，并将多个调整后的侧面图显示在用户界面上；以及，
检测模块63，用于根据所述用户界面上的显示信息，对所述多个半导体结构进行缺陷检测。
进一步优选地，所述调整指令包括缩放指令；
所述调整模块62还用于：
响应于对所述目标半导体结构的侧面图的缩放指令，对提取的多个所述侧面图同时进行缩放，且多个所述侧面图的缩放倍数相同。
进一步优选地，所述调整指令包括移动指令；
所述调整模块62还用于：
响应于对所述目标半导体结构的侧面图的移动指令，对提取的多个所述侧面图在所述用户界面上的显示范围同时进行调整，且多个所述侧面图调整后的显示范围相同。
进一步优选地，所述装置还包括：
确定模块，用于确定所述用户界面上的侧面图对应的半导体结构周向上的角度范围以及轴向上的位置范围，并将所述角度范围和位置范围与所述侧面图对应显示在所述用户界面上。
进一步优选地，所述装置还包括：
信息获取模块，用于获取所述半导体结构的标识信息，并将所述半导体结构的标识信息与所述侧面图对应显示在所述用户界面上。
进一步优选地，所述侧面图包括所述半导体结构在明场照明下的明场图、在暗场照明下的暗场图或在明暗场照明下的明暗场图；
所述装置还包括：
控制模块，用于响应于第一切换指令，控制所述用户界面上的多个所述侧面图同时在所述明场图、暗场图和明暗场图之间切换。
进一步优选地，所述装置还包括：
正面图提取模块，用于响应于对所述目标半导体结构的选取指令，提取所述目标半导体结构的正面图，并将所述正面图显示在所述用户界面上。
进一步优选地，所述选取指令包括所述目标半导体结构的选取位置；
所述装置还包括：
标记模块，用于在所述用户界面上的所述正面图中标记所述选取位置。
进一步优选地，所述装置还包括：
信息确定模块，用于确定所述选取位置对应的目标半导体结构周向上的角度信息以及轴向上的位置信息，并将所述角度信息和所述位置信息显示在所述用户界面上。
进一步优选地，所述正面图包括所述目标半导体结构的俯视图或仰视图；
所述装置还包括：
切换控制模块，用于响应于第二切换指令，控制所述用户界面上的所述正面图在所述俯视图和所述仰视图之间切换。
进一步优选地，所述装置还包括：
识别模块，用于从所述半导体结构的侧面图中识别所述半导体结构的洗边位置。
进一步优选地，所述装置还包括：
存储模块，用于输入所述半导体结构的侧面图和正面图，并将所述半导体结构的侧面图、正面图和标识信息对应存储在数据库中。
进一步优选地，所述装置还包括：
查找模块，用于在检测到所述半导体结构存在缺陷时，通过所述数据库查找存在相同缺陷的其他半导体结构。
进一步优选地，所述装置还包括：
检测模块，用于在实时输入所述半导体结构的侧面图或正面图时，检测所述半导体结构的侧面图或正面图，并在检测到异常时进行报警提醒。
进一步优选地，所述半导体结构包括膜层结构和晶圆中的任意一种。
本发明实施例通过提取多个半导体结构分别在其周向上的侧面图，响应于对目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个侧面图同时进行调整，并将多个调整后的侧面图显示在用户界面上，以根据用户界面上的显示信息，对多个半导体结构进行缺陷检测，即通过对一个侧面图的调整，实现对多个侧面图的同时调整，提高半导体结构的缺陷检测效率，且同时对多个半导体结构进行对比检测，提高缺陷检测准确率。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (30)

1.一种半导体结构检测方法，其特征在于，所述方法包括：
提取多个半导体结构分别在其周向上的侧面图；
响应于对所述多个半导体结构中目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个所述侧面图同时进行调整，并将多个调整后的侧面图以相同的显示范围显示在用户界面上；
根据所述用户界面上的显示信息，对所述多个半导体结构进行缺陷检测。
2.根据权利要求1所述的半导体结构检测方法，其特征在于，所述调整指令包括缩放指令；
所述响应于对所述多个半导体结构中目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个所述侧面图同时进行调整的步骤，包括：
响应于对所述目标半导体结构的侧面图的缩放指令，对提取的多个所述侧面图同时进行缩放，且多个所述侧面图的缩放倍数相同。
3.根据权利要求1所述的半导体结构检测方法，其特征在于，所述调整指令包括移动指令；
所述响应于对所述多个半导体结构中目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个所述侧面图同时进行调整的步骤，包括：
响应于对所述目标半导体结构的侧面图的移动指令，对提取的多个所述侧面图在所述用户界面上的显示范围同时进行调整，且多个所述侧面图调整后的显示范围相同。
4.根据权利要求1所述的半导体结构检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
确定所述用户界面上的侧面图对应的半导体结构周向上的角度范围以及轴向上的位置范围，并将所述角度范围和位置范围与所述侧面图对应显示在所述用户界面上。
5.根据权利要求1所述的半导体结构检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取所述半导体结构的标识信息，并将所述半导体结构的标识信息与所述侧面图对应显示在所述用户界面上。
6.根据权利要求1所述的半导体结构检测方法，其特征在于，所述侧面图包括所述半导体结构在明场照明下的明场图、在暗场照明下的暗场图或在明暗场照明下的明暗场图；
所述方法还包括：
响应于第一切换指令，控制所述用户界面上的多个所述侧面图同时在所述明场图、暗场图和明暗场图之间切换。
7.根据权利要求1所述的半导体结构检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
响应于对所述目标半导体结构的选取指令，提取所述目标半导体结构的正面图，并将所述正面图显示在所述用户界面上。
8.根据权利要求7所述的半导体结构检测方法，其特征在于，所述选取指令包括所述目标半导体结构的选取位置；
所述方法还包括：
在所述用户界面上的正面图中标记所述选取位置。
9.根据权利要求8所述的半导体结构检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
确定所述选取位置对应的目标半导体结构周向上的角度信息以及轴向上的位置信息，并将所述角度信息和所述位置信息显示在所述用户界面上。
10.根据权利要求7所述的半导体结构检测方法，其特征在于，所述正面图包括所述目标半导体结构的俯视图或仰视图；
所述方法还包括：
响应于第二切换指令，控制所述用户界面上的正面图在所述俯视图和所述仰视图之间切换。
11.根据权利要求1所述的半导体结构检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
从所述半导体结构的侧面图中识别所述半导体结构的洗边位置。
12.根据权利要求1所述的半导体结构检测方法，其特征在于，在所述提取多个半导体结构分别在其周向上的侧面图的步骤之前，还包括：
输入所述半导体结构的侧面图和正面图，并将所述半导体结构的侧面图、正面图和标识信息对应存储在数据库中。
13.根据权利要求12所述的半导体结构检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
在检测到所述半导体结构存在缺陷时，通过所述数据库查找存在相同缺陷的其他半导体结构。
14.根据权利要求12所述的半导体结构检测方法，其特征在于，所述方法还包括：
在实时输入所述半导体结构的侧面图或正面图时，检测所述半导体结构的侧面图或正面图，并在检测到异常时进行报警提醒。
15.根据权利要求1至14任一项所述的半导体结构检测方法，其特征在于，所述半导体结构包括膜层结构和晶圆中的任意一种。
16.一种半导体结构检测装置，其特征在于，所述装置包括：
提取模块，用于提取多个半导体结构分别在其周向上的侧面图；
调整模块，用于响应于对所述多个半导体结构中目标半导体结构的侧面图的调整指令，对提取的多个所述侧面图同时进行调整，并将多个调整后的侧面图以相同的显示范围显示在用户界面上；以及，
检测模块，用于根据所述用户界面上的显示信息，对所述多个半导体结构进行缺陷检测。
17.根据权利要求16所述的半导体结构检测装置，其特征在于，所述调整指令包括缩放指令；
所述调整模块还用于：
响应于对所述目标半导体结构的侧面图的缩放指令，对提取的多个所述侧面图同时进行缩放，且多个所述侧面图的缩放倍数相同。
18.根据权利要求16所述的半导体结构检测装置，其特征在于，所述调整指令包括移动指令；
所述调整模块还用于：
响应于对所述目标半导体结构的侧面图的移动指令，对提取的多个所述侧面图在所述用户界面上的显示范围同时进行调整，且多个所述侧面图调整后的显示范围相同。
19.根据权利要求16所述的半导体结构检测装置，其特征在于，所述装置还包括：
确定模块，用于确定所述用户界面上的侧面图对应的半导体结构周向上的角度范围以及轴向上的位置范围，并将所述角度范围和位置范围与所述侧面图对应显示在所述用户界面上。
20.根据权利要求16所述的半导体结构检测装置，其特征在于，所述装置还包括：
信息获取模块，用于获取所述半导体结构的标识信息，并将所述半导体结构的标识信息与所述侧面图对应显示在所述用户界面上。
21.根据权利要求16所述的半导体结构检测装置，其特征在于，所述侧面图包括所述半导体结构在明场照明下的明场图、在暗场照明下的暗场图或在明暗场照明下的明暗场图；
所述装置还包括：
控制模块，用于响应于第一切换指令，控制所述用户界面上的多个所述侧面图同时在所述明场图、暗场图和明暗场图之间切换。
22.根据权利要求16所述的半导体结构检测装置，其特征在于，所述装置还包括：
正面图提取模块，用于响应于对所述目标半导体结构的选取指令，提取所述目标半导体结构的正面图，并将所述正面图显示在所述用户界面上。
23.根据权利要求22所述的半导体结构检测装置，其特征在于，所述选取指令包括所述目标半导体结构的选取位置；
所述装置还包括：
标记模块，用于在所述用户界面上的正面图中标记所述选取位置。
24.根据权利要求23所述的半导体结构检测装置，其特征在于，所述装置还包括：
信息确定模块，用于确定所述选取位置对应的目标半导体结构周向上的角度信息以及轴向上的位置信息，并将所述角度信息和所述位置信息显示在所述用户界面上。
25.根据权利要求22所述的半导体结构检测装置，其特征在于，所述正面图包括所述目标半导体结构的俯视图或仰视图；
所述装置还包括：
切换控制模块，用于响应于第二切换指令，控制所述用户界面上的正面图在所述俯视图和所述仰视图之间切换。
26.根据权利要求16所述的半导体结构检测装置，其特征在于，所述装置还包括：
识别模块，用于从所述半导体结构的侧面图中识别所述半导体结构的洗边位置。
27.根据权利要求16所述的半导体结构检测装置，其特征在于，所述装置还包括：
存储模块，用于输入所述半导体结构的侧面图和正面图，并将所述半导体结构的侧面图、正面图和标识信息对应存储在数据库中。
28.根据权利要求27所述的半导体结构检测装置，其特征在于，所述装置还包括：
查找模块，用于在检测到所述半导体结构存在缺陷时，通过所述数据库查找存在相同缺陷的其他半导体结构。
29.根据权利要求27所述的半导体结构检测装置，其特征在于，所述装置还包括：
检测模块，用于在实时输入所述半导体结构的侧面图或正面图时，检测所述半导体结构的侧面图或正面图，并在检测到异常时进行报警提醒。
30.根据权利要求16至29任一项所述的半导体结构检测装置，其特征在于，所述半导体结构包括膜层结构和晶圆中的任意一种。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101924053A (zh) * 2009-01-13 2010-12-22 联达科技设备私人有限公司 检测晶片的系统和方法
KR101602580B1 (ko) * 2014-10-31 2016-03-10 세메스 주식회사 웨이퍼 검사 방법
CN110349145A (zh) * 2019-07-09 2019-10-18 京东方科技集团股份有限公司 缺陷检测方法、装置、电子设备以及存储介质
CN110473179A (zh) * 2019-07-30 2019-11-19 上海深视信息科技有限公司 一种基于深度学习的薄膜表面缺陷检测方法、系统及设备
CN110832631A (zh) * 2019-10-12 2020-02-21 长江存储科技有限责任公司 用于检测深度特征中的缺陷的方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10867382B2 (en) * 2018-05-24 2020-12-15 Keysight Technologies, Inc. Detecting mura defects in master panel of flat panel displays during fabrication

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101924053A (zh) * 2009-01-13 2010-12-22 联达科技设备私人有限公司 检测晶片的系统和方法
KR101602580B1 (ko) * 2014-10-31 2016-03-10 세메스 주식회사 웨이퍼 검사 방법
CN110349145A (zh) * 2019-07-09 2019-10-18 京东方科技集团股份有限公司 缺陷检测方法、装置、电子设备以及存储介质
CN110473179A (zh) * 2019-07-30 2019-11-19 上海深视信息科技有限公司 一种基于深度学习的薄膜表面缺陷检测方法、系统及设备
CN110832631A (zh) * 2019-10-12 2020-02-21 长江存储科技有限责任公司 用于检测深度特征中的缺陷的方法

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