CN114113813B - 一种自适应型mems电场传感器及其结构 - Google Patents
一种自适应型mems电场传感器及其结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114113813B CN114113813B CN202111408915.2A CN202111408915A CN114113813B CN 114113813 B CN114113813 B CN 114113813B CN 202111408915 A CN202111408915 A CN 202111408915A CN 114113813 B CN114113813 B CN 114113813B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- induction
- electric field
- circuit
- vibration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims abstract description 53
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 93
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract description 49
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 16
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 4
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 9
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/12—Measuring electrostatic fields or voltage-potential
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
Abstract
本发明公开了一种自适应型MEMS电场传感器及其结构，包括可动接地电极、至少一个拾振参考电极、至少一个感应电极、至少一个驱动电极；所述拾振参考电极与可动接地电极之间形成电容，用于检测可动接地电极的振动情况；可动接地电极与感应电极相对部分，形成感应电极的屏蔽电极，感应电极用于感应外部电场；在驱动电极上施加激励信号，使可动接地电极处于谐振状态，检测拾振参考电极、感应电极的输出，以感应电极输出的解调感应电压除以拾振参考电极输出的解调参考电压，得到外部电场检测结果。通过自动调整激励信号及对输出进行修正，能够根据环境及结构参数变化进行自适应调整，实现对传感器输出漂移的补偿，极大提高MEMS传感器的测量准确性。
Description
技术领域
本发明涉及传感器技术领域，尤其是涉及一种自适应型MEMS电场传感器及其结构。
背景技术
电场传感器作为电场强度测量的关键部件，广泛应用于航空航天、智能电网、静电防护、雷电预警、科学研究等诸多领域。
近年来，随着MEMS和微纳加工技术的发展，基于电荷感应原理的MEMS电场传感器因其体积小、成本低、易集成、可批量制造等优势，成为了研究和应用的热点方向。然而，MEMS电场传感器通常工作在其可动结构的谐振状态下，而其谐振频率受到温度、结构应力等外部因素变化的影响很大，进而影响其可动结构的振幅，从而导致其灵敏度等关键参数发生漂移，影响传感器的工作性能、稳定性和测量准确性。
因此，如何提高MEMS传感器的测量精度，是目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种自适应型MEMS电场传感器及其结构，通过设置拾振参考电极，在拾振参考电极上施加一定的钳制电压，当可动接地电极进行周期性振动时，拾振参考电极上产生周期性电流，进而转换为周期性电压信号；将拾振参考电极所输出的电压信号作为反馈信号，控制驱动电极上激励信号的调整，使得可动接地电极4保持处于谐振状态；同时，通过拾振参考电极输出的电压信号持续或间歇性地对可动接地电极的振动幅值进行采样校准，并以其倒数作为修正因子，对感应电极的输出信号进行修正，获得最终传感器输出值，提高传感器测量精度。
第一方面，本发明的上述发明目的通过以下技术方案得以实现：
一种自适应型MEMS电场传感器结构，包括可动接地电极、至少一个拾振参考电极、至少一个感应电极、至少一个驱动电极；可动接地电极分别与拾振参考电极、感应电极、驱动电极耦合，驱动电极用于施加激励信号，可动接地电极用于根据激励信号产生振动，拾振参考电极用于耦合可动接地电极的振动，并转化为电信号，感应电极用于感应外部电场，并转化为电信号。
本发明进一步设置为：所述可动接地电极分别与拾振参考电极、感应电极、驱动电极之间，形成电容，所述电容结构为平行板、叉指、梳齿、平行弧圈中的至少一种；可动接地电极能够进行任意形式的周期性振动。
第二方面，本发明的上述发明目的通过以下技术方案得以实现：
一种自适应型MEMS电场传感器，包括自适应型MEMS电场传感器结构、数据处理电路，所述数据处理电路分别与所述MEMS电场传感器结构中的感应电极、驱动电极、拾振参考电极连接，分别用于通过拾振参考电极检测参考电压，通过所述驱动电极施加激励信号，通过感应电极检测外部电场的感应电压信号。
本发明进一步设置为：数据处理电路在拾振参考电极上施加一定的钳制电位，对参考电极上的电流信号进行电压转换，获取参考电压，用于检测可动接地电极的振动幅值和相位。
本发明进一步设置为：数据处理电路根据参考电压的相位，调整激励信号的频率，使可动接地电极处于谐振状态。
本发明进一步设置为：数据处理电路以参考电压幅值的倒数作为修正因子，对感应电压信号进行修正，得到传感器输出数据。
本发明进一步设置为：数据处理电路包括激励源电路、钳位电路、反馈电路、解调电路、计算电路，激励源电路与驱动电极连接，用于给驱动电极提供激励信号；钳位电路分别与感应电极、拾振参考电极连接，用于分别给感应电极、拾振参考电极提供钳制电位，反馈电路分别与激励源电路、拾振参考电极钳位电路输出端连接，用于根据参考电压信号调整激励信号，解调电路分别与钳位电路、激励源电路连接，用于对检测到的感应电极和拾振参考电极上的电压信号进行解调，计算电路与解调电路连接，用于根据解调结果，计算传感器输出数据。
本发明进一步设置为：钳位电路包括第一钳位电路和第二钳位电路，第一钳位电路与感应电极连接，用于对感应电极提供钳制电位，并将感应电极的感应电流信号转换为感应电压信号；第二钳位电路与拾振参考电极连接，用于对拾振参考电极提供钳制电位，并将拾振参考电极的参考电流信号转换为参考电压信号；反馈电路包括锁相环电路，用于锁定可动接地电极的谐振频率。
第三方面，本发明的上述发明目的通过以下技术方案得以实现：
一种自适应型MEMS电场传感器检测方法，包括可动接地电极、至少一个拾振参考电极、至少一个感应电极、至少一个驱动电极；所述拾振参考电极与可动接地电极之间形成电容，用于检测可动接地电极的振动情况；可动接地电极与感应电极相对部分，形成感应电极的屏蔽电极，感应电极用于感应外部电场；在驱动电极上施加激励信号，使可动接地电极处于谐振状态，检测拾振参考电极、感应电极的输出，以感应电极输出的解调感应电压除以拾振参考电极输出的解调参考电压，得到外部电场检测结果。
本发明进一步设置为：激励信号为正弦信号、方波信号中的一种，或直流信号与正弦信号的叠加，或直流信号与方波信号的叠加。
与现有技术相比，本申请的有益技术效果为：
1.本申请通过设置拾振参考电极，检测参考电压，从而调整激励信号和对感应电极的输出进行修正，提高了传感器检测精度；
2.进一步地，本申请通过对参考电压的反馈，调整激励信号，保持可动接地电极处于谐振状态，保证测量的基准平稳；
3.进一步地，本申请通过用参考电压对感应电极的检测进行修正，消除了外部干扰对测量的影响，提高了测量精度。
附图说明
图1是本申请的一个具体实施例的传感器结构示意图；
图2是本申请的又一个具体实施例的传感器结构示意图；
图3是本申请的又一个具体实施例的传感器结构示意图；
图4是本申请的一个具体实施例的传感器振动方向示意图；
图5是本申请的又一个具体实施例的传感器振动方向示意图；
图6是本申请的又一个具体实施例的传感器振动方向示意图；
图7是本申请的又一个具体实施例的传感器振动方向示意图；
图8是本申请的一个具体实施例的数据处理电路结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明作进一步详细说明。
具体实施例一
本申请的一种自适应型MEMS电场传感器结构，如图1所示，包括拾振参考电极1、感应电极2、驱动电极3、可动接地电极4，可动接地电极4分别与拾振参考电极1、感应电极2、驱动电极3耦合，拾振参考电极1与可动接地电极4相对的部分构成电容，用以检测可动接地电极4振动情况；可动接地电极4与感应电极2相对的部分，充当感应电极2对应的屏蔽电极作用，用以在感应电极2上产生外电场的感应输出；驱动电极3与可动接地电极4相对的部分构成驱动电容，在驱动电极3施加激励信号，使得可动接地电极4产生振动。
在本具体实施例中，可动接地电极4为叉指形结构，拾振参考电极1、感应电极2分别为梳齿状结构，驱动电极3包括两个，分别为梳齿状结构。
拾振参考电极1、感应电极2分别分布在可动接地电极4的两侧，两个驱动电极3分别位于可动接地电极4的一端，并同时位于拾振参考电极1、感应电极2的同一端。拾振参考电极1的梳齿与可动接地电极4一侧的叉指交错，感应电极2的梳齿与可动接地电极4另一侧的叉指交错，驱动电极3的梳齿分别与可动接地电极4两侧的叉指交错。
拾振参考电极1、感应电极2的结构相同；或对称分布在可动接地电极4的两侧，或非对称分布在可动接地电极4的两侧。
两个驱动电极3，或对称分布在可动接地电极4的两侧，或非对称分布在可动接地电极4的两侧。
本申请的又一种自适应型MEMS电场传感器结构，如图2所示，可动接地电极4只有一个，感应电极2、驱动电极3、拾振参考电极1分别为两个。
可动接地电极4为叉指形结构，感应电极2为梳齿状结构，驱动电极3为梳齿状结构，拾振参考电极1为只有一个齿的梳齿状结构。
一个驱动电极3、一个拾振参考电极1、一个感应电极2依次设置在可动接地电极4的一侧，与可动接地电极4交错设置。
另外一个驱动电极3、另外一个拾振参考电极1、另外一个感应电极2依次设置在可动接地电极4的一侧，同样与可动接地电极4交错设置。
可动接地电极4两侧的两个感应电极2有错位，分别起始于可动接地电极4一个叉指的两侧。
一个驱动电极3为只有两个齿的梳齿状结构，一个感应电极2是只有多于两个齿的梳齿状结构。
本申请的又一种自适应型MEMS电场传感器结构，如图3所示，可动接地电极4只有一个，感应电极、驱动电极3、拾振参考电极1分别为4个。
可动接地电极4为叉指形结构，感应电极2为3个齿的梳齿状结构，驱动电极3为具有2个齿的梳齿状结构，拾振参考电极1为只有一个齿的梳齿状结构。
一个驱动电极3、一个拾振参考电极1、两个感应电极2、一个拾振参考电极1、一个驱动电极3依次设置在可动接地电极4的一侧，与可动接地电极4交错设置。
在可动接地电极4的另一侧，也同样布置一个驱动电极3、一个拾振参考电极1、两个感应电极2、一个拾振参考电极1、一个驱动电极3。
驱动电极3对称设置在可动接地电极4的两侧，依次类推，拾振参考电极1对称设置在可动接地电极4的两侧，感应电极2对称设置在可动接地电极4的两侧。
本具体实施例对各类电极的布置只是所有布置中的其中一部分，所有类推的，包括了拾振参考电极、感应电极、驱动电极，且拾振参考电极、感应电极、驱动电极分别与可动接地电极的对应部分，分别形成了平行板、叉指、梳齿或平行弧圈电容的结构，也属于本申请的范围。
本申请的可动接地电极4的振动，分别如图4、5、6、7所示，可动接地电极4能够实现以各种不同方式的周期性振动。
在图4中，可动接地电极4的一个齿两侧分别设置拾振参考电极、感应电极，在沿拾振参考电极、感应电极形成的平面上，进行左右方向的水平振动。
在图5中，可动接地电极4的一个齿两侧分别设置拾振参考电极、感应电极，在沿拾振参考电极1、感应电极2齿的长度方向上，进行上下振动。
在图6中，可动接地电极4的一个齿两侧分别设置拾振参考电极1、感应电极2，可动接地电极4进行扭动振动。
在图7中，可动接地电极4的一个齿两侧分别设置拾振参考电极1、感应电极2，拾振参考电极1、感应电极2、可动接地电极4为平行弧圈结构，沿弧圈方向进行旋转振动。
具体实施例二
本申请的一种自适应型MEMS电场传感器，如图8所示，包括自适应型MEMS电场传感器结构、数据处理电路，数据处理电路分别与所述MEMS电场传感器结构中的感应电极、驱动电极、拾振参考电极连接，分别用于通过拾振参考电极检测参考电压，通过所述驱动电极施加激励信号，通过感应电极检测外部电场的感应电压信号。、
数据处理电路包括激励源电路、钳位电路、反馈电路、解调电路、计算电路，激励源电路与驱动电极连接，用于给驱动电极提供激励信号，图中未示出；钳位电路分别与感应电极、拾振参考电极连接，用于分别给感应电极、拾振参考电极提供钳制电位，反馈电路分别与激励源电路、拾振参考电极连接，用于根据参考电压信号调整激励信号，解调电路分别与钳位电路的激励源电路连接，用于对检测到的感应电极和拾振参考电极上的电压信号进行解调，计算电路与解调电路连接，用于根据解调结果，计算传感器输出数据。
钳位电路包括第一钳位电路和第二钳位电路，第一钳位电路与感应电极连接，用于对感应电极提供钳制电位，并将感应电极的感应电流信号转换为感应电压信号；第二钳位电路与拾振参考电极连接，用于对拾振参考电极提供钳制电位，并将拾振参考电极的参考电流信号转换为参考电压信号。
在本具体实施例中，第一钳位电路提供给感应电极的钳制电位为0电平，经过第一跨阻R1后，将感应电极上的电流信号转换为电压信号。
第一解调电路的输入与激励源电路输出、第一钳位电路的输出端连接，用于根据激励信号，对第一钳位电路的感应电压信号进行解调处理，得到解调感应电压Vs。
第二钳位电路提供给拾振参考电极的钳制电位为V0电平，经过第二跨阻R2后，将拾振参考电极上的参考电流信号转换为参考电压信号。
反馈电路包括锁相环电路，用于锁定可动接地电极的谐振频率。
反馈电路的输入连接第二钳位电路的输出，将参考电压信号经过锁相后，自动锁定谐振频率、相位，并根据参考电压信号，对激励信号进行调整。
具体地，根据拾振参考电极提供的参考电压相位，调整激励信号的频率，使可动接地电极处于谐振状态。
第二解调电路的输入与激励源电路输出、第一钳位电路的输出端连接，用于根据激励信号，对第二钳位电路的参考电压信号进行解调处理，得到解调参考电压Vr。
解调电路对参考电压信号及感应电压信号的采样，是持续的，或间断的。
计算电路分别与第一解调电路的输出、第二解调电路的输出连接，将解调感应电压Vs除以解调参考电压Vr，得到传感器输出的电场测量结果。
将参考电压幅值的倒数作为修改因子，对感应电压信号进行修正，得到传感器输出数据，补偿了传感器谐振频率及振动幅值变化所带来的测量误差。
经过自动调整激励信号及对输出进行修正，能够根据环境及结构参数变化进行自适应调整，自主保持谐振状态，并自动校准可动接地电极的振动幅值，实现对传感器输出漂移的补偿，极大提高MEMS传感器的测量准确性和工作稳定性。
在本申请的一个具体实施例中，激励信号为正弦信号、方波信号中的一种，或直流信号与正弦信号的叠加，或直流信号与方波信号中的叠加。
本实施例的实施原理为：在驱动电极上施加激励信号，通过驱动电极与可动接地电极之间相对部分形成的电容，将激励信号在可动接地电极上转换为振动，从而使可动接地电极产生谐振。拾振参考电极与可动接地电极上相对的部分构成电容，用以检测可动接地电极振动情况；对拾振参考电极施加钳制电位，利用可动接地电极与感应电极相对部分产生的电容，屏蔽掉外部电场对拾振参考电极的影响，感应电极感应外电场。
因为外电场对拾振参考电极的影响可以忽略，将感应电极上检测到的参考电压信号，用于对激励信号进行调整，保证可动接地电极处于谐振状态，将解调参考感应电压用于对解调感应电压进行修正，得到传感器的最终输出值，消除了干扰对检测信号的影响，使传感器的最终输出值与外电场之间形成线性关系，而不受振动幅值的影响，提高检测精度。
本具体实施方式的实施例均为本发明的较佳实施例，并非依此限制本发明的保护范围，故：凡依本发明的结构、形状、原理所做的等效变化，均应涵盖于本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种自适应型MEMS电场传感器结构，其特征在于：包括可动接地电极、至少一个拾振参考电极、至少一个感应电极、至少一个驱动电极；可动接地电极分别与拾振参考电极、感应电极、驱动电极耦合，驱动电极用于施加激励信号，可动接地电极用于根据激励信号产生振动，拾振参考电极用于耦合可动接地电极的振动，并转化为电信号，感应电极用于感应外部电场，并转化为电信号。
2.根据权利要求1所述自适应型MEMS电场传感器结构，其特征在于：所述可动接地电极分别与拾振参考电极、感应电极、驱动电极之间形成电容，所述电容结构为平行板、叉指、梳齿、平行弧圈中的至少一种；可动接地电极能够进行任意形式的周期性振动。
3.一种自适应型MEMS电场传感器，其特征在于：包括自适应型MEMS电场传感器结构、数据处理电路，所述数据处理电路分别与所述MEMS电场传感器结构中的感应电极、驱动电极、拾振参考电极连接，分别用于通过拾振参考电极检测参考电压，通过所述驱动电极施加激励信号，通过感应电极检测外部电场的感应电压信号，所述自适应型MEMS电场传感器结构如权利要求1或2所述。
4.根据权利要求3所述自适应型MEMS电场传感器，其特征在于：数据处理电路在拾振参考电极上施加一定的钳制电位，对参考电极上的电流信号进行电压转换，获取参考电压，用于检测可动接地电极的振动幅值和相位。
5.根据权利要求4所述自适应型MEMS电场传感器，其特征在于：数据处理电路根据参考电压的相位，调整激励信号的频率，使可动接地电极处于谐振状态。
6.根据权利要求4所述自适应型MEMS电场传感器，其特征在于：数据处理电路以参考电压幅值的倒数作为修正因子，对感应电压信号进行修正，得到传感器输出数据。
7.根据权利要求3所述自适应型MEMS电场传感器，其特征在于：数据处理电路包括激励源电路、钳位电路、反馈电路、解调电路、计算电路，激励源电路与驱动电极连接，用于给驱动电极提供激励信号；钳位电路分别与感应电极、拾振参考电极连接，用于分别给感应电极、拾振参考电极提供钳制电位，反馈电路分别与激励源电路、拾振参考电极钳位电路输出端连接，用于根据参考电压信号调整激励信号，解调电路分别与钳位电路、激励源电路连接，用于对检测到的感应电极和拾振参考电极上的电压信号进行解调，计算电路与解调电路连接，用于根据解调结果，计算传感器输出数据。
8.根据权利要求7所述自适应型MEMS电场传感器，其特征在于：钳位电路包括第一钳位电路和第二钳位电路，第一钳位电路与感应电极连接，用于对感应电极提供钳制电位，并将感应电极的感应电流信号转换为感应电压信号；第二钳位电路与拾振参考电极连接，用于对拾振参考电极提供钳制电位，并将拾振参考电极的参考电流信号转换为参考电压信号；反馈电路包括锁相环电路，用于锁定可动接地电极的谐振频率。
9.一种自适应型MEMS电场传感器检测方法，其特征在于：包括可动接地电极、至少一个拾振参考电极、至少一个感应电极、至少一个驱动电极；所述拾振参考电极与可动接地电极之间形成电容，用于检测可动接地电极的振动情况；可动接地电极与感应电极相对部分，形成感应电极的屏蔽电极，感应电极用于感应外部电场；在驱动电极上施加激励信号，使可动接地电极处于谐振状态，检测拾振参考电极、感应电极的输出，以感应电极输出的解调感应电压除以拾振参考电极输出的解调参考电压，得到外部电场检测结果。
10.根据权利要求9所述自适应型MEMS电场传感器检测方法，其特征在于：激励信号为正弦信号、方波信号中的一种，或直流信号与正弦信号的叠加，或直流信号与方波信号的叠加。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111408915.2A CN114113813B (zh) | 2021-11-24 | 2021-11-24 | 一种自适应型mems电场传感器及其结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111408915.2A CN114113813B (zh) | 2021-11-24 | 2021-11-24 | 一种自适应型mems电场传感器及其结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114113813A CN114113813A (zh) | 2022-03-01 |
| CN114113813B true CN114113813B (zh) | 2022-06-28 |
Family
ID=80372682
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111408915.2A Active CN114113813B (zh) | 2021-11-24 | 2021-11-24 | 一种自适应型mems电场传感器及其结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114113813B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116106646B (zh) * | 2022-11-18 | 2024-01-19 | 南方电网数字电网研究院有限公司 | 电场传感器 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3494096B2 (ja) * | 1999-11-05 | 2004-02-03 | 株式会社村田製作所 | 振動ジャイロ |
| JP4045274B2 (ja) * | 2002-08-26 | 2008-02-13 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ダイアフラム作動微小電気機械スイッチ |
| JP2004301554A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-28 | Canon Inc | 電位測定装置及び画像形成装置 |
| WO2006121867A2 (en) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Quasar Federal Systems, Inc. | Electrostatic monitoring system |
| CN101368988B (zh) * | 2007-08-15 | 2011-02-02 | 中国科学院电子学研究所 | 免封装压电驱动式微小型电场传感器 |
| CN102445604B (zh) * | 2010-09-30 | 2013-12-04 | 中国科学院电子学研究所 | 异型电极微型电场传感器 |
| JPWO2013187003A1 (ja) * | 2012-06-15 | 2016-02-04 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | アクチュエータと光学反射素子およびそれを用いた画像形成装置 |
| DE102012222973B4 (de) * | 2012-12-12 | 2024-02-22 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanisches Elektrofeldmeter als Gewitterwarner |
| US20140340093A1 (en) * | 2013-05-18 | 2014-11-20 | Brechtel Manufacturing, Inc. | Liquid ion detector |
| US9733268B2 (en) * | 2013-10-07 | 2017-08-15 | Hanking Electronics Ltd. | Systems and methods to determine stiction failures in MEMS devices |
| CN103675480B (zh) * | 2013-10-18 | 2016-08-17 | 中国科学院电子学研究所 | 双端固支压电梁式微型电场传感器 |
| CN104897144B (zh) * | 2015-05-29 | 2019-05-24 | 上海交通大学 | 多驱动电极模态耦合微固体模态陀螺 |
| DE102015216997A1 (de) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | Robert Bosch Gmbh | Kapazitive Struktur und Verfahren zum Bestimmen einer Ladungsmenge unter Verwendung der kapazitiven Struktur |
| CN107515336A (zh) * | 2016-06-17 | 2017-12-26 | 南京理工大学 | 一种低功耗谐振型电场传感器 |
| CN108931692A (zh) * | 2017-05-26 | 2018-12-04 | 北京中科飞龙传感技术有限责任公司 | 球载式mems探空电场传感器及其标定方法 |
| US10921360B2 (en) * | 2018-02-09 | 2021-02-16 | Hrl Laboratories, Llc | Dual magnetic and electric field quartz sensor |
| CN108508284A (zh) * | 2018-03-26 | 2018-09-07 | 中国科学院电子学研究所 | 一种基于扭转振动的互屏蔽式电场传感器 |
| US11360045B2 (en) * | 2018-07-31 | 2022-06-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Integrated biological sensing platform |
| CN109752120B (zh) * | 2019-01-21 | 2021-11-30 | 中国科学院电子学研究所 | 压阻拾振的微谐振器、激振/拾振电路及压力传感器 |
| CN112540239B (zh) * | 2019-09-20 | 2022-03-18 | 中国科学院电子学研究所 | 基于多结构耦合的微型电场传感器及其制备方法 |
| CN113640592A (zh) * | 2021-09-07 | 2021-11-12 | 清华大学 | 一种基于压电效应的声表面波电场传感器件 |
-
2021
- 2021-11-24 CN CN202111408915.2A patent/CN114113813B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114113813A (zh) | 2022-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900008300B1 (ko) | 각속도센서 | |
| KR101297654B1 (ko) | 평행판 전극 타입 공진형 센서의 온도 보상 방법과 온도 및 공진 제어루프 시스템 | |
| CN109655674B (zh) | 基于弱耦合微机械谐振器的微弱静电场测量装置及方法 | |
| CN106629571A (zh) | 一种基于模态局部化效应的弱耦合mems谐振式加速度计 | |
| US7886622B2 (en) | Method for processing detection signal of vibratory inertial force sensor and vibratory inertial force sensor | |
| CN114113813B (zh) | 一种自适应型mems电场传感器及其结构 | |
| CN108375371A (zh) | 一种基于模态局部化效应的四自由度弱耦合谐振式加速度计 | |
| JPH09280806A (ja) | 静電容量式変位計 | |
| US7107841B2 (en) | Capacitance-sensing vibratory gyro and method for detecting change in capacitance | |
| CN109813341A (zh) | 一种硅微机械陀螺驱动力耦合误差在线自校准系统 | |
| CN104596496B (zh) | 自适应时滞反馈控制微机械陀螺仪系统 | |
| CN110018330B (zh) | 基于调整结构补偿参数的硅微谐振式加速度计温度补偿算法 | |
| CN105180914A (zh) | 一种面内检测的高q值隧道磁阻效应的微机械陀螺 | |
| CN115479595A (zh) | 一种半球谐振陀螺分时复用参数辨识系统及方法 | |
| Miyazaki et al. | A 0.1 DEG/H Module-Level Silicon Mems Rate Integrating Gyroscope Using Virtually Rotated Donut-Mass Structure and Demonstration of the Earth's Rotation Detection | |
| US8978473B2 (en) | Electrodes and associated electronic circuits for a piezoelectric vibrating gyrometer | |
| CN212133679U (zh) | 一种陀螺传感器模块 | |
| CN111623759B (zh) | 一种加快微机电陀螺零偏稳定时间的方法 | |
| CN102136830B (zh) | 一种用于微机械谐振式器件的升频驱动控制方法 | |
| CN205175411U (zh) | 一种面内检测的高q值隧道磁阻效应的微机械陀螺 | |
| CN212363227U (zh) | 一种mems芯片级正交信号消除装置 | |
| CN113607151B (zh) | 一种基于时分驱动和正交电对消的石英陀螺误差抑制方法 | |
| CN113607150B (zh) | 一种时分驱动和正交力反馈闭环的石英陀螺误差抑制方法 | |
| CN113819898B (zh) | 一种正交力反馈闭环的小频差石英陀螺误差抑制方法 | |
| KR970002881B1 (ko) | 각속도 센서 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240508 Address after: No. 428 Aixihu Fourth Road, Nanchang High tech Industrial Development Zone, Nanchang City, Jiangxi Province (factory building) Patentee after: Nanchang Zhongke Feilong Sensor Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: Room 403, 4th floor, block C, Zhizao street, Zhongguancun, No. 45, Chengfu Road, Haidian District, Beijing 100089 Patentee before: BEIJING TFLYING TRANSDUCER TECHNOLOGY Co.,Ltd. Country or region before: China |