CN114038937A - 一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，涉及PERC电池技术领域，包括先镀膜氮化硅，镀膜一层折射率一致的膜镀膜一层折射率一致的膜，再镀膜氮氧化硅膜，仅单做一层氮氧化硅膜，再镀膜氮化硅，镀膜三层不同折射率的氮化硅膜。本发明通过在饱和石墨舟的饱和方案里加入了氮氧化硅膜饱和，采用氮化硅+氮氧化硅+氮化硅三层膜进行镀膜叠加，能有效改善石墨舟卡点与电池片接触的导电性，从而有效降低卡点印，同时减少了对PERC太阳电池良率的影响，使得量产卡点印比列0.01％，不仅有效降低了生产成本，而且简化了传统工艺的加工过程，解决了传统的石墨舟饱和方案单纯的采用氮化硅来饱和石墨舟，使得饱和后的石墨舟卡点印相对较高。
Description
技术领域
本发明涉及PERC电池技术领域，具体涉及一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺。
背景技术
随着晶硅太阳电池的发展，单晶Perc现已成为各公司产品的主力军，单晶Perc生产制作环节背正膜是绝对核心工段，各公司的良率、效率、成本等关键指标都在该工段，现阶段石墨舟是制作管批背正膜电池片不可或缺的载体，石墨舟从上线清洗→烘干→饱和到上线，任何一个环节出问题，都会严重影响到太阳电池PERC良率，因此该环节的技术方案改进也是重中之重，在石墨舟上线的环节中清洗、烘干相对方案固定，饱和方案的优化及改进是各公司研究的重点。针对现有技术存在以下问题：
现有饱和工艺采用氮化硅来饱和石墨舟，该石墨舟饱和上线后，匹配背钝化氧化铝工艺卡点印比例严重偏高约0.3％，很大程度上影响到PERC太阳电池良率，间接增加了生产成本。
发明内容
本发明提供一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，其中一种目的是为了具备降低对PERC太阳电池良率的影响，解决匹配背钝化氧化铝工艺卡点印比例严重偏高，容易影响到PERC太阳电池良率问题。
为解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是：
一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，该改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，包括以下步骤：
步骤一：先镀膜氮化硅；
步骤二：再镀膜氮氧化硅膜；
步骤三：再镀膜氮化硅。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述方法包括以下步骤：
第一步：进舟，将石墨舟利用悬臂浆输送到炉管里；
第二步：升温，将炉管温度升温起来；
第三步：吹扫，通过氮气吹少烘干后的石墨舟上的杂质，并用真空泵抽走；
第四步：抽真空，将之前吹少的气体和空气抽走；
第五步：检漏，检测是否是真空状态；
第六步：抽真空，进一步确保是真空状态；
第七步：预通气，通入硅烷和氨气让炉管有一个提前的气体氛围；
第八步：制作氮化硅，通入硅烷和氨气在石墨舟上镀膜一层氮化硅；
第九步：抽真空，将气体流量抽空，将残余的硅烷和氨气抽干净；
第十步：预通气，通入硅烷和氨气让炉管提前有一个气体氛围这样反应充分；
第十一步：制作氮化硅，通入硅烷和氨气制作氮化硅；
第十二步：抽真空；
第十三步：预通气；
第十四步：通入硅烷和氨气制作氮化硅；
第十五步：再次抽真空；
第十六步：预通气，将硅烷、氨气、笑气通入到炉管中让炉管提前有一个反应气体氛围；
第十七步：通入硅烷、氨气、笑气在石墨舟上镀膜氮氧化硅；
第十八步：抽真空将炉管残余气体抽干净；
第十九步：预通气，通入硅烷、氨气使炉管在充分的反应气体氛围；
第二十步：通入硅烷、氨气制作氮化硅第一层膜；
第二十一步：制作氮化硅第二层膜；
第二十二步：制作氮化硅第三层膜；
第二十三步：抽真空；
第二十四步：氮气吹扫，将石墨舟上附着的杂质气体吹扫干净；
第二十五步：再次抽真空；
第二十六步：炉管内充气回压，使炉内和炉外达到一个压力平衡；
第二十七步：取舟结束。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述步骤一主要为第七步到第十四步，镀膜一层折射率一致的膜，只是分三步完成，这样分三步保证膜制作更致密稳定。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述步骤二主要为第十六到第十七步，仅单做一层氮氧化硅膜。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述步骤三主要为第十九步到第二十二步，镀膜三层不同折射率的氮化硅膜，折射率从第一层到第三层，折射率逐渐变小。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述第十五步中再次抽真空的压力抽至为0mTorr。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述第十四步反应的温度控制在450℃，反应时间0-230s。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述第二十步中，镀膜的时间控制在1-150s。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述第二十五步中再次抽真空的气压抽至为0mTorr，抽压时间控制在40-70s。
本发明技术方案的进一步改进在于：所述第二十六步中炉管内充气回压的压力控制在0-10000mTorr。
由于采用了上述技术方案，本发明相对现有技术来说，取得的技术进步是：
本发明提供一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，通过在饱和石墨舟的饱和方案里加入了氮氧化硅膜饱和，采用氮化硅+氮氧化硅+氮化硅三层膜进行镀膜叠加，该膜层结构能有效改善石墨舟卡点与电池片接触的导电性，从而有效降低卡点印，同时减少了对PERC太阳电池良率的影响，使得量产卡点印比列0.01％，不仅有效降低了生产成本，而且简化了传统工艺操作繁琐的加工过程，解决了传统的石墨舟饱和方案单纯的采用氮化硅来饱和石墨舟，使得饱和后的石墨舟卡点印相对较高。
附图说明
图1为本发明的系统参数示意图。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步详细说明：
实施例1
如图1所示，本发明提供了一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，该改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，包括以下步骤：
步骤一：先镀膜氮化硅；
步骤二：再镀膜氮氧化硅膜；
步骤三：再镀膜氮化硅。
优选的，步骤一主要为第七步到第十四步，镀膜一层折射率一致的膜，只是分三步完成，这样分三步保证膜制作更致密稳定。
优选的，步骤二主要为第十六到第十七步，仅单做一层氮氧化硅膜。
优选的，步骤三主要为第十九步到第二十二步，镀膜三层不同折射率的氮化硅膜，折射率从第一层到第三层，折射率逐渐变小。
本发明的有益效果为：通过在饱和石墨舟的饱和方案里加入了氮氧化硅膜饱和，采用氮化硅+氮氧化硅+氮化硅三层膜进行镀膜叠加，该膜层结构能有效改善石墨舟卡点与电池片接触的导电性，从而有效降低卡点印，同时减少了对PERC太阳电池良率的影响，使得量产卡点印比列0.01％，不仅有效降低了生产成本，而且简化了传统工艺操作繁琐的加工过程，解决了传统的石墨舟饱和方案单纯的采用氮化硅来饱和石墨舟，使得饱和后的石墨舟卡点印相对较高。
实施例2
如图1所示，在实施例1的基础上，本发明提供一种技术方案：优选的，具体方法包括以下步骤：
第一步：进舟，将石墨舟利用悬臂浆输送到炉管里；
第二步：升温，将炉管温度升温起来；
第三步：吹扫，通过氮气吹少烘干后的石墨舟上的杂质，并用真空泵抽走；
第四步：抽真空，将之前吹少的气体和空气抽走；
第五步：检漏，检测是否是真空状态；
第六步：抽真空，进一步确保是真空状态；
第七步：预通气，通入硅烷和氨气让炉管有一个提前的气体氛围；
第八步：制作氮化硅，通入硅烷和氨气在石墨舟上镀膜一层氮化硅；
第九步：抽真空，将气体流量抽空，将残余的硅烷和氨气抽干净；
第十步：预通气，通入硅烷和氨气让炉管提前有一个气体氛围这样反应充分；
第十一步：制作氮化硅，通入硅烷和氨气制作氮化硅；
第十二步：抽真空；
第十三步：预通气；
第十四步：通入硅烷和氨气制作氮化硅；
第十五步：再次抽真空；
第十六步：预通气，将硅烷、氨气、笑气通入到炉管中让炉管提前有一个反应气体氛围；
第十七步：通入硅烷、氨气、笑气在石墨舟上镀膜氮氧化硅；
第十八步：抽真空将炉管残余气体抽干净；
第十九步：预通气，通入硅烷、氨气使炉管在充分的反应气体氛围；
第二十步：通入硅烷、氨气制作氮化硅第一层膜；
第二十一步：制作氮化硅第二层膜；
第二十二步：制作氮化硅第三层膜；
第二十三步：抽真空；
第二十四步：氮气吹扫，将石墨舟上附着的杂质气体吹扫干净；
第二十五步：再次抽真空；
第二十六步：炉管内充气回压，使炉内和炉外达到一个压力平衡；
第二十七步：取舟结束。
优选的，第十五步中再次抽真空的压力抽至为0mTorr。
优选的，第十四步反应的温度控制在450℃，反应时间0-230s。
优选的，第二十步中，镀膜的时间控制在1-150s。
优选的，第二十五步中再次抽真空的气压抽至为0mTorr，抽压时间控制在40-70s。
优选的，第二十六步中炉管内充气回压的压力控制在0-10000mTorr。
上文一般性的对本发明做了详尽的描述，但在本发明基础上，可以对之做一些修改或改进，这对于技术领域的一般技术人员是显而易见的。因此，在不脱离本发明思想精神的修改或改进，均在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，其特征在于：该改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，包括以下步骤：
步骤一：先镀膜氮化硅；
步骤二：再镀膜氮氧化硅膜；
步骤三：再镀膜氮化硅。
2.根据权利要求1所述的一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
第一步：进舟，将石墨舟利用悬臂浆输送到炉管里；
第二步：升温，将炉管温度升温起来；
第三步：吹扫，通过氮气吹少烘干后的石墨舟上的杂质，并用真空泵抽走；
第四步：抽真空，将之前吹少的气体和空气抽走；
第五步：检漏，检测是否是真空状态；
第六步：抽真空，进一步确保是真空状态；
第七步：预通气，通入硅烷和氨气让炉管有一个提前的气体氛围；
第八步：制作氮化硅，通入硅烷和氨气在石墨舟上镀膜一层氮化硅；
第九步：抽真空，将气体流量抽空，将残余的硅烷和氨气抽干净；
第十步：预通气，通入硅烷和氨气让炉管提前有一个气体氛围这样反应充分；
第十一步：制作氮化硅，通入硅烷和氨气制作氮化硅；
第十二步：抽真空；
第十三步：预通气；
第十四步：通入硅烷和氨气制作氮化硅；
第十五步：再次抽真空；
第十六步：预通气，将硅烷、氨气、笑气通入到炉管中让炉管提前有一个反应气体氛围；
第十七步：通入硅烷、氨气、笑气在石墨舟上镀膜氮氧化硅；
第十八步：抽真空将炉管残余气体抽干净；
第十九步：预通气，通入硅烷、氨气使炉管在充分的反应气体氛围；
第二十步：通入硅烷、氨气制作氮化硅第一层膜；
第二十一步：制作氮化硅第二层膜；
第二十二步：制作氮化硅第三层膜；
第二十三步：抽真空；
第二十四步：氮气吹扫，将石墨舟上附着的杂质气体吹扫干净；
第二十五步：再次抽真空；
第二十六步：炉管内充气回压，使炉内和炉外达到一个压力平衡；
第二十七步：取舟结束。
3.根据权利要求1所述的一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，其特征在于：所述步骤一主要为第七步到第十四步，镀膜一层折射率一致的膜，只是分三步完成，这样分三步保证膜制作更致密稳定。
4.根据权利要求1所述的一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，其特征在于：所述步骤二主要为第十六到第十七步，仅单做一层氮氧化硅膜。
5.根据权利要求1所述的一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，其特征在于：所述步骤三主要为第十九步到第二十二步，镀膜三层不同折射率的氮化硅膜，折射率从第一层到第三层，折射率逐渐变小。
6.根据权利要求2所述的一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，其特征在于：所述第十五步中再次抽真空的压力抽至为0mTorr。
7.根据权利要求2所述的一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，其特征在于：所述第十四步反应的温度控制在450℃，反应时间0-230s。
8.根据权利要求2所述的一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，其特征在于：所述第二十步中，镀膜的时间控制在1-150s。
9.根据权利要求2所述的一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，其特征在于：所述第二十五步中再次抽真空的气压抽至为0mTorr，抽压时间控制在40-70s。
10.根据权利要求2所述的一种改善perc单晶电池卡点印的石墨舟饱和工艺，其特征在于：所述第二十六步中炉管内充气回压的压力控制在0-10000mTorr。
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