CN113972627A - 交错式功率因数校正电路、家用电器 - Google Patents

Abstract

本申请涉及家用电器技术领域，公开一种交错式功率因数校正电路，包括主回路、接入至主回路的两个并联支路、用于驱动两个并联支路的驱动单元，以及用于控制驱动单元的控制芯片单元，其中，每一支路包括门级与驱动单元连接的双极晶体管；还包括过流保护装置，该过流保护装置接入至主回路并分别与驱动单元和控制芯片单元连接，被配置为检测主回路电流并根据主回路电流大小阻断控制芯片单元向驱动单元发送控制信号以关断双极晶体管。在任一双极晶体管所在支路发生短路时，过流保护装置可直接阻断控制芯片单元向驱动单元发送控制信号以关断双极晶体管，无需经过控制芯片单元的处理逻辑，可以实现快速关断双极晶体管。本申请还公开一种家用电器。

Description

交错式功率因数校正电路、家用电器

技术领域

本申请涉及家用电器技术领域，例如涉及一种交错式功率因数校正电路、家用电器。

背景技术

功率因数校正(Power Factor Correction，简称PFC)技术可以有效提高家用电器的功率因数，实现高效节能的设计理念，因此在家用电器尤其是空调器中得到了广泛应用。交错式PFC是一种具备低电磁干扰(ElectroMagnetic Interference，简称EMI)特性的功率因数校正技术，与单路PFC电路相比，具有电感体积小、EMI效果好、电流纹波小的特点。交错式PFC电路工作时，两路双极晶体管按照180°角交替导通和关断，不间断的向直流母线电容充电，实现直流电压升压功能。

目前，交错式PFC电路中，为了对每一支路双极晶体管(Bipolar Transistor，简称BT)进行有效的过流保护，在主回路和两个并联支路中的任一支路上各串联一颗电流采样电阻以采集主回路和支路的两路过流信号，两路过流信号需经过运放、两级比较器和控制芯片单元的处理，然后控制芯片单元将控制信号输出给双极晶体管的驱动单元，进而关闭双极晶体管的驱动信号，实现双极晶体管的过流保护。

在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：

由于目前交错式PFC电路中对双极晶体管进行过流保护时，两路过流信号需经过运放、两级比较器和控制芯片单元的处理逻辑，因此过流保护响应时间较长，过流发生时可能无法及时关断双极晶体管，容易导致双极晶体管过流保护失效。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

本公开实施例提供一种交错式功率因数校正电路、家用电器，以解决目前交错式PFC电路中对双极晶体管进行过流保护时，过流保护响应时间较长，过流发生时可能无法及时关断双极晶体管，容易导致双极晶体管过流保护失效的问题。

在一些实施例中，交错式功率因数校正电路包括主回路、接入至主回路的两个并联支路、用于驱动两个并联支路的驱动单元，以及用于控制驱动单元的控制芯片单元，其中，每一支路包括门级与驱动单元连接的双极晶体管；还包括：

过流保护装置，接入至主回路并分别与驱动单元和控制芯片单元连接，被配置为检测主回路电流并根据主回路电流大小阻断控制芯片单元向驱动单元发送控制信号以关断双极晶体管。

在一些实施例中，家用电器包括上述交错式功率因数校正电路。

本公开实施例提供的交错式功率因数校正电路、家用电器，可以实现以下技术效果：

交错式功率因数校正电路中两个双极晶体管的短路保护通过过流保护装置直接连接主回路、双极晶体管的驱动单元以及用于控制驱动单元的控制芯片单元，在任一双极晶体管所在支路发生短路(主回路电流增大)时，过流保护装置可直接阻断控制芯片单元向驱动单元发送控制信号以关断双极晶体管，无需经过控制芯片单元的处理逻辑，可以实现快速关断双极晶体管，从而提高双极晶体管短路保护的可靠性。

以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：

图1是本公开实施例提供的一个交错式功率因数校正电路的结构示意图；

图2是本公开实施例提供的另一个交错式功率因数校正电路的结构示意图；

图3是本公开实施例提供的另一个交错式功率因数校正电路的结构示意图。

具体实施方式

为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。

本公开实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本公开实施例的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

本公开实施例中，术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本公开实施例及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本公开实施例中的具体含义。

另外，术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开实施例中的具体含义。

除非另有说明，术语“多个”表示两个或两个以上。字符“/”表示前后对象是一种“或”的关系。例如，A/B表示：A或B。术语“和/或”是一种描述对象的关联关系，表示可以存在三种关系。例如，A和/或B，表示：A或B，或，A和B这三种关系。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开实施例中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

图1-图3是本公开实施例提供的交错式功率因数校正电路的结构示意图。

结合图1所示，本公开实施例提供的交错式功率因数校正电路包括主回路、接入至主回路的两个并联支路、用于驱动两个并联支路的驱动单元IC2，以及用于控制驱动单元IC2的控制芯片单元IC1，其中，每一支路包括门级与驱动单元IC2连接的双极晶体管。交错式功率因数校正电路还包括过流保护装置P，该过流保护装置P接入至主回路并分别与驱动单元IC2和控制芯片单元IC1连接，被配置为检测主回路电流并根据主回路电流大小阻断控制芯片单元IC1向驱动单元IC2发送控制信号以关断双极晶体管。

这里，双极晶体管包括绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor，简称IGBT)。接入至主回路的两个并联支路分别为第一支路和第二支路，其中，第一支路包括门级与驱动单元IC2连接的第一绝缘栅双极晶体管IGBT1，第二支路包括门级与驱动单元IC2连接的第二绝缘栅双极晶体管IGBT2。交错式功率因数校正电路工作时，第一绝缘栅双极晶体管IGBT1和第二绝缘栅双极晶体管IGBT2按照180°角交替导通和关断，任一支路导通时，电流路径都会流经主回路，因此可以通过检测主回路电流并根据主回路电流大小对第一绝缘栅双极晶体管IGBT1和第二绝缘栅双极晶体管IGBT2进行硬件过流保护。硬件过流保护一般用于处理绝缘栅双极晶体管IGBT发生短路时功率因数校正电路回路中的电流突增。

可选地，结合图2所示，过流保护装置P包括主回路检测单元1和主回路短路保护单元2，其中，主回路检测单元1接入至主回路，被配置为检测主回路的主回路电流；主回路短路保护单元2的输入端与主回路检测单元1连接，输出端连接于驱动单元IC2和控制芯片单元IC1之间，被配置为根据主回路电流大小阻断控制芯片单元IC1向驱动单元IC2发送控制信号(脉冲宽度调制PWM信号)以关断双极晶体管。这里，主回路检测单元1可以为电流采样电阻，将电流采样电阻接入至主回路，从而实现主回路电流的检测。

可选地，主回路短路保护单元2包括比较子单元和导通子单元，其中，比较子单元的输入端与主回路检测单元1连接，被配置为将主回路电流转化为主回路采样电压，并在主回路采样电压大于第一预设电压阈值的情况下，输出端翻转为低电平信号；导通子单元的负极端与比较子单元的输出端连接，正极端连接于驱动单元IC2和控制芯片单元IC1之间，被配置为根据低电平信号切换导通状态以阻断控制芯片单元IC1向驱动单元IC2发送控制信号。

比较子单元通过预设算法将主回路电流转化为主回路采样电压(例如将主回路电流大小与电流采样电阻大小相乘以获得主回路采样电压)，并在在主回路采样电压大于第一预设电压阈值的情况下，输出端翻转为低电平信号。这里，第一预设电压阈值可选的取值范围为[3V，5V]，例如，3V(伏特)、4V、5V。导通子单元在接收到低电平信号后，切换其导通状态进而阻断控制芯片单元IC1与驱动单元IC2的信号传输路径，从而阻断控制芯片单元IC1向驱动单元IC2发送控制信号。

可选地，结合图3所示，比较子单元包括比较器N2，其输入正极与主回路检测单元1的输入端连接，输入负极与主回路检测单元1的输出端连接。导通子单元包括第一二极管D3和第二二极管D4，其中，第一二极管D3的正极端与驱动单元IC2的输入正极和控制芯片单元IC1的输出端连接，负极端与比较器N2的输出端连接；第二二极管D4的正极端与驱动单元IC2的输入负极和控制芯片单元IC1的输出端连接，负极端与比较器N2的输出端连接。

当第一支路发生短路时，即第一绝缘栅双极晶体管IGBT1发生短路时，此时控制芯片单元IC1输出的PWM信号给驱动单元IC2输入正极INA为高电平，输入负极INB为低电平；第一绝缘栅双极晶体管IGBT1处于开通状态，第一二极管D3和第二二极管D4负极(阴极)为高电平，因此都处于截止状态。第一绝缘栅双极晶体管IGBT1短路导致主回路电流突增，电流采样电阻RS1两端电压差值瞬间增大，因为B点电位恒定为0V，因此A点电位相对B点电位迅速减小，因此比较器N2的输入正极电压Up(+端电位)迅速减小，一直减小到小于输入负极电压Un(-端电位，也相当于第一预设电压阈值Vref1)，即，Up＜Un，比较器N2输出端翻转，由高电平VCC变成低电平0V。此时第二二极管D4正极(阳极)和负极(阴极)都是低电平，保持截止状态，第一二极管D3由于阳极连接驱动单元IC2输出正极INA为高电平，阴极连接比较器N2输出端被拉低，因此立刻变成导通状态，第一二极管D3的阳极被强行拉至低电平状态，即驱动单元IC2输入正极INA端变成低电平状态，驱动单元IC2输出OUTA输出端变成低电平状态，第一绝缘栅双极晶体管IGBT1门极电压被拉低，第一绝缘栅双极晶体管IGBT1被关断，实现了不经过控制芯片单元IC1处理的快速短路保护。

当第二支路发生短路时，即第二绝缘栅双极晶体管IGBT2发生短路时，此时控制芯片单元IC1输出的PWM信号给驱动单元IC2输入正极INA为低电平，输入负极INB为高电平；第二绝缘栅双极晶体管IGBT2处于开通状态，第一二极管D3和第二二极管D4阴极为高电平，因此都处于截止状态。第二绝缘栅双极晶体管IGBT2短路导致主回路电流突增，电流采样电阻RS1两端电压差值瞬间增大，因为B点电位恒定为0V，因此A点电位相对B点电位迅速减小，因此比较器N2的输入正极电压Up迅速减小，一直减小到小于输入负极电压Un，即，Up＜Un，比较器N2输出端翻转，由高电平VCC变成低电平0V。此时第一二极管D3正极(阳极)和负极(阴极)都是低电平，保持截止状态，第二二极管D4由于阳极连接驱动单元IC2输出负极INB为高电平，阴极连接比较器N2输出端被拉低，因此立刻变成导通状态，第二二极管D4的阳极被强行拉至低电平状态，即驱动单元IC2输入负极INB端变成低电平状态，驱动单元IC2输出OUTB输出端变成低电平状态，第二绝缘栅双极晶体管IGBT2门极电压被拉低，第二绝缘栅双极晶体管IGBT2被关断，实现了不经过控制芯片单元IC1处理的快速短路保护。

在一些实际应用中，结合图3所示，主回路包括依次连接成环的交流电源AC、整流电路B1、两个并联的第一支路和第二支路，以及电容C7。其中，第一支路包括串接的电感L1和二极管D1，第二支路包括串接的电感L2和二极管D2。

在一些实际应用中，结合图3所示，比较子单元还包括电阻R10、电阻R11、电阻R12、电阻R13、电阻R14、电阻R15、电阻R16和电容C5。其中，电阻R10的第一端和电流采样电阻RS1的第二端(B端)连接；电阻R11的第一端和电流采样电阻RS1的第一端(A端)连接；电阻R12的第一端和电阻R10的第二端连接，第二端接比较器N2的输入正极；电阻R13的第一端和电阻R11的第二端连接，第二端接比较器N2的输入负极；电阻R14的第一端和电阻R12的第二端连接，第二端接电源VCC；电阻R15的第一端和电阻R13的第二端连接，第二端接电源VCC；电阻R16的第一端接电源VCC，第二端与比较器N2的输出端连接；电容C5的第一端与电阻R10的第二端连接，第二端与电阻R11的第二端连接。

采用本公开实施例提供的交错式功率因数校正电路，交错式功率因数校正电路中两个双极晶体管的短路保护通过过流保护装置P直接连接主回路、双极晶体管的驱动单元IC2以及用于控制驱动单元IC2的控制芯片单元IC1。在任一双极晶体管所在支路发生短路(主回路电流增大)时，过流保护装置P可直接阻断控制芯片单IC1向驱动单元IC2发送控制信号以关断双极晶体管，无需经过控制芯片单元IC1的处理逻辑，可以实现快速关断双极晶体管，从而提高双极晶体管短路保护的可靠性。

在一些实施例中，结合图3所示，控制芯片单元IC1的输入输出I/O端与比较子单元的输出端连接，输出端与驱动单元IC2连接，被配置为在接收到低电平信号的情况下，锁止控制信号的输出。

当第一支路和第二支路正常运行时，比较器N2输入正极电位Up大于输入负极电位Un，即Up＞Un，比较器N2输出为高电平信号，控制芯片单元IC1输入输出I/O端输入为高电平信号，因此第一二极管D3和第二二极管D4截止，驱动单元IC2的输入正极INA和输入负极INB可以正常接收来自控制芯片单元IC1的控制信号，交错式功率因数校正电路正常工作。

当第一支路或第二支路发生短路，比较器N2输出的低电平信号同步传送给控制芯片单元IC1的输入输出I/O端，控制芯片单元IC1输出控制信号锁止，从控制端保证驱动单元IC2的输入正极INA和输入负极INB都为低电平，交错式功率因数校正电路锁止，从而与过流保护装置P共同实现交错式功率因数校正电路的可靠保护。

在一些实施例中，结合图2所示，交错式功率因数校正电路还包括支路检测单元3和支路过载保护单元4，其中，支路检测单元3设置于两个并联支路中的任一支路上，被配置为获得任一支路的支路电流；支路过载保护单元4的输入端与支路检测单元1连接，输出端与控制芯片单元IC1的第一模数A/D端连接，被配置为将支路电流转化为支路采样电压，并向控制芯片单元IC1发送支路采样电压。控制芯片单元IC1被配置为在支路采样电压大于第二预设电压阈值的情况下，锁止控制信号的输出。这里，支路检测单元3可以为电流采样电阻，将电流采样电阻接入支路，从而实现支路电流的检测。

这里，第二预设电压阈值小于第一预设电压阈值。第二预设电压阈值可选的取值范围为[1V，2V]，例如，1V、1.5V、2V。

可选地，结合图3所示，支路过载保护单元包括第一运放器，该第一运放器的输入正极与支路检测单元的输入端连接，输入负极与支路检测单元的输出端连接，输出端与第一模数A/D端连接。

在一些实际应用中，结合图3所示，支路过载保护单元还包括电阻R17、电阻R18、电阻R19、电阻R20、电阻R21、电阻R22、电阻R23和电容C6。其中，电阻R17的第一端和电流采样电阻RS2的第一端(D端)连接；电阻R18的第一端和电流采样电阻RS2的第二端(C端)连接；电阻R19的第一端和电阻R17的第二端连接，第二端接第一运放器N4的输入正极；电阻R20的第一端和电阻R18的第二端连接，第二端接第一运放器N4的输入负极；电阻R21的第一端接第一运放器N4的输出端，第二端和电阻R12的第二端连接；电阻R22的第一端接地，第二端与第一运放器N4的输入正极连接；电阻R23的第一端与第一运放器N4的输入正极连接，第二端接电源VCC；电容C6的第一端与电阻R17的第二端连接，第二端与电阻R18的第二端连接。

本可选实施例中，支路检测单元3检测支路电流，支路过载保护单元4将支路电流转化为支路采样电压，使控制芯片单元IC1根据支路采样电压锁止控制信号的输出，从而实现交错式功率因数校正电路支路的软件过流保护。软件过流保护一般用于处理功率因数校正电路因负载过大导致的过流，过流保护阈值设置写在控制芯片单元IC1程序中，当控制芯片单元IC1检测到从运放输入的电压信号大于预设电压阈值时，控制芯片单元IC1关闭绝缘栅双极晶体管IGBT的驱动脉冲宽度调制信号(控制信号)，从而关闭绝缘栅双极晶体管IGBT，实现绝缘栅双极晶体管IGBT的过流保护。

在一些实施例中，结合图2所示，交错式功率因数校正电路还包括主回路过载保护单元5，该主回路过载保护单元5的输入端与主回路检测单元1连接，输出端与控制芯片单元IC1的第二模数A/D端连接，被配置为将主回路电流转化为主回路采样电压，并向控制芯片单元IC1发送主回路采样电压。控制芯片单元IC1被配置为在主回路采样电压与支路采样电压的电压差值大于第三预设电压阈值的情况下，锁止控制信号的输出。

这里，第三预设电压阈值小于第一预设电压阈值。第三预设电压阈值可选的取值范围为[1V，2V]，例如，1V、1.5V、2V。

可选地，结合图3所示，主回路过载保护单元包括第二运放器，该第二运放器的输入正极与主回路检测单元的输入端连接，输入负极与主回路检测单元的输出端连接，输出端与第二模数A/D端连接。

在一些实际应用中，结合图3所示，主回路过载保护单元还包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7和电容C1。其中，电阻R1的第一端和电流采样电阻RS1的第一端(A端)连接；电阻R2的第一端和电流采样电阻RS1的第二端(B端)连接；电阻R3的第一端和电阻R1的第二端连接，第二端接第二运放器N1的输入负极；电阻R4的第一端和电阻R2的第二端连接，第二端接第二运放器N1的输入正极；电阻R5的第一端和电阻R3的第二端连接，第二端接第二运放器N1的输出端；电阻R6的第一端接地，第二端与第二运放器N1的输入正极连接；电阻R7的第一端与第二运放器N1的输入正极连接，第二端接电源VCC；电容C1的第一端与电阻R1的第二端连接，第二端与电阻R2的第二端连接。

本可选实施例中，一方面，主回路过载保护单元5将主回路电流转化为主回路采样电压，控制芯片单元IC1根据主回路采样电压与支路采样电压的电压差值锁止控制信号的输出，从而实现交错式功率因数校正电路中对于未设置支路过载保护单元的支路的软件过流保护；另一方面，利用主回路采样电压与支路采样电压的电压差值来衡量未设置支路过载保护单元的支路的负载过流状况，从而对该支路进行软件过流保护(而非在两个并联支路分别设置支路检测单元和支路过载保护单元来对两个支路进行过流保护)，可以降低两个支路过载保护单元中开关器件交替动作产生的开关干扰信号的影响，从而提高交错式功率因数校正电路的过载检测的准确度，并提升交错式功率因数校正电路的过载保护效果。

在一些实施例中，结合图2所示，交错式功率因数校正电路还包括滤波单元6，该滤波单元6设置于主回路检测单元1和主回路短路保护单元2之间，被配置为滤除主回路电流中的高频干扰信号。

在一些实际应用中，结合图3所示，滤波单元包括电阻R8、电阻R9、电容C2、电容C3和电容C4。其中，电阻R8的第一端和电流采样电阻RS1的第二端(B端)连接，第二端和主回路短路保护单元连接；电阻R9的第一端和电流采样电阻RS1的第一端(A端)连接，第二端和主回路短路保护单元连接；电容C2的第一端和电阻R8的第一端连接，第二端和电阻R8的第二端连接；电容C3的第一端和电阻R8的第二端连接，第二端和电阻R9的第二端连接；电容C4的第一端和电阻R9的第二端连接，第二端接地。

本可选实施例中，在主回路短路保护单元前置滤波单元6，通过设置滤波时间常数，可有效防止主回路电流的高频干扰信号，防止误保护，提高交错式功率因数校正电路电流保护的可靠性。

在一些实施例中，本公开实施例提供的家用电器包括上述交错式功率因数校正电路。

采用本公开实施例提供的家用电器，交错式功率因数校正电路中两个双极晶体管的短路保护通过过流保护装置直接连接主回路、双极晶体管的驱动单元以及用于控制驱动单元的控制芯片单元。在任一双极晶体管所在支路发生短路(主回路电流增大)时，过流保护装置可直接阻断控制芯片单元向驱动单元发送控制信号以关断双极晶体管，无需经过控制芯片单元的处理逻辑，可以实现快速关断双极晶体管，进而提高双极晶体管短路保护的可靠性，从而提高家用电器的安全性能。

以上描述和附图充分地示出了本公开的实施例，以使本领域的技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。本公开的实施例并不局限于上面已经描述并在附图中示出的结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (11)

1.一种交错式功率因数校正电路，包括主回路、接入至所述主回路的两个并联支路、用于驱动所述两个并联支路的驱动单元，以及用于控制所述驱动单元的控制芯片单元，其中，每一支路包括门级与所述驱动单元连接的双极晶体管，其特征在于，还包括：

过流保护装置，接入至所述主回路并分别与所述驱动单元和所述控制芯片单元连接，被配置为检测主回路电流并根据所述主回路电流大小阻断所述控制芯片单元向所述驱动单元发送控制信号以关断所述双极晶体管。

2.根据权利要求1所述的交错式功率因数校正电路，其特征在于，所述过流保护装置包括：

主回路检测单元，接入至所述主回路，被配置为检测所述主回路的主回路电流；

主回路短路保护单元，输入端与所述主回路检测单元连接，输出端连接于所述驱动单元和所述控制芯片单元之间，被配置为根据所述主回路电流大小阻断所述控制芯片单元向所述驱动单元发送控制信号以关断所述双极晶体管。

3.根据权利要求2所述的交错式功率因数校正电路，其特征在于，所述主回路短路保护单元包括：

比较子单元，输入端与所述主回路检测单元连接，被配置为将所述主回路电流转化为主回路采样电压，并在所述主回路采样电压大于第一预设电压阈值的情况下，输出端翻转为低电平信号；

导通子单元，负极端与所述比较子单元的输出端连接，正极端连接于所述驱动单元和所述控制芯片单元之间，被配置为根据所述低电平信号切换导通状态以阻断所述控制芯片单元向所述驱动单元发送控制信号。

4.根据权利要求3所述的交错式功率因数校正电路，其特征在于，

所述比较子单元包括：

比较器，输入正极与所述主回路检测单元的输入端连接，输入负极与所述主回路检测单元的输出端连接；

所述导通子单元包括：

第一二极管，正极端与所述驱动单元的输入正极和所述控制芯片单元的输出端连接，负极端与所述比较器的输出端连接；

第二二极管，正极端与所述驱动单元的输入负极和所述控制芯片单元的输出端连接，负极端与所述比较器的输出端连接。

5.根据权利要求3所述的交错式功率因数校正电路，其特征在于，所述控制芯片单元的输入输出I/O端与所述比较子单元的输出端连接，输出端与所述驱动单元连接，被配置为在接收到所述低电平信号的情况下，锁止控制信号的输出。

6.根据权利要求2所述的交错式功率因数校正电路，其特征在于，还包括：

支路检测单元，设置于所述两个并联支路中的任一支路上，被配置为获得所述任一支路的支路电流；

支路过载保护单元，输入端与所述支路检测单元连接，输出端与所述控制芯片单元的第一模数A/D端连接，被配置为将所述支路电流转化为支路采样电压，并向所述控制芯片单元发送所述支路采样电压；

所述控制芯片单元被配置为在所述支路采样电压大于第二预设电压阈值的情况下，锁止控制信号的输出。

7.根据权利要求6所述的交错式功率因数校正电路，其特征在于，所述支路过载保护单元包括：

第一运放器，输入正极与所述支路检测单元的输入端连接，输入负极与所述支路检测单元的输出端连接，输出端与所述第一模数A/D端连接。

8.根据权利要求6所述的交错式功率因数校正电路，其特征在于，还包括：

主回路过载保护单元，输入端与所述主回路检测单元连接，输出端与所述控制芯片单元的第二模数A/D端连接，被配置为将所述主回路电流转化为主回路采样电压，并向所述控制芯片单元发送所述主回路采样电压；

所述控制芯片单元被配置为在所述主回路采样电压与所述支路采样电压的电压差值大于第三预设电压阈值的情况下，锁止控制信号的输出。

9.根据权利要求8所述的交错式功率因数校正电路，其特征在于，所述主回路过载保护单元包括：

第二运放器，输入正极与所述主回路检测单元的输入端连接，输入负极与所述主回路检测单元的输出端连接，输出端与所述第二模数A/D端连接。

10.根据权利要求2至9任一项所述的交错式功率因数校正电路，其特征在于，还包括：

滤波单元，设置于所述主回路检测单元和所述主回路短路保护单元之间，被配置为滤除所述主回路电流中的高频干扰信号。

11.一种家用电器，其特征在于，包括如权利要求1至10任一项所述的交错式功率因数校正电路。

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