CN113972894B - 带振幅反馈的推挽式c类fbar振荡器电路及其工作方法 - Google Patents

带振幅反馈的推挽式c类fbar振荡器电路及其工作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113972894B
CN113972894B CN202111253043.7A CN202111253043A CN113972894B CN 113972894 B CN113972894 B CN 113972894B CN 202111253043 A CN202111253043 A CN 202111253043A CN 113972894 B CN113972894 B CN 113972894B
Authority
CN
China
Prior art keywords
circuit
amplitude
push
circuit unit
feedback
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202111253043.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113972894A (zh
Inventor
黄继伟
赵敏雄
丁增辉
李衍醇
王科平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuzhou University
Original Assignee
Fuzhou University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuzhou University filed Critical Fuzhou University
Priority to CN202111253043.7A priority Critical patent/CN113972894B/zh
Publication of CN113972894A publication Critical patent/CN113972894A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113972894B publication Critical patent/CN113972894B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1218—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the generator being of the balanced type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1228—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

本发明涉及一种带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路及其工作方法。所述电路包括：依次连接的电源端口、电流产生电路单元和基于推挽式C类核心振荡电路单元并带有振幅反馈电路单元；所述电流产生电路单元用于产生与输入电源电压无关的电流；所述基于推挽式核心振荡单元所提供的负阻用于补偿谐振回路的能量损耗；所述基于振幅反馈电路单元用于检测振幅并通过反馈来调整栅极电压使电路工作在C类状态。本发明电路基于互补交叉耦合C类振荡器结构，能够实现低功耗、低相位噪声，并且具有高效电流利用效率和稳定等特性。

Description

带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路及其工作方法
技术领域
本发明属于振荡电路技术领域，具体为一种高电流效率、功耗低、低相位噪声的振荡电路，尤其涉及一种带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路及其工作方法。
背景技术
随着无线通信系统的快速发展，对信号频率源提出了高光谱纯度，低相位噪声，低功耗的高要求。信号频率的高精度和纯度通常是通过在无源反馈网络中放置高质量因子(Q)谐振器来实现，例如，薄膜体声波谐振器(FBAR)已经用于这一目的，并且高质量因子也有利于设计低功耗和低相位噪声的FBAR振荡电路以满足无线通信系统的要求。
同时为了追求更高的效率、更大的振幅和更低的相位噪声，提出了交叉耦合B类振荡器。尽管交叉耦合B类振荡器比Colpitts振荡器具有更好的性能[1]，但是缺点在于它的实际性能与技术所允许的理想性能之间存在很大的差异，远远达不到所需要的理想。为了让实际性能接近理想性能，需要加入其他额外复杂的网络，增加了设计的复杂性和面积。
一个更有吸引力的解决方案是通过强制B类振荡器的开关晶体管工作在C类[2]，由于电流的导通角减小，因此可以节省大部分功率。但是C类振荡器最大的缺点在于难以起振，因为为了降低电流导通角需要低的晶体管栅源偏置电压，这会导致启动阶段所提供的负阻不足，并且C类振荡器还在最大振荡幅度和启动稳健性之间存在很大权衡，这在一定程度上限制了它在实际应用中的使用[3]。
同时对于传统的交叉耦合振荡器在振荡整个周期中，尾电流源晶体管始终保持开启状态，缺点在于造成很大的电流效率浪费、功耗高进而恶化相位噪声，因为尾电流源晶体管的闪烁噪声对相位噪声的贡献最大[4]。
参考文献：
[1]P.Andreani,Xiaoyan Wang,L.Vandi and A.Fard,"A study of phase noisein colpitts and LC-tank CMOS oscillators,"in IEEE Journal of Solid-StateCircuits,vol.40,no.5,pp.1107-1118,May2005,doi:10.1109/JSSC.2005.845991.
[2]A.Mazzanti and P.Andreani,"Class-C Harmonic CMOS VCOs,With aGeneral Result on PhaseNoise,"in IEEE Journal of Solid-State Circuits,vol.43,no.12,pp.2716-2729,Dec.2008,doi:10.1109/JSSC.2008.2004867.
[3]L.Fanori and P.Andreani,"Highly Efficient Class-C CMOS VCOs,Including a Comparison WithClass-BVCOs,"inIEEEJournal of Solid-StateCircuits,vol.48,no.7,pp.1730-1740,July2013,doi:10.1109/JSSC.2013.2253402.
[4]J.-Y.Hsieh and K.-Y.Lin,"A 0.7-mW LC Voltage-Controlled OscillatorLeveraging Switched Biasing Technique for Low Phase Noise,"in IEEETransactions on Circuits and Systems II:Express Briefs,vol.66,no.8,pp.1307-1310,Aug.2019,doi:10.1109/TCSII.2018.2886171.。
发明内容
本发明的目的在于提供一种带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路及其工作方法，克服了B类振荡器中电流效率低，相位噪声性能差的缺点，通过振幅反馈电路解决了C类振荡器中的鲁棒性启动的问题同时保证了振荡幅度并且通过反馈电容缩短尾电流源晶体管的开启周期。提供的带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路包括：电源端口、电流产生电路单元和基于推挽式C类核心振荡电路单元并带有振幅反馈电路单元；电源端口，用于提供一个1.8V的电源电压；电流产生电路单元，用于产生一个与输入电源电压无关的电流；基于推挽式C类核心振荡电路单元，其中包括由互补PMOS、NMOS和FBAR谐振器构成的互补交叉耦合的振荡器和由幅值检测电路、比较器和开关构成的振幅反馈电路用于将电路工作状态调至C类,通过两个反馈电容以减小尾电流源晶体管导通时间。该电路基于互补交叉耦合振荡器结构，能够在保证鲁棒启动的同时实现较大的输出摆幅，并且具有低相位噪声、低功耗、高电流效率等特性。
为实现上述目的，本发明的技术方案是：一种带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路，包括依次连接的电源端口、电流产生电路单元、带振幅反馈的推挽式C类核心振荡电路单元、输出端口；所述电流产生电路单元用于产生与输入电源电压无关的电流；所述带振幅反馈的推挽式C类核心振荡电路单元包括相互连接的推挽式C类核心振荡电路单元、振幅反馈电路单元；所述推挽式C类核心振荡电路单元提供的负阻用于补偿谐振回路的能量损耗；所述振幅反馈电路单元用于检测振荡摆幅并通过反馈到推挽式C类核心振荡电路单元以调整核心晶体管工作状态。
在本发明一实施例中，所述电源端口用于提供1.8V的电源电压；所述振荡器电路中MOS管的电源电压均为1.8V。
在本发明一实施例中，所述电流产生电路单元采用Widlar电流镜结构。
在本发明一实施例中，所述电流产生电路单元包括MOS管PM1、PM2、PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、NM1、NM2、NM3、NM4、NM5、NM6、NM7、NM8，电阻R1，电容C1和控制电阻Rb，其中，PM1的栅极、PM2的栅极相连接并通过R1与PM5的栅极、PM6的栅极和PM7的栅极相连接；PM1、PM2、PM3、PM5、PM6、PM7的源极均连接电源端口；PM5的漏极为产生电流输出端；PM6的漏极为产生电压输出端VREF2；PM7的漏极为产生电压输出端VREF1；PM3、PM4、NM5、NM6为启动电路部分；NM1的漏极和NM2的漏极分别连接NM3的源极和NM4的源极；NM3的栅极和NM4的栅极相连接，NM3的漏极经控制电阻Rb接地，NM4的漏极直接接地。
在本发明一实施例中，所述带振幅反馈的推挽式C类核心振荡电路单元包括交叉耦合的振荡器、反馈电流源、幅值检测电路、振幅反馈电路，所述交叉耦合的振荡器由PMOS和NMOS互补交叉耦合晶体管及FBAR谐振器构成，所述振幅反馈电路由幅值检测电路、比较器和开关构成；所述反馈电流源为输出通过反馈电容到尾部电流源晶体管。
在本发明一实施例中，所述PMOS和NMOS互补交叉耦合晶体管用于提供补偿谐振回路能量损失的负阻，所述振幅反馈电路用于将起振后的电路调整为C类工作状态；所述PMOS和NMOS互补交叉耦合晶体管均通过RC网络来偏置栅极电压，互补交叉耦合晶体管中NMOS晶体管通过振幅反馈电路来偏置栅极电压，互补交叉耦合晶体管中PMOS晶体管通过电平移位电路来偏置栅极电压；电平移位电路用来提供互补交叉耦合晶体管中PMOS晶体管的栅极偏压。
在本发明一实施例中，所述振幅反馈电路中幅值检测电路用于检测输出摆幅，输出通过电容到地同时为比较器的输入，通过与参考电压比较后，比较器的输出控制开关开启或关断并通过RC网络来控制互补交叉耦合晶体管中NMOS晶体管的栅极偏压。
在本发明一实施例中，所述反馈电流源通过反馈电容Cf1、Cf2将输出电压反馈到尾电流源晶体管的栅极用来减少其导通时间从而降低功耗和改善相位噪声。
在本发明一实施例中，所述电流产生电路单元产生的偏置电流IBias为：
其中，μ为NMOS晶体管的载流子迁移率，Cox为栅极氧化层的单位电容，(W/L)3为MOS管NM3的宽长比，λ为沟道长度调制系数；
引入反馈电容后，总的尾电流源电流公式Itail为：
其中，VGSB6、VGSB7为MOS管M6、M7管的栅源电压，VX为MOS管M6、M7管的直流栅源电压，用余弦函数表示振荡函数，A为振荡幅度，ω为振荡角频率，Φ为初相位。
在本发明一实施例中，推挽式C类核心振荡电路单元提供的负阻如下式所示：
其中，gmn为互补交叉耦合晶体管中NMOS的跨导，gmp为互补交叉耦合晶体管中PMOS的跨导。
相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：本发明及其优选方案采用带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器，结构复杂度不高，具有高效率、低功耗和低相位噪声等特点。
附图说明
图1为本发明实施例偏置电流产生电路原理示意图；
图2为本发明实施例振幅反馈电路原理示意图；
图3为本发明实施例带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡电路原理示意图；
图4为本发明实施例基本结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的技术方案进行具体说明。
本发明一种带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路，包括依次连接的电源端口、电流产生电路单元、带振幅反馈的推挽式C类核心振荡电路单元、输出端口；所述电流产生电路单元用于产生与输入电源电压无关的电流；所述带振幅反馈的推挽式C类核心振荡电路单元包括相互连接的推挽式C类核心振荡电路单元、振幅反馈电路单元；所述推挽式C类核心振荡电路单元提供的负阻用于补偿谐振回路的能量损耗；所述振幅反馈电路单元用于检测振荡摆幅并通过反馈到推挽式C类核心振荡电路单元以调整核心晶体管工作状态。
以下为本发明具体实现过程。
如图1-图4所示，本实施例提供的带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路包括依次连接的电源端口、电流产生电路单元和基于推挽式C类核心振荡电路单元并带有振幅反馈电路单元；电流产生电路单元用于产生与输入电源电压无关的电流；推挽式C类核心振荡单元用于提供负阻用于补偿谐振回路的能量损耗；振幅反馈电路单元用于检测振幅并通过反馈来调整NMOS晶体管栅极电压使电路工作在C类状态；通过两个反馈电容以减小尾电流源晶体管导通时间。该电路基于互补交叉耦合C类振荡器结构，能够实现低功耗、低相位噪声，并且具有高效电流利用效率和稳定等特性。
本实施例中，振荡器的频率为1.93GHz，电源端口用于提供1.8V的电源电压；电路中MOS管的电源电压均为1.8V。
如图1所示，电流产生电路单元采用Widlar电流镜结构，用于提供一个与电源电压无关的偏置电流Ibias和所需要的参考电压VREF1和VREF2。
电流产生电路单元包括MOS管PM1、PM2、PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、NM1、NM2、NM3、NM4、NM5、NM6、NM7、NM8、R1、C1和控制电阻Rb，其中，MOS管PM1、PM2栅极相连接并通过电阻R1与PM5、PM6和PM7的栅极相连接；MOS管PM1、PM2、PM3、PM5、PM6、PM7源极均连接电源端口；MOS管PM5的漏极为产生电流输出端；MOS管PM6的漏极为产生VREF2电压输出端；MOS管PM7的漏极为产生VREF1电压输出端；MOS管PM3、PM4、NM5、NM6为启动电路部分；MOS管NM1和NM2的漏极分别连接MOS管NM3和NM4的源极；MOS管NM3和NM4的栅极相连接，MOS管NM3的漏极经控制电阻Rb接地，NM4的漏极直接接地。
如图2所示，振幅反馈电路单元，通过晶体管M8和M9检测输出在开启阶段对电容充电，通过与VREF2电压比较来控制M10的导通与关断。
当电路未起振时工作与AB类振荡器，此时M10关断，给M1和M2栅极VB提供较高的Voffset电压便于起振。
当电路起振后，通过反馈使得M10导通，通过两个电阻分压将偏置电压VB减小为预设电压值使振荡器工作与深C类振荡器。
当电路稳定振荡后，通过反馈电容，将振荡输出反馈到尾电流源晶体管的源端，通过反馈来控制尾电流源晶体管的导通时间从而提升相位噪声和效率。
电流产生电路单元的产生电流输出端与第四阶反相器中作为输入端的MOS管PM4的源极连接。
在本实施例中，电流产生电路单元产生的偏置电流IBias为：
其中，μ为NMOS晶体管的载流子迁移率，Cox为栅极氧化层的单位电容，(W/L)3为MOS管NM3的宽长比，λ为沟道长度调制系数；
引入反馈电容后，总的尾电流源电流公式Itail为：
其中，VGSB6、VGSB7为MOS管M6、M7管的栅源电压，VX为MOS管M6、M7管的直流栅源电压，用余弦函数表示振荡函数，A为振荡幅度，ω为振荡角频率，Φ为初相位。
对于负阻形振荡器都需要一个负阻用于给FBAR谐振器提供能量，本实施例中的互补交叉耦合的PMOS和NMOS晶体管所提供的负阻为：
其中gmn、gmp分别为NMOS、PMOS晶体管的跨导。
以上是本发明的较佳实施例，凡依本发明技术方案所作的改变，所产生的功能作用未超出本发明技术方案的范围时，均属于本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路，其特征在于，包括依次连接的电源端口、电流产生电路单元、带振幅反馈的推挽式C类核心振荡电路单元、输出端口；所述电流产生电路单元用于产生与输入电源电压无关的电流；所述带振幅反馈的推挽式C类核心振荡电路单元包括相互连接的推挽式C类核心振荡电路单元、振幅反馈电路单元；所述推挽式C类核心振荡电路单元提供的负阻用于补偿谐振回路的能量损耗；所述振幅反馈电路单元用于检测振荡摆幅并通过反馈到推挽式C类核心振荡电路单元以调整核心晶体管工作状态；
所述电流产生电路单元包括MOS管PM1、PM2、PM3、PM4、PM5、PM6、PM7、NM1、NM2、NM3、NM4、NM5、NM6、NM7、NM8，电阻R1，电容C1和控制电阻Rb，其中，PM1的栅极、PM2的栅极相连接并通过电阻R1与PM5的栅极、PM6的栅极和PM7的栅极相连接；PM1、PM2、PM3、PM5、PM6、PM7的源极均连接电源端口；PM5的漏极为产生电流输出端；PM6的漏极为产生电压输出端VREF2；PM7的漏极为产生电压输出端VREF1；PM3、PM4、NM5、NM6为启动电路部分；NM1的漏极和NM2的漏极分别连接NM3的源极和NM4的源极；NM3的栅极和NM4的栅极相连接，NM3的漏极经控制电阻Rb接地，NM4的漏极直接接地；
所述带振幅反馈的推挽式C类核心振荡电路单元包括交叉耦合的振荡器、反馈电流源、振幅反馈电路，所述交叉耦合的振荡器由PMOS和NMOS互补交叉耦合晶体管及FBAR谐振器构成，所述振幅反馈电路由幅值检测电路、比较器和开关构成；所述反馈电流源的输出通过反馈电容到尾部电流源晶体管；
所述PMOS和NMOS互补交叉耦合晶体管用于提供补偿谐振回路能量损失的负阻，所述振幅反馈电路用于将起振后的电路调整为C类工作状态；所述PMOS和NMOS互补交叉耦合晶体管均通过RC网络来偏置栅极电压，互补交叉耦合晶体管中NMOS晶体管通过振幅反馈电路来偏置栅极电压，互补交叉耦合晶体管中PMOS晶体管通过电平移位电路来偏置栅极电压；电平移位电路用来提供互补交叉耦合晶体管中PMOS晶体管的栅极偏压；
所述振幅反馈电路中幅值检测电路用于检测输出摆幅，幅值检测电路的输出通过电容到地同时作为比较器的输入，通过与参考电压比较后，比较器的输出控制开关开启或关断并通过RC网络来控制互补交叉耦合晶体管中NMOS晶体管的栅极电压；
所述反馈电流源通过反馈电容Cf1、Cf2将输出电压反馈到尾电流源晶体管的栅极用来减少尾电流源晶体管的导通时间从而降低功耗和改善相位噪声；
所述电流产生电路单元产生的偏置电流IBias为：
其中，μ为NMOS晶体管的载流子迁移率，Cox为栅极氧化层的单位电容，(W/L)3为MOS管NM3的宽长比，λ为沟道长度调制系数；
引入反馈电容后，总的尾电流源电流公式Itail为：
其中，VGSB6、VGSB7为MOS管M6、M7管的栅源电压，VX为MOS管M6、M7管的直流栅源电压，用余弦函数表示振荡函数，A为振荡幅度，ω为振荡角频率，Φ为初相位；
推挽式C类核心振荡电路单元提供的负阻如下式所示：
其中，gmn为互补交叉耦合晶体管中NMOS的跨导，gmp为互补交叉耦合晶体管中PMOS的跨导。
2.根据权利要求1所述的一种带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路，其特征在于，所述电源端口用于提供1.8V的电源电压；所述振荡器电路中MOS管的电源电压均为1.8V。
3.根据权利要求1所述的一种带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路，其特征在于，所述电流产生电路单元采用Widlar电流镜结构。
4.根据权利要求1所述的一种带振幅反馈的推挽式C类FBAR振荡器电路，其特征在于，推挽式C类核心振荡电路单元提供的负阻如下式所示：
其中，gmn为互补交叉耦合晶体管中NMOS的跨导，gmp为互补交叉耦合晶体管中PMOS的跨导。
CN202111253043.7A 2021-10-27 2021-10-27 带振幅反馈的推挽式c类fbar振荡器电路及其工作方法 Active CN113972894B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111253043.7A CN113972894B (zh) 2021-10-27 2021-10-27 带振幅反馈的推挽式c类fbar振荡器电路及其工作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111253043.7A CN113972894B (zh) 2021-10-27 2021-10-27 带振幅反馈的推挽式c类fbar振荡器电路及其工作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113972894A CN113972894A (zh) 2022-01-25
CN113972894B true CN113972894B (zh) 2024-07-05

Family

ID=79588575

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111253043.7A Active CN113972894B (zh) 2021-10-27 2021-10-27 带振幅反馈的推挽式c类fbar振荡器电路及其工作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113972894B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113114168A (zh) * 2021-05-26 2021-07-13 福州大学 基于改进体偏置技术的差分colpitts FBAR振荡器电路及方法
CN113114167A (zh) * 2021-05-25 2021-07-13 福州大学 基于堆叠式的低功耗fbar振荡器电路及其工作方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9413341B1 (en) * 2013-12-23 2016-08-09 Microsemi Storage Solutions (U.S.), Inc. Electro-mechanical voltage-controlled oscillator and a method for generating tunable balanced oscillations

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113114167A (zh) * 2021-05-25 2021-07-13 福州大学 基于堆叠式的低功耗fbar振荡器电路及其工作方法
CN113114168A (zh) * 2021-05-26 2021-07-13 福州大学 基于改进体偏置技术的差分colpitts FBAR振荡器电路及方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113972894A (zh) 2022-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7061339B2 (en) Enhanced architectures of voltage-controlled oscillators with single inductor (VCO-1L)
JP4889761B2 (ja) 電圧制御発振器
KR20100123381A (ko) 부성저항을 개선시킨 차동 콜피츠 전압 제어 발진기
US9252705B2 (en) Oscillator having dual topology
US8217728B2 (en) LC voltage-controlled oscillator
WO2018010180A1 (zh) 一种振荡器
CN113972894B (zh) 带振幅反馈的推挽式c类fbar振荡器电路及其工作方法
Xu et al. 2.4-GHz band low-voltage class-C PMOS VCO IC with amplitude feedback loop
Liu et al. A 0.18-/spl mu/m 10-GHz CMOS ring oscillator for optical transceivers
Liu et al. Dynamically switched low-phase-noise LC VCO with harmonic filtering
Ying et al. A 1mW 5GHz current reuse CMOS VCO with low phase noise and balanced differential outputs
Takeuchi et al. An improved dual-conduction class-C VCO using a tail resistor
CN113114168B (zh) 基于改进体偏置技术的差分colpitts FBAR振荡器电路及方法
CN214959450U (zh) 基于改进体偏置技术的差分Colpitts FBAR振荡器电路
Jang et al. An active-inductor injection locked frequency divider with variable division ratio
US11239795B2 (en) Fully integrated oscillator for ultra low voltage applications with quadrupled voltage and low phase noise
CN110719070A (zh) 一种基于动态阈值技术的低功耗压控振荡器
Shin et al. Source-injection parallel coupled LC-QVCO
Thakkar et al. A 3.9–4.5 GHz class-C VCO with accurate current injection based on capacitive feedback
Lai et al. A CMOS Colpitts voltage-controlled oscillator with bias-free pMOSFET tails
KR20110131641A (ko) 전압 제어 발진기
Cai et al. Design of a low-power 2.4 GHz current reuse VCO for biomedical implantable applications
Siriburanon et al. A constant-current-controlled class-C VCO using a self-adjusting replica biasing scheme
Singh et al. Design of low phase noise and wide tuning range voltage controlled oscillator for modern communication system
Ji et al. Current reused Colpitts VCO and frequency divider for quadrature generation

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant