CN113921363B - 配备等离子体电极部的基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的基板处理装置，可以包括：卡盘单元，安装在腔室内部，可供安置至少一个基板；等离子体电极部，安装在上述腔室的内部或外部，在加载高频电源时生成等离子体；以及，高频电源部，向上述等离子体电极部加载上述高频电压。

Description

配备等离子体电极部的基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种配备等离子体电极部的基板处理装置。
背景技术
用于在基板上沉积薄膜、蚀刻或清洗的装置被称之为基板处理装置。基板处理装置作为用于生成等离子体的源头即等离子体源，可以包括用于加载高频电源的等离子体电极部。
此外，在通过等离子体增强原子层沉积(PEALD，Plasma Enhanced Atomic LayerDeposition)或原子层沉积(ALD，Atomic Layer Deposition)工程在基板上执行原子层单位的薄膜形成或蚀刻的基板处理装置中，可能会为了提升薄膜均匀度而需要进一步提升等离子体电极部的性能。
发明内容
本发明提供一种配备可以在基板处理工程或原子层单位的基板处理工程中确保薄膜均匀度的等离子体电极部的基板处理装置。
适用本发明的基板处理装置，可以包括：卡盘单元，安装在腔室内部，可供安置至少一个基板；等离子体电极部，安装在上述腔室的内部或外部，在加载高频电源时生成等离子体；以及，高频电源部，向上述等离子体电极部加载上述高频电压。
其中，上述等离子体电极部可以对相对于上述卡盘单元的间隙(GAP)或倾斜角度进行调节。
本发明不仅可以精密地对卡盘单元的基板处理条件进行控制，还可以按照不同区域对基板的边缘以及中心的等离子体密度或等离子体分布进行控制，因此可以确保基板的中心以及各个边缘的薄膜均匀度。
因为可以按照基板的中心以及各个边缘分别对等离子体状态进行特性，因此可以在整个基板面积上均匀地对薄膜特性进行控制。
本发明可以借助于等离子体电极部对腔室内部的气体状态或等离子体状态进行精密控制，借此可以间接性地达成受其影响的腔室内部的热管理。
本发明可以借助于可对倾斜角度进行调节的等离子体电极部对单一基板的处理均匀度进行改善，还可以借助于盘旋转部对多个基板之间的处理均匀度进行改善，从而大幅改善原子层沉积(ALD)工程的整体收率。
附图说明
图1是对适用本发明的基板处理装置进行图示的概要图。
图2是对适用本发明的盘的底面进行图示的概要图。
图3是对适用本发明的盘的底面进行图示的另一概要图。
图4是对适用本发明的盘的顶面进行图示的概要图。
图5是适用本发明的时间分割方式基板处理装置的侧向截面图。
图6是适用本发明的安装在时间分割方式的基板处理装置中的等离子体电极部的平面图。
图7是适用本发明的安装在空间分割方式基板处理装置中的等离子体电极部的平面图。
图8是对图7中的等离子体电极部的第1电极部的倾斜角度调节状态进行图示的侧面图。
符号说明
10：基板，110：腔室，120：主齿轮旋转轴，130：盘，131：轴承，140：盘旋转轴，150：转子，151：升降器部，160：升降器驱动部，170：主齿轮，180：转子齿轮，190：中间齿轮，290：加热器，300：卡盘单元，10a：基板中心，10b：基板边缘，400：高频电源部，501：接地部，410：等离子体电极部，411：第1电极部，412：第2电极部，V1：第1速度，V2：第2速度。
具体实施方式
图1中所图示的基板处理装置包括转子150以及可供多个转子150以可旋转的方式安装的盘130。盘130可以是圆形。多个转子150可以以盘130的中心即盘旋转轴140为基准等角度安装。
可以配备用于使转子150发生自转的转子旋转部。可以配备用于使盘130发生自转的盘旋转部。盘旋转部可以以盘130的中心即盘旋转轴140为基准使转子150发生公转。
在适用本发明的基板处理装置中，可以配备腔室110以及通过安装在腔室110内部而对至少一个基板进行支撑的盘130。可以配备用于覆盖腔室110的上部的腔室盖(ChamberLid；未图示)。可以配备安装在腔室盖(未图示)中，用于将源气体(Source Gas)(SG)、反应气体(Reactant Gas)(RG)以及净化气体(Purge Gas)(PG)中的至少一个喷射到盘130上的各个不同区域的气体喷射部(未图示)。
腔室110可以提供通过原子层沉积(ALD，Atomic Layer Deposition)工程对基板进行处理的反应空间。
作为适用本发明的一实施例，可以提供一种通过时间分割方式执行原子层沉积(ALD)工程的基板处理装置。在采用时间分割方式时，可以依次只利用如源气体等一种类型的气体填充用于对基板10进行收容的腔室110内部并执行源气体工程，接下来排出源气体并利用净化气体填充腔室110内部而执行净化气体工程，然后再排出净化气体并利用反应气体填充腔室110内部而执行反应气体工程。
作为适用本发明的一实施例，可以提供一种通过空间分割方式执行原子层沉积(ALD)工程的基板处理装置。
参阅图4，在空间分割方式的腔室110内部，源气体可以被喷射到与源气体喷射区域相向的基板10上，而净化气体可以被喷射到与净化气体区域相向的基板10上，反应气体则可以被喷射到与反应气体区域相向的基板10上。特定的一个基板10随着盘130的旋转依次经过源气体区域310、净化气体区域320以及反应气体区域330，从而通过原子层沉积(ALD，Atomic Layer Deposition)工程沉积形成单层或多层的薄膜。伴随着盘130的旋转，可以在特定基板10与相应区域相向的状态下施加等离子体。通过时间分割或空间分割方式，可以对多张基板10分别执行不同的原子层沉积(ALD)气体工程。
此外，因为气体分布的不均匀，第1基板上的薄膜厚度与第2基板上的薄膜厚度可能会有所不同。本发明的目的在于与气体的不均匀分布无关地使单一基板10的不同区域的处理状态均匀化并使多个基板10之间的处理彼此均匀化。
转子150是在盘130上安装多个，并以可供基板10安装的方式形成。为了防止基板10的毁损，与基板10相向的转子150的安置面可以以与基板10的安置部位相同的形状形成。作为一实例，在基板10为板状形状的情况下，转子150的安置面也可以以板状形状形成。
安置有基板10的转子150的旋转中心可以与盘130的中心或腔室110的中心不同。因此，基板10的一侧可以以与盘130的中心相邻的方式进行配置，而基板的另一侧可以以与盘130的边缘相邻的方式进行配置。所以对于一个基板10，可能会导致不同区域的处理变得不均匀。为了防止对一个基板10的不同区域的不均匀处理，可以配备用于使转子150发生自转的转子旋转部。
通过使转子150发生自转，可以使安置在转子150上的基板10的一侧以及另一侧区域并非固定而是处于时时刻刻变化的状态，从而均匀地对一个基板10的所有区域进行处理。转子150可以以转子150的中心为轴自转360度以上。
此外，腔室110内部的第1位置上的气体浓度与第2位置上的气体浓度可能会有所相同。因此，在第1位置的第1基板上沉积的薄膜厚度与在第2位置的第2基板上沉积的薄膜厚度可能会有所不同。借助于盘旋转部的旋转，第1基板以及第2基板可以交替地经过第1位置以及第2位置，因此可以使第1基板以及第2基板的薄膜厚度均匀化。
转子150可以以配备于盘130的中心的盘旋转轴140为基准发生公转。盘旋转部可以使安装有转子150的盘130在不足360的范围内发生正逆向旋转或在360度以上的范围内发生单方向自转，借此可以变更转子150的中心为止。
转子旋转部以及盘旋转部以非限制性或独立性地进行驱动为宜。这是因为，在转子旋转部使转子150以第1速度即V1发生旋转且盘旋转部使盘130以第2速度即V2发生旋转时，为了同时达成特定基板10的不同区域薄膜的均匀化以及腔室110内部的各个不同区域薄膜的均匀化，分别独立地对转子150的旋转速度以及盘130的旋转速度进行调节为宜。
在转子150的旋转速度以及盘130的旋转速度彼此限制的情况下，可能可以满足对单一基板10的不同区域的处理均匀度，但是可能无法满足多个基板10之间的处理均匀度。与此相反，可能可以满足各个基板10之间的处理均匀度的容许值，但是可能无法满足单一基板10的不同区域的处理均匀度的容许值。
根据本发明，因为彼此独立地对转子旋转部以及盘旋转部进行驱动，因此可以使单一基板10的处理均匀度以及多个基板10之间的处理均匀度均满足设计值。
为了可以通过盘旋转部顺利地实现转子150的公转以及盘130的自转，转子旋转部可以与盘130一起运动并使转子150发生自转。在盘130升降的情况下，转子旋转部也可以与盘130一起进行升降。在盘130旋转的情况下，转子旋转部也可以与盘130一起发生旋转。
转子旋转部可以包括与转子150连接的转子齿轮180、与转子齿轮链接的主齿轮170、与主齿轮170连接的主齿轮旋转轴120、使主齿轮旋转轴120发生旋转的转子电机中的至少一个。在转子电机发生旋转时，与转子电机连接的主齿轮旋转轴120也可以随之发生旋转。借助于主齿轮旋转轴120的旋转，主齿轮170也将随之发生旋转，而与主齿轮170链接的转子齿轮180也将随之发生旋转。在转子齿轮180发生旋转时，转子150可以发生自转。
盘旋转部可以包括与盘130连接的盘旋转轴140以及可使盘旋转轴140发生旋转的盘电机中的至少一个。
借助于彼此区分或独立控制的转子电机以及盘电机，转子150以及盘130将分别以不同的旋转速度发生旋转，而且可以沿着相同的方向或不同的方向发生旋转。转子电机以及盘电机可以安装在腔室110的外部。与转子电机连接的主齿轮旋转轴120以及与盘电机连接的盘旋转轴140可以贯通腔室110。因为贯通腔室110的元件越多就越不利于进行密封，因此主齿轮旋转轴120以及盘旋转轴140配置在相同的轴上为宜。
作为一实例，主齿轮旋转轴120可以以中空的管体形状形成。因为转子旋转部是在盘旋转轴140的周边散步多个，因此与其同轴的主齿轮旋转轴120配备于盘旋转轴140的外周为宜。盘旋转轴140可以以可旋转的方式插入到主齿轮旋转轴120的中孔中。
在转子150的中央，可以配备用于对基板10进行升降的升降器部151。在升降器部151上升时，基板10可以从转子150的安置面远离，而在升降器部151下降时，基板10可以被安置到转子150的安置面上。
薄膜不仅会被沉积到基板10上，还会被沉积到安置有基板10的转子150或盘130上。因此，基板10以及转子150可能会因为薄膜而处于部分粘接的状态，而升降器可能会使相应的粘接状态脱离。此时，在薄膜连接面因为升降器的压力而脱离时，位于基板10与转子150的边界上的薄膜可能会发生毁损。通过将基板10从转子150水平抬升，或使升降器部151维持与转子150的安置面平行的状态，可以防止如上所述的现象。升降器部151的侧向截面可以以“T”字形状形成。
在腔室110中，可以配备用于向上推动或向下拉动升降器部151的升降器驱动部160。升降器驱动部160可以贯通腔室110的内部以及外部，而且可以以密闭结构构成。升降器驱动部160可以维持不会与旋转状态的盘130或转子150发生干涉的向下下降的状态。在盘130以及转子150停止时，升降器驱动部160可以通过上升而推动或拉动升降器部151。
参阅图2，转子150可以以与盘130的通孔相向的方式安装。盘130的通孔可以与转子齿轮180、中间齿轮190以及主齿轮170中的至少一个相向。借助于中间齿轮190，主齿轮170、转子齿轮180以及转子150可以沿着相同的方向发生旋转。轴承131可以相对于盘130的通孔以可旋转的方式对转子150或转子齿轮180进行支撑。
安装在腔室110内部的加热器290，可以提升基板10以及气体的反应性，或均匀地对基板10或气体进行加热。因为可以借助于加热器290均匀地对各个转子150进行加热，因此可以改善对单一基板10的处理均匀度以及多个基板10之间的处理均匀度。
参阅图3，1个中间齿轮190可以与彼此相邻的2个转子齿轮180以及主齿轮170啮合。在本实施例中，在盘130上安装奇数个转子150为宜，而中间齿轮190的数量为转子150数量的一半就足够，从而可以将中间齿轮190的数量最小化。
参阅图1，转子150以及转子旋转部也可以与盘130一起进行升降。因为与盘130一起进行升降，转子旋转部可以与盘130的升降位置无关地使转子150发生自转。
参阅图1至图8，适用本发明的基板处理装置可以包括腔室110、卡盘单元300、等离子体电极部410以及高频电源部400。等离子体电极部410可以是电容耦合等离子体(CCP)方式或感应耦合等离子体(ICP)方式。
适用本发明的等离子体电极部410可以起到包括电容耦合等离子体(capacitivecoupling Plasma，CCP)以及通过天线线圈感应的感应耦合等离子体(Inductive couplingPlasma，ICP)方式在内的所有等离子体源的作用。
电容耦合等离子体(CCP)方式是由日本的TEL(Tokyo electron)公司以及美国的LRC(Lam Research)公司等进行研发，而感应耦合等离子体(ICP)方式是则由美国的AMT(Applied Materials)公司以及LRC公司进行研发。
本发明旨在通过与全球的竞争企业进行对抗而实现半导体装置的核心部件即等离子体源的韩国国产化。尤其是，其核心在于通过提出全新的等离子体电极部410而提升薄膜均匀度。
因为感应耦合等离子体(ICP)方式可以在低压力下生成等离子体且等离子体的密度优秀，因此对微电路的对应性可能比较优秀。而与此相反，因为天线的结构性问题，可能会导致等离子体的均匀性下降的问题。感应耦合等离子体(ICP)方式的等离子体电极部410可以被安装在腔室110的外部。
电容耦合等离子体(CCP)方式可以生成均匀的等离子体，但是可能会因为电场直接对加工物造成影响而导致微细图案受损的问题。此外，与感应耦合等离子体(ICP)方式相比其等离子体密度较低，因此可能不利于形成微细图案。在适用本发明的等离子体电极部410采用电容耦合等离子体(CCP)方式的情况下，等离子体电极部410可以被安装在腔室110内部，从而借助于在彼此相向的2个板之间形成的电容耦合(capacity coupling)形成等离子体。其中，2个板可以是等离子体电极部410以及卡盘单元300。
例如，本发明旨在使在电容耦合等离子体(CCP)方式中相当于2个板的等离子体电极部410与卡盘单元300之间形成的电容耦合在基板10上均匀分布，或者按照不同区域对基板中心10a以及基板边缘10b的分布进行调节。适用本发明的等离子体电极部410可以对相对于卡盘单元300的倾斜角度进行调节。
借助于对等离子体电极部410的间隙调节或倾斜角度调节，还可以对在等离子体电极部410以及卡盘单元300之间形成的电磁场或电荷量进行调节。借助于电磁场或电荷的密度差异，可以对基板中心10a以及基板边缘10b的气体状态进行调节，还可以对等离子体状态进行调节。通过按照不同区域对气体以及等离子体的特性进行调节，可以在基板10的整体面积上实现均匀的等离子体处理(蚀刻、洗涤、沉积)。
即使是在等离子体电极部410以及卡盘单元300之间均匀地形成等离子体密度的情况下，也并不意味着必然可以达成薄膜均匀度。这是因为，例如基板10的面积的中心部分较小而边缘部分较大，因此即使是在腔室110内部的空白空间的任意坐标上的等离子体密度均匀的情况下，就基板10的单位面积而言，等离子体的入射可能不均匀且薄膜的厚度也可能会有所不同。
此外，即使是在施加相同密度或相同量的等离子体的情况下，根据与腔室110壁之间的距离，薄膜的形成特性也可能会有所不同。例如，与腔室110壁的距离越近，等离子体/气体特性或薄膜形成条件可能越低，而越靠近腔室110中心，等离子体/气体特性或薄膜形成条件可能越好。
即，并不是单纯地实现等离子体密度的均匀化，就可以实现薄膜的均匀化。总而言之，薄膜均匀度取决于在根据腔室110的状态或形状掌握个别的基板处理装置的特性之后，可以通过分析或试验对包括基板10的中心以及边缘在内的各个区域的等离子体/电磁场密度差异进行独立控制的程度以及进行精确调节的自由度程度。
卡盘单元300被安装在腔室110的内部，可供至少一个基板10安置。等离子体电极部410在采用电容耦合等离子体(CCP)方式的情况下被安装在腔室110的内部，而在采用感应耦合等离子体(ICP)方式的情况下被安装在腔室110的外部。等离子体电极部410被安装在用于加载高频电源的高频电源部400中，而且可以生成与高频电源对应的等离子体。卡盘单元300可以与接地部401连接。在本发明中，等离子体电极部410可以对相对于卡盘单元300的间隙(GAP)或倾斜角度进行调节。
借助于高频电源，可以生成射频(RF)等离子体。在通过利用射频(RF)等离子体的等离子体增强原子层沉积(PEALD)沉积薄膜时，可以生成与一个原子层厚度对应的程度的极薄的薄膜。为了获得均匀的原子层单位的薄膜，卡盘单元300与等离子体电极部410之间的间隙属于重要的因素。
作为用于调节间隙的实施例，可以在腔室110内部对卡盘单元300进行升降，或者对卡盘单元300的高度进行调节。而与此相反，也可以保持卡盘单元300的高度，而是对相对于卡盘单元300的等离子体电极部410的高度进行调节。
卡盘单元300可以在腔室110内部进行升降，而借助于卡盘单元300的升降，可以对等离子体电极部410与卡盘单元310之间的间隙进行调节。
本发明并不限定于间隙调节，还可以对卡盘单元300与等离子体电极部410所形成的角度进行调节。因为可以通过对间隙以及角度进行调节而对基板10的不同区域的射频(RF)等离子体特性进行调节，因此可以将基板10的整体面积上的薄膜均匀度调节至所需要的水准。
在采用时间分割等离子体增强原子层沉积(PEALD)方式的腔室110的情况下，可以适用如图5以及图6所示的实施例。等离子体电极部410可以仅与一个基板10相向。为了实现对基板中心10a以及基板边缘10b的不同区域的等离子体特性的调节，可以对间隙以及倾斜角度进行调节。在采用时间分割等离子体增强原子层沉积(PEALD)方式的情况下，等离子体电极部410将被分割成多个，而且可以对间隙或倾斜角度进行调节。等离子体电极部410的中心可以与基板中心10a相向，而等离子体电极部410的边缘可以与基板中心10a相向。
等离子体电极部410可以包括第1电极部411以及第2电极部412中的至少一个。第1电极部411与基板边缘10b相向，而且可以对相对于基板10的倾斜角度进行调节。可以通过在各个第1电极部411中安装伺服电机或执行机构而对倾斜角度进行自动控制。
在将多个第1电极部411的倾斜角度调节成向基板10的中心收敛的轴对称的形状的情况下，可以形成如图5所示的形状。虽然各个第1电极部411的倾斜角度可以互不相同，但是各个第1电极部411的倾斜方向可以被调节成朝向基板中心10a的方向。此时，第1电极部411的电磁场可以被聚焦到基板中心10a。等离子体密度可以被聚焦到基板中心10a，或者向基板中心10a逐渐增加。
与此相反，也可以将多个第1电极部411的倾斜角度调节成向基板10的外廓收敛的轴对称的形状。作为与其相关的实施例，可以是将图5中的形状向外扩一侧展开的盛开的花朵形状。虽然在图5中并未进行图示，但是各个第1电极部411的倾斜角度可以互不相同，而且各个第1电极部411的倾斜方向可以被调节成朝向基板边缘10b的方向。此时，第1电极部411的电磁场可以向朝向基板边缘10a的方向发散。等离子体密度可以向基板边缘10b或基板边缘10b的外廓发散或向基板10的外扩方向逐渐减小。
第2电极部412与基板中心10a相向，而且可以对相对于基板10的相对高度进行调节。对第2电极部412的倾斜角度的调节可能毫无意义。这是因为在对第2电极部412的倾斜角度进行调节时，基板中心10a的不同区域的等离子体特性可能会发生很大的改变。此时，加载到基板10中的气体特性或等离子体特性相对于基板10的中心不会形成周对称，因此并不可取。对于第2电极部412，只通过对间隙进行调节就可以对相对于基板中心10a的等离子体特性进行充分的调节，而对倾斜角度的调节反而可能会对薄膜均匀度造成不良影响。
在腔室110通过时间分割方式对上述基板进行处理的情况下，腔室110的内部可以在只利用源气体、净化气体以及反应气体中的一种气体进行填充并执行各个工程之后再替换成另一种气体，安置在卡盘单元300中的基板10可以以一定的时间差异暴露在源气体、净化气体以及反应气体中。与卡盘单元300相向的等离子体电极部410，可以对与基板10的边缘相向的部分的倾斜角度进行调节。
即，第1电极部411的倾斜角度可以被调节成向基板10的中心点收敛的轴对称的形状。此时，其目的可以是为了将等离子体密度集中到基板中心10a。
而与此相反，第1电极部411的倾斜角度可以被调节成向基板10的边缘或外廓发散的轴对称的形状。此时，可以是需要使等离子体密度在基板中心10a变得稀薄或将其集中到基板边缘10b的情况，或者是需要向基板10的外廓减小等离子体密度的情况。
在采用空间分割方式的情况下，也可以对间隙或倾斜角度进行调节。尤其是，在图7以及图8中对空间分割方式下的倾斜角度调节进行了图示，虽然并没有进行图示，但是通过对卡盘单元300进行升降，也可以以独立于倾斜角度调节的方式对第1电极部411与基板10之间的间隙进行调节。
在图5至图8中进行图示的卡盘单元300可以包括盘130以及转子150。盘130可以以盘旋转轴140为中心发生旋转。转子150可以在盘130上等角度配备多个，并以可旋转的方式安装在盘130上，而且可以配备用于放置基板10的安置面。
在腔室110通过空间分割方式对上述基板10进行处理时，特定的一个基板10可以借助于盘130的旋转依次经过源气体区域、净化气体区域以及反应气体区域。等离子体电极部410可以包括在盘130上以等角度配备多个的第1电极部411。第1电极部411可以对相对于盘130的倾斜角度进行调节。因为多个基板10是以等角度沿着盘130的圆周方向进行排列，因此可能并不需要配置在盘130的中心的第2电极部412。
第1电极部411可以采用可对相对于卡盘单元300的倾斜角度进行调节的结构。通过对第1电极部411的倾斜角度进行调节，可以对施加到基板10上的等离子体密度的方向性进行调节。
此外，无论采用时间分割方式还是空间分割方式，为了可以实现对基板10的不同区域的气体分布或等离子体特性的调节，第1电极部411可以与基板10的外周即基板边缘10b相向，而第2电极部412可以与基板10的内周即基板中心10a相向。
可以对与基板边缘10b相向的第1电极部411的倾斜角度进行调节。可以对与基板中心10a相向的第2电极部412与卡盘单元300之间的间隙进行调节。通过对卡盘单元300进行升降，在对倾斜角度进行调节的同时，还可以对第1电极部411与基板10之间的间隙进行调节。
等离子体电极部410沿着基板10的半径方向分割成多个的情况，可以是第1电极部411以及第2电极部412分别与基板中心10a以及基板边缘10b相向的情况。
此外，等离子体电极部410沿着基板10的圆周方向分割成多个的情况，可以是等角度排列多个第1电极部411的情况。
无论等离子体电极部410是沿着半径方向分割还是沿着圆周方向分割，除了机构性的方面之外，在电气方面或控制方面也可以对等离子体特性进行调节。
高频电源部400可以向第1电极部411加载第1高频电源并向第2电极部412加载第2高频电源。通过区分加载第1高频电源以及第2高频电源，可以对基板边缘19b以及基板中心10a的等离子体密度进行调节。

Claims (6)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
卡盘单元，安装在腔室内部，供安置至少一个基板；
等离子体电极部，安装在上述腔室的内部或外部，在加载高频电源时生成等离子体；以及，
高频电源部，向上述等离子体电极部加载上述高频电源，
其中，上述等离子体电极部的针对上述卡盘单元的间隙或倾斜角度被调节，
上述等离子体电极部包括第1电极部以及第2电极部，
上述第1电极部与作为上述基板的外周的基板边缘相向，
上述第2电极部与作为上述基板的内周的基板中心相向，
与上述基板边缘相向的上述第1电极部的倾斜角度被调节，
与上述基板中心相向的上述第2电极部与上述卡盘单元之间的间隙被调节。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
上述卡盘单元在上述腔室内部进行升降，
借助于上述卡盘单元的升降，上述等离子体电极部与上述卡盘单元之间的间隙被调节。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
上述等离子体电极部包括第1电极部，
上述第1电极部的针对上述卡盘单元的倾斜角度被调节，
若上述第1电极部的倾斜角度被调节，则施加到上述基板的等离子体特性被调节。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
上述等离子体电极部包括第1电极部以及第2电极部，
上述高频电源部向上述第1电极部加载第1高频电源，
上述高频电源部向上述第2电极部加载第2高频电源，
若上述第1高频电源以及上述第2高频电源被区分施加，则上述基板的基板边缘以及基板中心的等离子体密度被调节。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
上述卡盘单元包括盘以及转子，
上述盘以盘旋转轴为中心旋转，
上述转子在上述盘上以等角度配备为多个，并以可旋转的方式安装在上述盘上，配备有用于放置上述基板的安置面，
在上述腔室通过空间分割方式对上述基板进行处理时，特定的一个基板借助于上述盘的旋转依次经过源气体区域、净化气体区域以及反应气体区域，
上述等离子体电极部包括在上述盘上以等角度配备为多个的第1电极部，
上述第1电极部的针对上述盘的倾斜角度被调节。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
在上述腔室通过时间分割方式对上述基板进行处理时，上述腔室的内部在只利用源气体、净化气体以及反应气体中的一种气体进行填充并执行各个工程之后再替换成另一种气体，
安置在上述卡盘单元中的基板以一定的时间差暴露在上述源气体、净化气体以及反应气体中，
与上述卡盘单元相向的上述等离子体电极部的针对与上述基板的边缘相向的部分的倾斜角度被调节。
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