CN113949145A - 可降解整流器件及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种可降解整流器件及其制作方法，所述可降解整流器件包括：基底层、器件层和封装层，所述器件层设于所述基底层之上，所述封装层设于所述器件层之上，所述基底层、所述器件层和所述封装层的材料均为可降解材料。本发明实施例提供的可降解整流器件具有全可降解性，它可以将植入式可降解摩擦纳米发电机在生物体内收集机械能转化得到的交流电转变为直流电信号，从而可以进一步解决可降解摩擦纳米发电机不能直接给电池或电容器等储能器件充电的关键问题，拓宽可降解植入式电子医疗设备的电源来源方式。
Description
技术领域
本发明实施例涉及电力电子技术领域，尤其涉及一种可降解整流器件及其制作方法。
背景技术
当前，由于电子产品更新换代及破损等原因，每年在全球各地产生大量的电子垃圾。这些电子垃圾通常含有大量的有毒有害金属或非金属元素，采用传统的填埋及焚烧处理方法对其进行处理，会对水源、土地及空气等人类生存环境具有灾难性后果。因此开发低毒性、环境友好型、可再生、可降解的新型材料来替代目前电子产品部分元器件或制备具有完全零废物排放的新型电子设备是未来主流发展方向。
瞬态电子就是一种新兴的可降解的电子器件制备技术，它是指器件在完成指定功能后，其物理形态和功能可以在外界刺激触发下立即发生部分消失或者完全消失，因此，瞬态电子技术在植入式电子医疗设备方面具有良好的发展前景。植入式电子医疗设备电源的可持续通常需要外界电源对其进行充电来实现。而近年新发展的摩擦纳米发电机，是一种能够将环境机械能转换为电能输出的技术，但是其输出的电能为交流电，需要转化为直流电才能对植入式电子医疗设备进行充电。而目前的整流器件均为金属引线和塑料封装，整体尺寸较大且结构刚硬，不具备可降解性，不适用于可降解植入式电子医疗设备。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种可降解整流器件及其制作方法，以实现整流器件的全可降解性。
第一方面，本发明实施例提供一种可降解整流器件，包括基底层、器件层和封装层，所述器件层设于所述基底层之上，所述封装层设于所述器件层之上，所述基底层、所述器件层和所述封装层的材料均为可降解材料。
进一步的，所述基底层和所述封装层的材料包括具有生物相容性和生物可吸收性的高分子材料。
进一步的，所述基底层的厚度为10μm-500μm，和/或，所述封装层的厚度为10μm-500μm。
进一步的，所述器件层包括PN结层和导电线路层，所述PN结层设于所述基底层之上，所述导电线路层设于所述PN结层之上。
进一步的，所述器件层包括PN结和导电线路，所述PN结和所述导电线路均直接设于所述基底层上且形成整流桥结构。
第二方面，本发明实施例提供一种可降解整流器件的制作方法，包括：
通过预设成膜法使预设可降解高分子材料形成基底层和封装层；
在所述基底层上形成具备可降解特性的器件层；
在所述器件层上覆盖所述封装层，形成可降解整流器件。
进一步的，所述预设成膜法包括流延成膜、旋转涂膜、浇铸成膜和熔融成膜中的一种。
进一步的，所述器件层包括PN结层和导电线路层，在所述基底层上形成具备可降解特性的器件层包括：
提供绝缘体上硅膜片，所述绝缘体上硅膜片包括下层硅基底、中间氧化层和上层硅层，所述中间氧化层设置在所述下层硅基底上，所述上层硅层设置在所述中间氧化层的远离所述下层硅基底的一侧，所述上层硅层预先掺杂有第一掺杂元素，所述第一掺杂元素选自硼元素和磷元素中的一种；
对所述上层硅层依次进行光刻处理和掺杂处理，以在所述上层硅层中掺杂入第二掺杂元素，所述第二掺杂元素选自硼元素和磷元素中的一种，且所述第二掺杂元素与所述第一掺杂元素不同；
去除所述中间氧化层和所述下层硅基底，得到PN结薄片；
将所述PN结薄片转印至所述基底层，形成PN结层，并在所述PN结层上形成导电线路层。
进一步的，在所述基底层上形成具备可降解特性的器件层包括：
提供绝缘体上硅膜片，所述绝缘体上硅膜片包括下层硅基底、中间氧化层和上层硅层，所述中间氧化层设置在所述下层硅基底上，所述上层硅层设置在所述中间氧化层的远离所述下层硅基底的一侧，所述上层硅层预先掺杂有第一掺杂元素，所述第一掺杂元素选自硼元素和磷元素中的一种；
在所述上层硅层上定义PN结区域和导电线路区域；
对所述上层硅层依次进行光刻处理和掺杂处理，以在所述PN结区域的上层硅层中掺杂入第二掺杂元素，所述第二掺杂元素选自硼元素和磷元素中的一种，且所述第二掺杂元素与所述第一掺杂元素不同，得到形成有PN结的第二硅片；
在所述形成有PN结的第二硅片的所述导电线路区域形成导电线路，然后去除所述中间氧化层和所述下层硅基底，得到器件层；
将所述器件层转印至所述基底层。
进一步的，在所述器件层上覆盖所述封装层，形成可降解整流器件包括：
在所述导电线路层上覆盖所述封装层；
对所述基底层与所述封装层的空隙位置进行密封，形成可降解整流器件。
本发明实施例提供的可降解整流器件由基底层、器件层和封装层组成，由于基底层、器件层和封装层均采用可降解材料制成，使得可降解整流器件具有全可降解性，它可以将植入式可降解摩擦纳米发电机在生物体内收集机械能转化得到的交流电转变为直流电信号，从而可以进一步解决可降解摩擦纳米发电机不能直接给电池或电容器等储能器件充电的关键问题，拓宽可降解植入式电子医疗设备的电源来源方式。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种可降解整流器件的结构示意图；
图2为本发明实施例一提供的可降解整流器件的电路图；
图3为本发明实施例二提供的一种可降解整流器件的制作方法的流程示意图；
图4为本发明实施例三提供的一种可降解整流器件的制作方法的流程示意图；
图5A为本发明实施例三提供的SOI硅片的结构示意图；
图5B为本发明实施例三提供的形成PN结的SOI硅片的结构示意图；
图5C为本发明实施例三提供的PN结薄片的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
实施例一
图1为本发明实施例一提供的一种可降解整流器件的结构示意图，本发明实施例提供的可降解整流器件可作为可降解植入式电子医疗设备的整流元器件使用，且可以通过本发明任意实施例提供的可降解整流器件的制作方法制备，本实施例中未详尽描述的内容，也可以参考本发明任意方法实施例的描述。
如图1所示，本发明实施例提供的可降解整流器件包括：基底层100、器件层200和封装层300，基底层100位于最下方，器件层200位于基底层100之上，封装层300位于器件层200之上，基底层100、器件层200和封装层300的材料均采用可降解材料制成。
基底层100和封装层300的材料均采用具有良好生物相容性和生物可吸收性的高分子材料制成，包括人工合成高分子材料和天然来源高分子材料，例如，胶原、明胶、大豆蛋白、蛋清、丝素蛋白、海藻酸钠、纤维素、木质素、甲壳素、壳聚糖、透明质酸、聚己内酯、聚乳酸、聚乳酸-羟基乙酸共聚物、聚乙烯醇、微生物聚酯、聚对二氧环己酮、聚酸酐等。基底层100和封装层300均可采用上述材料中的一种或多种制成，且二者可以采用相同的材料，也可以采用不同的材料。基底层100和封装层300的厚度均在10μm-500μm之间(包括两个端点)，二者的厚度可以相同，也可以不同。
器件层200包括PN结层210和导电线路层220，PN结层210设于基底层100之上，导电线路层220设于PN结层210之上。PN结层210以SOI(Silicon on Insulator，绝缘体上硅)硅片为原材料制成，SOI硅片由上层硅层、中间氧化层和下层硅基底三部分组成，SOI硅片的上层硅层中预先掺杂了施主杂质或受主杂质，依次通过光刻和高温扩散或离子注入的方式在SOI硅片的上层硅层中掺杂与SOI硅片的上层硅层中预先掺杂的杂质类型相反的杂质元素(受主杂质或施主杂质)，即可使SOI硅片的上层硅层形成PN结，例如，SOI硅片的上层硅层中预先掺杂了施主杂质磷，那么SOI硅片的上层硅层形成N型半导体，通过高温扩散或离子注入的方式在SOI硅片的上层硅层中掺杂受主杂质硼，从而使SOI硅片的上层硅层形成PN结结构。SOI硅片的上层硅层形成PN结结构之后，再通过刻蚀去除SOI硅片的中间氧化层，从而使SOI硅片的上层硅层单独剥离出来，得到PN结层210。
可选的，在可替代实施例中，器件层200包括PN结和导电线路，为单层结构。首先在SOI硅片的上层硅层上设置好PN结区域和导电线路区域，然后依次通过光刻和高温扩散或离子注入的方式在SOI硅片的上层硅层中的PN结区域掺杂与SOI硅片的上层硅层中预先掺杂的杂质类型相反的杂质元素(受主杂质或施主杂质)，即可使SOI硅片的上层硅层的PN结区域形成包括4个PN结的结构。接着通过使用高分辨掩膜版法，采用磁控溅射或电子束蒸镀等方式在导电线路区域通过镁、钼、钨或铁等可降解金属形成导电通路，从而形成整流桥器件结构，也就是器件层200。最后通过刻蚀方法将去除SOI硅片的中间氧化层，从而使SOI硅片的上层硅层单独剥离出来，得到器件层200。
器件层200通过PN结层210和导电线路层220形成桥式整流电路，电路图如图2所示，交流电从输入端230输入，经过二极管(即PN结)的整流，从输出端240输出直流电，从而完成交流电到直流电的转变。将PN结薄片转印至基底层100上，然后使用高分辨掩膜版法，通过金属蒸镀的方式在PN结层210形成导电线路层220，将一个或多个PN结连接成整流电路，本实施例的导电线路层220可以采用如镁、钼、钨、铁等的可降解金属进行蒸镀，导电线路区域的金属便构成了可降解导电通路，即，在基底层100上的导线线路区域形成可降解导电通路，其中，金属蒸镀方法可以是磁控溅射或电子束蒸镀等方法。
器件层200位于基底层100和封装层300之间，是可降解整流器件的主要工作部分，为了防止漏电以及外界杂质进入可降解整流器件内部，基底层100和封装层300之间还通过密封材料密封，密封材料如可降解的材料粘结剂等。
可选的，在可替代实施例中，可降解整流器件的封装结构除了是封装层300之外，也可以是封装罩壳，即封装层300可用封装罩壳替代。将器件层200置于基底层100上之后形成可降解器件半成品，再通过封装罩壳对可降解器件半成品进行整体封装，使可降解器件半成品四周都密封起来，形成密封结构。
本发明实施例提供的可降解整流器件由基底层、器件层和封装层组成，由于基底层、器件层和封装层均采用可降解材料制成，使得可降解整流器件具有全可降解性，它可以将植入式可降解摩擦纳米发电机在生物体内收集机械能转化得到的交流电转变为直流电信号，从而可以进一步解决可降解摩擦纳米发电机不能直接给电池或电容器等储能器件充电的关键问题，拓宽可降解植入式电子医疗设备的电源来源方式。
实施例二
图3为本发明实施例二提供的一种可降解整流器件的制作方法的流程示意图，本发明实施例提供的可降解整流器件的制作方法可用于制作具备全可降解性能的整流器件，即可用于制备本发明任意实施例提供的可降解整流器件，本实施例中未详尽描述的内容，也可以参考本发明任意可降解整流器件实施例的描述。
如图3所示，本发明实施例提供的可降解整流器件的制作方法包括：
S11、通过预设成膜法使预设可降解高分子材料形成基底层和封装层。
具体的，可降解高分子材料是指具有良好生物相容性和生物可吸收性的高分子材料制成，包括人工合成高分子材料和天然来源高分子材料，例如，胶原、明胶、大豆蛋白、蛋清、丝素蛋白、海藻酸钠、纤维素、木质素、甲壳素、壳聚糖、透明质酸、聚己内酯、聚乳酸、聚乳酸-羟基乙酸共聚物、聚乙烯醇、微生物聚酯、聚对二氧环己酮、聚酸酐等。
预设成膜法包括流延成膜、旋转涂膜、浇铸成膜和熔融成膜中的一种。流延成膜是通过熔体流涎骤冷生成一种无拉伸、非定向的平挤薄膜。旋转涂膜是通过高速旋转材料使其形成均匀薄膜。浇铸成膜是指使用浇铸模头将溶液浇铸在载体上，浇铸溶液以聚合物膜的形式从载体上剥离，干燥处理后缠绕成为聚合物膜。熔融成膜是指高聚物熔体挤出，在拉伸应力下结晶，形成垂直于挤出方向而又平行排列的薄膜结构。
通过预设成膜法，使可降解高分子材料形成薄膜，形成的薄膜可作为基底层或封装层。基底层和封装层可以采用相同的材料，也可以采用不同的材料。且基底层或封装层的厚度均在10μm-500μm之间(包括两个端点)，基底层厚度和封装层厚度可以相同，也可以不同。优选的，基底层和封装层采用相同的材料和相同的厚度，这样在制备的过程中可以一次性制备，即使分次制备，也不需要调整设备参数，更加方便。
S12、在所述基底层上形成具备可降解特性的器件层。
具体的，器件层是可降解整流器件的主要工作部分，设于基底层上，采用可降解材料制成，其电路结构为桥式整流电路，参考图2。根据图2所示的电路图，可知器件层主要由PN结层和导电线路层组成，在基底层上依次形成PN结层和导电线路层，便形成了器件层，其中，PN结层可以SOI硅片为原材料制成，导电线路层采用可降解金属制成。
S13、在所述器件层上覆盖所述封装层，形成可降解整流器件。
具体的，在基底层上形成器件层之后，在器件层上覆盖预先制好的封装层，使器件层位于基底层和封装层之间，从而形成完整的可降解整流器件。基底层和封装层具有防护作用，使器件层与外界隔离，不受外界杂质的影响。由于基底层、器件层和封装层均采用可降解材料制成，形成的可降解整流器件自然具有全可降解性。
可选的，在可替代实施例中，可降解整流器件的封装结构除了是封装层300之外，也可以是封装罩壳，即封装层300可用封装罩壳替代。将器件层200置于基底层100上之后形成可降解器件半成品，再通过封装罩壳对可降解器件半成品进行整体封装，使可降解器件半成品四周都密封起来，形成密封结构。若使用封装罩壳进行封装，那么在步骤S11中不形成封装层，封装罩壳在步骤S13中形成。
本发明实施例提供的可降解整流器件的制作方法使得可降解整流器件具有全可降解性，它可以将植入式可降解摩擦纳米发电机在生物体内收集机械能转化得到的交流电转变为直流电信号，从而可以进一步解决可降解摩擦纳米发电机不能直接给电池或电容器等储能器件充电的关键问题，拓宽可降解植入式电子医疗设备的电源来源方式。
实施例三
图4为本发明实施例三提供的一种可降解整流器件的制作方法的流程示意图，本实施例是对上述实施例的进一步细化。
如图4所示，本发明实施例三提供的可降解整流器件的制作方法包括：
S21、通过预设成膜法使预设可降解高分子材料形成基底层和封装层。
S22、提供绝缘体上硅膜片，所述绝缘体上硅膜片包括下层硅基底、中间氧化层和上层硅层。具体的，绝缘体上硅膜片即SOI硅片，其包括下层硅基底、中间氧化层和上层硅层，中间氧化层设置在下层硅基底上，上层硅层设置在中间氧化层的远离下层硅基底的一侧，上层硅层预先掺杂有第一掺杂元素，第一掺杂元素选自硼元素和磷元素中的一种。
示例性的，如图5A所述，SOI硅片包括上层硅层51、中间氧化层52和下层硅基底53，其中，SOI硅片的上层硅层51中预先掺杂了施主杂质或受主杂质，即，SOI硅片的上层硅层51为N型半导体或P型半导体，当SOI硅片的上层硅层51中预先掺杂了施主杂质，如磷，SOI硅片的上层硅层51为N型半导体，当SOI硅片的上层硅层51中预先掺杂了施主杂质，如硼，SOI硅片的上层硅层51为P型半导体。
S23、对所述上层硅层依次进行光刻处理和掺杂处理，以在所述上层硅层中掺杂入第二掺杂元素。
具体的，第二掺杂元素选自硼元素和磷元素中的一种，且第二掺杂元素与第一掺杂元素不同。示例性的，以SOI硅片的上层硅层51预先掺杂了杂质元素磷为例说明PN结薄片的制备过程。
先对SOI硅片的上层硅层51进行光刻处理，定义上层硅层51中的硼元素掺杂区域。然后依次通过光刻和高温扩散或离子注入的方式在上层硅层51中的硼元素掺杂区域掺入杂质硼，那么上层硅层51便形成了PN结结构，如图5B所示。
S24、去除所述中间氧化层和所述下层硅基底，得到PN结薄片。
具体的，可通过刻蚀方法将中间氧化层刻蚀掉，使得上层硅层与下层硅基底剥离开来，剥离后得到的上层硅层便是PN结薄片。示例性的，参考图5C，可通过湿法刻蚀方法，利用氢氟酸将中间氧化层52刻蚀，将上层硅层51和下层硅基底53剥离，上层硅层51便是PN结薄片。
进一步的，本步骤中的PN结薄片，既可以是指单个的二极管，那么需要制作四个PN结薄片，也可以是根据器件层的电路结构设计而得到的位置固定好的四个二极管形成的PN结薄片。
S25、将所述PN结薄片转印至所述基底层，形成PN结层，并在所述PN结层上形成导电线路层。
具体的，由于器件层设于基底层上，器件层具有具体的电路结构，故需要根据器件层的电路结构预先在基底层上确定对应的导电线路区域和二极管区域，其中，二极管区域对应器件层电路结构中二极管的分布位置，导电线路区域对应器件层电路结构中导线的分布位置。
示例性的，参考图1，将PN结薄片转印至基底层100上的二极管区域，使基底层100上形成PN结层210。然后使用高分辨掩膜版法，通过金属蒸镀的方式在PN结层210形成导电线路层220，导电线路层220采用如镁、钼、钨、铁等的可降解金属进行蒸镀，导线线路区域的金属便构成了可降解导电通路，在基底层上的导线线路区域形成可降解导电通路，其中，金属蒸镀方法可以是磁控溅射或电子束蒸镀等方法。
可选的，在可替代实施例中，步骤S22～S25可以替换为步骤S221～S261(图中未示出)。
S221、提供绝缘体上硅膜片，所述绝缘体上硅膜片包括下层硅基底、中间氧化层和上层硅层，所述中间氧化层设置在所述下层硅基底上，所述上层硅层设置在所述中间氧化层的远离所述下层硅基底的一侧，所述上层硅层预先掺杂有第一掺杂元素，所述第一掺杂元素选自硼元素和磷元素中的一种。
S231、在所述上层硅层上定义PN结区域和导电线路区域。
S241、对所述上层硅层依次进行光刻处理和掺杂处理，以在所述PN结区域的上层硅层中掺杂入第二掺杂元素，所述第二掺杂元素选自硼元素和磷元素中的一种，且所述第二掺杂元素与所述第一掺杂元素不同，得到形成有PN结的第二硅片。
S251、在所述形成有PN结的第二硅片的所述导电线路区域形成导电线路，然后去除所述中间氧化层和所述下层硅基底，得到器件层。
S261、将所述器件层转印至所述基底层。
具体的，器件层包括PN结和导电线路。首先在SOI硅片的上层硅层上设置好PN结区域和导电线路区域，然后依次通过光刻和高温扩散或离子注入的方式在SOI硅片的上层硅层中的PN结区域掺杂与SOI硅片的上层硅层中预先掺杂的杂质类型相反的杂质元素(受主杂质或施主杂质)，即可使SOI硅片的上层硅层的PN结区域形成包括4个PN结的结构。接着通过使用高分辨掩膜版法，采用磁控溅射或电子束蒸镀等方式在导电线路区域通过镁、钼、钨或铁等可降解金属形成导电通路，从而形成整流桥器件结构，也就是器件层。最后通过刻蚀方法将去除SOI硅片的中间氧化层，从而使SOI硅片的上层硅层单独剥离出来，得到器件层。
S26、在所述导电线路层上覆盖所述封装层。
S27、对所述基底层与所述封装层的空隙位置进行密封，形成可降解整流器件。
具体的，PN结层210和导电线路层220构成器件层200，在基底100上形成器件层200之后，在器件层200上覆盖预先制好的封装层300，使器件层200位于基底层100和封装层300之间，从而形成完整的可降解整流器件，如图1所示。基底层和封装层具有防护作用，使器件层与外界隔离，不受外界杂质的影响。为了进一步防止漏电以及外界杂质进入可降解整流器件内部，还需要对基底层和封装层之间的空隙位置进行密封，如通过热熔塑封或涂抹材料粘结剂等方式进行密封，密封材料选用可降解的材料等。由于基底层、器件层和封装层均采用可降解材料制成，形成的可降解整流器件自然具有全可降解性。
可选的，在可替代实施例中，可降解整流器件的封装结构除了是封装层300之外，也可以是封装罩壳，即封装层300可用封装罩壳替代。将器件层200置于基底层100上之后形成可降解器件半成品，再通过封装罩壳对可降解器件半成品进行整体封装，使可降解器件半成品四周都密封起来，形成密封结构。若使用封装罩壳进行封装，那么在步骤S21中不形成封装层，步骤S26-S27由形成封装罩壳的步骤替代。
本发明实施例提供的可降解整流器件的制作方法使得可降解整流器件具有全可降解性，它可以将植入式可降解摩擦纳米发电机在生物体内收集机械能转化得到的交流电转变为直流电信号，从而可以进一步解决可降解摩擦纳米发电机不能直接给电池或电容器等储能器件充电的关键问题，拓宽可降解植入式电子医疗设备的电源来源方式。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化，重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种可降解整流器件，其特征在于，包括基底层、器件层和封装层，所述器件层设于所述基底层之上，所述封装层设于所述器件层之上，所述基底层、所述器件层和所述封装层的材料均为可降解材料。
2.如权利要求1所述的可降解整流器件，其特征在于，所述基底层和所述封装层的材料包括具有生物相容性和生物可吸收性的高分子材料。
3.如权利要求1所述的可降解整流器件，其特征在于，所述基底层的厚度为10μm-500μm，和/或，所述封装层的厚度为10μm-500μm。
4.如权利要求1所述的可降解整流器件，其特征在于，所述器件层包括PN结层和导电线路层，所述PN结层设于所述基底层之上，所述导电线路层设于所述PN结层之上。
5.如权利要求1所述的可降解整流器件，其特征在于，所述器件层包括PN结和导电线路，所述PN结和所述导电线路均直接设于所述基底层上且形成整流桥结构。
6.一种可降解整流器件的制作方法，其特征在于，包括：
通过预设成膜法使预设可降解高分子材料形成基底层和封装层；
在所述基底层上形成具备可降解特性的器件层；
在所述器件层上覆盖所述封装层，形成可降解整流器件。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预设成膜法包括流延成膜、旋转涂膜、浇铸成膜和熔融成膜中的一种。
8.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述器件层包括PN结层和导电线路层，在所述基底层上形成具备可降解特性的器件层包括：
提供绝缘体上硅膜片，所述绝缘体上硅膜片包括下层硅基底、中间氧化层和上层硅层，所述中间氧化层设置在所述下层硅基底上，所述上层硅层设置在所述中间氧化层的远离所述下层硅基底的一侧，所述上层硅层预先掺杂有第一掺杂元素，所述第一掺杂元素选自硼元素和磷元素中的一种；
对所述上层硅层依次进行光刻处理和掺杂处理，以在所述上层硅层中掺杂入第二掺杂元素，所述第二掺杂元素选自硼元素和磷元素中的一种，且所述第二掺杂元素与所述第一掺杂元素不同；
去除所述中间氧化层和所述下层硅基底，得到PN结薄片；
将所述PN结薄片转印至所述基底层，形成PN结层，并在所述PN结层上形成导电线路层。
9.如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，在所述基底层上形成具备可降解特性的器件层包括：
提供绝缘体上硅膜片，所述绝缘体上硅膜片包括下层硅基底、中间氧化层和上层硅层，所述中间氧化层设置在所述下层硅基底上，所述上层硅层设置在所述中间氧化层的远离所述下层硅基底的一侧，所述上层硅层预先掺杂有第一掺杂元素，所述第一掺杂元素选自硼元素和磷元素中的一种；
在所述上层硅层上定义PN结区域和导电线路区域；
对所述上层硅层依次进行光刻处理和掺杂处理，以在所述PN结区域的上层硅层中掺杂入第二掺杂元素，所述第二掺杂元素选自硼元素和磷元素中的一种，且所述第二掺杂元素与所述第一掺杂元素不同，得到形成有PN结的第二硅片；
在所述形成有PN结的第二硅片的所述导电线路区域形成导电线路，然后去除所述中间氧化层和所述下层硅基底，得到器件层；
将所述器件层转印至所述基底层。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述器件层上覆盖所述封装层，形成可降解整流器件包括：
在所述导电线路层上覆盖所述封装层；
对所述基底层与所述封装层的空隙位置进行密封，形成可降解整流器件。
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