CN114067722A - 像素驱动电路、显示面板及像素驱动方法 - Google Patents

像素驱动电路、显示面板及像素驱动方法 Download PDF

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CN114067722A
CN114067722A CN202010785208.4A CN202010785208A CN114067722A CN 114067722 A CN114067722 A CN 114067722A CN 202010785208 A CN202010785208 A CN 202010785208A CN 114067722 A CN114067722 A CN 114067722A
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transistor
driving
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康佳昊
王劭文
袁泽
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    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels

Abstract

本申请提供了一种像素驱动电路，用于驱动发光单元发光，像素驱动电路包括：驱动子电路、检测子电路、及处理子电路，驱动子电路用于接收第一数据信号，检测子电路用于读取驱动子电路输出的电信号，以得到检测信号，并传输至处理子电路，处理子电路根据检测信号对第一数据信号进行补偿，以得到第二数据信号，驱动子电路根据第二数据信号驱动发光单元发光。检测子电路根据由驱动子电路中得到的检测信号，对第一数据信号进行补偿，能够有效解决驱动子电路随着工作时间的增加使其中的电子元器件的参数发生变化，从而影响到驱动发光单元发光的技术问题。本申请还提供了一种显示面板及像素驱动方法。

Description

像素驱动电路、显示面板及像素驱动方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其是涉及一种像素驱动电路、显示面板及像素驱动方法。
背景技术
随着电子设备的发展，显示技术一直以来是相关技术中重要的研究领域之一。通常采用晶体管驱动像素单元发光，以进行显示。随着晶体管的工作时间增加，晶体管的阈值电压发生变化，从而影响到像素单元的发光，可能造成显示不正确等错误出现。
发明内容
本申请公开了一种像素驱动电路，能够解决晶体管阈值电压发生变化，从而影响像素单元发光的技术问题。
第一方面，本申请提供了一种像素驱动电路，用于驱动发光单元发光，所述像素驱动电路包括：驱动子电路、检测子电路、及处理子电路，所述驱动子电路用于接收第一数据信号，所述检测子电路用于读取所述驱动子电路输出的电信号，以得到检测信号，并传输至所述处理子电路，所述处理子电路根据所述检测信号对所述第一数据信号进行补偿，以得到所述第二数据信号，所述驱动子电路根据所述第二数据信号驱动所述发光单元发光。
所述检测子电路根据由所述驱动子电路中得到的所述检测信号，对所述第一数据信号进行补偿，能够有效解决所述驱动子电路随着工作时间的增加使其中的电子元器件的参数发生变化，从而影响到驱动所述发光单元发光的技术问题。
第二方面，本申请还提供了一种显示面板，所述显示面板包括阵列排布的多个发光单元以及如第一方面所述的多个像素驱动电路，所述像素驱动电路用于驱动所述发光单元工作。
第三方面，本申请还提供了一种像素驱动方法，所述像素驱动方法包括：
初始化阶段，检测子电路将驱动晶体管的检测端的电压值初始化至初始化电压；
检测阶段，驱动晶体管在第一数据信号的加载下产生源漏极电流，检测子电路检测驱动晶体管的电流值或电压值，以得到检测信号；
补偿阶段，根据检测信号对第一数据信号进行补偿，以得到第二数据信号；
发光阶段，驱动晶体管根据第二数据信号驱动发光单元发光。
附图说明
为了更清楚的说明本申请实施方式中的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见的，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请第一实施方式提供的像素驱动电路框架示意图。
图2为本申请一实施例提供的驱动子电路示意图。
图3为本申请一实施例提供的驱动子电路示意图。
图4为本申请一实施例提供的像素驱动电路示意图。
图5为本申请一实施例提供的像素驱动电路示意图。
图6为本申请一实施例提供的像素驱动电路示意图。
图7为本申请一实施例提供的P型晶体管示意图。
图8为本申请一实施例提供的N型晶体管示意图。
图9为本申请一实施例提供的显示面板俯视示意图。
图10为本申请一实施例提供的像素驱动方法流程示意图。
图11为本申请一实施例提供的时序信号示意图。
图12为本申请一实施例提供的时序信号示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请实施方式中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
本申请提供了一种像素驱动电路1，用于驱动发光单元21发光，请参阅图1，图1为本申请第一实施方式提供的像素驱动电路框架示意图。所述像素驱动电路1包括：驱动子电路11、检测子电路12、及处理子电路13。所述驱动子电路11用于接收第一数据信号Vref/Vdata0，所述检测子电路12用于读取所述驱动子电路11输出的电信号，以得到检测信号，并传输至所述处理子电路13。所述处理子电路13根据所述检测信号对所述第一数据信号Vref/Vdata0进行补偿，以得到所述第二数据信号Vdata。所述驱动子电路11根据所述第二数据信号Vdata驱动所述发光单元21发光。
需要说明的是，在传统的像素驱动电路1中，所述驱动子电路11根据所述第一数据信号Vref/Vdata0驱动所述发光单元21发光。随着所述驱动子电路11工作时间的增加，所述驱动子电路11中的电子元器件的参数发生变化，所述驱动子电路11接收的所述第一数据信号Vref/Vdata0受到影响，导致所述驱动子电路11无法正确的驱动所述发光单元21发光。
具体的，在本实施例中，所述检测子电路12读取所述驱动子电路11输出的电信号，可以是读取所述驱动子电路11输出的电流值，也可以是读取所述驱动子电路11输出的电压值，以得到所述检测信号。通常情况下，所述处理子电路13被封装为具有运算能力的芯片。由于所述驱动子电路11中的电子元器件的参数发生变化，导致所述第一数据信号Vref/Vdata0与实际上驱动所述发光单元21的数据信号不符，因此，需要所述处理子电路13根据所述检测信号对所述第一数据信号Vref/Vdata0进行补偿，以得到所述第二数据信号Vdata。
可以理解的，在本实施例中，所述检测子电路12根据由所述驱动子电路11中得到的所述检测信号，对所述第一数据信号Vref/Vdata0进行补偿，能够有效解决所述驱动子电路11随着工作时间的增加使其中的电子元器件的参数发生变化，从而影响到驱动所述发光单元21发光的技术问题。
在一种可能的实施例中，请一并参阅图2，图2为本申请一实施例提供的驱动子电路示意图。所述驱动子电路11包括开关晶体管T1及驱动晶体管T2。所述开关晶体管T1用于接收所述第一数据信号Vref/Vdata0，并将所述第一数据信号Vref/Vdata0传输至所述驱动晶体管T2。所述驱动晶体管T2在所述第一数据信号Vref/Vdata0的加载下产生源漏极电流，所述检测子电路12读取所述驱动晶体管T2输出的电压值，以得到所述检测信号。所述处理子电路13根据所述电压值以及所述驱动晶体管T2的初始电压阈值，计算得出所述驱动晶体管T2的阈值电压变化值，并根据所述阈值电压变化值对所述第一数据信号Vref/Vdata0进行补偿。
具体的，所述驱动晶体管T2在所述第一数据信号Vref/Vdata0的加载下产生源漏极电流，且随着所述驱动晶体管T2工作时间的增加，所述驱动晶体管T2的阈值电压发生变化，导致所述驱动晶体管T2输出的电压值发生变化。在本实施例中，所述检测子电路12读取所述驱动晶体管T2输出的电压值作为所述检测信号，且所述处理子电路13可根据如下公式计算得出所述驱动晶体管T2的阈值电压变化值。
ΔVT＝Vref-Vsense-VT0
其中，ΔVT为所述驱动晶体管T2的阈值电压变化值，Vref为所述第一数据信号Vref/Vdata0输出的电压值，Vsense为所述检测子电路12读取所述驱动晶体管T2的电压值，VT0为所述驱动晶体管T2的初始电压阈值。
具体的，所述处理子电路13可根据如下公式对所述第一数据信号Vref/Vdata0进行补偿。
Vdata＝Vdata0+ΔVT
其中，Vdata为所述第二数据信号Vdata输出的电压值，Vdata0为所述第一数据信号Vref/Vdata0输出的电压值。需要说明的是，所述第一数据信号Vref/Vdata0在不同的时间段可以输出不同的电压值，在本实施例中，分别为Vref及Vdata0。
可以理解的，在本实施例中，所述处理子电路13根据所述阈值电压变化值对所述第一数据信号Vref/Vdata0进行补偿，能够有效解决所述驱动晶体管T2随着工作时间的增加使其阈值电压发生变化，从而影响到驱动所述发光单元21发光的技术问题。
在一种可能的实施例中，请一并参阅图3，图3为本申请一实施例提供的驱动子电路示意图。所述驱动子电路11包括开关晶体管T1及驱动晶体管T2。所述开关晶体管T1用于接收所述第一数据信号Vref/Vdata0，并将所述第一数据信号Vref/Vdata0传输至所述驱动晶体管T2。所述驱动晶体管T2在所述第一数据信号Vref/Vdata0的加载下产生源漏极电流，所述检测子电路12读取所述驱动晶体管T2输出的电流值，以得到所述检测信号。所述处理子电路13根据所述电流值以及所述驱动晶体管T2的初始电压阈值，计算得出所述驱动晶体管T2的阈值电压变化值，并根据所述阈值电压变化值对所述第一数据信号Vref/Vdata0进行补偿。
具体的，在本实施例中，所述驱动晶体管T2的一端还用于接收第一电压信号VDD。所述驱动晶体管T2在所述第一数据信号Vref/Vdata0的加载下产生源漏极电流，且随着所述驱动晶体管T2工作时间的增加，所述驱动晶体管T2的阈值电压发生变化，导致所述驱动晶体管T2输出的电流值发生变化。在本实施例中，所述检测子电路12读取所述驱动晶体管T2输出的电流值作为所述检测信号，且所述处理子电路13可根据如下公式计算得出所述驱动晶体管T2的阈值电压变化值。
Figure BDA0002621694080000051
ΔVT＝VT-VT0
其中，Iref为所述驱动晶体管T2输出的电流值，μ、C、W、L为常数，VDD为第一电压信号VDD输出的电压值，Vref为第一数据信号Vref/Vdata0输出的电压值。
与上一实施例相同的是，所述处理子电路13根据所述阈值电压变化值对所述第一数据信号Vref/Vdata0相加进行补偿，以得到所述第二数据信号Vdata。
在一种可能的实施例中，请一并参阅图4，图4为本申请一实施例提供的像素驱动电路示意图。所述检测子电路12包括检测晶体管T3。所述检测晶体管T3的栅极g接收第二扫描信号Sense，所述第二扫描信号Sense控制所述检测晶体管T3的通断。所述检测晶体管T3的源极s电连接所述驱动晶体管T2的检测端，所述检测晶体管T3的漏极d用于向所述处理子电路13传输所述检测信号。所述发光单元21包括第一电极211及第二电极212，所述第一电极211电连接所述驱动晶体管T2的源极s，所述第二电极212用于接收第一电压信号VDD。所述驱动晶体管T2的漏极d用于接收第二电压信号VSS，所述发光单元21在所述第一电压信号VDD、第二电压信号VSS及所述第二数据信号Vdata的驱动下发光。
具体的，当所述第二扫描信号Sense控制所述检测晶体管T3开启时，所述检测信号通过所述检测晶体管T3的漏极d传输至所述处理子电路13。在本实施例中，请再次参阅图4，所述开关晶体管T1的栅极g用于接收第一扫描信号Scan，所述第一扫描信号Scan用于控制所述开关晶体管T1的通断。所述开关晶体管T1的漏极d用于接收所述第一数据信号Vref/Vdata0，所述开关晶体管T1的源极s电连接所述驱动晶体管T2的栅极g。所述像素驱动电路1还包括存储电容C1，所述存储电容C1的一端电连接所述开关晶体管T1的源极s。所述存储电容C1的另一端电连接所述驱动晶体管T2的源极s，所述驱动晶体管T2的源极s作为所述检测端。
具体的，当所述第一扫描信号Scan控制所述开关晶体管T1开启时，所述开关晶体管T1将所述第一数据信号Vref/Vdata0传输至所述驱动晶体管T2。所述存储电容C1用于存储所述驱动晶体管T2的栅极g及所述驱动晶体管T2的源极s之间的电压值，所述驱动晶体管T2放电并输出电信号。所述检测晶体管T3源极s电连接所述驱动晶体管T2的源极s，以读取所述驱动晶体管T2输出的电信号，得到所述检测信号。
在一种可能的实施例中，请一并参阅图5，图5为本申请一实施例提供的像素驱动电路示意图。所述检测子电路12包括检测晶体管T3。所述检测晶体管T3的栅极g用于接收第二扫描信号Sense，所述第二扫描信号Sense用于控制所述检测晶体管T3的通断。所述检测晶体管T3的源极s电连接所述驱动晶体管T2的检测端，所述检测晶体管T3的漏极d用于向所述处理子电路13传输所述检测信号。所述发光单元21包括第一电极211及第二电极212，所述第二电极212电连接所述驱动晶体管T2的漏极d，所述第一电极211用于接收第二电压信号VSS。所述驱动晶体管T2的源极s用于接收第一电压信号VDD，所述发光单元21在所述第一电压信号VDD、第二电压信号VSS及所述第二数据信号Vdata的驱动下发光。
具体的，在本实施例中，所述开关晶体管T1的栅极g用于接收第一扫描信号Scan，所述第一扫描信号Scan用于控制所述开关晶体管T1的通断，所述开关晶体管T1的漏极d用于接收所述第一数据信号Vref/Vdata0。所述像素驱动电路1还包括存储电容C1，所述存储电容C1的一端电连接所述开关晶体管T1的源极s及所述驱动晶体管T2的栅极g。所述存储电容C1的另一端电连接所述驱动晶体管T2的源极s，所述驱动晶体管T2的漏极d作为所述检测端。
可以理解的，与上一实施例不同的是，所述驱动晶体管T2作为所述检测端的电极不同，换句话说，所述检测晶体管T3的源极s与所述驱动晶体管T2电连接的端点不同。并且，在上一实施例中，所述发光单元21共用所述第二电极212，在本实施例中，所述发光单元21共用所述第一电极211。可以理解的，根据电路设计的不同需求，可以采用不同的所述驱动晶体管T2的电极作为所述检测端，本申请对此不加以限制。
在一种可能的实施例中，请一并参阅图6，图6为本申请一实施例提供的像素驱动电路示意图。所述检测子电路12包括检测晶体管T3。所述检测晶体管T3的栅极g用于接收第二扫描信号Sense，所述第二扫描信号Sense用于控制所述检测晶体管T3的通断。所述检测晶体管T3的源极s电连接所述驱动晶体管T2的检测端，所述检测晶体管T3的漏极d用于向所述处理子电路13传输所述检测信号。所述发光单元21包括第一电极211及第二电极212，所述第二电极212电连接所述驱动晶体管T2的漏极d，所述第一电极211用于接收第二电压信号VSS。所述像素驱动电路1还包括使能晶体管T4，所述驱动晶体管T2的源极s通过所述使能晶体管T4接收第一电压信号VDD。所述发光单元21在所述第一电压信号VDD、第二电压信号VSS及所述第二数据信号Vdata的驱动下发光。
具体的，在本实施例中，所述开关晶体管T1的栅极g用于接收第一扫描信号Scan，所述第一扫描信号Scan用于控制所述开关晶体管T1的通断，所述开关晶体管T1的漏极d用于接收所述第一数据信号Vref/Vdata0。所述像素驱动电路1还包括存储电容C1，所述存储电容C1的一端电连接所述开关晶体管T1的源极s及所述驱动晶体管T2的栅极g。所述存储电容C1的另一端电连接所述驱动晶体管T2的源极s，所述使能晶体管T4的栅极g用于接收使能信号Vem，所述使能信号Vem用于控制所述使能晶体管T4的通断。所述使能晶体管T4的漏极d电连接所述驱动晶体管T2的源极s，所述使能晶体管T4的源极s用于接收第一电压信号VDD，所述驱动晶体管T2的源极s作为所述检测端。
可以理解的，与一实施例不同的是，由于所述使能晶体管T4的源极s接收所述第一电压信号VDD，通过所述使能信号Vem控制所述使能晶体管T4的通断，可调整所述驱动晶体管T2的源极s电压值，使得所述处理子电路13可以通过所述检测晶体管T3对所述驱动晶体管T2的源极s进行初始化。
在一种可能的实施例中，所述驱动晶体管T2由低温多晶硅构成。
具体的，由低温多晶硅构成的所述驱动晶体管T2具有粒子高迁移率的特性，因此，在电路设计上，可缩小电路的剖面大小，增大开口率。
在一种可能的实施例中，请一并参阅图7，图7为本申请一实施例提供的P型晶体管示意图。所述驱动晶体管T2为P型晶体管。
具体的，如图7所示，P型晶体管由栅极g及一个N型半导体包覆两个P型半导体构成，其中一个P型半导体为源极s，另一个为漏极d。栅极g为金属电极，且栅极g与源极s及漏极d之间还设置有绝缘层I。由于P型半导体材料中掺入了三价元素杂质，P型半导体中多数载流子为空穴，且空穴带正电荷。在所述驱动晶体管T2的栅极g加载低电位时，两个P型半导体形成沟道导通所述驱动晶体管T2的源极s及漏极d。
在一种可能的实施例中，所述开关晶体管T1由氧化物半导体构成。
具体的，所述开关晶体管T1可以为但不限于为铟镓锌氧化物半导体构成。由氧化物半导体构成的所述开关晶体管T1具有漏电流较小的特性，可以满足在低刷新率条件下工作。
在一种可能的实施例中，请一并参阅图8，图8为本申请一实施例提供的N型晶体管示意图。所述开关晶体管T1为N型晶体管。
如图8所示，N型晶体管由栅极g及一个P型半导体包覆两个N型半导体构成，其中一个N型半导体为源极s，另一个为漏极d。同样的，栅极g为金属电极，且栅极g与源极s及漏极d之间还设置有绝缘层I。由于N型半导体材料中掺入了五价元素杂质，N型半导体中多数载流子为电子，且电子带负电荷。在所述开关晶体管T1的栅极g加载高电位时，两个N型半导体形成沟道导通所述开关晶体管T1的源极s及漏极d。
本申请还提供了一种显示面板2，请一并参阅图9，图9为本申请一实施例提供的显示面板俯视示意图。所述显示面板2包括阵列排布的多个发光单元21以及如上文所述的多个像素驱动电路1，所述像素驱动电路1用于驱动所述发光单元21工作。具体的，所述发光单元21及所述像素驱动电路1请参阅上文描述，在此不再赘述。
本申请还一提供了一种像素驱动方法，请一并参阅图10，图10为本申请一实施例提供的像素驱动方法流程示意图。所述像素驱动方法包括：步骤S101、S102、S103、S104，步骤S101、S102、S103、S104的详细说明如下。
S101，初始化阶段，检测子电路将驱动晶体管的检测端的电压值初始化至初始化电压；
S102，检测阶段，驱动晶体管在第一数据信号的加载下产生源漏极电流，检测子电路检测驱动晶体管的电流值或电压值，以得到检测信号；
S103，补偿阶段，根据检测信号对第一数据信号进行补偿，以得到第二数据信号；
S104，发光阶段，驱动晶体管根据第二数据信号驱动发光单元发光。
接下来，将结合本申请提供的像素驱动电路1进行实施例的说明。具体的，在一种可能的实施例中，请一并参阅图6及图11，图11为本申请一实施例提供的时序信号示意图。图11中Vs表示所述检测子电路12所读取到的所述驱动晶体管T2的源极s电压值。
在所述初始化阶段M1，第二扫描信号Sense控制检测晶体管T3开启，并将初始化电压信号传输至驱动晶体管T2的检测端；
在所述检测阶段M2，第一扫描信号Scan控制开关晶体管T1开启，并将第一数据电压传输至驱动晶体管T2，驱动晶体管T2在第一数据信号Vref/Vdata0的加载下产生源漏极电流，检测子电路12检测驱动晶体管T2的检测端的电压值；
在所述补偿阶段M3，第一扫描信号Scan控制开关晶体管T1开启，并将第二数据信号Vdata传输至驱动晶体管T2；
在所述发光阶段M4，驱动晶体管T2在第二数据信号Vdata的加载下，驱动发光单元21发光。
具体的，在所述初始化阶段M1，所述使能信号Vem输出高电平，控制所述使能晶体管T4关断，使得所述第一电压信号VDD不加载至所述驱动晶体管T2的源极s。同时，所述第一扫描信号Scan控制所述开关晶体管T1关断。所述第二扫描信号Sense控制所述检测晶体管T3开启，所述处理子电路13输出初始化电压信号，并通过所述检测晶体管T3将所述初始化电压信号加载至所述驱动晶体管T2的源极s，完成初始化。
具体的，在所述检测阶段M2，所述开关晶体管T1开启，所述驱动晶体管T2放电，使得所述驱动晶体管T2的源极s电压值下降至所述第一数据信号Vref/Vdata0的电压值与所述驱动晶体管T2的阈值电压值的和。
具体的，在所述补偿阶段M3，所述处理子电路13根据计算出的所述阈值电压变化值，对所述第一数据信号Vref/Vdata0进行补偿，以得到所述第二数据信号Vdata，并通过所述开关晶体管T1加载至所述驱动晶体管T2。
在一种可能的实施例中，请一并参阅图6及图12，图12为本申请一实施例提供的时序信号示意图。图12中Vs表示所述检测子电路12所读取到的所述驱动晶体管T2的源极s电压值。
在所述初始化阶段M1，第二扫描信号Sense控制检测晶体管T3开启，并将初始化电压传输至驱动晶体管T2的检测端，第一扫描信号Scan控制开关晶体管T1开启，并将第一数据信号Vref/Vdata0传输至驱动晶体管T2的栅极g；
在所述检测阶段M2，驱动晶体管T2在第一数据信号Vref/Vdata0的加载下产生源漏极电流，检测子电路12检测驱动晶体管T2的检测端的电流值；
在所述补偿阶段M3，第一扫描信号Scan控制开关晶体管T1开启，并将第二数据信号Vdata传输至驱动晶体管T2；
在所述发光阶段M4，驱动晶体管T2在第二数据信号Vdata的加载下，驱动发光单元21发光。
具体的，与上一实施例不同的是，在本实施例中，所述检测子电路12用于检测所述驱动晶体管T2输出的电流值作为所述检测信号。
具体的，在所述初始化阶段M1，由于所述开关晶体管T1及所述检测晶体管T3开启，且所述处理子电路13输出初始化电压信号，所述驱动晶体管T2的栅极g与源极s之间的电压值保持为所述第一数据信号Vref/Vdata0的电压值与所述初始化电压信号的电压值的差值，使得所述驱动晶体管T2可输出电流值。所述开关晶体管T1、所述使能晶体管T4及所述驱动晶体管T2请参阅上文描述，在此不再赘述。
可以理解的，在所述发光阶段M4，所述驱动晶体管T2在第二数据信号Vdata的加载下，驱动发光单元21发光，解决了所述驱动子电路11随着工作时间的增加使其中的电子元器件的参数发生变化，从而影响到驱动所述发光单元21发光的技术问题。
本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (17)

1.一种像素驱动电路，用于驱动发光单元发光，其特征在于，所述像素驱动电路包括：驱动子电路、检测子电路、及处理子电路，所述驱动子电路用于接收第一数据信号，所述检测子电路用于读取所述驱动子电路输出的电信号，以得到检测信号，并传输至所述处理子电路，所述处理子电路根据所述检测信号对所述第一数据信号进行补偿，以得到所述第二数据信号，所述驱动子电路根据所述第二数据信号驱动所述发光单元发光。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述驱动子电路包括开关晶体管及驱动晶体管，所述开关晶体管用于接收所述第一数据信号，并将所述第一数据信号传输至所述驱动晶体管，所述驱动晶体管在所述第一数据信号的加载下产生源漏极电流，所述检测子电路读取所述驱动晶体管输出的电压值，以得到所述检测信号，所述处理子电路根据所述电压值以及所述驱动晶体管的初始电压阈值，计算得出所述驱动晶体管的阈值电压变化值，并根据所述阈值电压变化值对所述第一数据信号进行补偿。
3.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述驱动子电路包括开关晶体管及驱动晶体管，所述开关晶体管用于接收所述第一数据信号，并将所述第一数据信号传输至所述驱动晶体管，所述驱动晶体管在所述第一数据信号的加载下产生源漏极电流，所述检测子电路读取所述驱动晶体管输出的电流值，以得到所述检测信号，所述处理子电路根据所述电流值以及所述驱动晶体管的初始电压阈值，计算得出所述驱动晶体管的阈值电压变化值，并根据所述阈值电压变化值对所述第一数据信号进行补偿。
4.如权利要求2或3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述检测子电路包括检测晶体管，所述检测晶体管的栅极接收第二扫描信号，所述第二扫描信号控制所述检测晶体管的通断，所述检测晶体管的源极电连接所述驱动晶体管的检测端，所述检测晶体管的漏极用于向所述处理子电路传输所述检测信号，所述发光单元包括第一电极及第二电极，所述第一电极电连接所述驱动晶体管的源极，所述第二电极用于接收第一电压信号，所述驱动晶体管的漏极用于接收第二电压信号，所述发光单元在所述第一电压信号、第二电压信号及所述第二数据信号的驱动下发光。
5.如权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述开关晶体管的栅极用于接收第一扫描信号，所述第一扫描信号用于控制所述开关晶体管的通断，所述开关晶体管的漏极用于接收所述第一数据信号，所述开关晶体管的源极电连接所述驱动晶体管的栅极，所述像素驱动电路还包括存储电容，所述存储电容的一端电连接所述开关晶体管的源极，所述存储电容的另一端电连接所述驱动晶体管的源极，所述驱动晶体管的源极作为所述检测端。
6.如权利要求2或3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述检测子电路包括检测晶体管，所述检测晶体管的栅极用于接收第二扫描信号，所述第二扫描信号用于控制所述检测晶体管的通断，所述检测晶体管的源极电连接所述驱动晶体管的检测端，所述检测晶体管的漏极用于向所述处理子电路传输所述检测信号，所述发光单元包括第一电极及第二电极，所述第二电极电连接所述驱动晶体管的漏极，所述第一电极用于接收第二电压信号，所述驱动晶体管的源极用于接收第一电压信号，所述发光单元在所述第一电压信号、第二电压信号及所述第二数据信号的驱动下发光。
7.如权利要求6所述的像素驱动电路，其特征在于，所述开关晶体管的栅极用于接收第一扫描信号，所述第一扫描信号用于控制所述开关晶体管的通断，所述开关晶体管的漏极用于接收所述第一数据信号，所述像素驱动电路还包括存储电容，所述存储电容的一端电连接所述开关晶体管的源极及所述驱动晶体管的栅极，所述存储电容的另一端电连接所述驱动晶体管的源极，所述驱动晶体管的漏极作为所述检测端。
8.如权利要求2或3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述检测子电路包括检测晶体管，所述检测晶体管的栅极用于接收第二扫描信号，所述第二扫描信号用于控制所述检测晶体管的通断，所述检测晶体管的源极电连接所述驱动晶体管的检测端，所述检测晶体管的漏极用于向所述处理子电路传输所述检测信号，所述发光单元包括第一电极及第二电极，所述第二电极电连接所述驱动晶体管的漏极，所述第一电极用于接收第二电压信号，所述像素驱动电路还包括使能晶体管，所述驱动晶体管的源极通过所述使能晶体管接收第一电压信号，所述发光单元在所述第一电压信号、第二电压信号及所述第二数据信号的驱动下发光。
9.如权利要求8所述的像素驱动电路，其特征在于，所述开关晶体管的栅极用于接收第一扫描信号，所述第一扫描信号用于控制所述开关晶体管的通断，所述开关晶体管的漏极用于接收所述第一数据信号，所述像素驱动电路还包括存储电容，所述存储电容的一端电连接所述开关晶体管的源极及所述驱动晶体管的栅极，所述存储电容的另一端电连接所述驱动晶体管的源极，所述使能晶体管的栅极用于接收使能信号，所述使能信号用于控制所述使能晶体管的通断，所述使能晶体管的漏极电连接所述驱动晶体管的源极，所述使能晶体管的源极用于接收第一电压信号，所述驱动晶体管的源极作为所述检测端。
10.如权利要求4-9任意一项所述的像素驱动电路，其特征在于，所述驱动晶体管由低温多晶硅构成。
11.如权利要求10所述的像素驱动电路，其特征在于，所述驱动晶体管为P型晶体管。
12.如权利要求4-9任意一项所述的像素驱动电路，其特征在于，所述开关晶体管由氧化物半导体构成。
13.如权利要求12所述的像素驱动电路，其特征在于，所述开关晶体管为N型晶体管。
14.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括阵列排布的多个发光单元以及如权利要求1-13任意一项所述的多个像素驱动电路，所述像素驱动电路用于驱动所述发光单元工作。
15.一种像素驱动方法，其特征在于，所述像素驱动方法包括：
初始化阶段，检测子电路将驱动晶体管的检测端的电压值初始化至初始化电压；
检测阶段，驱动晶体管在第一数据信号的加载下产生源漏极电流，检测子电路检测驱动晶体管的电流值或电压值，以得到检测信号；
补偿阶段，根据检测信号对第一数据信号进行补偿，以得到第二数据信号；
发光阶段，驱动晶体管根据第二数据信号驱动发光单元发光。
16.如权利要求15所述的像素驱动方法，其特征在于，
在所述初始化阶段，第二扫描信号控制检测晶体管开启，并将初始化电压信号传输至驱动晶体管的检测端；
在所述检测阶段，第一扫描信号控制开关晶体管开启，并将第一数据电压传输至驱动晶体管，驱动晶体管在第一数据信号的加载下产生源漏极电流，检测子电路检测驱动晶体管的检测端的电压值；
在所述补偿阶段，第一扫描信号控制开关晶体管开启，并将第二数据信号传输至驱动晶体管；
在所述发光阶段，驱动晶体管在第二数据信号的加载下，驱动发光单元发光。
17.如权利要求15所述的像素驱动方法，其特征在于，
在所述初始化阶段，第二扫描信号控制检测晶体管开启，并将初始化电压传输至驱动晶体管的检测端，第一扫描信号控制开关晶体管开启，并将第一数据信号传输至驱动晶体管的栅极；
在所述检测阶段，驱动晶体管在第一数据信号的加载下产生源漏极电流，检测子电路检测驱动晶体管的检测端的电流值；
在所述补偿阶段，第一扫描信号控制开关晶体管开启，并将第二数据信号传输至驱动晶体管；
在所述发光阶段，驱动晶体管在第二数据信号的加载下，驱动发光单元发光。
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