CN113997438A - 一种N型110μm薄片切割工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及薄片切割技术领域，尤其涉及一种N型110μm薄片切割工艺，针对当前现有的切割工艺由于材料硬度高和脆性大的特点，在切割过程中非常容易因为破裂和边缘破损导致切割的薄片厚度较大的问题，现提出如下方案，其中包括以下步骤：S1：制作硅柱,S2:切割前准备，S3：切割试验,S4：进行切割，本发明的目的是通过改进现有的切割方式，能够切出厚度为110um的N型硅片，并在后道的硅片清洗检验过程中改进控制方法，把不良比例控制在1％以内，实现小批量生产，同时使切割出的硅片表面平整度好，减少了碎片的产生，提高了硅片的成品率，并在硅片切割过程中进行实时检测，降低因机器异常情况造成损失的概率。
Description
技术领域
本发明涉及薄片切割技术领域，尤其涉及一种N型110μm薄片切割工艺。
背景技术
太阳能行业硅片切割过程中，金刚线切片机逐渐代替砂浆切片机成为行业主流。与传统砂线机相比，金刚线机具有效率高，产能大，成本低和良率高等绝对优势。金刚线切片机逐渐国产化并大量应用到太阳能切片行业中。目前，主流生产企业普遍采用国产切片机，逐步摆脱依赖进口机器的被动局面。金刚线切片机取代传统砂浆切片机一个重要的原因为由于广泛使用金刚线切割，使得细线化和薄片化得以推广。钢线直径从原有砂线机的120um降低到目前的45um，硅片厚度由原来的200um降低到目前主流的150um。在硅料成本占行业70％情况下，细线化和薄片化能够节省约23％的硅料消耗。鉴于可以预见的未来，细线化和薄片化仍将成为各大企业技术改进的主要方向。
但是目前现有的切割工艺由于材料硬度高和脆性大的特点，在切割过程中非常容易因为破裂和边缘破损导致切割的薄片厚度较大的问题，因此，我们提出一种N型110μm薄片切割工艺用于解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决目前现有的切割工艺由于材料硬度高和脆性大的特点，在切割过程中非常容易因为破裂和边缘破损导致切割的薄片厚度较大等问题，而提出的一种N型110μm薄片切割工艺。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种N型110μm薄片切割工艺，包括以下步骤：
S1：制作硅柱：使用硅砂制备出所需要的标准规格的硅柱；
S2：切割前准备：在切割前对制得的硅柱和所需用到的切割机进行处理；
S3：切割试验：切割前进行切割试验，确定所用机器切割时的参数；
S4：进行切割：采用选取的切割机进行切割并对切割出的薄片进行标记；
S5：实时检测:由人工对切割出的薄片进行实时检测，通过检测判断是否需要进行上报处理；
S6：切割后处理:切割后对薄片进行清洗、氧化处理；
S7：人工检验：由人工对处理好的薄片进行分类，并在同一类中进行抽样，检测所述薄片的性能并进行数据对比；
优选的，所述S1中，选取硅砂作为原材料，将硅砂进行加热分离硅砂中的一氧化碳和硅，并重复该过程直至获得超高纯度的电子级硅，将高纯硅熔化成液体再凝固成单晶固体形式制得硅柱，其中进行凝固时选取直径为32cm的容器；
优选的，所述S2中，将凝固后的硅柱采用金刚石锯切除两端，并安装专用国产高测机安装技术人员研发的新型主辊，其中测量张力误差在0.1N以内，主辊跳动控制在10um以内，将粘结好的N型硅棒安装到机器上进行切割；
优选的，所述S3中，进行切割时所用的切割机器为国产高测GC700金刚线切片机，切割前对切割机器进行切割试验，通过专业人员对所述切割机进行数据设定，选取制备好的硅柱进行切割，切割后由专业人员进行测量，将测量出的数据与所需的110μm进行对比，专业人员通过对比结果对所述切割机器进行数据调整，直至测量数据为110um，并记录最终调整后的机器数据；
优选的，所述S4中，将同类型切割机数据均调整为人工最终调试出的数据，并由专业人员设计特有的开槽形状和角深度进行切割，进行切割时采用40um线切割将制得的硅柱切割成110u的薄片，切割后由专业鉴定人员对薄片进行鉴定，通过鉴定在薄片上添加平坦区和凹痕区标记，再由专业人员进行数据调整直至整个薄片厚度均匀；
优选的，所述S5中，在进行切割时由人工进行实时检测，通过对每一个切割出来的薄片进行厚度测量，并通过与标准数据110um进行对比判断是否需要进行上报，数据误差在2um内判断为正常情况，数据误差超过2um判断为异常情况，判断为正常情况无需进行上报，判断为异常情况人工须立即停止机器运作，并上报给专业人员，由专业人员对所述异常情况进行处理；
优选的，所述S6中，切割完成后先通过研磨和化学刻蚀工艺去除表面瑕疵，然后通过抛光形成光洁的表面，再通过清洗去除残留污染物获得表面整洁的成品晶圆，其中采用立式无接触插片技术进行清洗，清洗后再对薄片进行表面除杂，其中表面除杂过程要按去除有机物、金属等杂质、蒸发残留的水分的顺序进行，清洁完成后将薄片置于800-1200℃的环境下，通过氧气在薄片表面的流动形成二氧化硅层；
优选的，所述S7中，由人工通过专业设备对所述所有薄片进行电阻率测试，将相同电阻率的薄片划分为同一组，对每组薄片进行抽样检测，其中检测内容包括导电类型、载流子寿命、晶向、晶向偏离度、代位碳含量、晶体完整性以及表面质量，进行抽样检测时样品个数：每组总产品个数为1:8，并将检测出的性能数据与现有数据进行对比，计算出数据变化率，并由专门机构通过数据对比的结果对所述薄片性能做出最终评价，同时将制得的符合要求的薄片在无氧、无水蒸汽的环境中进行储存。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、通过改进现有的切割方式，能够切出厚度为110um的N型硅片，并在后道的硅片清洗检验过程中改进控制方法，把不良比例控制在1％以内，并实现小批量生产。
2、通过改进工艺使切割出的硅片表面平整度好，减少了碎片的产生，提高了硅片的成品率。
3、在硅片切割过程中进行实时检测，降低因机器异常情况造成损失的概率。
本发明的目的是通过改进现有的切割方式，能够切出厚度为110um的N型硅片，并在后道的硅片清洗检验过程中改进控制方法，把不良比例控制在1％以内，实现小批量生产，同时使切割出的硅片表面平整度好，减少了碎片的产生，提高了硅片的成品率，并在硅片切割过程中进行实时检测，降低因机器异常情况造成损失的概率。
附图说明
图1为本发明提出的一种N型110μm薄片切割工艺的流程图。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
实施例一
参照图1，一种N型110μm薄片切割工艺，包括以下步骤：
S1：制作硅柱：选取硅砂作为原材料，将硅砂进行加热分离硅砂中的一氧化碳和硅，并重复该过程直至获得超高纯度的电子级硅，将高纯硅熔化成液体再凝固成单晶固体形式制得硅柱，其中进行凝固时选取直径为32cm的容器；
S2：切割前准备：将凝固后的硅柱采用金刚石锯切除两端，并安装专用国产高测机安装技术人员研发的新型主辊，其中测量张力误差在0.1N以内，主辊跳动控制在10um以内，将粘结好的N型硅棒安装到机器上进行切割；
S3：切割试验：进行切割时所用的切割机器为国产高测GC700金刚线切片机，切割前对切割机器进行切割试验，通过专业人员对所述切割机进行数据设定，选取制备好的硅柱进行切割，切割后由专业人员进行测量，将测量出的数据与所需的110μm进行对比，专业人员通过对比结果对所述切割机器进行数据调整，直至测量数据为110um，并记录最终调整后的机器数据；
S4：进行切割：将同类型切割机数据均调整为人工最终调试出的数据，并由专业人员设计特有的开槽形状和角深度进行切割，进行切割时采用40um线切割将制得的硅柱切割成110u的薄片，切割后由专业鉴定人员对薄片进行鉴定，通过鉴定在薄片上添加平坦区和凹痕区标记，再由专业人员进行数据调整直至整个薄片厚度均匀；
S5：实时检测:在进行切割时由人工进行实时检测，通过对每一个切割出来的薄片进行厚度测量，并通过与标准数据110um进行对比判断是否需要进行上报，数据误差在2um内判断为正常情况，数据误差超过2um判断为异常情况，判断为正常情况无需进行上报，判断为异常情况人工须立即停止机器运作，并上报给专业人员，由专业人员对所述异常情况进行处理；
S6：切割后处理:切割完成后先通过研磨和化学刻蚀工艺去除表面瑕疵，然后通过抛光形成光洁的表面，再通过清洗去除残留污染物获得表面整洁的成品晶圆，其中采用立式无接触插片技术进行清洗，清洗后再对薄片进行表面除杂，其中表面除杂过程要按去除有机物、金属等杂质、蒸发残留的水分的顺序进行，清洁完成后将薄片置于800-1200℃的环境下，通过氧气在薄片表面的流动形成二氧化硅层；
S7：人工检验：由人工通过专业设备对所述所有薄片进行电阻率测试，将相同电阻率的薄片划分为同一组，对每组薄片进行抽样检测，其中检测内容包括导电类型、载流子寿命、晶向、晶向偏离度、代位碳含量、晶体完整性以及表面质量，进行抽样检测时样品个数：每组总产品个数为1:8，并将检测出的性能数据与现有数据进行对比，计算出数据变化率，并由专门机构通过数据对比的结果对所述薄片性能做出最终评价，同时将制得的符合要求的薄片在无氧、无水蒸汽的环境中进行储存。
实施例二
参照图1，一种N型110μm薄片切割工艺，包括以下步骤：
S1：制作硅柱：选取硅砂作为原材料，将硅砂进行加热分离硅砂中的一氧化碳和硅，并重复该过程直至获得超高纯度的电子级硅，将高纯硅熔化成液体再凝固成单晶固体形式制得硅柱，其中进行凝固时选取直径为32cm的容器；
S2：切割前准备：将凝固后的硅柱采用金刚石锯切除两端，并安装专用国产高测机安装技术人员研发的新型主辊，其中测量张力误差在0.1N以内，主辊跳动控制在10um以内，将粘结好的N型硅棒安装到机器上进行切割；
S3：切割试验：进行切割时所用的切割机器为国产高测GC700金刚线切片机，切割前对切割机器进行切割试验，通过专业人员对所述切割机进行数据设定；
S4：进行切割：将同类型切割机数据均调整为人工最终调试出的数据，并由专业人员设计特有的开槽形状和角深度进行切割，进行切割时采用40um线切割将制得的硅柱切割成110u的薄片，切割后由专业鉴定人员对薄片进行鉴定，通过鉴定在薄片上添加平坦区和凹痕区标记，再由专业人员进行数据调整直至整个薄片厚度均匀；
S5：实时检测:在进行切割时由人工进行实时检测，通过对每一个切割出来的薄片进行厚度测量，并通过与标准数据110um进行对比判断是否需要进行上报，数据误差在2um内判断为正常情况，数据误差超过2um判断为异常情况，判断为正常情况无需进行上报，判断为异常情况人工须立即停止机器运作，并上报给专业人员，由专业人员对所述异常情况进行处理；
S6：切割后处理:切割完成后先通过研磨和化学刻蚀工艺去除表面瑕疵，然后通过抛光形成光洁的表面，再通过清洗去除残留污染物获得表面整洁的成品晶圆，其中采用立式无接触插片技术进行清洗，清洗后再对薄片进行表面除杂，其中表面除杂过程要按去除有机物、金属等杂质、蒸发残留的水分的顺序进行，清洁完成后将薄片置于800-1200℃的环境下，通过氧气在薄片表面的流动形成二氧化硅层；
S7：人工检验：由人工通过专业设备对所述所有薄片进行电阻率测试，将相同电阻率的薄片划分为同一组，对每组薄片进行抽样检测，其中检测内容包括导电类型、载流子寿命、晶向、晶向偏离度、代位碳含量、晶体完整性以及表面质量，进行抽样检测时样品个数：每组总产品个数为1:8，并将检测出的性能数据与现有数据进行对比，计算出数据变化率，并由专门机构通过数据对比的结果对所述薄片性能做出最终评价，同时将制得的符合要求的薄片在无氧、无水蒸汽的环境中进行储存。
实施例三
参照图1，一种N型110μm薄片切割工艺，包括以下步骤：
S1：制作硅柱：选取硅砂作为原材料，将硅砂进行加热分离硅砂中的一氧化碳和硅，并重复该过程直至获得超高纯度的电子级硅，将高纯硅熔化成液体再凝固成单晶固体形式制得硅柱，其中进行凝固时选取直径为32cm的容器；
S2：切割前准备：将凝固后的硅柱采用金刚石锯切除两端，并安装专用国产高测机安装技术人员研发的新型主辊，其中测量张力误差在0.1N以内，主辊跳动控制在10um以内，将粘结好的N型硅棒安装到机器上进行切割；
S3：切割试验：进行切割时所用的切割机器为国产高测GC700金刚线切片机，切割前对切割机器进行切割试验，通过专业人员对所述切割机进行数据设定，选取制备好的硅柱进行切割，切割后由专业人员进行测量，将测量出的数据与所需的110μm进行对比，专业人员通过对比结果对所述切割机器进行数据调整，直至测量数据为110um，并记录最终调整后的机器数据；
S4：进行切割：将同类型切割机数据均调整为人工最终调试出的数据，并由专业人员设计特有的开槽形状和角深度进行切割，进行切割时采用40um线切割将制得的硅柱切割成110u的薄片；
S5：实时检测:在进行切割时由人工进行实时检测，通过对每一个切割出来的薄片进行厚度测量，并通过与标准数据110um进行对比判断是否需要进行上报，数据误差在2um内判断为正常情况，数据误差超过2um判断为异常情况，判断为正常情况无需进行上报，判断为异常情况人工须立即停止机器运作，并上报给专业人员，由专业人员对所述异常情况进行处理；
S6：切割后处理:切割完成后先通过研磨和化学刻蚀工艺去除表面瑕疵，然后通过抛光形成光洁的表面，再通过清洗去除残留污染物获得表面整洁的成品晶圆，其中采用立式无接触插片技术进行清洗，清洗后再对薄片进行表面除杂，其中表面除杂过程要按去除有机物、金属等杂质、蒸发残留的水分的顺序进行，清洁完成后将薄片置于800-1200℃的环境下，通过氧气在薄片表面的流动形成二氧化硅层；
S7：人工检验：由人工通过专业设备对所述所有薄片进行电阻率测试，将相同电阻率的薄片划分为同一组，对每组薄片进行抽样检测，其中检测内容包括导电类型、载流子寿命、晶向、晶向偏离度、代位碳含量、晶体完整性以及表面质量，进行抽样检测时样品个数：每组总产品个数为1:8，并将检测出的性能数据与现有数据进行对比，计算出数据变化率，并由专门机构通过数据对比的结果对所述薄片性能做出最终评价，同时将制得的符合要求的薄片在无氧、无水蒸汽的环境中进行储存。
实施例四
参照图1，一种N型110μm薄片切割工艺，包括以下步骤：
S1：制作硅柱：选取硅砂作为原材料，将硅砂进行加热分离硅砂中的一氧化碳和硅，并重复该过程直至获得超高纯度的电子级硅，将高纯硅熔化成液体再凝固成单晶固体形式制得硅柱，其中进行凝固时选取直径为32cm的容器；
S2：切割前准备：将凝固后的硅柱采用金刚石锯切除两端，并安装专用国产高测机安装技术人员研发的新型主辊，其中测量张力误差在0.1N以内，主辊跳动控制在10um以内，将粘结好的N型硅棒安装到机器上进行切割；
S3：切割试验：进行切割时所用的切割机器为国产高测GC700金刚线切片机，切割前对切割机器进行切割试验，通过专业人员对所述切割机进行数据设定，选取制备好的硅柱进行切割，切割后由专业人员进行测量，将测量出的数据与所需的110μm进行对比，专业人员通过对比结果对所述切割机器进行数据调整，直至测量数据为110um，并记录最终调整后的机器数据；
S4：进行切割：将同类型切割机数据均调整为人工最终调试出的数据，并由专业人员设计特有的开槽形状和角深度进行切割，进行切割时采用40um线切割将制得的硅柱切割成110u的薄片，切割后由专业鉴定人员对薄片进行鉴定，通过鉴定在薄片上添加平坦区和凹痕区标记，再由专业人员进行数据调整直至整个薄片厚度均匀；
S5：实时检测:在进行切割时由人工进行实时检测，通过对每一个切割出来的薄片进行厚度测量，并通过与标准数据110um进行对比；
S6：切割后处理:切割完成后先通过研磨和化学刻蚀工艺去除表面瑕疵，然后通过抛光形成光洁的表面，再通过清洗去除残留污染物获得表面整洁的成品晶圆，其中采用立式无接触插片技术进行清洗，清洗后再对薄片进行表面除杂，其中表面除杂过程要按去除有机物、金属等杂质、蒸发残留的水分的顺序进行，清洁完成后将薄片置于800-1200℃的环境下，通过氧气在薄片表面的流动形成二氧化硅层；
S7：人工检验：由人工通过专业设备对所述所有薄片进行电阻率测试，将相同电阻率的薄片划分为同一组，对每组薄片进行抽样检测，其中检测内容包括导电类型、载流子寿命、晶向、晶向偏离度、代位碳含量、晶体完整性以及表面质量，进行抽样检测时样品个数：每组总产品个数为1:8，并将检测出的性能数据与现有数据进行对比，计算出数据变化率，并由专门机构通过数据对比的结果对所述薄片性能做出最终评价，同时将制得的符合要求的薄片在无氧、无水蒸汽的环境中进行储存。
实施例五
参照图1，一种N型110μm薄片切割工艺，包括以下步骤：
S1：制作硅柱：选取硅砂作为原材料，将硅砂进行加热分离硅砂中的一氧化碳和硅，并重复该过程直至获得超高纯度的电子级硅，将高纯硅熔化成液体再凝固成单晶固体形式制得硅柱，其中进行凝固时选取直径为32cm的容器；
S2：切割前准备：将凝固后的硅柱采用金刚石锯切除两端，并安装专用国产高测机安装技术人员研发的新型主辊，其中测量张力误差在0.1N以内，主辊跳动控制在10um以内，将粘结好的N型硅棒安装到机器上进行切割；
S3：切割试验：进行切割时所用的切割机器为国产高测GC700金刚线切片机，切割前对切割机器进行切割试验，通过专业人员对所述切割机进行数据设定，选取制备好的硅柱进行切割，切割后由专业人员进行测量，将测量出的数据与所需的110μm进行对比，专业人员通过对比结果对所述切割机器进行数据调整，直至测量数据为110um，并记录最终调整后的机器数据；
S4：进行切割：将同类型切割机数据均调整为人工最终调试出的数据，并由专业人员设计特有的开槽形状和角深度进行切割，进行切割时采用40um线切割将制得的硅柱切割成110u的薄片，切割后由专业鉴定人员对薄片进行鉴定，通过鉴定在薄片上添加平坦区和凹痕区标记，再由专业人员进行数据调整直至整个薄片厚度均匀；
S5：实时检测:在进行切割时由人工进行实时检测，通过对每一个切割出来的薄片进行厚度测量，并通过与标准数据110um进行对比判断是否需要进行上报，数据误差在2um内判断为正常情况，数据误差超过2um判断为异常情况，判断为正常情况无需进行上报，判断为异常情况人工须立即停止机器运作，并上报给专业人员，由专业人员对所述异常情况进行处理；
S6：人工检验：由人工通过专业设备对所述所有薄片进行电阻率测试，将相同电阻率的薄片划分为同一组，对每组薄片进行抽样检测，其中检测内容包括导电类型、载流子寿命、晶向、晶向偏离度、代位碳含量、晶体完整性以及表面质量，进行抽样检测时样品个数：每组总产品个数为1:8，并将检测出的性能数据与现有数据进行对比，计算出数据变化率，并由专门机构通过数据对比的结果对所述薄片性能做出最终评价，同时将制得的符合要求的薄片在无氧、无水蒸汽的环境中进行储存。
对比例一
与实施利一不同之处在于，S3：切割试验：进行切割时所用的切割机器为国产高测GC700金刚线切片机，切割前对切割机器进行切割试验，通过专业人员对所述切割机进行数据设定，选取制备好的硅柱进行切割，其余与实施利一相同。
对比例二
与实施利一不同之处在于，S5：实时检测:在进行切割时由人工进行实时检测，通过对每一个切割出来的薄片进行测量，其余与实施利一相同。
对比例三
与实施利一不同之处在于，S6：切割后处理:切割完成后先通过研磨和化学刻蚀工艺去除表面瑕疵，然后通过抛光形成光洁的表面，再通过清洗去除残留污染物获得表面整洁的成品晶圆，其余与实施利一相同。
实验例
将实施例一、实施例二、实施例三、实施例四和实施例五中一种N型110μm薄片切割工艺进行试验，得出结果如下：
实施例一、实施例二、实施例三、实施例四和实施例五制得N型110μm薄片切割工艺对比现有工艺成品率有了显著提高，不良比例有了显著下降，且实施例一为最佳实施例。
检测报告
本发明的目的是为了解决目前目前现有的切割工艺由于材料硬度高和脆性大的特点，在切割过程中非常容易因为破裂和边缘破损导致切割的薄片厚度较大等问题，而提出的一种N型110μm薄片切割工艺，本发明的实施例提供一种N型110μm薄片切割工艺，通过改进现有的切割方式，能够切出厚度为110um的N型硅片，并在后道的硅片清洗检验过程中改进控制方法，把不良比例控制在1％以内，实现小批量生产，同时使切割出的硅片表面平整度好，减少了碎片的产生，提高了硅片的成品率，并在硅片切割过程中进行实时检测，降低因机器异常情况造成损失的概率。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种N型110μm薄片切割工艺，其特征在于，包括以下步骤：
S1：制作硅柱：使用硅砂制备出所需要的标准规格的硅柱；
S2：切割前准备：在切割前对制得的硅柱和所需用到的切割机进行处理；
S3：切割试验：切割前进行切割试验，确定所用机器切割时的参数；
S4：进行切割：采用选取的切割机进行切割并对切割出的薄片进行标记；
S5：实时检测:由人工对切割出的薄片进行实时检测，通过检测判断是否需要进行上报处理；
S6：切割后处理:切割后对薄片进行清洗、氧化处理；
S7：人工检验：由人工对处理好的薄片进行分类，并在同一类中进行抽样，检测所述薄片的性能并进行数据对比。
2.根据权利要求1所述的一种N型110μm薄片切割工艺，其特征在于，所述S1中，选取硅砂作为原材料，将硅砂进行加热分离硅砂中的一氧化碳和硅，并重复该过程直至获得超高纯度的电子级硅，将高纯硅熔化成液体再凝固成单晶固体形式制得硅柱，其中进行凝固时选取直径为32cm的容器。
3.根据权利要求2所述的一种N型110μm薄片切割工艺，其特征在于，所述S2中，将凝固后的硅柱采用金刚石锯切除两端，并安装专用国产高测机安装技术人员研发的新型主辊，其中测量张力误差在0.1N以内，主辊跳动控制在10um以内，将粘结好的N型硅棒安装到机器上进行切割。
4.根据权利要求2所述的一种N型110μm薄片切割工艺，其特征在于，所述S3中，进行切割时所用的切割机器为国产高测GC700金刚线切片机，切割前对切割机器进行切割试验，通过专业人员对所述切割机进行数据设定，选取制备好的硅柱进行切割，切割后由专业人员进行测量，将测量出的数据与所需的110μm进行对比，专业人员通过对比结果对所述切割机器进行数据调整，直至测量数据为110um，并记录最终调整后的机器数据。
5.根据权利要求2所述的一种N型110μm薄片切割工艺，其特征在于，所述S4中，将同类型切割机数据均调整为人工最终调试出的数据，并由专业人员设计特有的开槽形状和角深度进行切割，进行切割时采用40um线切割将制得的硅柱切割成110u的薄片，切割后由专业鉴定人员对薄片进行鉴定，通过鉴定在薄片上添加平坦区和凹痕区标记，再由专业人员进行数据调整直至整个薄片厚度均匀。
6.根据权利要求2所述的一种N型110μm薄片切割工艺，其特征在于，所述S5中，在进行切割时由人工进行实时检测，通过对每一个切割出来的薄片进行厚度测量，并通过与标准数据110um进行对比判断是否需要进行上报，数据误差在2um内判断为正常情况，数据误差超过2um判断为异常情况，判断为正常情况无需进行上报，判断为异常情况人工须立即停止机器运作，并上报给专业人员，由专业人员对所述异常情况进行处理。
7.根据权利要求1所述的一种N型110μm薄片切割工艺，其特征在于，所述S6中，切割完成后先通过研磨和化学刻蚀工艺去除表面瑕疵，然后通过抛光形成光洁的表面，再通过清洗去除残留污染物获得表面整洁的成品晶圆，其中采用立式无接触插片技术进行清洗。
8.根据权利要求7所述的一种N型110μm薄片切割工艺，其特征在于，清洗后再对薄片进行表面除杂，其中表面除杂过程要按去除有机物、金属等杂质、蒸发残留的水分的顺序进行，清洁完成后将薄片置于800-1200℃的环境下，通过氧气在薄片表面的流动形成二氧化硅层。
9.根据权利要求1所述的一种N型110μm薄片切割工艺，其特征在于，所述S7中，由人工通过专业设备对所述所有薄片进行电阻率测试，将相同电阻率的薄片划分为同一组，对每组薄片进行抽样检测，其中检测内容包括导电类型、载流子寿命、晶向、晶向偏离度、代位碳含量、晶体完整性以及表面质量，进行抽样检测时样品个数：每组总产品个数为1:8。
10.根据权利要求9所述的一种N型110μm薄片切割工艺，其特征在于，将检测出的性能数据与现有数据进行对比，计算出数据变化率，并由专门机构通过数据对比的结果对所述薄片性能做出最终评价，同时将制得的符合要求的薄片在无氧、无水蒸汽的环境中进行储存。
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