CN114038971A - 一种led外延生长方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长P型AlGaN层、H2处理、交替生长InxGa(1‑x)N/GaN发光层、生长AlInGaN/GaN超晶格层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却。本发明解决现有LED外延生长中存在的大电流注入下的亮度衰减问题，并有利于整个外延层材料生长平整，能够防止外延片表面开裂，减少外延片翘曲。
Description
技术领域
本申请涉及LED外延生长技术领域，具体地说，涉及一种LED外延生长方法。
背景技术
LED作为照明光源与现有常规照明光源相比具有能耗低、寿命长、体积小、发光效率高、无污染以及色彩丰富等优点。目前国内生产LED的规模正在逐步扩大，市场对LED的需求及LED品质的需求都在与日俱增。
目前LED存在电流密度越高，LED芯片的亮度越低的“衰减现象”，因此能量损失会变大，影响LED的节能效果。抑制这种衰减现象、提升LED的亮度成为业界最为关注的问题。
因此，针对上述问题，本发明提供一种外延生长方法，解决现有LED外延生长中存在的大电流注入下亮度衰减问题。
发明内容
有鉴于此，本申请所要解决的技术问题是提供了一种LED外延生长方法，解决现有LED外延生长中存在的大电流注入下的亮度衰减问题，并有利于整个外延层材料生长平整，能够防止外延片表面开裂，减少外延片翘曲。
为了解决上述技术问题，本申请有如下技术方案：一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长P型AlGaN层、H2处理、交替生长InxGa(1-x)N/GaN发光层、生长AlInGaN/GaN超晶格层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其特征在于，
所述生长P型AlGaN层，进一步为：
保持反应腔压力220mbar、保持温度800-850℃，通入NH3、TMAl、N2、TMGa及CP2Mg，生长厚度为10-15nm的P型AlGaN层，生长过程中控制TMAl的流量先从800sccm渐变增加至2000sccm，再从2000sccm渐变减少至1200sccm，其中，Mg掺杂浓度为5E17-6E17atoms/cm3；
所述H2处理，进一步为：
保持反应腔压力、温度不变，通入H2进行处理，处理过程中控制H2流量从110L/min渐变增加至250L/min；
所述生长AlInGaN/GaN超晶格层，进一步为：
保持反应腔压力、温度不变，通入NH3、TMAl、TMIn、TMGa及N2，生长厚度为18-26nm的AlInGaN层，生长过程中控制Al原子与In原子的摩尔比从3：4渐变减少至1：8；
保持反应腔温度不变，通入NH3、TMGa及H2，在所述AlInGaN层上生长5-7nm的GaN层，生长过程中控制反应腔压力从220mbar渐变增加至400mbar。
优选地，所述处理衬底，进一步为：
在1000-1100℃的H2气氛下，通入100-130L/min的H2，保持反应腔压力100-300mbar，处理蓝宝石衬底5-10min。
优选地，所述生长低温缓冲层GaN，进一步为：
降温至500-600℃，保持反应腔压力300-600mbar，通入流量为10000-20000sccm的NH3、50-100sccm的TMGa及100-130L/min的H2，在蓝宝石衬底上生长厚度为20-40nm的低温缓冲层GaN；
升高温度到1000-1100℃，保持反应腔压力300-600mbar，通入流量为30000-40000sccm的NH3、100-130L/min的H2，保温300-500s，将低温缓冲层GaN腐蚀成不规则岛形。
优选地，所述生长不掺杂GaN层，进一步为：
升高温度到1000-1200℃，保持反应腔压力300-600mbar，通入流量为30000-40000sccm的NH3、200-400sccm的TMGa及100-130L/min的H2，持续生长2-4μm的不掺杂GaN层。
优选地，所述生长掺杂Si的N型GaN层，进一步为：
保持反应腔压力300-600mbar，保持温度1000-1200℃，通入流量为30000-60000sccm的NH3、200-400sccm的TMGa、100-130L/min的H2及20-50sccm的SiH4，持续生长3-4μm掺杂Si的N型GaN，其中，Si掺杂浓度5E18-1E19atoms/cm3。
优选地，所述交替生长InxGa(1-x)N/GaN发光层，进一步为：
保持反应腔压力300-400mbar、保持温度700-750℃，通入流量为50000-70000sccm的NH3、20-40sccm的TMGa、1500-2000sccm的TMIn及100-130L/min的N2，生长掺杂In的2.5-3.5nm的InxGa(1-x)N层，其中，x＝0.20-0.25，发光波长为450-455nm；
升高温度至750-850℃，保持反应腔压力300-400mbar，通入流量为50000-70000sccm的NH3、20-100sccm的TMGa及100-130L/min的N2，生长8-15nm的GaN垒层；
重复交替生长InxGa(1-x)N层和GaN垒层，得到InxGa(1-x)N/GaN发光层，其中，InxGa(1-x)N层和GaN垒层的交替生长周期数为7-15个。
优选地，所述生长AlGaN电子阻挡层，进一步为：
保持反应腔压力200-400mbar、温度900-950℃，通入流量为50000-70000sccm的NH3、30-60sccm的TMGa、100-130L/min的H2、100-130sccm的TMAl，持续生长50-100nm的AlGaN电子阻挡层，其中，Al掺杂浓度1E20-3E20atoms/cm3。
优选地，所述生长掺Mg的P型GaN层，进一步为：
保持反应腔压力400-500mbar、温度950-1000℃，通入流量为50000-70000sccm的NH3、20-100sccm的TMGa、100-130L/min的H2及1000-3000sccm的Cp2Mg，持续生长50-200nm的掺Mg的P型GaN层，其中，Mg掺杂浓度1E19-1E20atoms/cm3。
优选地，所述降温冷却，进一步为：
降温至650-680℃，保温20-30min，关闭加热系统、关闭给气系统，随炉冷却。
与现有技术相比，本申请所述的方法，达到了如下的有益效果：
(1)本发明在量子阱前插入P型AlGaN层，且在生长P型AlGaN过程中控制TMAl含量先渐变升高再渐变降低，有利于空穴注入，并可以量子阱内部形成极化电压，降低Mg的激活能，从而提升空穴浓度，提升亮度。
(2)本发明在P型AlGaN层后通入H2处理，且控制H2流量渐变增加，能够促使Al原子的迁移率提高，P型AlGaN的晶粒尺寸会变小，晶粒的成核密度变大，更进一步往二维横向生长量子阱时，粗糙度降低，从而使生长得到的量子阱薄膜层平整，结晶质量提高，还有利于整个外延层材料生长平整。
(3)本发明在量子阱后插入AlInGaN/GaN超晶格层能够引入一定的压应力可以部分抵消GaN与蓝宝石衬底之间由于热膨胀系数差异大而产生的张应力，从而在一定程度上缓解GaN外延材料层表面开裂的问题，同时又可以减少位错产生的缺陷，从而提高GaN外延层的结晶质量。生长AlInGaN层过程中控制Al原子与In原子的摩尔比渐变减少，有利于能带变缓，减弱量子限制斯塔克效应，减弱电子-空穴的空间分离程度，从而有利于电子-空穴复合，提升亮度。生长GaN层过程中控制压力渐变增加，可以释放前期生长所积累的应力，同时阻断穿晶位错，从而有利于减少外延片翘曲和提高材料生长质量。
当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1为本发明方法制备的LED外延的结构示意图；
图2为现有传统方法制备的LED外延的结构示意图；
其中，1、蓝宝石衬底，2、低温GaN缓冲层，3、不掺杂GaN层，4、掺杂Si的N型GaN层，5、P型AlGaN层，6、发光层，7、AlInGaN/GaN超晶格层，8、AlGaN电子阻挡层，9、P型GaN层，61、InxGa(1-x)N阱层，62、GaN垒层，71、AlInGaN，72、GaN层。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
实施例1
本实施例采用本发明提供的LED外延生长方法，采用MOCVD来生长GaN基LED外延片，采用高纯H2或高纯N2或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，金属有机源三甲基镓(TMGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，N型掺杂剂为硅烷(SiH4)，三甲基铝(TMAl)作为铝源，P型掺杂剂为二茂镁(CP2Mg)，反应压力在70mbar到600mbar之间。具体生长方式如下(外延结构图参见图1)：
一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底1、生长低温缓冲层GaN层2、生长不掺杂GaN层3、生长掺杂Si的N型GaN层4、生长P型AlGaN层5、H2处理、交替生长InxGa(1-x)N/GaN发光层6、生长AlInGaN/GaN超晶格层7、生长AlGaN电子阻挡层8、生长掺杂Mg的P型GaN层9，降温冷却，其中：
步骤1、处理蓝宝石衬底1：向放置有衬底的金属有机化学气相沉积系统的反应腔内，在1000-1100℃的H2气氛下，通入100-130L/min的H2，保持反应腔压力100-300mbar，处理蓝宝石衬底5-10min。
步骤2、生长低温缓冲层GaN层2：降温至500-600℃，保持反应腔压力300-600mbar，通入流量为10000-20000sccm的NH3、50-100sccm的TMGa及100-130L/min的H2，在蓝宝石衬底上生长厚度为20-40nm的低温缓冲层GaN层2。
升高温度到1000-1100℃，保持反应腔压力300-600mbar，通入流量为30000-40000sccm的NH3、100-130L/min的H2，保温300-500s，将低温缓冲层GaN层2腐蚀成不规则岛形。
步骤3、生长不掺杂GaN层3：升高温度到1000-1200℃，保持反应腔压力300-600mbar，通入流量为30000-40000sccm的NH3、200-400sccm的TMGa及100-130L/min的H2，持续生长2-4μm的不掺杂GaN层3。
步骤4、生长掺杂Si的N型GaN层4：保持反应腔压力300-600mbar，保持温度1000-1200℃，通入流量为30000-60000sccm的NH3、200-400sccm的TMGa、100-130L/min的H2及20-50sccm的SiH4，持续生长3-4μm掺杂Si的N型GaN层4，其中，Si掺杂浓度5E18-1E19atoms/cm3。
步骤5、生长P型AlGaN层5：保持反应腔压力220mbar、保持温度800-850℃，通入NH3、TMAl、N2、TMGa及CP2Mg，生长厚度为10-15nm的P型AlGaN层5，生长过程中控制TMAl的流量先从800sccm渐变增加至2000sccm，再从2000sccm渐变减少至1200sccm，其中，Mg掺杂浓度为5E17-6E17atoms/cm3。
步骤6、H2处理：保持反应腔压力、温度不变，通入H2进行处理，处理过程中控制H2流量从110L/min渐变增加至250L/min。
步骤7、交替生长InxGa(1-x)N/GaN发光层6：保持反应腔压力300-400mbar、保持温度700-750℃，通入流量为50000-70000sccm的NH3、20-40sccm的TMGa、1500-2000sccm的TMIn及100-130L/min的N2，生长掺杂In的2.5-3.5nm的InxGa(1-x)N层61，其中，x＝0.20-0.25，发光波长为450-455nm。
升高温度至750-850℃，保持反应腔压力300-400mbar，通入流量为50000-70000sccm的NH3、20-100sccm的TMGa及100-130L/min的N2，生长8-15nm的GaN层62。重复交替生长InxGa(1-x)N层61和GaN层62，得到InxGa(1-x)N/GaN发光层6，其中，InxGa(1-x)N层61和GaN层62的交替生长周期数为7-15个。
步骤8、生长AlInGaN/GaN超晶格层7：保持反应腔压力、温度不变，通入NH3、TMAl、TMIn、TMGa及N2，生长厚度为18-26nm的AlInGaN层71，生长过程中控制Al原子与In原子的摩尔比从3：4渐变减少至1：8；
保持反应腔温度不变，通入NH3、TMGa及H2，在所述AlInGaN层71上生长5-7nm的GaN层72，生长过程中控制反应腔压力从220mbar渐变增加至400mbar。
步骤9、生长AlGaN电子阻挡层8：保持反应腔压力200-400mbar、温度900-950℃，通入流量为50000-70000sccm的NH3、30-60sccm的TMGa、100-130L/min的H2、100-130sccm的TMAl，持续生长50-100nm的AlGaN电子阻挡层8，其中，Al掺杂浓度1E20-3E20atoms/cm3。
步骤10、生长掺杂Mg的P型GaN层9：保持反应腔压力400-500mbar、温度950-1000℃，通入流量为50000-70000sccm的NH3、20-100sccm的TMGa、100-130L/min的H2及1000-3000sccm的Cp2Mg，持续生长50-200nm的掺Mg的P型GaN层，其中，Mg掺杂浓度1E19-1E20atoms/cm3。
步骤11、降温冷却：降温至650-680℃，保温20-30min，关闭加热系统、关闭给气系统，随炉冷却得到发光二极管。
实施例2
以下提供一种常规LED外延生长方法作为本发明的对比实施例(外延结构图参见图2)。
常规LED外延生长方法，包括如下步骤：
步骤1、处理蓝宝石衬底1：向放置有衬底的金属有机化学气相沉积系统的反应腔内，在1000-1100℃的H2气氛下，通入100-130L/min的H2，保持反应腔压力100-300mbar，处理蓝宝石衬底5-10min。
步骤2、生长低温缓冲层GaN层2：降温至500-600℃，保持反应腔压力300-600mbar，通入流量为10000-20000sccm的NH3、50-100sccm的TMGa及100-130L/min的H2，在蓝宝石衬底上生长厚度为20-40nm的低温缓冲层GaN层2。
升高温度到1000-1100℃，保持反应腔压力300-600mbar，通入流量为30000-40000sccm的NH3、100-130L/min的H2，保温300-500s，将低温缓冲层GaN层2腐蚀成不规则岛形。
步骤3、生长不掺杂GaN层3：升高温度到1000-1200℃，保持反应腔压力300-600mbar，通入流量为30000-40000sccm的NH3、200-400sccm的TMGa及100-130L/min的H2，持续生长2-4μm的不掺杂GaN层。
步骤4、生长掺杂Si的N型GaN层4：保持反应腔压力300-600mbar，保持温度1000-1200℃，通入流量为30000-60000sccm的NH3、200-400sccm的TMGa、100-130L/min的H2及20-50sccm的SiH4，持续生长3-4μm掺杂Si的N型GaN层4，其中，Si掺杂浓度5E18-1E19atoms/cm3。
步骤5、交替生长InxGa(1-x)N/GaN发光层6：保持反应腔压力300r-400mbar、保持温度700-750℃，通入流量为50000-70000sccm的NH3、20-40sccm的TMGa、1500-2000sccm的TMIn及100-130L/min的N2，生长掺杂In的2.5-3.5nm的InxGa(1-x)N层61，其中，x＝0.20-0.25，发光波长为450-455nm。
升高温度至750-850℃，保持反应腔压力300-400mbar，通入流量为50000-70000sccm的NH3、20-100sccm的TMGa及100-130L/min的N2，生长8-15nm的GaN垒层62。重复交替生长InxGa(1-x)N层61和GaN层62，得到InxGa(1-x)N/GaN发光层，其中，InxGa(1-x)N层61和GaN层62的交替生长周期数为7-15个。
步骤6、生长AlGaN电子阻挡层8：保持反应腔压力200-400mbar、温度900-950℃，通入流量为50000-70000sccm的NH3、30-60sccm的TMGa、100-130L/min的H2、100-130sccm的TMAl，持续生长50-100nm的AlGaN电子阻挡层8，其中，Al掺杂浓度1E20atoms/cm3-3E20atoms/cm3。
步骤7、生长掺杂Mg的P型GaN层9：保持反应腔压力400-900mbar、温度950-1000℃，通入流量为50000-70000sccm的NH3、20-100sccm的TMGa、100-130L/min的H2及1000-3000sccm的Cp2Mg，持续生长50-200nm的掺Mg的P型GaN层9，其中，Mg掺杂浓度1E19-1E20atoms/cm3。
步骤8、降温冷却：降温至650-680℃，保温20-30min，关闭加热系统、关闭给气系统，随炉冷却得到发光二极管。
根据上述实施例1和实施例2分别制得样品1和样品2；样品1和样品2在相同的前工艺条件下镀ITO层约150nm，相同的条件下镀Cr/Pt/Au电极约1500nm，相同的条件下镀保护层SiO2约100nm，然后在相同的条件下将样品研磨切割成635μm*635μm(25mil*25mil)的芯片颗粒，然后样品1和样品2在相同位置各自挑选1000颗晶粒，在相同的封装工艺下，封装成白光LED。然后采用积分球在驱动电流350mA条件下测试样品1和样品2的光电性能。以下表1为样品1、2产品电性参数的比较表。
表1样品1、2产品电性参数的比较表
由表1的数据可得出以下结论：
本专利提供的生长方法LED发光效率得到明显提升，且抗静电性能得到提升，其它各项LED电性参数变优。
本申请的LED外延生长方法达到了如下效果：
(1)本发明在量子阱前插入P型AlGaN层，且在生长P型AlGaN过程中控制TMAl含量先渐变升高再渐变降低，有利于空穴注入，并可以量子阱内部形成极化电压，降低Mg的激活能，从而提升空穴浓度，提升亮度。
(2)本发明在P型AlGaN层后通入H2处理，且控制H2流量渐变增加，能够促使Al原子的迁移率提高，P型AlGaN的晶粒尺寸会变小，晶粒的成核密度变大，更进一步往二维横向生长量子阱时，粗糙度降低，从而使生长得到的量子阱薄膜层平整，结晶质量提高，还有利于整个外延层材料生长平整。
(3)本发明在量子阱后插入AlInGaN/GaN超晶格层能够引入一定的压应力可以部分抵消GaN与蓝宝石衬底之间由于热膨胀系数差异大而产生的张应力，从而在一定程度上缓解GaN外延材料层表面开裂的问题，同时又可以减少位错产生的缺陷，从而提高GaN外延层的结晶质量。生长AlInGaN层过程中控制Al原子与In原子的摩尔比渐变减少，有利于能带变缓，减弱量子限制斯塔克效应，减弱电子-空穴的空间分离程度，从而有利于电子-空穴复合，提升亮度。生长GaN层过程中控制压力渐变增加，可以释放前期生长所积累的应力，同时阻断穿晶位错，从而有利于减少外延片翘曲和提高材料生长质量。
由于方法部分已经对本申请实施例进行了详细描述，这里对实施例中涉及的结构与方法对应部分的展开描述省略，不再赘述。对于结构中具体内容的描述可参考方法实施例的内容，这里不再具体限定。
上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例，但如前所述，应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述申请构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围，则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。
Claims (9)
1.一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长P型AlGaN层、H2处理、交替生长InxGa(1-x)N/GaN发光层、生长AlInGaN/GaN超晶格层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其特征在于，
所述生长P型AlGaN层，进一步为：
保持反应腔压力220mbar、保持温度800-850℃，通入NH3、TMAl、N2、TMGa及CP2Mg，生长厚度为10-15nm的P型AlGaN层，生长过程中控制TMAl的流量先从800sccm渐变增加至2000sccm，再从2000sccm渐变减少至1200sccm，其中，Mg掺杂浓度为5E17-6E17atoms/cm3；
所述H2处理，进一步为：
保持反应腔压力、温度不变，通入H2进行处理，处理过程中控制H2流量从110L/min渐变增加至250L/min；
所述生长AlInGaN/GaN超晶格层，进一步为：
保持反应腔压力、温度不变，通入NH3、TMAl、TMIn、TMGa及N2，生长厚度为18-26nm的AlInGaN层，生长过程中控制Al原子与In原子的摩尔比从3：4渐变减少至1：8；
保持反应腔温度不变，通入NH3、TMGa及H2，在所述AlInGaN层上生长5-7nm的GaN层，生长过程中控制反应腔压力从220mbar渐变增加至400mbar。
2.根据权利要求1所述的LED外延生长方法，其特征在于，所述处理衬底，进一步为：
在1000-1100℃的H2气氛下，通入100-130L/min的H2，保持反应腔压力100-300mbar，处理蓝宝石衬底5-10min。
3.根据权利要求1所述的LED外延生长方法，其特征在于，所述生长低温缓冲层GaN，进一步为：
降温至500-600℃，保持反应腔压力300-600mbar，通入流量为10000-20000sccm的NH3、50-100sccm的TMGa及100-130L/min的H2，在蓝宝石衬底上生长厚度为20-40nm的低温缓冲层GaN；
升高温度到1000-1100℃，保持反应腔压力300-600mbar，通入流量为30000-40000sccm的NH3、100-130L/min的H2，保温300-500s，将低温缓冲层GaN腐蚀成不规则岛形。
4.根据权利要求1所述的LED外延生长方法，其特征在于，所述生长不掺杂GaN层，进一步为：
升高温度到1000-1200℃，保持反应腔压力300-600mbar，通入流量为30000-40000sccm的NH3、200-400sccm的TMGa及100-130L/min的H2，持续生长2-4μm的不掺杂GaN层。
5.根据权利要求1所述的LED外延生长方法，其特征在于，所述生长掺杂Si的N型GaN层，进一步为：
保持反应腔压力300-600mbar，保持温度1000-1200℃，通入流量为30000-60000sccm的NH3、200-400sccm的TMGa、100-130L/min的H2及20-50sccm的SiH4，持续生长3-4μm掺杂Si的N型GaN，其中，Si掺杂浓度5E18-1E19atoms/cm3。
6.根据权利要求1所述的LED外延生长方法，其特征在于，所述交替生长InxGa(1-x)N/GaN发光层，进一步为：
保持反应腔压力300-400mbar、保持温度700-750℃，通入流量为50000-70000sccm的NH3、20-40sccm的TMGa、1500-2000sccm的TMIn及100-130L/min的N2，生长掺杂In的2.5-3.5nm的InxGa(1-x)N层，其中，x＝0.20-0.25，发光波长为450-455nm；
升高温度至750-850℃，保持反应腔压力300-400mbar，通入流量为50000-70000sccm的NH3、20-100sccm的TMGa及100-130L/min的N2，生长8-15nm的GaN垒层；
重复交替生长InxGa(1-x)N层和GaN垒层，得到InxGa(1-x)N/GaN发光层，其中，InxGa(1-x)N层和GaN垒层的交替生长周期数为7-15个。
7.根据权利要求1所述的LED外延生长方法，其特征在于，所述生长AlGaN电子阻挡层，进一步为：
保持反应腔压力200-400mbar、温度900-950℃，通入流量为50000-70000sccm的NH3、30-60sccm的TMGa、100-130L/min的H2、100-130sccm的TMAl，持续生长50-100nm的AlGaN电子阻挡层，其中，Al掺杂浓度1E20-3E20atoms/cm3。
8.根据权利要求1所述的LED外延生长方法，其特征在于，所述生长掺Mg的P型GaN层，进一步为：
保持反应腔压力400-500mbar、温度950-1000℃，通入流量为50000-70000sccm的NH3、20-100sccm的TMGa、100-130L/min的H2及1000-3000sccm的Cp2Mg，持续生长50-200nm的掺Mg的P型GaN层，其中，Mg掺杂浓度1E19-1E20atoms/cm3。
9.根据权利要求1所述的LED外延生长方法，其特征在于，所述降温冷却，进一步为：
降温至650-680℃，保温20-30min，关闭加热系统、关闭给气系统，随炉冷却。
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