CN113922775A - 一种应用于低频功率放大器的耦合电路 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种应用于低频功率放大器的耦合电路，包括定向耦合器、第一谐振支路、第二谐振支路、第三谐振支路以及第四谐振支路；所述定向耦合的耦合端口与所述第一谐振支路的一端连接，所述第一谐振支路的另一端为耦合信号输出端；所述第二谐振支路和所述第三谐振支路的一端均与所述耦合端口连接，所述第二谐振支路和所述第三谐振支路的另一端均接地；第四谐振支路的一端与所述耦合信号输出端连接，第四谐振支路的另一端接地；所述第二谐振支路的谐振频率范围为4GHz～5GHz，所述第三谐振支路的谐振频率范围为2GHz～3GHz，所述第四谐振支路的谐振频率范围为1.5GHz～2GHz，通过上述方式，可以对中高频信号的耦合系数进行有效抑制。

Description

一种应用于低频功率放大器的耦合电路
技术领域
本发明涉及射频功率放大器技术领域，尤其涉及一种应用于低频功率放大器的耦合电路。
背景技术
射频功率放大器发射模组在手机通信系统中承担了越来越重要的角色，其具有极高的集成度，内部不仅集成有功率放大器，还有多掷数射频开关以及耦合器。其中耦合器在射频功率放大器发射模组的主要作用便是通过耦合模组接收的线型功率放大器的功率能量，然后反馈给手机收发系统，手机收发系统通过耦合器反馈信号对手机射频功率放大器进行功率校准和调节，以此来得到准确的发射功率。然而，传统的双微带线耦合器耦合系数随频率变化较单调，而且耦合频段较宽，对于低频功率放大器的发射模组而已，容易耦合其他频段的杂波，以至于干扰手机收发系统的判断。
发明内容
本发明实施例提供一种应用于低频功率放大器的耦合电路，能够对中高频信号具有一定的抑制效果，减少中高频信号的干扰。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种应用于低频功率放大器的耦合电路，包括定向耦合器、第一谐振支路、第二谐振支路、第三谐振支路以及第四谐振支路；
所述定向耦合器包括主输入端口、主输出端口、连接所述主输入端口和所述主输出端口的主传输线、隔离端口、耦合端口以及连接所述耦合端口和所述隔离端口的次传输线；所述主输入端口用于输入射频信号，所述主输出端口连接有天线，以通过所述天线输出射频信号，所述隔离端口通过负载电阻接地；
所述耦合端口与所述第一谐振支路的一端连接，以通过所述第一谐振支路输出耦合信号，所述第一谐振支路的另一端为耦合信号输出端；所述第二谐振支路和所述第三谐振支路的一端均与所述耦合端口连接，所述第二谐振支路和所述第三谐振支路的另一端均接地；第四谐振支路的一端与所述耦合信号输出端连接，第四谐振支路的另一端接地；
所述第二谐振支路的谐振频率范围为4GHz～5GHz，所述第三谐振支路的谐振频率范围为2GHz～3GHz，所述第四谐振支路的谐振频率范围为1.5GHz～2GHz。
进一步地，所述第二谐振支路的谐振频率为4.56GHz，所述第三谐振支路的谐振频率为2.25GHz，所述第四谐振支路的谐振频率为1.91GHz。
进一步地，所述第一至第四谐振支路均为LC串联谐振支路。
进一步地，所述第一谐振支路包括串联的第一电容C1和第一电感L1，所述第一电容C1的一端为所述耦合信号输出端，所述第一电容C1的另一端与所述第一电感L1连接，所述第一电感L1的另一端与所述耦合端口连接。
进一步地，所述第二谐振支路包括串联的第二电容C2和第二电感L2，所述第二电容C2的一端通过所述第二电感L2接地，所述第二电容C2的另一端连接所述耦合端口；
第三谐振支路包括串联的第三电容C3和第三电感L3，所述第三电容C3的一端通过所述第三电感L3接地，所述第三电容C3的另一端连接所述耦合端口。
进一步地，所述第四谐振支路包括串联的第四电容C4和第四电感L4，所述第四电容C4的一端通过所述第四电感L4接地，所述第四电容C4的另一端连接所述耦合信号输出端。
进一步地，还包括第五电容C5；
所述第二谐振支路、所述第三谐振支路以及第一谐振支路沿所述耦合端口的输出方向依次排列，所述耦合端口通过所述第五电容C5和所述第一谐振支路、第二谐振支路、第三谐振支路连接。
进一步地，还包括第五电感L5；所述第五电感L5位于所述第二谐振支路和所述第三谐振支路之间，所述耦合端口依次通过所述第五电容C5和所述第五电感L5与所述第一谐振支路连接。
进一步地，所述第一谐振支路的谐振频率为600MHz-1.2GHz。
进一步地，所述定向耦合器为双微带线耦合器。
有益效果：本发明的应用于低频功率放大器的耦合电路中，该耦合电路包括定向耦合器、第一谐振支路、第二谐振支路、第三谐振支路以及第四谐振支路；所述定向耦合器包括主输入端口、主输出端口、连接所述主输入端口和所述主输出端口的主传输线、耦合端口、隔离端口以及连接所述耦合端口和所述隔离端口的次传输线；所述主输入端口用于输入射频信号，所述主输出端口连接有天线，以通过所述天线输出射频信号，所述隔离端口通过负载电阻接地；所述耦合端口与所述第一谐振支路的一端连接，以通过所述第一谐振支路输出耦合信号，所述第一谐振支路的另一端为耦合信号输出端；所述第二谐振支路和所述第三谐振支路的一端均与所述耦合端口连接，所述第二谐振支路和所述第三谐振支路的另一端均接地；第四谐振支路的一端与所述耦合信号输出端连接，第四谐振支路的另一端接地；所述第二谐振支路的谐振频率范围为4GHz～5GHz，所述第三谐振支路的谐振频率范围为2GHz～3GHz，所述第四谐振支路的谐振频率范围为1.5GHz～2GHz，由此，通过第二至第四谐振支路的作用，可以对中高频信号的耦合系数进行抑制，从而减少中高频信号的干扰。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其有益效果显而易见。
图1是本发明实施例提供的应用于低频功率放大器的耦合电路的电路图；
图2是本发明实施例提供的耦合电路的耦合系数仿真曲线。
具体实施方式
请参照图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，本发明的原理是以实施在一适当的运算环境中来举例说明。以下的说明是基于所例示的本发明具体实施例，其不应被视为限制本发明未在此详述的其它具体实施例。
参阅图1，本发明实施例的应用于低频功率放大器的耦合电路100，其包括定向耦合器10、第一谐振支路11、第二谐振支路12、第三谐振支路13以及第四谐振支路14。
其中，所述定向耦合器10包括主输入端口Port1、主输出端口Port2、连接所述主输入端口Port1和所述主输出端口Port2的主传输线、隔离端口Port3、耦合端口Port4以及连接所述耦合端口Port4和所述隔离端口Port3的次传输线。本发明实施例中，定向耦合器10可以是双微带线耦合器，也可以是其他例如同轴线或带状线耦合器。
所述主输入端口Port1用于输入射频信号，所述主输出端口Port2连接有天线ANT，以通过所述天线ANT输出射频信号。所述隔离端口Port3通过负载电阻R0接地。所述耦合端口Port4与所述第一谐振支路11的一端连接，以通过所述第一谐振支路11输出耦合信号，所述第一谐振支路11的另一端为耦合信号输出端Coupler Out，即耦合端口Port4输出的耦合信号经过第一谐振支路11后从耦合信号输出端Coupler Out输出。所述第二谐振支路12和所述第三谐振支路13的一端均与所述耦合端口Port4连接，所述第二谐振支路12和所述第三谐振支路13的另一端均接地；第四谐振支路14的一端与所述耦合信号输出端CouplerOut连接，第四谐振支14路的另一端接地。
其中，所述第二谐振支路12的谐振频率范围为4GHz～5GHz，所述第三谐振支路13的谐振频率范围为2GHz～3GHz，所述第四谐振支路14的谐振频率范围为1.5GHz～2GHz。由此，本发明实施例中，通过第二至第四谐振支路的谐振，可以对中高频信号的耦合系数进行抑制，从而减少中高频信号的干扰，提高收发系统的判断准确性。
进一步地，在一种实现方式中，所述第二谐振支路12的谐振频率为4.56GHz，所述第三谐振支路13的谐振频率为2.25GHz，所述第四谐振支路14的谐振频率为1.91GHz。
其中，所述第一至第四谐振支路可以均为LC串联谐振支路。更具体地，所述第一谐振支路11包括串联的第一电容C1和第一电感L1，所述第二谐振支路12包括串联的第二电容C2和第二电感L2，第三谐振支路13包括串联的第三电容C3和第三电感L3，所述第四谐振支路14包括串联的第四电容C4和第四电感L4。进一步地，耦合电路100还包括第五电容C5和第五电感L5。
所述第一电容C1的一端为所述耦合信号输出端Coupler Out，所述第一电容C1的另一端与所述第一电感L1连接，所述第一电感L1的另一端依次通过第五电感L5和第五电容C5而与耦合端口Port4连接，即耦合端口Port4依次串联所述第五电容C5、所述第五电感L5、所述第一电感L1和所述第一电容C1，耦合信号依次经过所述第五电容C5、所述第五电感L5、所述第一电感L1和所述第一电容C1后从耦合信号输出端Coupler Out输出。
所述第二电容C2的一端通过所述第二电感L2接地，所述第二电容C2的另一端连接在所述第五电感L5和所述第五电容C5之间。所述第三电容C3的一端通过所述第三电感L3接地，所述第三电容C3的另一端连接在所述第一电感L1和所述第五电感L5之间。所述第四电容C4的一端通过所述第四电感L4接地，所述第四电容C4的另一端连接所述耦合信号输出端Coupler Out。
其中，第五电容C5可以用于阻抗调节匹配。所述第一谐振支路11谐振于低频区域，同时可用于阻抗调节，调节耦合系数的平坦度。第一谐振支路11的振频率范围可以为600MHz-1.2GHz。
参阅图2，图2是本发明实施例的应用于低频功率放大器的耦合电路的耦合系数仿真曲线，图中纵坐标表示耦合系数，横坐标表示频率，如图所示，第二谐振支路12谐振于m6的位置，即谐振频率为4.56GHz；第三谐振支路13谐振于m5的位置，即谐振频率为2.25GHz；第四谐振支路14谐振于m4的位置，即谐振频率为1.91GHz，由图可看出，第二谐振支路12、第三谐振支路13以及第四谐振支路14对中高频信号的耦合系数具有较好的抑制，达到了30dB以上的抑制，而在600MHz-1.2GHz的低频区域，耦合系数较为平坦，波动只有+-0.1dB。因此，通过对中高频型号的抑制，可以提高收发系统对功率判断的准确性，具有较好的低频性能。
以上对本发明实施例所提供的一种应用于低频功率放大器的耦合电路进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种应用于低频功率放大器的耦合电路，其特征在于，包括定向耦合器、第一谐振支路、第二谐振支路、第三谐振支路以及第四谐振支路；
所述定向耦合器包括主输入端口、主输出端口、连接所述主输入端口和所述主输出端口的主传输线、隔离端口、耦合端口以及连接所述耦合端口和所述隔离端口的次传输线；所述主输入端口用于输入射频信号，所述主输出端口连接有天线，以通过所述天线输出射频信号，所述隔离端口通过负载电阻接地；
所述耦合端口与所述第一谐振支路的一端连接，以通过所述第一谐振支路输出耦合信号，所述第一谐振支路的另一端为耦合信号输出端；所述第二谐振支路和所述第三谐振支路的一端均与所述耦合端口连接，所述第二谐振支路和所述第三谐振支路的另一端均接地；第四谐振支路的一端与所述耦合信号输出端连接，第四谐振支路的另一端接地；
所述第二谐振支路的谐振频率范围为4GHz～5GHz，所述第三谐振支路的谐振频率范围为2GHz～3GHz，所述第四谐振支路的谐振频率范围为1.5GHz～2GHz。
2.根据权利要求1所述的应用于低频功率放大器的耦合电路，其特征在于，所述第二谐振支路的谐振频率为4.56GHz，所述第三谐振支路的谐振频率为2.25GHz，所述第四谐振支路的谐振频率为1.91GHz。
3.根据权利要求1所述的应用于低频功率放大器的耦合电路，其特征在于，所述第一至第四谐振支路均为LC串联谐振支路。
4.根据权利要求3所述的应用于低频功率放大器的耦合电路，其特征在于，所述第一谐振支路包括串联的第一电容C1和第一电感L1，所述第一电容C1的一端为所述耦合信号输出端，所述第一电容C1的另一端与所述第一电感L1连接，所述第一电感L1的另一端与所述耦合端口连接。
5.根据权利要求4所述的应用于低频功率放大器的耦合电路，其特征在于，所述第二谐振支路包括串联的第二电容C2和第二电感L2，所述第二电容C2的一端通过所述第二电感L2接地，所述第二电容C2的另一端连接所述耦合端口；
第三谐振支路包括串联的第三电容C3和第三电感L3，所述第三电容C3的一端通过所述第三电感L3接地，所述第三电容C3的另一端连接所述耦合端口。
6.根据权利要求4所述的应用于低频功率放大器的耦合电路，其特征在于，所述第四谐振支路包括串联的第四电容C4和第四电感L4，所述第四电容C4的一端通过所述第四电感L4接地，所述第四电容C4的另一端连接所述耦合信号输出端。
7.根据权利要求5所述的应用于低频功率放大器的耦合电路，其特征在于，还包括第五电容C5；
所述第二谐振支路、所述第三谐振支路以及第一谐振支路沿所述耦合端口的输出方向依次排列，所述耦合端口通过所述第五电容C5和所述第一谐振支路、第二谐振支路、第三谐振支路连接。
8.根据权利要求7所述的应用于低频功率放大器的耦合电路，其特征在于，还包括第五电感L5；所述第五电感L5位于所述第二谐振支路和所述第三谐振支路之间，所述耦合端口依次通过所述第五电容C5和所述第五电感L5与所述第一谐振支路连接。
9.根据权利要求1所述的应用于低频功率放大器的耦合电路，其特征在于，所述第一谐振支路的谐振频率为600MHz-1.2GHz。
10.根据权利要求1所述的应用于低频功率放大器的耦合电路，其特征在于，所述定向耦合器为双微带线耦合器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023040473A1 (zh) * 2021-09-17 2023-03-23 深圳飞骧科技股份有限公司 一种应用于低频功率放大器的耦合电路

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1198615A (zh) * 1997-03-14 1998-11-11 株式会社东芝 无线设备
US20140248837A1 (en) * 2013-03-04 2014-09-04 Applied Wireless Identifications Group, Inc. Isolation tuners for directional couplers
US20170250666A1 (en) * 2016-02-29 2017-08-31 Skyworks Solutions, Inc. Integrated filter and directional coupler assemblies
CN109560360A (zh) * 2018-12-11 2019-04-02 深圳飞骧科技有限公司 一种定向耦合器
CN109714011A (zh) * 2018-12-20 2019-05-03 佛山臻智微芯科技有限公司 一种应用在第五代移动通信28GHz的GaAs射频功率放大器
CN109845029A (zh) * 2016-10-27 2019-06-04 株式会社村田制作所 定向耦合器内置基板、高频前端电路以及通信装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019062309A (ja) * 2017-09-25 2019-04-18 株式会社村田製作所 方向性結合器及び通信ユニット
CN113922775B (zh) * 2021-09-17 2023-06-27 深圳飞骧科技股份有限公司 一种应用于低频功率放大器的耦合电路
CN113872532B (zh) * 2021-09-17 2022-11-11 深圳飞骧科技股份有限公司 应用于4g全频段功率放大器的耦合电路及电子设备

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1198615A (zh) * 1997-03-14 1998-11-11 株式会社东芝 无线设备
US20140248837A1 (en) * 2013-03-04 2014-09-04 Applied Wireless Identifications Group, Inc. Isolation tuners for directional couplers
US20170250666A1 (en) * 2016-02-29 2017-08-31 Skyworks Solutions, Inc. Integrated filter and directional coupler assemblies
CN109845029A (zh) * 2016-10-27 2019-06-04 株式会社村田制作所 定向耦合器内置基板、高频前端电路以及通信装置
CN109560360A (zh) * 2018-12-11 2019-04-02 深圳飞骧科技有限公司 一种定向耦合器
CN109714011A (zh) * 2018-12-20 2019-05-03 佛山臻智微芯科技有限公司 一种应用在第五代移动通信28GHz的GaAs射频功率放大器

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
宋晓红: "DF500A型发射机射频驱动级分析与研究", 《电子测试》, no. 7, pages 35 - 36 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023040473A1 (zh) * 2021-09-17 2023-03-23 深圳飞骧科技股份有限公司 一种应用于低频功率放大器的耦合电路

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