CN113964008A - 一种半导体器件生产加工用刻蚀装置及其使用方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体器件生产加工用刻蚀装置及其使用方法，包括机体以及开设在机体内部的反应腔体，所述反应腔体的内部设置有多个托板，所述机体的前表面旋转连接有封闭门，所述托板的顶部对称设置有两个限位压块，所述托板的底部对称设置有两个T形基块，所述托板的表面开设有条形滑道，且所述T形基块的顶端滑动设置在条形滑道的内部；通过设置的限位压块、T形基块、条形滑道、第一内槽、第一弹簧、内推板和连杆等结构，使得半导体器件放置在托板的顶部后可以得到稳定的压紧限位，从而提高半导体器件后续刻蚀加工过程中的稳定性，解决了原装置中半导体器件在刻蚀加工过程中容易发生位置偏移的问题。
Description
技术领域
本发明属于半导体器件加工设备技术领域，具体涉及一种半导体器件生产加工用刻蚀装置及其使用方法。
背景技术
半导体器件在加工过程中需要经过多道工序，且需要用到多种设备，其中就包括需要用到一种和专用与半导体器件刻蚀加工的等离子刻蚀机，这种等离子刻蚀机主要由控制系统、电源系统、刻蚀腔体、气体系统和真空泵系统组成，使用时，工件被送入刻蚀腔体内，然后通过真空泵对腔体进行抽真空，再将反应气体通过气体系统导入并与等离子体进行交换，等离子体在工件表面发生反应，从而实现刻蚀的目的，而反应的挥发性副产物会被真空泵抽走。
现有的等离子刻蚀机在使用时，会将工件放在刻蚀腔体内的托板上，但由于托板上没有设置任何对工件进行限位的结构，导致工件在后续刻蚀加工过程中得不到良好的限位，很容易发生位置偏移，从而影响加工质量，存在一定的弊端，为此本发明提出一种半导体器件生产加工用刻蚀装置及其使用方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体器件生产加工用刻蚀装置及其使用方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体器件生产加工用刻蚀装置，包括机体以及开设在机体内部的反应腔体，所述反应腔体的内部设置有多个托板，所述机体的前表面旋转连接有封闭门，所述托板的顶部对称设置有两个限位压块，所述托板的底部对称设置有两个T形基块，所述托板的表面开设有条形滑道，且所述T形基块的顶端滑动设置在条形滑道的内部，所述T形基块的底端内部开设有第一内槽，且所述第一内槽内设置有内推板和连杆，所述连杆的底端与内推板固定，且连杆的顶端贯穿至T形基块的顶部与限位压块旋转连接，所述内推板与第一内槽的顶端内壁之间连接有两个第一弹簧，且两个所述第一弹簧分别处于连杆的两侧，所述T形基块与托板之间还设置有调节机构。
优选的，所述调节机构包括固定在T形基块前表面的矩形块，所述矩形块的内部开设有第二内槽，所述第二内槽内设置有内推块和第二弹簧，所述内推块的前表面固定有圆形卡块，所述托板的底部表面相对于矩形块的正前方固定有基条，且基条的表面贯穿开设有多个圆形孔，所述圆形卡块的一端卡在其中一个圆形孔内，所述矩形块的底部表面设置有L形推块，所述矩形块的底部表面开设有底滑道，且底滑道内设置有连接块，所述内推块与L形推块之间通过连接块相固定。
优选的，所述内推块的后表面开设有弹簧槽，且第二弹簧的一端嵌入至弹簧槽内。
优选的，所述弹簧槽的内壁和第二内槽的一端内壁上均固定有圆柱形块，所述第二弹簧的两端分别套在两个圆柱形块上。
优选的，所述限位压块的底部表面安装有防滑垫，且防滑垫的底部表面开设有多个防滑凹槽。
优选的，所述防滑垫的顶部表面设有一体式的T形块，且限位压块的一端开设有T形滑槽，所述T形滑槽的内壁固定有弧形凸起，且T形块的顶部表面开设有限位卡槽，所述T形块嵌入至T形滑槽内，且弧形凸起卡在限位卡槽内。
优选的，还包括一种半导体器件生产加工用刻蚀装置的使用方法，所述半导体器件生产加工用刻蚀装置的使用方法包括以下步骤：
步骤一、先将封闭门旋转打开，然后将需要刻蚀的半导体器件放入反应腔体的内部，并处于托板的顶部表面；
步骤二、将L形推块推动，致使L形推块带着内推块移动，并使得第二弹簧逐渐被压缩，直至圆形卡块的端部从圆形孔内移出，此时即可将矩形块和T形基块横移，从而改变限位压块的位置，致使限位压块移动至半导体器件的一侧，再松开L形推块，使得第二弹簧将内推块回推，并使得圆形卡块的端部卡入其他位置的圆形孔内，即可完成限位压块的位置调节；
步骤三、将限位压块上提，使得连杆将内推板上拉，并使得第一弹簧逐渐被压缩，致使限位压块顺利上移，此时再将限位压块往半导体器件的方向旋转，直至限位压块的一端和防滑垫可以处于半导体器件的顶部，此时松开限位压块，使得第一弹簧在自身弹性作用下将内推板回推，并使得连杆将限位压块回拉，致使防滑垫与半导体器件的顶部表面紧贴，即可完成对半导体器件的压紧限位；
步骤四、关闭封闭门，并启动等离子刻蚀机，致使等离子刻蚀机内部的真空泵启动，并对反应腔体的内部进行抽真空；
步骤五、完成抽真空后，启动外界气泵，并将反应气体导入反应腔体的内部进行等离子交换，等离子体会在半导体器件表面发生反应，从而实现对半导体器件刻蚀的目的；
步骤六、完成刻蚀加工后，将封闭门旋转打开，并将限位压块上提，致使限位压块和防滑垫不再对半导体器件进行压紧，再将限位压块旋转一百八十度，致使限位压块和防滑垫不再对半导体器件进行阻挡，即可正常的将完成刻蚀加工后的半导体器件取出。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、通过设置的限位压块、T形基块、条形滑道、第一内槽、第一弹簧、内推板和连杆等结构，使得半导体器件放置在托板的顶部后可以得到稳定的压紧限位，从而提高半导体器件后续刻蚀加工过程中的稳定性，解决了原装置中半导体器件在刻蚀加工过程中容易发生位置偏移的问题。
2、通过设置的调节机构，使得T形基块和限位压块的位置可以根据不同尺寸的半导体器件进行灵活的调节，大幅度提高了整体的使用灵活性，便于对不同尺寸的半导体器件进行压紧限位。
3、通过设置的防滑垫、T形块和T形滑槽等结构，可防止限位压块进行压紧限位时与半导体器件直接接触，从而防止造成半导体器件表面被磨损，同时也可以起到一定的防滑作用，提高压紧时的稳定性，且防滑垫后续易于拆下进行更换，维护方便。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明图1中A区域的局部放大图；
图3为本发明连杆与T形基块连接处的正视剖视图；
图4为本发明连杆与T形基块连接处的侧视剖视图；
图5为本发明图4中C区域的局部放大图；
图6为本发明图3中B区域的局部放大图；
图中：1、机体；2、反应腔体；3、托板；4、封闭门；5、T形基块；6、限位压块；7、防滑垫；8、基条；9、圆形孔；10、矩形块；11、L形推块；12、第一内槽；13、第一弹簧；14、内推板；15、连杆；16、条形滑道；17、T形块；18、T形滑槽；19、第二内槽；20、内推块；21、第二弹簧；22、圆形卡块；23、连接块；24、弧形凸起；25、限位卡槽。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例
请参阅图1至图6，本发明提供一种技术方案：一种半导体器件生产加工用刻蚀装置，包括机体1以及开设在机体1内部的反应腔体2，反应腔体2的内部设置有多个托板3，机体1的前表面通过铰链旋转连接有封闭门4，托板3的顶部对称设置有两个限位压块6，托板3的底部对称设置有两个与限位压块6相对应的T形基块5，托板3的表面开设有与T形基块5相对应的条形滑道16，且T形基块5的顶端滑动设置在条形滑道16的内部，T形基块5的顶端表面对称固定有两个侧滑块，且条形滑道16的两侧内壁均开设有侧滑槽，侧滑块处于侧滑槽内，使得T形基块5可在托板3的底部滑动，T形基块5的底端内部开设有第一内槽12，且第一内槽12内设置有内推板14和连杆15，连杆15的底端与内推板14固定，且连杆15的顶端贯穿至T形基块5的顶部与限位压块6旋转连接，连杆15的顶端固定有截面呈T形结构的旋转杆，且限位压块6转动套设在旋转杆上，使得限位压块6可旋转，内推板14与第一内槽12的顶端内壁之间连接有两个第一弹簧13，且两个第一弹簧13分别处于连杆15的两侧，使得限位压块6后续可在第一弹簧13的作用下完成对半导体器件的压紧限位，T形基块5与托板3之间还设置有调节机构。
本实施例中，优选的，调节机构包括固定在T形基块5前表面的矩形块10，矩形块10的内部开设有第二内槽19，第二内槽19内设置有内推块20和第二弹簧21，内推块20的前表面固定有圆形卡块22，托板3的底部表面相对于矩形块10的正前方固定有基条8，且基条8的表面贯穿开设有多个与圆形卡块22相对应的圆形孔9，圆形卡块22的一端卡在其中一个圆形孔9内，用于矩形块10的限位，矩形块10的底部表面设置有L形推块11，矩形块10的底部表面开设有与第二内槽19相通的底滑道，且底滑道内设置有连接块23，内推块20与L形推块11之间通过连接块23相固定，可便于后续操作人员通过L形推块11将内推块20推动，从而使得内推块20滑动，并使得圆形卡块22的端部从圆形孔9内移出，即可对矩形块10和T形基块5的位置进行调整。
本实施例中，优选的，内推块20的后表面开设有弹簧槽，且第二弹簧21的一端嵌入至弹簧槽内，弹簧槽的内壁和第二内槽19的一端内壁上均固定有圆柱形块，第二弹簧21的两端分别套在两个圆柱形块上，用于对第二弹簧21的导向限位，防止第二弹簧21偏移。
本实施例中，优选的，限位压块6的底部表面安装有防滑垫7，且防滑垫7的底部表面开设有多个防滑凹槽，可防止限位压块6进行压紧限位时与半导体器件直接接触，从而防止造成半导体器件表面被磨损，同时也可以起到一定的防滑作用，防滑垫7的顶部表面设有一体式的T形块17，防滑垫7和T形块17均为橡胶材质构件，且限位压块6的一端开设有与T形块17相对应的T形滑槽18，T形滑槽18的内壁固定有弧形凸起24，且T形块17的顶部表面开设有与弧形凸起24相对应的限位卡槽25，T形块17嵌入至T形滑槽18内，且弧形凸起24卡在限位卡槽25内，使得防滑垫7后续损坏后易于更换。
半导体器件生产加工用刻蚀装置的使用方法包括以下步骤：先将封闭门4在铰链的作用下旋转打开，然后将需要刻蚀的半导体器件放入反应腔体2的内部，并处于托板3的顶部表面；将L形推块11推动，致使L形推块11通过连接块23带着内推块20移动，并使得第二弹簧21逐渐被压缩，直至圆形卡块22的端部从圆形孔9内移出，此时即可将矩形块10和T形基块5横移，从而改变限位压块6的位置，致使限位压块6移动至半导体器件的一侧，再松开L形推块11，使得第二弹簧21将内推块20回推，并使得圆形卡块22的端部卡入其他位置的圆形孔9内，即可完成限位压块6的位置调节；将限位压块6上提，使得连杆15将内推板14上拉，并使得第一弹簧13逐渐被压缩，致使限位压块6顺利上移，此时再将限位压块6往半导体器件的方向旋转，直至限位压块6的一端和防滑垫7可以处于半导体器件的顶部，此时松开限位压块6，使得第一弹簧13在自身弹性作用下将内推板14回推，并使得连杆15将限位压块6回拉，致使防滑垫7与半导体器件的顶部表面紧贴，即可完成对半导体器件的压紧限位，从而提高后续半导体器件刻蚀过程中的稳定性；关闭封闭门4，并启动等离子刻蚀机，致使等离子刻蚀机内部的真空泵启动，并对反应腔体2的内部进行抽真空；完成抽真空后，启动外界气泵，并将反应气体导入反应腔体2的内部进行等离子交换，等离子体会在半导体器件表面发生反应，从而实现对半导体器件刻蚀的目的；
完成刻蚀加工后，将封闭门4旋转打开，并将限位压块6上提，致使限位压块6和防滑垫7不再对半导体器件进行压紧，再将限位压块6旋转一百八十度，致使限位压块6和防滑垫7不再对半导体器件进行阻挡，即可正常的将完成刻蚀加工后的半导体器件取出。
本发明的工作原理及使用流程：当需要对防滑垫7进行拆卸更换时，只需将防滑垫7用力的往限位压块6的端部方向拉动，致使T形块17往T形滑槽18的出口方向位移，致使弧形凸起24逐渐从限位卡槽25内移出，即可顺利的将T形块17滑向T形滑槽18的出口方向，直至T形块17完全从T形滑槽18内移出，即可直接将防滑垫7拆下进行更换，后续对防滑垫7安装时，先将T形块17推入T形滑槽18内，并将防滑垫7滑向限位压块6的底部，直至T形块17滑动至T形滑槽18的末端，致使弧形凸起24卡在限位卡槽25内，即可快速的完成防滑垫7的安装更换。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (7)
1.一种半导体器件生产加工用刻蚀装置，包括机体(1)以及开设在机体(1)内部的反应腔体(2)，所述反应腔体(2)的内部设置有多个托板(3)，所述机体(1)的前表面旋转连接有封闭门(4)，其特征在于：所述托板(3)的顶部对称设置有两个限位压块(6)，所述托板(3)的底部对称设置有两个T形基块(5)，所述托板(3)的表面开设有条形滑道(16)，且所述T形基块(5)的顶端滑动设置在条形滑道(16)的内部，所述T形基块(5)的底端内部开设有第一内槽(12)，且所述第一内槽(12)内设置有内推板(14)和连杆(15)，所述连杆(15)的底端与内推板(14)固定，且连杆(15)的顶端贯穿至T形基块(5)的顶部与限位压块(6)旋转连接，所述内推板(14)与第一内槽(12)的顶端内壁之间连接有两个第一弹簧(13)，且两个所述第一弹簧(13)分别处于连杆(15)的两侧，所述T形基块(5)与托板(3)之间还设置有调节机构。
2.根据权利要求1所述的一种半导体器件生产加工用刻蚀装置，其特征在于：所述调节机构包括固定在T形基块(5)前表面的矩形块(10)，所述矩形块(10)的内部开设有第二内槽(19)，所述第二内槽(19)内设置有内推块(20)和第二弹簧(21)，所述内推块(20)的前表面固定有圆形卡块(22)，所述托板(3)的底部表面相对于矩形块(10)的正前方固定有基条(8)，且基条(8)的表面贯穿开设有多个圆形孔(9)，所述圆形卡块(22)的一端卡在其中一个圆形孔(9)内，所述矩形块(10)的底部表面设置有L形推块(11)，所述矩形块(10)的底部表面开设有底滑道，且底滑道内设置有连接块(23)，所述内推块(20)与L形推块(11)之间通过连接块(23)相固定。
3.根据权利要求2所述的一种半导体器件生产加工用刻蚀装置，其特征在于：所述内推块(20)的后表面开设有弹簧槽，且第二弹簧(21)的一端嵌入至弹簧槽内。
4.根据权利要求3所述的一种半导体器件生产加工用刻蚀装置，其特征在于：所述弹簧槽的内壁和第二内槽(19)的一端内壁上均固定有圆柱形块，所述第二弹簧(21)的两端分别套在两个圆柱形块上。
5.根据权利要求1所述的一种半导体器件生产加工用刻蚀装置，其特征在于：所述限位压块(6)的底部表面安装有防滑垫(7)，且防滑垫(7)的底部表面开设有多个防滑凹槽。
6.根据权利要求5所述的一种半导体器件生产加工用刻蚀装置，其特征在于：所述防滑垫(7)的顶部表面设有一体式的T形块(17)，且限位压块(6)的一端开设有T形滑槽(18)，所述T形滑槽(18)的内壁固定有弧形凸起(24)，且T形块(17)的顶部表面开设有限位卡槽(25)，所述T形块(17)嵌入至T形滑槽(18)内，且弧形凸起(24)卡在限位卡槽(25)内。
7.根据权利要求1-6所述的一种半导体器件生产加工用刻蚀装置，还包括一种半导体器件生产加工用刻蚀装置的使用方法，其特征在于：所述半导体器件生产加工用刻蚀装置的使用方法包括以下步骤：
步骤一、先将封闭门(4)旋转打开，然后将需要刻蚀的半导体器件放入反应腔体(2)的内部，并处于托板(3)的顶部表面；
步骤二、将L形推块(11)推动，致使L形推块(11)带着内推块(20)移动，并使得第二弹簧(21)逐渐被压缩，直至圆形卡块(22)的端部从圆形孔(9)内移出，此时即可将矩形块(10)和T形基块(5)横移，从而改变限位压块(6)的位置，致使限位压块(6)移动至半导体器件的一侧，再松开L形推块(11)，使得第二弹簧(21)将内推块(20)回推，并使得圆形卡块(22)的端部卡入其他位置的圆形孔(9)内，即可完成限位压块(6)的位置调节；
步骤三、将限位压块(6)上提，使得连杆(15)将内推板(14)上拉，并使得第一弹簧(13)逐渐被压缩，致使限位压块(6)顺利上移，此时再将限位压块(6)往半导体器件的方向旋转，直至限位压块(6)的一端和防滑垫(7)可以处于半导体器件的顶部，此时松开限位压块(6)，使得第一弹簧(13)在自身弹性作用下将内推板(14)回推，并使得连杆(15)将限位压块(6)回拉，致使防滑垫(7)与半导体器件的顶部表面紧贴，即可完成对半导体器件的压紧限位；
步骤四、关闭封闭门(4)，并启动等离子刻蚀机，致使等离子刻蚀机内部的真空泵启动，并对反应腔体(2)的内部进行抽真空；
步骤五、完成抽真空后，启动外界气泵，并将反应气体导入反应腔体(2)的内部进行等离子交换，等离子体会在半导体器件表面发生反应，从而实现对半导体器件刻蚀的目的；
步骤六、完成刻蚀加工后，将封闭门(4)旋转打开，并将限位压块(6)上提，致使限位压块(6)和防滑垫(7)不再对半导体器件进行压紧，再将限位压块(6)旋转一百八十度，致使限位压块(6)和防滑垫(7)不再对半导体器件进行阻挡，即可正常的将完成刻蚀加工后的半导体器件取出。
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| CN202111215667.XA CN113964008A (zh) | 2021-10-19 | 2021-10-19 | 一种半导体器件生产加工用刻蚀装置及其使用方法 |
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|---|---|---|---|---|
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2021
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| CN117711989A (zh) * | 2024-01-02 | 2024-03-15 | 浙江大学 | 一种半导体功率器件制造用刻蚀机 |
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