CN114093824B - 设置bga接口的微波毫米波芯片气密封装结构和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构和方法，包括基板BGA植球阵列结构，其上设置有气密基板，气密基板上表面设置芯片组件，基板BGA植球阵列结构穿过气密基板与芯片组件通信连接；气密基板上围绕芯片组件设置围框，围框上设置有气密盖板并形成气密腔；气密基板上设置有天线辐射件，气密腔内的气密基板上设置有键合端，天线辐射件穿过气密基板并与键合端连接，芯片组件通过键合端与天线辐射件通信连接。本发明使芯片组件通过键合端与天线辐射件进行连接，而气密腔外无需设置连接器或转接器，大大减小了链路损耗、封装结构的尺寸和成本，使得生产制造更为便捷高效，提高了封装结构的使用寿命和可靠性。

Description

设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构和方法
技术领域
本发明涉及芯片封装技术领域，具体涉及一种设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构和方法。
背景技术
芯片的气密封装可以大幅提升微波毫米波电路的使用寿命和长期可靠性，而优秀的芯片封装方案需要同时提升产品的性能、可制造性、小型化和降成本等。
目前，业界较为广泛的封装方法是将微波毫米波裸芯片通过焊接或粘接在微波毫米波电路上，再将微波毫米波电路板焊接或粘接在金属腔体内，腔体上通过气密性的高低频连接器与模块外部实现射频信号、控制信号和供电的互联，并采用封焊工艺进行气密封盖，实现裸芯片在模块级的气密封装，如专利CN111106464B《一种密封结构及采用该密封结构的TR模块》和CN109888449B《一种射频信号垂直传输的瓦片式TR模块》就属于该类设计。这种一体化TR模块设计方法直观，灵活度高，但存在较多的弊端，比如：其一，外接的射频连接器和低频连接器使用较多，连接器成本和焊接工序增加了产品的成本，提高了工艺难度，增加了产品的体积重量；且对于毫米波而言，连接器引入会增加链路的损耗；其二，一体化TR模块的腔体尺寸一般较大，对封盖的工艺要求较高，盖板容易出现鼓包或凹陷，影响产品的外形尺寸；且根据理论研究和工程经验，相同工艺条件下，腔体越大，气密性越差；其三，由于模块级封装，制造流程复杂，返修困难，生产过程中稍有环节控制不佳，就会造成良品率下降，不适用于大规模生产；其四，这种设计思路定制化程度较高，不复合搭积木的“模块化”设计思路，会影响项目的迭代周期。
因此，现有的芯片封装结构和工艺还存在亟待提升的空间，当今所需的高性能、小型化和低成本是市场的迫切需求，故需要提出更为合理有效的方法，解决现有技术中存在的问题。
发明内容
为了解决上述内容中提到的现有技术缺陷，本发明提供了设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构和方法，通过对封装结构的改进，极大的缩小了封装的尺寸，并且保证了芯片封装后的产品寿命和可靠性，这种器件级封装可以在PCB板上实现SMT表贴安装，大幅降低制造工艺，提高制造效率和一致性。
为了实现上述目的，本发明具体采用的技术方案是：
一种设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，包括基板BGA植球阵列结构，基板BGA植球阵列结构上设置有由若干层电路基板组成的气密基板，气密基板的上表面设置有芯片组件，所述的基板BGA植球阵列结构穿过气密基板与芯片组件通信连接；气密基板上围绕芯片组件设置围框，围框上设置有气密盖板并形成容纳芯片组件的气密腔；气密基板上设置有天线辐射件，气密腔内的气密基板上设置有键合端，天线辐射件穿过气密基板并与键合端连接，芯片组件通过键合端与天线辐射件通信连接。
上述公开的气密封装结构，通过基板BGA植球阵列结构作为底层，将气密基板设置于基板BGA植球阵列结构上，使芯片与基板BGA植球阵列结构一体集成，且芯片与天线辐射件通过键合端连接通信，天线辐射件与气密基板高度集成，气密腔内外部无需单独设置任何高低频连接器，使得本发明中的气密封装结构整体尺寸大大减小，气密腔处没有需要进行接线的连接器，整体封装结构也更为稳定可靠。芯片组件与基板BGA植球阵列结构进行通信连接，整个封装结构可直接贴合设置于PCB电路板上，大大减小了整体结构。
进一步的，本发明中所采用的天线辐射件结构经过优化，采用薄型的结构，其与气密基板相贴合能够极大的减小封装结构的尺寸，具体的，本发明中进行优化并举出如下一种具体可行的天线辐射件设置方案：所述的天线辐射件贴合在气密基板中的任一层电路基板上，且天线辐射件和基板BGA植球阵列结构分别通过垂直于基板的过渡延伸结构向上延伸进入气密腔并连接至键合端。采用如此方案时，天线辐射件与气密基板集成度高，基本不增加气密基板的整体尺寸，且从气密基板上延伸至气密腔内，无需设置连接器即可与芯片组件实现通信连接，减少了封装结构的复杂性，提高了封装结构的可靠性。
再进一步，本发明中的天线辐射件结构可进行扁平设计，贴合于电路基板上，其设置方式并不唯一限定；具体的，此处进行优化设置并举出如下一种可行的选择：所述的天线辐射件贴合在相邻两层气密基板之间且上方的气密基板将天线辐射件覆盖。采用如此方案时，由于天线辐射件的上方有电路基板进行覆盖设计，可避免天线辐射件裸露，进而达到了保护天线辐射件的作用。
再进一步，为了提高芯片组件的散热性能，此处进行优化并举出如下一种可行的选择：所述的芯片组件与气密盖板之间设置有导热垫片。采用如此方案时，芯片组件所产生的热量通过导热垫片传递至气密盖板，再通过气密盖板传递至外部，减少了气密腔内的热量，便于芯片组件运行稳定可靠的。
再进一步，在本发明中，芯片组件能够采用多种可行的方式与键合端之间实现连接通信，为了提高连接的可靠性，同时减小气体密封结构的尺寸，此处进行优化设置并举出其中一种可行的选择：所述的芯片组件与键合端之间通过引线键合或采用平面扇出型互联。采用如此方案时，引线键合或平面扇出型互联均简化了芯片组件的连接通信结构，免除了设置连接器或转接器等结构，减小了气密封装结构的整体尺寸，提高了结构的稳定可靠性。
上述内容说明了一种设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，本发明还公开了其他可行的封装结构方案，现进行说明。
一种设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，包括基板BGA植球阵列结构，基板BGA植球阵列结构上设置有由若干层电路基板组成的气密基板，气密基板上设置有用于设置芯片组件的凹槽，芯片组件设置于凹槽内且与气密基板贴合，所述的基板BGA植球阵列结构穿过气密基板与芯片组件通信连接；气密基板上围绕芯片组件设置围框，围框上设置有气密盖板并形成容纳芯片组件的气密腔；气密基板上设置有天线辐射件，气密腔内的气密基板上设置有键合端，天线辐射件穿过气密基板并与键合端连接，芯片组件通过键合端与天线辐射件通信连接。
此处公开的气密封装结构，将芯片组件嵌入到气密基板中，能够更进一步的减少封装结构的尺寸，即芯片组件处的气密腔容积可进一步减小。
进一步的，在此处的天线辐射件仍然采用扁平薄型结构，具体的，此处进行优化并举出其中一种可行的选择：所述的天线辐射件贴合在气密基板中的任一层电路基板上，且天线辐射件和基板BGA植球阵列结构分别通过垂直于基板的过渡延伸结构向上延伸进入气密腔并连接至键合端。
本发明在公开气密封装结构的基础上，分别对应公开了实现气密封装的方法，现进行具体说明：
一种设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装方法，应用于所述的设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，包括：
设置气密基板，将若干层电路基板进行组合，同时设置天线辐射件，并在气密基板上设置键合端与过渡延伸结构；
将芯片组件连接固定至气密基板，且将芯片组件的连接端与键合端对应连接以实现芯片组件与气密基板的信号互联；
在气密基板上设置边框将芯片组件包围，并将气密盖板设置于边框上以形成气密腔；
将基板BGA植球阵列结构设置固定于气密基板的底部。
此处公开的气密封装方法，直接将芯片组件连接固定在气密基板上，整个封装过程简单高效，封装结构稳定可靠，且尺寸小，便于长期使用。
此外，本发明还公开了一种设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装方法，应用于所述的设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，包括：
设置气密基板，将若干层电路基板进行组合，同时设置天线辐射件，并在气密基板上设置键合端与过渡延伸结构；
将芯片组件移动至凹槽处并将芯片组件与气密基板连接固定，且将芯片组件的连接端与键合端对应连接以实现芯片组件与气密基板的信号互联；
在气密基板上设置边框将芯片组件包围，并将气密盖板设置于边框上以形成气密腔；
将基板BGA植球阵列结构设置固定于气密基板的底部。
此处公开的气密封装方法，将芯片组件设置于气密基板上，通过在气密基板上开孔，进一步的减小了封装结构的尺寸。
与现有技术相比，本发明具有的有益效果是：
本发明所公开的气密封装结构，使芯片组件通过键合端与天线辐射件进行通信连接，而气密腔外无需设置连接器或转接器进行连接通信，大大减小了链路损耗、封装结构的尺寸和成本，使得生产制造更为便捷高效，也避免了插拔结构对封装结构可靠性的影响，从而便于提高封装结构的使用寿命和使用可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅表示出了本发明的部分实施例，因此不应看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
图1为将芯片组件设置于气密基板上的气密封装结构示意图。
图2为将芯片组件设置于凹槽处的气密封装结构示意图。
图3为采用平面扇出型互联的结构示意图。
图4为设置芯片GBA植球阵列结构后的封装结构示意图。
图5为设置导热垫片后的封装结构示意图。
上述附图中，各个标记的含义为：1、基板BGA植球阵列结构；2、气密基板；3、天线辐射件；4、围框；5、盖板；6、过渡延伸结构；7、引线键合；8、芯片组件；9、键合端；10、芯片BGA植球阵列结构；11、平面扇出型互联；12、导热垫片。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本发明做进一步阐释。
在此需要说明的是，对于这些实施例方式的说明用于帮助理解本发明，但并不构成对本发明的限定。本文公开的特定结构和功能细节仅用于描述本发明的示例实施例。然而，可用很多备选的形式来体现本发明，并且不应当理解为本发明限制在本文阐述的实施例中。
实施例1
如图1所示，一种设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，包括基板BGA植球阵列结构1，基板BGA植球阵列结构1上设置有由若干层电路基板组成的气密基板2，气密基板2的上表面设置有芯片组件8，所述的基板BGA植球阵列结构1穿过气密基板2与芯片组件8通信连接；气密基板2上围绕芯片组件8设置围框4，围框4上设置有气密盖板5并形成容纳芯片组件8的气密腔；气密基板2上设置有天线辐射件3，气密腔内的气密基板2上设置有键合端9，天线辐射件3穿过气密基板2并与键合端9连接，芯片组件8通过键合端9与天线辐射件3通信连接；同时天线辐射件3穿过气密基板2与基板BGA植球阵列结构1通信连接。
上述公开的气密封装结构，通过基板BGA植球阵列结构1作为底层，将气密基板2设置于基板BGA植球阵列结构1上，使芯片与基板BGA植球阵列结构1一体集成，且芯片与天线辐射件3通过键合端9连接通信，天线辐射件3与气密基板2高度集成，气密腔内外部无需单独设置任何高低频连接器，使得本实施例中的气密封装结构整体尺寸大大减小，气密腔处没有需要进行接线的连接器，整体封装结构也更为稳定可靠。
优选的，所述的芯片组件8除了射频功能外，还可以包含控制、供电等功能，可以是单一高密度集成芯片，也可以是诸如Si、GaAs或GaN等多种芯片制成工艺、多颗芯片的搭配，通过平面分平铺信号互联或三维堆叠形成的芯片组合。
优选的，所述的电路基板可采用气密微波材料制成，要具备在使用频段内具备较好的微波性能，可以是氧化铝、氮化铝、石英等薄膜基板，也可以是LTCC、HTCC等厚膜基板。根据设计需要，所述基板上除了有射频电路外，还可以集成控制电路、供电电路等。
优选的，本实施例中的基板BGA植球阵列结构1、围框4和气密盖板5均采用金属材料制成。所述金属围框4的热膨胀系数应与所述气密基板2接近，一般二者的热膨胀系数差值不应超过10％，这样有利于提升封装结构的气密性和长期可靠性；同理，所述盖板5和所述金属围框4的热膨胀系数的差值也应控制在10％以内。所述基板BGA植球阵列结构1置于所述气密基板2下方，一般通过粘接或焊接结合在一起。所述基板BGA植球阵列结构1的使用是为了将该气密封装能很好的和后端的系统高效率集成，一方面是对所述气密基板2的结合起到支撑作用，另一方面是为了匹配所述基板和后端模块金属腔体的热膨胀系数，提升产品的长期可靠性。因此，所述基板BGA植球阵列结构1的热膨胀系数值一般介于所述气密基板2和模块金属腔体之间。
本实施例中所采用的天线辐射件3结构经过优化，采用薄型的结构，其与气密基板2相贴合能够极大的减小封装结构的尺寸，具体的，本实施例中进行优化并采用如下一种具体可行的天线辐射件3设置方案：所述的天线辐射件3贴合在气密基板2中的任一层电路基板上，且天线辐射件3和基板BGA植球阵列结构1分别通过垂直于基板的过渡延伸结构6向上延伸进入气密腔并连接至键合端9，同时，天线辐射件3通过气密基板上的过渡延伸结构6与基板GBA植球阵列结构1进行通信连接。采用如此方案时，天线辐射件3与气密基板2集成度高，基本不增加气密基板2的整体尺寸，且从气密基板2上延伸至气密腔内，无需设置连接器即可与芯片组件8实现通信连接，减少了封装结构的复杂性，提高了封装结构的可靠性。
优选的，所述天线辐射件3采用端射形式，其与封装内芯片组件8的输出Pad几乎在同一平面，这样有利于提升性能、降低损耗。
本实施例中的天线辐射件3结构可进行扁平设计，贴合于电路基板上，其设置方式并不唯一限定；在一些实施例中，天线辐射件3设置于顶层的电路基板上，而此处进行优化设置并采用如下一种可行的选择：所述的天线辐射件3贴合在相邻两层气密基板2之间且上方的气密基板2将天线辐射件3覆盖。采用如此方案时，由于天线辐射件3的上方有电路基板进行覆盖设计，可避免天线辐射件3裸露，进而达到了保护天线辐射件3的作用。
在本实施例中，芯片组件8能够采用多种可行的方式与键合端9之间实现连接通信，为了提高连接的可靠性，同时减小气体密封结构的尺寸，此处进行优化设置并采用其中一种可行的选择：所述的芯片组件8与键合端9之间通过引线键合7或采用平面扇出型互联11。采用如此方案时，引线键合7或平面扇出型互联11均简化了芯片组件8的连接通信结构，免除了设置连接器或转接器等结构，减小了气密封装结构的整体尺寸，提高了结构的稳定可靠性。
如图2、图3所示，当采用平面扇出型互联11时，天线辐射件3过渡到多层电路基板的中间层，这种方式会存在一定的介质损耗，但有利于避免天线辐射件3长期裸露在空气中从而影响其长期可靠性。
这样设置时，芯片组件8的射频信号通过引线键合7或平面扇出型互联11与基板上的键合Pad进行互联，再通过垂直过渡将芯片组件Pad的射频信号过渡到下一层，绕开金属腔体转接到天线辐射件3上，避免射频信号和金属围框4的短接。
通过上述内容，可知本实施例所公开的封装结构大大减小了封装的体积，提高了封装后的稳定性和可靠性，可以采用成熟的SMT进行表贴，实现小型化的同时，节约了成本，提高了产品可制造性和性能一致性。
实施例2
上述实施例1的内容说明了一种设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，本实施例还公开了其他可行的封装结构方案，现进行说明。
本实施例对芯片组件8的设置结构进行优化设置，具体如下：
如图4所示，所述的气密基板2的上表面设置有芯片BGA植球阵列结构10，芯片组件8的键合端与芯片BGA植球阵列结构10键合连接；所述的芯片BGA植球阵列结构10通过穿过气密基板与基板BGA植球阵列结构1通信连接。采用如此方案时，芯片组件反向设置，通过芯片BGA植球阵列结构与气密基板实现连接并与基板BGA植球阵列结构实现通信，将芯片组件的指令通过基板BGA植球阵列结构传递至外部。
在本实施例中，芯片组件产生的热量通过芯片BGA植球阵列结构传递至气密基板，再传递至基板BGA植球阵列结构后传递至外部PCB板，散热路径较长，不利于热量的快速散失。
优选的，如图5所示，为了提高芯片组件的散热性能，此处进行优化并采用如下一种可行的选择：所述的芯片组件与气密盖板之间设置有导热垫片12。采用如此方案时，芯片组件所产生的热量通过导热垫片传递至气密盖板，再通过气密盖板传递至外部，减少了气密腔内的热量，便于芯片组件运行稳定可靠。
本实施例中未述及的其他部位和结构均与实施例1中相同，此处就不再赘述。
实施例3
上述实施例1的内容说明了一种设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，本实施例还公开了其他可行的封装结构方案，现进行说明。
本实施例对芯片组件的设置进行了优化改进，具体的：
如图2和图3所示，一种设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，包括基板BGA植球阵列结构1，基板BGA植球阵列结构1上设置有由若干层电路基板组成的气密基板2，气密基板2上设置有用于设置芯片组件8的凹槽，芯片组件8设置于凹槽内且与基板BGA植球阵列结构1贴合；气密基板2上围绕芯片组件8设置围框4，围框4上设置有气密盖板5并形成容纳芯片组件8的气密腔；气密基板2上设置有天线辐射件3，气密腔内的气密基板2上设置有键合端9，天线辐射件3穿过气密基板2并与键合端9连接，芯片组件8通过键合端9与天线辐射件3通信连接。
此处公开的气密封装结构，将芯片组件8设置于气密基板2的凹槽内，基板BGA植球阵列结构1一般采用传热性能良好的金属材料制成，因此此处的气密封装结构能够提供更好的散热效果，同时芯片组件8嵌入到气密基板2中，能够更进一步的减少封装结构的尺寸，即芯片组件8处的气密腔容积可进一步减小。
在此处的天线辐射件3仍然采用扁平薄型结构，具体的，此处进行优化并采用其中一种可行的选择：所述的天线辐射件3贴合在气密基板2中的任一层电路基板上，且天线辐射件3和基板BGA植球阵列结构1分别通过垂直于基板的过渡延伸结构6向上延伸进入气密腔并连接至键合端9。
本实施例中改进了芯片组件与气密基板2的连接设置结构，其余部件和结构与实施例1中相同，此处就不再赘述。
实施例4
本实施例在上述实施例1公开的气密封装结构的基础上，对应公开了实现气密封装的方法，现进行具体说明：
一种设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装方法，应用于所述的设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，包括：
设置气密基板2，将若干层电路基板进行组合，同时设置天线辐射件3，并在气密基板2上设置键合端9与过渡延伸结构6；
将芯片组件8连接固定至气密基板2，且将芯片组件8的连接端与键合端9对应连接以实现芯片组件8与气密基板2的信号互联；
在气密基板2上设置边框将芯片组件8包围，并将气密盖板5设置于边框上以形成气密腔；
将基板BGA植球阵列结构1设置固定于气密基板2的底部。
本实施例公开的气密封装方法，直接将芯片组件8连接固定在气密基板2上，整个封装过程简单高效，封装结构稳定可靠，且尺寸小，便于长期使用。
实施例5
本实施例在上述实施例3公开的气密封装结构的基础上，对应公开了实现气密封装的方法，现进行具体说明：
一种设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装方法，应用于所述的设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，包括：
设置气密基板2，将若干层电路基板进行组合，同时设置天线辐射件3，并在气密基板2上设置键合端9与过渡延伸结构6；
将基板BGA植球阵列结构1设置固定于气密基板2的底部；
将芯片组件8移动至凹槽处，并将芯片组件8与气密基板2连接固定，且将芯片组件8的连接端与键合端9对应连接以实现芯片组件8与气密基板2的信号互联；
在气密基板2上设置边框将芯片组件8包围，并将气密盖板5设置于边框上以形成气密腔。
此处公开的气密封装方法，将芯片组件8设置于气密基板2上，通过在气密基板2上开槽，进一步的减小了封装结构的尺寸，同时气密基板2和基板BGA植球阵列结构1采用散热性能良好的金属材料制成，可大大提高芯片组件8的散热，因而便于芯片组件8更加高效的运行。
以上即为本实施例列举的实施方式，但本实施例不局限于上述可选的实施方式，本领域技术人员可根据上述方式相互任意组合得到其他多种实施方式，任何人在本实施例的启示下都可得出其他各种形式的实施方式。上述具体实施方式不应理解成对本实施例的保护范围的限制，本实施例的保护范围应当以权利要求书中界定的为准，并且说明书可以用于解释权利要求书。

Claims (8)

1.设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，其特征在于：包括基板BGA植球阵列结构(1)，基板BGA植球阵列结构(1)上设置有由若干层电路基板组成的气密基板(2)，气密基板(2)的上表面设置有芯片组件(8)，所述的基板BGA植球阵列结构(1)穿过气密基板(2)与芯片组件(8)通信连接；气密基板(2)上围绕芯片组件(8)设置围框(4)，围框(4)上设置有气密盖板(5)并形成容纳芯片组件(8)的气密腔；气密基板(2)上设置有天线辐射件(3)，气密腔内的气密基板(2)上设置有键合端(9)，天线辐射件(3)穿过气密基板(2)并与键合端(9)连接，芯片组件(8)通过键合端(9)与天线辐射件(3)通信连接；所述的气密基板(2)的上表面设置有芯片BGA植球阵列结构(10)，芯片组件(8)的键合端与芯片BGA植球阵列结构(10)键合连接；所述的芯片BGA植球阵列结构(10)穿过气密基板与基板BGA植球阵列结构(1)通信连接；所述的芯片组件(8)与气密盖板(5)之间设置有导热垫片(12)。
2.根据权利要求1所述的设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，其特征在于：所述的天线辐射件(3)贴合在气密基板(2)中的任一层电路基板上，且天线辐射件(3)和基板BGA植球阵列结构(1)分别通过垂直于基板的过渡延伸结构(6)向上延伸进入气密腔并连接至键合端(9)。
3.根据权利要求2所述的设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，其特征在于：所述的天线辐射件(3)贴合在相邻两层气密基板(2)之间且上方的气密基板(2)将天线辐射件(3)覆盖。
4.根据权利要求1所述的设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，其特征在于：所述的芯片组件(8)与键合端(9)之间通过引线键合(7)或采用平面扇出型互联(11)。
5.设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，其特征在于：包括基板BGA植球阵列结构(1)，基板BGA植球阵列结构(1)上设置有由若干层电路基板组成的气密基板(2)，气密基板(2)上设置有用于设置芯片组件(8)的凹槽，芯片组件(8)设置于凹槽内且与气密基板贴合，所述的基板BGA植球阵列结构(1)穿过气密基板(2)与芯片组件(8)通信连接；气密基板(2)上围绕芯片组件(8)设置围框(4)，围框(4)上设置有气密盖板(5)并形成容纳芯片组件(8)的气密腔；气密基板(2)上设置有天线辐射件(3)，气密腔内的气密基板(2)上设置有键合端(9)，天线辐射件(3)穿过气密基板(2)并与键合端(9)连接，芯片组件(8)通过键合端(9)与天线辐射件(3)通信连接。
6.根据权利要求5所述的设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，其特征在于：所述的天线辐射件(3)贴合在气密基板(2)中的任一层电路基板上，且天线辐射件(3)和基板BGA植球阵列结构(1)分别通过垂直于基板的过渡延伸结构(6)向上延伸进入气密腔并连接至键合端(9)。
7.设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装方法，应用于权利要求1～4中任一项所述的设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，其特征在于，包括：
设置气密基板(2)，将若干层电路基板进行组合，同时设置天线辐射件(3)，并在气密基板(2)上设置键合端(9)与过渡延伸结构(6)；
将芯片组件(8)连接固定至气密基板(2)，且将芯片组件(8)的连接端与键合端(9)对应连接以实现芯片组件(8)与气密基板(2)的信号互联；
在气密基板(2)上设置边框将芯片组件(8)包围，并将气密盖板(5)设置于边框上以形成气密腔；
将基板BGA植球阵列结构(1)设置固定于气密基板(2)的底部。
8.设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装方法，应用于权利要求5～6中任一项所述的设置BGA接口的微波毫米波芯片气密封装结构，其特征在于，包括：
设置气密基板(2)，将若干层电路基板进行组合，同时设置天线辐射件(3)，并在气密基板(2)上设置键合端(9)与过渡延伸结构(6)；
将芯片组件(8)移动至凹槽处并将芯片组件(8)与气密基板(2)连接固定，且将芯片组件(8)的连接端与键合端(9)对应连接以实现芯片组件(8)与气密基板(2)的信号互联；
在气密基板(2)上设置边框将芯片组件(8)包围，并将气密盖板(5)设置于边框上以形成气密腔；
将基板BGA植球阵列结构(1)设置固定于气密基板(2)的底部。
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