CN113960061A - Oled喷印缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents
Oled喷印缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113960061A CN113960061A CN202111580782.7A CN202111580782A CN113960061A CN 113960061 A CN113960061 A CN 113960061A CN 202111580782 A CN202111580782 A CN 202111580782A CN 113960061 A CN113960061 A CN 113960061A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- detection position
- point
- pixel
- position point
- pixel point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 285
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 42
- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims abstract description 127
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 14
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 12
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 12
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/91—Investigating the presence of flaws or contamination using penetration of dyes, e.g. fluorescent ink
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/01—Arrangements or apparatus for facilitating the optical investigation
- G01N2021/0106—General arrangement of respective parts
- G01N2021/0112—Apparatus in one mechanical, optical or electronic block
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N2021/9513—Liquid crystal panels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本申请属于显示技术领域，公开了一种OLED喷印缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质，通过获取已完成像素点发光墨水喷印且未封装的OLED显示器件的像素点内至少一个探测位置点的太赫兹反射波时域数据；太赫兹反射波时域数据是用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射所述像素点的所述探测位置点时，由所述像素点反射的反射波的光强数据；根据各所述太赫兹反射波时域数据获取各所述探测位置点的指纹谱数据；提取各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值；对比各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与所述像素点的峰值阈值，以判断所述像素点是否为坏点；从而可在封装前准确地检测各像素点是否有坏点，以便于在发现坏点时可进行修复。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种OLED喷印缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
目前，在对OLED（Organic Light-Emitting Diode）显示器件进行坏点（即缺陷像素点）检测时，通常是在点亮OLED显示器件的情况下用AOI（Automated OpticalInspection）测试设备进行检测的，由于需要点亮OLED显示器件，因此只能对封装好的OLED显示器件进行检测。
然而，由于OLED显示器件的发光材料层厚度轻薄、材料颜色对比度差，使用AOI（Automated Optical Inspection）测试设备进行检测时因为图像对比度低，无法精准判断像素点内的有机材料分布，从而检测结果准确性不理想，而且由于只能在封装后进行检测，即使发现有坏点，也无法进行修复，不利于提高产品的良品率。
发明内容
本申请的目的在于提供一种OLED喷印缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质，可在封装前准确地检测各像素点是否有坏点，以便于在发现坏点时可进行修复。
第一方面，本申请提供了一种OLED喷印缺陷检测方法，包括步骤：
A1.获取已完成像素点发光墨水喷印且未封装的OLED显示器件的像素点内至少一个探测位置点的太赫兹反射波时域数据；所述太赫兹反射波时域数据是用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射所述像素点的所述探测位置点时，由所述像素点反射的反射波的光强数据；
A2.根据各所述太赫兹反射波时域数据获取各所述探测位置点的指纹谱数据；
A3.提取各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值；
A4.对比各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与所述像素点的峰值阈值，以判断所述像素点是否为坏点。
该OLED喷印缺陷检测方法，通过用太赫兹脉冲波照射像素点以获取太赫兹指纹谱数据，对于OLED显示器件的有机发光材料，在太赫兹波谱范围内具有明显的指纹谱特性，其中的指纹谱数据的最大峰值的大小能够有效反映发光墨水的厚度情况，而坏点一般是没有涂覆发光墨水或发光墨水涂覆厚度不足的像素点，因此利用该最大峰值可有效判断像素点是否为坏点；通过这种方式进行检测无需点亮OLED显示器件，因此可针对未封装的OLED显示器件进行检测，一旦发现存在坏点可进行修复，从而有利于提高产品的良品率。
优选地，步骤A4包括：
A401.对比各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与所述像素点的峰值阈值，以判断各所述探测位置点处的发光墨水厚度是否不足；
A402.根据各所述探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的判断结果，判断所述像素点是否为坏点。
优选地，每个所述像素点内包括多个所述探测位置点；
步骤A402之后，还包括：
A403.若根据各所述探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的判断结果判定所述像素点不是坏点，则计算各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与所述像素点的峰值阈值之间的偏差数据；
A404.根据所述偏差数据的离散情况再次判断所述像素点是否为坏点。
在没有探测位置点的发光墨水厚度不足的情况下，根据所述偏差数据的离散情况再次判断所述像素点是否为坏点，实质上是进一步检测像素点各处的发光墨水厚度是否均匀，从而根据发光墨水厚度的均匀程度来进一步判断该像素点是否为坏点，能够更好地保证产品质量。
在一些实施方式中，所述指纹谱数据为幅值谱数据；
步骤A2包括：
分别对各所述探测位置点的太赫兹反射波时域数据进行快速傅里叶变换，得到各所述探测位置点的指纹谱数据。
进一步地，步骤A401包括：
若所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值大于所述像素点的第一峰值阈值，则判定所述探测位置点处的发光墨水厚度不足；否则，判定所述探测位置点处的发光墨水厚度足够。
在一些实施方式中，所述指纹谱数据为吸收谱数据；
步骤A2包括：
针对各探测位置点的太赫兹反射波时域数据，计算所述预设光强与所述太赫兹反射波时域数据之差，得到各探测位置点的太赫兹吸收量时域数据；
分别对各所述探测位置点的太赫兹吸收量时域数据进行快速傅里叶变换，得到各所述探测位置点的指纹谱数据。
进一步地，步骤A401包括：
若所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值小于所述像素点的第二峰值阈值，则判定所述探测位置点处的发光墨水厚度不足；否则，判定所述探测位置点处的发光墨水厚度足够。
第二方面，本申请提供了一种OLED喷印缺陷检测装置，包括：
第一获取模块，用于获取已完成像素点发光墨水喷印且未封装的OLED显示器件的像素点内至少一个探测位置点的太赫兹反射波时域数据；所述太赫兹反射波时域数据是用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射所述像素点的所述探测位置点时，由所述像素点反射的反射波的光强数据；
第二获取模块，用于根据各所述太赫兹反射波时域数据获取各所述探测位置点的指纹谱数据；
提取模块，用于提取各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值；
判断模块，用于对比各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与所述像素点的峰值阈值，以判断所述像素点是否为坏点。
该OLED喷印缺陷检测装置，通过用太赫兹脉冲波照射像素点以获取太赫兹指纹谱数据，对于OLED显示器件的有机发光材料，在太赫兹波谱范围内具有明显的指纹谱特性，其中的指纹谱数据的最大峰值的大小能够有效反映发光墨水的厚度情况，而坏点一般是没有涂覆发光墨水或发光墨水涂覆厚度不足的像素点，因此利用该最大峰值可有效判断像素点是否为坏点；通过这种方式进行检测无需点亮OLED显示器件，因此可针对未封装的OLED显示器件进行检测，一旦发现存在坏点可进行修复，从而有利于提高产品的良品率。
第三方面，本申请提供了一种电子设备，包括处理器和存储器，所述存储器存储有所述处理器可执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，运行如前文所述OLED喷印缺陷检测方法中的步骤。
第四方面，本申请提供了一种存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时运行如前文所述OLED喷印缺陷检测方法中的步骤。
有益效果：
本申请提供的OLED喷印缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质，通过获取已完成像素点发光墨水喷印且未封装的OLED显示器件的像素点内至少一个探测位置点的太赫兹反射波时域数据；所述太赫兹反射波时域数据是用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射所述像素点的所述探测位置点时，由所述像素点反射的反射波的光强数据；根据各所述太赫兹反射波时域数据获取各所述探测位置点的指纹谱数据；提取各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值；对比各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与所述像素点的峰值阈值，以判断所述像素点是否为坏点；从而可在封装前准确地检测各像素点是否有坏点，以便于在发现坏点时可进行修复。
本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请了解。
附图说明
图1为本申请实施例提供的OLED喷印缺陷检测方法的流程图。
图2为本申请实施例提供的OLED喷印缺陷检测装置的结构示意图。
图3为本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
图4为一种示例性的OLED喷印缺陷检测系统的结构示意图。
图5为第一种示例性的探测位置点分布方式。
图6为第二种示例性的探测位置点分布方式。
图7为第三种示例性的探测位置点分布方式。
图8为示例性的OLED显示器件的基板和发光墨水的太赫兹吸收谱。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
请参照图1，图1是本申请一些实施例中的一种OLED喷印缺陷检测方法，包括步骤：
A1.获取已完成像素点发光墨水喷印且未封装的OLED显示器件的像素点内至少一个探测位置点的太赫兹反射波时域数据；太赫兹反射波时域数据是用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射像素点的探测位置点时，由像素点反射的反射波的光强数据；
A2.根据各太赫兹反射波时域数据获取各探测位置点的指纹谱数据；
A3.提取各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值；
A4.对比各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与像素点的峰值阈值，以判断该像素点是否为坏点。
该OLED喷印缺陷检测方法，通过用太赫兹脉冲波照射像素点以获取太赫兹指纹谱数据，对于OLED显示器件的有机发光材料，在太赫兹波谱范围内具有明显的指纹谱特性，其中的指纹谱数据的最大峰值的大小能够有效反映发光墨水的厚度情况，而坏点一般是没有涂覆发光墨水或发光墨水涂覆厚度不足的像素点，因此利用该最大峰值可有效判断像素点是否为坏点；通过这种方式进行检测无需点亮OLED显示器件，因此可针对未封装的OLED显示器件进行检测，一旦发现存在坏点可进行修复，从而有利于提高产品的良品率。
在一些实施方式中，该OLED喷印缺陷检测方法可应用于图4所示的OLED喷印缺陷检测系统的数据处理装置90中，该OLED喷印缺陷检测系统包括数据处理装置90（可以是嵌入式设备、个人计算机、服务器等），检测腔室91和设置在该检测腔室91内的承载平台92、太赫兹发射器93、太赫兹探测器94和双轴驱动装置95；其中，数据处理装置90与太赫兹发射器93及太赫兹探测器94电性连接；承载平台92用于定位放置OLED显示器件96，太赫兹发射器93用于用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射像素点的探测位置点，太赫兹探测器94用于接收素点反射的反射波的光强数据，双轴驱动装置95用于驱动太赫兹发射器93及太赫兹探测器94在水平面内移动。优选地，检测腔室91内填充惰性气体，使OLED显示器件96在惰性气体环境下进行检测，避免材料氧化。
其中，太赫兹脉冲波的预设光强可根据实际需要设置，其太赫兹频率范围可根据实际需要设置（一般为0THz-5THz），其中脉冲周期和单脉冲持续时间可根据实际需要设置，例如，脉冲周期为0.01s-10s，单脉冲持续时间为50ps-150ps，但不限于此。
优选地，步骤A4包括：
A401.对比各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与像素点的峰值阈值，以判断各探测位置点处的发光墨水厚度是否不足；
A402.根据各探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的判断结果，判断像素点是否为坏点。
其中，指纹谱数据可以是幅值谱数据，也可以是吸收谱数据；其中，幅值谱数据是直接根据反射波的光强数据换算得到的频域数据，反映的是反射波能量随频率的变化情况；其中，吸收谱数据是根据预设光强与反射波的光强数据之间的差值算得到的频域数据，反映的是被吸收的太赫兹波能量随频率的变化情况。
对于具体的指纹谱数据类型，可预先设置各像素点对应的峰值阈值，由于OLED显示器件中一般设置有R（红）、G（绿）、B（蓝）三种颜色的像素点，因此，各像素点的峰值阈值根据其具体的颜色进行设置，可针对每种指纹谱数据类型预先建立一个峰值阈值查询表，把各像素点的相应的峰值阈值记录在该峰值阈值查询表中，并以各像素点的位置作为相应峰值阈值的索引以查询各像素点的峰值阈值。从而，在一些实施方式中，步骤A4之前还包括步骤：获取像素点的位置数据（一般是指像素点中心点的位置数据）；根据该位置数据在与指纹谱数据类型对应的峰值阈值查询表中查询得到峰值阈值。
其中，每个像素点内进行探测的探测位置点的数量和具体分布位置可根据实际需要设置。
例如，在一些实施方式中，为了提高效率，每个像素点可只包括一个探测位置点，从而步骤A402包括：若该探测位置点被判定为发光墨水厚度不足，则判定该像素点为坏点，否则，判定该像素点不是坏点。
或例如，在一些实施方式中，每个像素点内包括多个探测位置点，从而步骤A402包括：若有至少一个探测位置点被判定为发光墨水厚度不足，则判定该像素点为坏点，否则，判定该像素点不是坏点。从而能够更加可靠地确保坏点均被检测出来。
又例如，在一些实施方式中，每个像素点内包括多个探测位置点，从而步骤A402包括：若被判定为发光墨水厚度不足的探测位置点的占比超过预设的比例阈值，则判定该像素点为坏点，否则，判定该像素点不是坏点。由于检测过程中可能因为干扰（例如供电电压的扰动）而导致检测误差，因此，若有一个探测位置点被判定为发光墨水厚度不足就判定该像素点为坏点，容易把实际上不是坏点的像素点错误地判定为坏点，此处，可根据实际需要设置合适的比例阈值，从而使错判概率有效降低。
对于每个像素点内包括多个探测位置点的情况，像素点内的探测位置点的分布方式可根据实现需要设置。例如图5所示的分布方式，在像素点的长度方向等间隔地设置多组探测位置点，每组包括至少一个探测位置点，若同一组中有多个探测位置点则该组探测位置点沿像素点的宽度方向均匀排布。或例如图6所示的分布方式，在像素点的长度方向等间隔地设置多组探测位置点，每组包括至少一个探测位置点，若同一组中有多个探测位置点则该组探测位置点沿像素点的宽度方向均匀排布，且越靠近像素点中心的探测位置点组包含越多的探测位置点。又例如图7所示的分布方式，探测位置点沿锯齿线排布，且该锯齿线的长度方向沿像素点的长度方向延伸。探测位置点的分布方式不限于此。
在一些优选实施方式中，每个像素点内包括多个探测位置点；
步骤A402之后，还包括：
A403.若根据各探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的判断结果判定像素点不是坏点，则计算各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与像素点的峰值阈值之间的偏差数据；
A404.根据偏差数据的离散情况再次判断像素点是否为坏点。
在没有探测位置点的发光墨水厚度不足的情况下，根据偏差数据的离散情况再次判断像素点是否为坏点，实质上是进一步检测像素点各处的发光墨水厚度是否均匀，从而根据发光墨水厚度的均匀程度来进一步判断该像素点是否为坏点，能够更好地保证产品质量。实际上，像素点的发光墨水厚度的均匀性会影响像素点内各处反光的均匀性，从而影响像素点的发光质量，当偏差数据的离散程度越高，则表示越不均匀，当离散程度超过允许范围，则应该判定该像素点为坏点，才能更好地保证产品质量。
其中，可用偏差数据的方差来表征偏差数据的离散情况，从而步骤A404包括：计算偏差数据的方差，若该方差超过预设的方差阈值（根据实际需要设置），则判定该像素点是坏点，否则判定该像素点不是坏点。
也可用偏差数据中的最大值和最小值之间的差值来表征偏差数据的离散情况，从而步骤A404包括：计算偏差数据中的最大值和最小值之间的差值，若该差值超过预设的差值阈值（根据实际需要设置），则判定该像素点是坏点，否则判定该像素点不是坏点。
如前文所述，指纹谱数据可以是幅值谱数据，也可以是吸收谱数据。
在一些实施方式中，指纹谱数据为幅值谱数据；
从而，步骤A2包括：
分别对各探测位置点的太赫兹反射波时域数据进行快速傅里叶变换，得到各探测位置点的指纹谱数据。
即，直接对获取到的太赫兹反射波时域数据进行快速傅里叶变换转换为对应的频域数据，就得到幅值谱数据。其中，通过快速傅里叶变换把时域数据转换为频域数据的具体方法为现有技术，此处不对其进行详述。
从而，步骤A401包括：
若探测位置点的指纹谱数据的最大峰值大于像素点的第一峰值阈值，则判定探测位置点处的发光墨水厚度不足；否则，判定探测位置点处的发光墨水厚度足够。
由于OLED显示器件的基板对太赫兹波的吸收率比发光墨水对太赫兹波的吸收率更低，参考图8，其中实线是发光墨水对太赫兹波的吸收谱曲线，虚线为基板对太赫兹波的吸收谱曲线；因此，基板对太赫兹波的反射率比发光墨水对太赫兹波的反射率更高，当幅值谱数据的最大峰值大于像素点的第一峰值阈值（第一峰值阈值是对应幅值谱数据的预设峰值阈值），则表示对应的探测位置点没有涂覆发光墨水或发光墨水的厚度过小，该两种情况均属于发光墨水厚度不足的情况。
在另一些实施方式中，指纹谱数据为吸收谱数据；
从而，步骤A2包括：
针对各探测位置点的太赫兹反射波时域数据，计算预设光强与太赫兹反射波时域数据之差，得到各探测位置点的太赫兹吸收量时域数据；
分别对各探测位置点的太赫兹吸收量时域数据进行快速傅里叶变换，得到各探测位置点的指纹谱数据。
即，先计算探测位置点对太赫兹波的吸收量的时域数据，然后再通过快速傅里叶变换转换为对应的频域数据，就得到吸收谱数据。
从而，步骤A401包括：
若探测位置点的指纹谱数据的最大峰值小于像素点的第二峰值阈值，则判定探测位置点处的发光墨水厚度不足；否则，判定探测位置点处的发光墨水厚度足够。
由于OLED显示器件的基板对太赫兹波的吸收率比发光墨水对太赫兹波的吸收率更低，当吸收谱数据的最大峰值小于像素点的第二峰值阈值（第二峰值阈值是对吸收谱数据的预设峰值阈值），则表示对应的探测位置点没有涂覆发光墨水或发光墨水的厚度过小，该两种情况均属于发光墨水厚度不足的情况。其中，对于图8中的发光墨水对太赫兹波的吸收谱曲线中，P点对应的数据值即为其吸收谱数据的最大峰值。
在又一实施方式中，指纹谱数据包括幅值谱数据和吸收谱数据；
从而，步骤A2包括：
分别对各探测位置点的太赫兹反射波时域数据进行快速傅里叶变换，得到各探测位置点的幅值谱数据；
针对各探测位置点的太赫兹反射波时域数据，计算预设光强与太赫兹反射波时域数据之差，得到各探测位置点的太赫兹吸收量时域数据；
分别对各探测位置点的太赫兹吸收量时域数据进行快速傅里叶变换，得到各探测位置点的吸收谱数据。
进而，步骤A401包括：
若探测位置点的幅值谱数据的最大峰值大于像素点的第一峰值阈值，且探测位置点的吸收谱数据的最大峰值小于像素点的第二峰值阈值，则判定探测位置点处的发光墨水厚度不足；否则，判定探测位置点处的发光墨水厚度足够。
与只根据一种指纹谱数据来判断探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的方法相比，判断结果的可靠性更高。
在本实施例中，为了方便对坏点进行修复，步骤A4之后，还包括步骤：
A5.若该像素点为坏点，则把该像素点的位置数据记录在坏点记录表中。
从而，当完成该OLED显示器件的所有像素点的检测后，可直接根据坏点记录表中记录的坏点的位置数据对相应的像素点进行修复，方便快捷。
由上可知，该OLED喷印缺陷检测方法，通过获取已完成像素点发光墨水喷印且未封装的OLED显示器件的像素点内至少一个探测位置点的太赫兹反射波时域数据；太赫兹反射波时域数据是用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射该像素点的探测位置点时，由该像素点反射的反射波的光强数据；根据各太赫兹反射波时域数据获取各探测位置点的指纹谱数据；提取各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值；对比各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与该像素点的峰值阈值，以判断该像素点是否为坏点；从而可在封装前准确地检测各像素点是否有坏点，以便于在发现坏点时可进行修复。
请参考图2，本申请提供了一种OLED喷印缺陷检测装置，包括：
第一获取模块1，用于获取已完成像素点发光墨水喷印且未封装的OLED显示器件的像素点内至少一个探测位置点的太赫兹反射波时域数据；太赫兹反射波时域数据是用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射像素点的探测位置点时，由像素点反射的反射波的光强数据；
第二获取模块2，用于根据各太赫兹反射波时域数据获取各探测位置点的指纹谱数据；
提取模块3，用于提取各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值；
判断模块4，用于对比各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与像素点的峰值阈值，以判断像素点是否为坏点。
该OLED喷印缺陷检测装置，通过用太赫兹脉冲波照射像素点以获取太赫兹指纹谱数据，对于OLED显示器件的有机发光材料，在太赫兹波谱范围内具有明显的指纹谱特性，其中的指纹谱数据的最大峰值的大小能够有效反映发光墨水的厚度情况，而坏点一般是没有涂覆发光墨水或发光墨水涂覆厚度不足的像素点，因此利用该最大峰值可有效判断像素点是否为坏点；通过这种方式进行检测无需点亮OLED显示器件，因此可针对未封装的OLED显示器件进行检测，一旦发现存在坏点可进行修复，从而有利于提高产品的良品率。
在一些实施方式中，该OLED喷印缺陷检测装置可应用于图4所示的OLED喷印缺陷检测系统的数据处理装置90中，该OLED喷印缺陷检测系统包括数据处理装置90（可以是嵌入式设备、个人计算机、服务器等），检测腔室91和设置在该检测腔室91内的承载平台92、太赫兹发射器93、太赫兹探测器94和双轴驱动装置95；其中，数据处理装置90与太赫兹发射器93及太赫兹探测器94电性连接；承载平台92用于定位放置OLED显示器件96，太赫兹发射器93用于用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射像素点的探测位置点，太赫兹探测器94用于接收素点反射的反射波的光强数据，双轴驱动装置95用于驱动太赫兹发射器93及太赫兹探测器94在水平面内移动。优选地，检测腔室91内填充惰性气体，使OLED显示器件96在惰性气体环境下进行检测，避免材料氧化。
其中，太赫兹脉冲波的预设光强可根据实际需要设置，其太赫兹频率范围可根据实际需要设置（一般为0THz-5THz），其中脉冲周期和单脉冲持续时间可根据实际需要设置，例如，脉冲周期为0.01s-10s，单脉冲持续时间为50ps-150ps，但不限于此。
优选地，判断模块4用于在对比各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与像素点的峰值阈值，以判断像素点是否为坏点的时候，执行：
对比各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与像素点的峰值阈值，以判断各探测位置点处的发光墨水厚度是否不足；
根据各探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的判断结果，判断像素点是否为坏点。
其中，指纹谱数据可以是幅值谱数据，也可以是吸收谱数据；其中，幅值谱数据是直接根据反射波的光强数据换算得到的频域数据，反映的是反射波能量随频率的变化情况；其中，吸收谱数据是根据预设光强与反射波的光强数据之间的差值算得到的频域数据，反映的是被吸收的太赫兹波能量随频率的变化情况。
对于具体的指纹谱数据类型，可预先设置各像素点对应的峰值阈值，由于OLED显示器件中一般设置有R（红）、G（绿）、B（蓝）三种颜色的像素点，因此，各像素点的峰值阈值根据其具体的颜色进行设置，可针对每种指纹谱数据类型预先建立一个峰值阈值查询表，把各像素点的相应的峰值阈值记录在该峰值阈值查询表中，并以各像素点的位置作为相应峰值阈值的索引以查询各像素点的峰值阈值。从而，在一些实施方式中，该OLED喷印缺陷检测装置还包括：
位置数据获取模块，用于获取像素点的位置数据（一般是指像素点中心点的位置数据）；
查询模块，用于根据该位置数据在与指纹谱数据类型对应的峰值阈值查询表中查询得到峰值阈值。
其中，每个像素点内进行探测的探测位置点的数量和具体分布位置可根据实际需要设置。
例如，在一些实施方式中，为了提高效率，每个像素点可只包括一个探测位置点，从而判断模块4在根据各探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的判断结果，判断像素点是否为坏点的时候，执行：若该探测位置点被判定为发光墨水厚度不足，则判定该像素点为坏点，否则，判定该像素点不是坏点。
或例如，在一些实施方式中，每个像素点内包括多个探测位置点，从而判断模块4在根据各探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的判断结果，判断像素点是否为坏点的时候，执行：若有至少一个探测位置点被判定为发光墨水厚度不足，则判定该像素点为坏点，否则，判定该像素点不是坏点。从而能够更加可靠地确保坏点均被检测出来。
又例如，在一些实施方式中，每个像素点内包括多个探测位置点，从而判断模块4在根据各探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的判断结果，判断像素点是否为坏点的时候，执行：若被判定为发光墨水厚度不足的探测位置点的占比超过预设的比例阈值，则判定该像素点为坏点，否则，判定该像素点不是坏点。由于检测过程中可能因为干扰（例如供电电压的扰动）而导致检测误差，因此，若有一个探测位置点被判定为发光墨水厚度不足就判定该像素点为坏点，容易把实际上不是坏点的像素点错误地判定为坏点，此处，可根据实际需要设置合适的比例阈值，从而使错判概率有效降低。
对于每个像素点内包括多个探测位置点的情况，像素点内的探测位置点的分布方式可根据实现需要设置。例如图5所示的分布方式，在像素点的长度方向等间隔地设置多组探测位置点，每组包括至少一个探测位置点，若同一组中有多个探测位置点则该组探测位置点沿像素点的宽度方向均匀排布。或例如图6所示的分布方式，在像素点的长度方向等间隔地设置多组探测位置点，每组包括至少一个探测位置点，若同一组中有多个探测位置点则该组探测位置点沿像素点的宽度方向均匀排布，且越靠近像素点中心的探测位置点组包含越多的探测位置点。又例如图7所示的分布方式，探测位置点沿锯齿线排布，且该锯齿线的长度方向沿像素点的长度方向延伸。探测位置点的分布方式不限于此。
在一些优选实施方式中，每个像素点内包括多个探测位置点；
判断模块4在根据各探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的判断结果，判断像素点是否为坏点之后，还执行：
若根据各探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的判断结果判定像素点不是坏点，则计算各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与像素点的峰值阈值之间的偏差数据；
根据偏差数据的离散情况再次判断像素点是否为坏点。
在没有探测位置点的发光墨水厚度不足的情况下，根据偏差数据的离散情况再次判断像素点是否为坏点，实质上是进一步检测像素点各处的发光墨水厚度是否均匀，从而根据发光墨水厚度的均匀程度来进一步判断该像素点是否为坏点，能够更好地保证产品质量。实际上，像素点的发光墨水厚度的均匀性会影响像素点内各处反光的均匀性，从而影响像素点的发光质量，当偏差数据的离散程度越高，则表示越不均匀，当离散程度超过允许范围，则应该判定该像素点为坏点，才能更好地保证产品质量。
其中，可用偏差数据的方差来表征偏差数据的离散情况，从而判断模块4在根据偏差数据的离散情况再次判断像素点是否为坏点的时候，执行：计算偏差数据的方差，若该方差超过预设的方差阈值（根据实际需要设置），则判定该像素点是坏点，否则判定该像素点不是坏点。
也可用偏差数据中的最大值和最小值之间的差值来表征偏差数据的离散情况，从而判断模块4在根据偏差数据的离散情况再次判断像素点是否为坏点的时候，执行：计算偏差数据中的最大值和最小值之间的差值，若该差值超过预设的差值阈值（根据实际需要设置），则判定该像素点是坏点，否则判定该像素点不是坏点。
如前文所述，指纹谱数据可以是幅值谱数据，也可以是吸收谱数据。
在一些实施方式中，指纹谱数据为幅值谱数据；
从而，第二获取模块2用于在根据各太赫兹反射波时域数据获取各探测位置点的指纹谱数据的时候，执行：
分别对各探测位置点的太赫兹反射波时域数据进行快速傅里叶变换，得到各探测位置点的指纹谱数据。
即，直接对获取到的太赫兹反射波时域数据进行快速傅里叶变换转换为对应的频域数据，就得到幅值谱数据。其中，通过快速傅里叶变换把时域数据转换为频域数据的具体方法为现有技术，此处不对其进行详述。
从而，判断模块4在对比各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与像素点的峰值阈值，以判断各探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的时候，执行：
若探测位置点的指纹谱数据的最大峰值大于像素点的第一峰值阈值，则判定探测位置点处的发光墨水厚度不足；否则，判定探测位置点处的发光墨水厚度足够。
由于OLED显示器件的基板对太赫兹波的吸收率比发光墨水对太赫兹波的吸收率更低，参考图8，其中实线是发光墨水对太赫兹波的吸收谱曲线，虚线为基板对太赫兹波的吸收谱曲线；因此，基板对太赫兹波的反射率比发光墨水对太赫兹波的反射率更高，当幅值谱数据的最大峰值大于像素点的第一峰值阈值（第一峰值阈值是对应幅值谱数据的预设峰值阈值），则表示对应的探测位置点没有涂覆发光墨水或发光墨水的厚度过小，该两种情况均属于发光墨水厚度不足的情况。
在另一些实施方式中，指纹谱数据为吸收谱数据；
从而，第二获取模块2用于在根据各太赫兹反射波时域数据获取各探测位置点的指纹谱数据的时候，执行：
针对各探测位置点的太赫兹反射波时域数据，计算预设光强与太赫兹反射波时域数据之差，得到各探测位置点的太赫兹吸收量时域数据；
分别对各探测位置点的太赫兹吸收量时域数据进行快速傅里叶变换，得到各探测位置点的指纹谱数据。
即，先计算探测位置点对太赫兹波的吸收量的时域数据，然后再通过快速傅里叶变换转换为对应的频域数据，就得到吸收谱数据。
从而，判断模块4在对比各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与像素点的峰值阈值，以判断各探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的时候，执行：
若探测位置点的指纹谱数据的最大峰值小于像素点的第二峰值阈值，则判定探测位置点处的发光墨水厚度不足；否则，判定探测位置点处的发光墨水厚度足够。
由于OLED显示器件的基板对太赫兹波的吸收率比发光墨水对太赫兹波的吸收率更低，当吸收谱数据的最大峰值小于像素点的第二峰值阈值（第二峰值阈值是对吸收谱数据的预设峰值阈值），则表示对应的探测位置点没有涂覆发光墨水或发光墨水的厚度过小，该两种情况均属于发光墨水厚度不足的情况。其中，对于图8中的发光墨水对太赫兹波的吸收谱曲线中，P点对应的数据值即为其吸收谱数据的最大峰值。
在又一实施方式中，指纹谱数据包括幅值谱数据和吸收谱数据；
从而，第二获取模块2用于在根据各太赫兹反射波时域数据获取各探测位置点的指纹谱数据的时候，执行：
分别对各探测位置点的太赫兹反射波时域数据进行快速傅里叶变换，得到各探测位置点的幅值谱数据；
针对各探测位置点的太赫兹反射波时域数据，计算预设光强与太赫兹反射波时域数据之差，得到各探测位置点的太赫兹吸收量时域数据；
分别对各探测位置点的太赫兹吸收量时域数据进行快速傅里叶变换，得到各探测位置点的吸收谱数据。
进而，判断模块4在对比各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与像素点的峰值阈值，以判断各探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的时候，执行：
若探测位置点的幅值谱数据的最大峰值大于像素点的第一峰值阈值，且探测位置点的吸收谱数据的最大峰值小于像素点的第二峰值阈值，则判定探测位置点处的发光墨水厚度不足；否则，判定探测位置点处的发光墨水厚度足够。
与只根据一种指纹谱数据来判断探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的方法相比，判断结果的可靠性更高。
在本实施例中，为了方便对坏点进行修复，该OLED喷印缺陷检测装置还包括：
记录模块，用于在若该像素点为坏点时，把该像素点的位置数据记录在坏点记录表中。
从而，当完成该OLED显示器件的所有像素点的检测后，可直接根据坏点记录表中记录的坏点的位置数据对相应的像素点进行修复，方便快捷。
由上可知，该OLED喷印缺陷检测装置，通过获取已完成像素点发光墨水喷印且未封装的OLED显示器件的像素点内至少一个探测位置点的太赫兹反射波时域数据；太赫兹反射波时域数据是用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射该像素点的探测位置点时，由该像素点反射的反射波的光强数据；根据各太赫兹反射波时域数据获取各探测位置点的指纹谱数据；提取各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值；对比各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与该像素点的峰值阈值，以判断该像素点是否为坏点；从而可在封装前准确地检测各像素点是否有坏点，以便于在发现坏点时可进行修复。
请参照图3，图3为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图，本申请提供一种电子设备，包括：处理器301和存储器302，处理器301和存储器302通过通信总线303和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器302存储有处理器301可执行的计算机程序，当电子设备运行时，处理器301执行该计算机程序，以执行上述实施例的任一可选的实现方式中的OLED喷印缺陷检测方法，以实现以下功能：获取已完成像素点发光墨水喷印且未封装的OLED显示器件的像素点内至少一个探测位置点的太赫兹反射波时域数据；太赫兹反射波时域数据是用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射该像素点的探测位置点时，由该像素点反射的反射波的光强数据；根据各太赫兹反射波时域数据获取各探测位置点的指纹谱数据；提取各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值；对比各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与该像素点的峰值阈值，以判断该像素点是否为坏点。
本申请实施例提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的OLED喷印缺陷检测方法，以实现以下功能：获取已完成像素点发光墨水喷印且未封装的OLED显示器件的像素点内至少一个探测位置点的太赫兹反射波时域数据；太赫兹反射波时域数据是用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射该像素点的探测位置点时，由该像素点反射的反射波的光强数据；根据各太赫兹反射波时域数据获取各探测位置点的指纹谱数据；提取各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值；对比各探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与该像素点的峰值阈值，以判断该像素点是否为坏点。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, 简称SRAM），电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, 简称EEPROM），可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory, 简称EPROM），可编程只读存储器（Programmable Red-Only Memory, 简称PROM），只读存储器（Read-Only Memory, 简称ROM），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。
在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种OLED喷印缺陷检测方法，其特征在于，包括步骤：
A1.获取已完成像素点发光墨水喷印且未封装的OLED显示器件的像素点内至少一个探测位置点的太赫兹反射波时域数据；所述太赫兹反射波时域数据是用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射所述像素点的所述探测位置点时，由所述像素点反射的反射波的光强数据；
A2.根据各所述太赫兹反射波时域数据获取各所述探测位置点的指纹谱数据；
A3.提取各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值；
A4.对比各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与所述像素点的峰值阈值，以判断所述像素点是否为坏点。
2.根据权利要求1所述的OLED喷印缺陷检测方法，其特征在于，步骤A4包括：
A401.对比各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与所述像素点的峰值阈值，以判断各所述探测位置点处的发光墨水厚度是否不足；
A402.根据各所述探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的判断结果，判断所述像素点是否为坏点。
3.根据权利要求2所述的OLED喷印缺陷检测方法，其特征在于，每个所述像素点内包括多个所述探测位置点；
步骤A402之后，还包括：
A403.若根据各所述探测位置点处的发光墨水厚度是否不足的判断结果判定所述像素点不是坏点，则计算各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与所述像素点的峰值阈值之间的偏差数据；
A404.根据所述偏差数据的离散情况再次判断所述像素点是否为坏点。
4.根据权利要求2所述的OLED喷印缺陷检测方法，其特征在于，所述指纹谱数据为幅值谱数据；
步骤A2包括：
分别对各所述探测位置点的太赫兹反射波时域数据进行快速傅里叶变换，得到各所述探测位置点的指纹谱数据。
5.根据权利要求4所述的OLED喷印缺陷检测方法，其特征在于，步骤A401包括：
若所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值大于所述像素点的第一峰值阈值，则判定所述探测位置点处的发光墨水厚度不足；否则，判定所述探测位置点处的发光墨水厚度足够。
6.根据权利要求2所述的OLED喷印缺陷检测方法，其特征在于，所述指纹谱数据为吸收谱数据；
步骤A2包括：
针对各所述探测位置点的太赫兹反射波时域数据，计算所述预设光强与所述太赫兹反射波时域数据之差，得到各所述探测位置点的太赫兹吸收量时域数据；
分别对各所述探测位置点的太赫兹吸收量时域数据进行快速傅里叶变换，得到各所述探测位置点的指纹谱数据。
7.根据权利要求6所述的OLED喷印缺陷检测方法，其特征在于，步骤A401包括：
若所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值小于所述像素点的第二峰值阈值，则判定所述探测位置点处的发光墨水厚度不足；否则，判定所述探测位置点处的发光墨水厚度足够。
8.一种OLED喷印缺陷检测装置，其特征在于，包括：
第一获取模块，用于获取已完成像素点发光墨水喷印且未封装的OLED显示器件的像素点内至少一个探测位置点的太赫兹反射波时域数据；所述太赫兹反射波时域数据是用预设光强的太赫兹脉冲波周期性地照射所述像素点的所述探测位置点时，由所述像素点反射的反射波的光强数据；
第二获取模块，用于根据各所述太赫兹反射波时域数据获取各所述探测位置点的指纹谱数据；
提取模块，用于提取各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值；
判断模块，用于对比各所述探测位置点的指纹谱数据的最大峰值与所述像素点的峰值阈值，以判断所述像素点是否为坏点。
9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器和存储器，所述存储器存储有所述处理器可执行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，运行如权利要求1-7任一项所述OLED喷印缺陷检测方法中的步骤。
10.一种存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时运行如权利要求1-7任一项所述OLED喷印缺陷检测方法中的步骤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111580782.7A CN113960061B (zh) | 2021-12-22 | 2021-12-22 | Oled喷印缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111580782.7A CN113960061B (zh) | 2021-12-22 | 2021-12-22 | Oled喷印缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113960061A true CN113960061A (zh) | 2022-01-21 |
| CN113960061B CN113960061B (zh) | 2022-04-01 |
Family
ID=79473467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111580782.7A Active CN113960061B (zh) | 2021-12-22 | 2021-12-22 | Oled喷印缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113960061B (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002292832A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | インキ膜厚・含水率計測装置及びこれを備える印刷機並びにインキ膜厚・含水率計測方法 |
| US20140039822A1 (en) * | 2011-04-21 | 2014-02-06 | Aristotle University Of Thessaloniki- Research Committee | Method for in-line determination of film thickness and quality during printing processes for the production of organic electronics |
| US9108358B1 (en) * | 2014-04-10 | 2015-08-18 | Xerox Corporation | System for real time monitoring for defects in an object during three-dimensional printing using a terahertz sensor |
| CN109580532A (zh) * | 2019-01-04 | 2019-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板的封装检测方法及检测装置、检测系统 |
| CN110081849A (zh) * | 2018-04-24 | 2019-08-02 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 墨水材料的膜厚测量方法 |
| CN111307753A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-19 | 杨晨露 | 一种基于太赫兹技术的纤维材料检测系统及方法 |
| CN112786471A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-11 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 显示面板以及显示面板的厚度检测方法 |
| CN113340843A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-09-03 | 苏州锐心观远太赫兹科技有限公司 | 基于太赫兹时域谱的无损检测方法及检测系统 |
-
2021
- 2021-12-22 CN CN202111580782.7A patent/CN113960061B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002292832A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | インキ膜厚・含水率計測装置及びこれを備える印刷機並びにインキ膜厚・含水率計測方法 |
| US20140039822A1 (en) * | 2011-04-21 | 2014-02-06 | Aristotle University Of Thessaloniki- Research Committee | Method for in-line determination of film thickness and quality during printing processes for the production of organic electronics |
| US9108358B1 (en) * | 2014-04-10 | 2015-08-18 | Xerox Corporation | System for real time monitoring for defects in an object during three-dimensional printing using a terahertz sensor |
| CN110081849A (zh) * | 2018-04-24 | 2019-08-02 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 墨水材料的膜厚测量方法 |
| CN109580532A (zh) * | 2019-01-04 | 2019-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板的封装检测方法及检测装置、检测系统 |
| CN111307753A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-19 | 杨晨露 | 一种基于太赫兹技术的纤维材料检测系统及方法 |
| CN112786471A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-05-11 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 显示面板以及显示面板的厚度检测方法 |
| CN113340843A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-09-03 | 苏州锐心观远太赫兹科技有限公司 | 基于太赫兹时域谱的无损检测方法及检测系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113960061B (zh) | 2022-04-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8360601B2 (en) | LED module | |
| US6280797B1 (en) | Coating material and method for providing asset protection | |
| CN101958263B (zh) | 半导体晶粒点测机台检验方法及该机台 | |
| JP2009544948A (ja) | 時間感応性および／または温度感応性の標識を検証する方法 | |
| CN111199700B (zh) | 显示背板检测设备及其检测方法、装置 | |
| CN102621517B (zh) | 一种电表生产过程中的检测与控制方法 | |
| CN105954294A (zh) | 基于传感器的裂纹实时监测系统及其监测方法 | |
| CN103001693A (zh) | 光模块测试方法 | |
| CN113960061B (zh) | Oled喷印缺陷检测方法、装置、电子设备及存储介质 | |
| CN106771693A (zh) | 老化自动测试系统及方法 | |
| CN107084989B (zh) | 一种aoi器件数据库的添加方法与系统 | |
| CN112381555A (zh) | 一种基于二维码的生产及质检方法 | |
| US20190199284A1 (en) | Method and system for testing mechanical tolerance of photovoltaic module | |
| GB2418071A (en) | Facilitating manufacture and repair of electronic devices using special visibiity materials | |
| TWI393902B (zh) | Test Method and Platform of Semiconductor Grain Point Measuring Machine | |
| CN116577638A (zh) | 一种电路板智能测试系统、方法、装置及介质 | |
| KR100783352B1 (ko) | Ｐｃｂ 어셈블리 검사 장치와 방법 | |
| CN110109945B (zh) | 应用于基板的aoi检测方法、装置、存储介质及aoi检测设备 | |
| US11988617B2 (en) | X-ray unit technology modules and automated application training | |
| CN106503893A (zh) | 完成oqc退库检验高值物料信息的自动化校验方法 | |
| CN109580532A (zh) | 一种显示面板的封装检测方法及检测装置、检测系统 | |
| CN102598438A (zh) | 用于vcsel的故障检测方法和故障检测设备 | |
| CN207249724U (zh) | 智能电表制造数据采集系统 | |
| CN105095927A (zh) | 一种实现填装容器与填装物关联的rfid装置及方法 | |
| WO2023219082A1 (ja) | 接着状態の予測システム、接着状態の予測方法、接着状態の予測プログラム及び接着物の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |