CN113880440A - 一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉及其制备方法 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 148
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 123
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 22
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 21
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 19
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 16
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 claims description 15
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N chromium(III) oxide Inorganic materials O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 12
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 11
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 10
- RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N lead nitrate Chemical compound [O-][N+](=O)O[Pb]O[N+]([O-])=O RLJMLMKIBZAXJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229940056932 lead sulfide Drugs 0.000 claims description 9
- 229910052981 lead sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 9
- 229910021514 lead(II) hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L calcium carbonate Substances [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 8
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 8
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Inorganic materials O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L sodium carbonate Substances [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910003069 TeO2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims description 6
- 239000000156 glass melt Substances 0.000 claims description 6
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims description 6
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims description 6
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims description 6
- 238000010791 quenching Methods 0.000 claims description 6
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005303 weighing Methods 0.000 claims description 6
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 4
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- RVPVRDXYQKGNMQ-UHFFFAOYSA-N lead(2+) Chemical compound [Pb+2] RVPVRDXYQKGNMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 claims description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 10
- 238000011161 development Methods 0.000 abstract description 7
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- XNRNVYYTHRPBDD-UHFFFAOYSA-N [Si][Ag] Chemical compound [Si][Ag] XNRNVYYTHRPBDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 2
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 12
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 3
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N Dimethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 2
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 235000008429 bread Nutrition 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N dimethyl phthalate Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1OC(C)=O FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001826 dimethylphthalate Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C12/00—Powdered glass; Bead compositions
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L31/02—Details
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/228—Other specific oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/11—Deposition methods from solutions or suspensions
- C03C2218/111—Deposition methods from solutions or suspensions by dipping, immersion
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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Abstract
一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉及其制备方法,它涉及一种玻璃粉及其制备方法。本发明的目的是要解决现有Topcon电池表面的银栅线使用的无铅玻璃粉对硅片的刻蚀能力相对较弱且接触电阻较大,导致无铅玻璃粉金属化过程相对较弱的问题。一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉为无铅玻璃粉外表面包覆PbO。方法:一、制备混合溶液;二、包覆。本发明兼顾绿色环保发展理念,降低铅含量的使用,改善无铅玻璃粉对硅片的刻蚀能力,降低银硅界面的接触电阻,促使形成更好的金属化接触。本发明可获得一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉。
Description
技术领域
本发明涉及一种玻璃粉及其制备方法。
背景技术
随着P型太阳能电池逐渐接近其转换效率极限,N型太阳能电池将成为下一代电池技术的发展方向,其中具有超薄氧化硅(SiOx)衬底和用于硅太阳能电池重掺杂多晶硅(poly-Si)层结构的Topcon太阳能电池可以提供优异的全区域钝化和载流子收集,显著提高器件的整体性能,由于Topcon结构具有转换效率高、温度系数低、无光衰、弱光效应好、载流子寿命长和烧结窗口宽等特点,而且工业生产过程的相对容易,已成为高效太阳能电池研究的热点,丝网印刷在Topcon电池表面的银栅线通常所使用的有铅玻璃粉其含量约占玻璃粉总质量的30~55%,而与有铅玻璃粉相比,无铅玻璃粉是比较环保的,但由于无铅玻璃粉对硅片的刻蚀能力相对较弱且接触电阻较大,导致无铅玻璃粉金属化过程相对较弱,基于无铅玻璃粉的此缺点。
发明内容
本发明的目的是要解决现有Topcon电池表面的银栅线使用的无铅玻璃粉对硅片的刻蚀能力相对较弱且接触电阻较大,导致无铅玻璃粉金属化过程相对较弱的问题,而提供一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉及其制备方法。
一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉为无铅玻璃粉外表面包覆PbO。
一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的制备方法,是按以下步骤完成的:
一、制备混合溶液:
①、首先将含铅化合物加入到溶剂中,充分搅拌,然后超声,再在搅拌条件下加入分散剂,再超声分散,得到含铅溶液;
②、将无铅玻璃粉加入到含铅溶液中,再滴加氨水溶液,搅拌,再超声分散,得到混合溶液;
二、包覆:
将混合溶液加入到聚四氟乙烯内衬的反应釜中,再在180℃~230℃和转速为15r/min~25r/min的条件下置于均相反应器中反应,自然冷却至室温,得到反应产物;使用去离子水对反应产物离心洗涤,再干燥,得到Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉。
本发明的原理:
本发明提出一种改进无铅玻璃粉的方法,利用水热法对无铅玻璃粉的表面低含量包覆PbO,其含量占玻璃粉总质量的0.5~10%,兼顾绿色环保发展理念与Ag/Si界面形成良好金属化的平衡,改善无铅玻璃粉对硅片的刻蚀能力,促使在硅表面形成更多更密的银晶,降低Ag/Si界面的接触电阻,提高Topcon太阳能电池正面银栅线与硅片的金属化接触。
本发明的优点:
一、本发明利用简单易得的均相水热法,对Topcon太阳能电池导电浆料用无铅玻璃粉的表面低含量包覆PbO,改善了无铅玻璃粉对硅片的刻蚀能力,实现银浆与硅基底更好的金属化;
二、本发明利用均相水热法,对Topcon太阳能电池导电浆料用无铅玻璃粉进行低含量包覆PbO的表面修饰,兼顾绿色环保发展理念,降低铅含量的使用,改善无铅玻璃粉对硅片的刻蚀能力,降低银硅界面的接触电阻,促使形成更好的金属化接触,为实现绿色环保的玻璃粉开发提供新的发展思路。
本发明可获得一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉。
附图说明
图1为实施例一步骤一⑤中得到的粗玻璃粉的粒径图;
图2为实施例一步骤一⑥中球磨后得到的无铅玻璃粉的粒径图;
图3为实施例一步骤一⑥中得到的无铅玻璃粉的元素分析图;
图4为实施例一步骤二③得到的Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的元素分析图;
图5为实施例一步骤一⑥中得到的无铅玻璃粉的元素映射图;
图6为实施例一步骤二③得到的Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的元素映射图;
图7为实施例一步骤一⑥中得到的无铅玻璃粉的高温显微镜图;
图8为实施例一步骤二③得到的Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的高温显微镜图;
图9为实施例一步骤一⑥中得到的无铅玻璃粉刻蚀硅片截面SEM图;
图10为实施例一步骤二③得到的Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉刻蚀硅片截面SEM图;
图11为经过王水和氢氟酸清洗后的无铅玻璃粉栅线表面SEM图;
图12为经过王水和氢氟酸清洗后的Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉栅线表面SEM图;
图13为无铅玻璃粉栅线截面SEM图;
图14为Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉栅线截面SEM图;
图15为X-射线衍射图,图中1为无铅玻璃粉,2为Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉。
具体实施方式
以下实施例进一步说明本发明的内容,但不应理解为对本发明的限制。在不背离本发明实质的情况下,对本发明方法、步骤或条件所作的修改和替换,均属于本发明的范围。
具体实施方式一:本实施方式一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉为无铅玻璃粉外表面包覆PbO。
具体实施方式二:本实施方式与具体实施方式一不同点是:所述的无铅玻璃粉按重量份数由3份~10份H3BO3、40份~60份Bi2O3、5份~10份SiO2、10份~20份TeO2、0.5份~5份ZnO、1份~6份Al2O3、0.5份~8份MgO、1份~2.8份Li2CO3、1份~2份CaCO3、0.5份~1份Ga2O3、1份~3份MoO3、0.5份~2份Na2CO3和0.5份~2份Cr2O3制备而成。其它步骤与具体实施方式一相同。
具体实施方式三:本实施方式与具体实施方式一或二之一不同点是:所述的无铅玻璃粉是按以下步骤制备的:
①、称取:
按重量份数称取3份~10份H3BO3、40份~60份Bi2O3、5份~10份SiO2、10份~20份TeO2、0.5份~5份ZnO、1份~6份Al2O3、0.5份~8份MgO、1份~2.8份Li2CO3、1份~2份CaCO3、0.5份~1份Ga2O3、1份~3份MoO3、0.5份~2份Na2CO3和0.5份~2份Cr2O3;
②、研磨:
将0.5份~2份Cr2O3置于陶瓷坩埚底部;再将3份~10份H3BO3、40份~60份Bi2O3、5份~10份SiO2、10份~20份TeO2、0.5份~5份ZnO、1份~6份Al2O3、0.5份~8份MgO、1份~2.8份Li2CO3、1份~2份CaCO3、0.5份~1份Ga2O3、1份~3份MoO3和0.5份~2份Na2CO3放入玛瑙研钵中充分研磨,研磨后置于含有Cr2O3的陶瓷坩埚中;
步骤②中所述的研磨时间为15min~45min;
③、将坩埚放入温度为800℃~1300℃的高温电炉中,再在800℃~1300℃下熔融,每隔一段时间摇晃一次,得到混合均匀的玻璃熔融液;
步骤③中在800℃~1300℃下熔融30min~55min,每隔10min~15min摇晃一次;
④、将混合均匀的玻璃熔融液匀速倒入纯水中淬冷或倒置铜板上淬冷,得到玻璃碎片;
⑤、将玻璃碎片用密封式制样粉碎机进行粗破粉碎,得到粗玻璃粉;
步骤⑤中所述的粗玻璃粉的粒径为D50:5~10μm,D90:25~45μm;
⑥、将粗玻璃粉置于氧化锆球磨罐中,再加入去离子水进行球磨,再以去离子水为溶剂,离心清洗,最后放入烘箱中干燥,得到无铅玻璃粉;
步骤⑥中所述的球磨的时间为1h~5h;
步骤⑥中以去离子水为溶剂,离心清洗5~8次,最后放入温度为50℃~80℃的烘箱中干燥8h~15h,得到无铅玻璃粉;
步骤⑥中所述的无铅玻璃粉的粒径约为D50:0.5~3μm;D90:3.0~6.5μm。其它步骤与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四:本实施方式是一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的制备方法,是按以下步骤完成的:
一、制备混合溶液:
①、首先将含铅化合物加入到溶剂中,充分搅拌,然后超声,再在搅拌条件下加入分散剂,再超声分散,得到含铅溶液;
②、将无铅玻璃粉加入到含铅溶液中,再滴加氨水溶液,搅拌,再超声分散,得到混合溶液;
二、包覆:
将混合溶液加入到聚四氟乙烯内衬的反应釜中,再在180℃~230℃和转速为15r/min~25r/min的条件下置于均相反应器中反应,自然冷却至室温,得到反应产物;使用去离子水对反应产物离心洗涤,再干燥,得到Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉。
具体实施方式五:本实施方式与具体实施方式一至四之一不同点是:步骤一①中所述的含铅化合物为硝酸铅、氢氧化铅、三氧化二铅、硫化铅和氯化铅的混合物,其中硝酸铅、氢氧化铅、三氧化二铅、硫化铅和氯化铅的摩尔比为1:1:2:2:1;步骤一①中所述的溶剂为去离子水、无水乙醇、乙二醇和丙三醇的混合液,其中,去离子水、无水乙醇、乙二醇和丙三醇的体积比为1:2:1:1。其它步骤与具体实施方式一至四相同。
具体实施方式六:本实施方式与具体实施方式一至五之一不同点是:步骤一①中所述的含铅化合物的质量与溶剂的体积比为(0.1g~1g):(15mL~35mL);步骤一①中首先将硝酸铅、氢氧化铅、三氧化二铅、硫化铅和氯化铅加入到溶剂中,搅拌30min~40min,然后超声分散10min~20min,再在搅拌条件下加入聚乙烯吡咯烷酮,再超声分散15min~30min,得到含铅溶液,聚乙烯吡咯烷酮的质量与含铅溶液中铅离子的物质的量比为(15g~25g):1mol。其它步骤与具体实施方式一至五相同。
具体实施方式七:本实施方式与具体实施方式一至六之一不同点是:步骤一②中所述的无铅玻璃粉与含铅溶液中含铅化合物的质量比为(10~50):1;步骤一②中所述的氨水溶液与含铅溶液的体积比为(0.09~0.5):(15~35)。其它步骤与具体实施方式一至六相同。
具体实施方式八:本实施方式与具体实施方式一至七之一不同点是:步骤一②中所述的氨水溶液的浓度为13.38mol/L;步骤一②中所述的搅拌的时间为15min~30min,超声分散的时间为10min~30min。其它步骤与具体实施方式一至七相同。
具体实施方式九:本实施方式与具体实施方式一至八之一不同点是:步骤二中所述的反应时间为6h~10h。其它步骤与具体实施方式一至八相同。
具体实施方式十:本实施方式与具体实施方式一至九之一不同点是:步骤二中使用去离子水对反应产物离心洗涤4次~6次,再在温度为60℃~75℃下干燥10h~12h,得到Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉。其它步骤与具体实施方式一至九相同。
下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
实施例一:一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的制备方法是按以下步骤完成的:
一、制备无铅玻璃粉:
①、称取:
按重量份数称取8份H3BO3、50份Bi2O3、10份SiO2、18份TeO2、0.5份ZnO、1.2份Al2O3、0.5份MgO、1.8份Li2CO3、2份CaCO3、1份Ga2O3、3份MoO3、2份Na2CO3和2份Cr2O3;
②、研磨:
将2份Cr2O3置于陶瓷坩埚底部;再将8份H3BO3、50份Bi2O3、10份SiO2、18份TeO2、0.5份ZnO、1.2份Al2O3、0.5份MgO、1.8份Li2CO3、2份CaCO3、1份Ga2O3、3份MoO3和2份Na2CO3放入玛瑙研钵中充分研磨,研磨后置于含有Cr2O3的陶瓷坩埚中;
步骤一②中所述的研磨时间为35min;
③、将坩埚放入温度为900℃的高温电炉中,再在1250℃下熔融,每隔一段时间摇晃一次,得到混合均匀的玻璃熔融液;
步骤一③中在1250℃下熔融45min,每隔15min摇晃一次;
④、将混合均匀的玻璃熔融液匀速倒入纯水中淬冷或倒置铜板上淬冷,得到玻璃碎片;
⑤、将玻璃碎片用密封式制样粉碎机进行粗破粉碎,得到粗玻璃粉;
步骤一⑤中所述的粗玻璃粉的粒径为D50:8.86μm,D90:39.94μm;
⑥、将粗玻璃粉置于氧化锆球磨罐中,再加入去离子水进行球磨,再以去离子水为溶剂,离心清洗,最后放入烘箱中干燥,得到无铅玻璃粉;
步骤一⑥中所述的球磨的时间为2.5h;步骤一⑥中以去离子水为溶剂,离心清洗6次,最后放入温度为70℃的烘箱中干燥12h,得到无铅玻璃粉;
步骤一⑥中所述的无铅玻璃粉的粒径约为D50:1.06μm;D90:3.13μm;
二、包覆:
①、首先将含铅化合物加入到溶剂中,充分搅拌,然后超声,再在搅拌条件下加入分散剂,再超声分散,得到含铅溶液;
步骤二①中所述的含铅化合物为硝酸铅、氢氧化铅、三氧化二铅、硫化铅和氯化铅的混合物,其中硝酸铅、氢氧化铅、三氧化二铅、硫化铅和氯化铅的摩尔比为1:1:2:2:1;
步骤二①中所述的溶剂为去离子水、无水乙醇、乙二醇和丙三醇的混合液,其中,去离子水、无水乙醇、乙二醇和丙三醇的体积比为1:2:1:1;
步骤二①中所述的含铅化合物的质量与溶剂的体积比为0.8g:30mL;
步骤二①中首先将硝酸铅、氢氧化铅、三氧化二铅、硫化铅和氯化铅加入到溶剂中,搅拌30min,然后超声分散15min,再在搅拌条件下加入聚乙烯吡咯烷酮,再超声分散25min,得到含铅溶液,聚乙烯吡咯烷酮的质量与含铅溶液中铅离子的物质的量比为15g:1mol;
②、将无铅玻璃粉加入到含铅溶液中,再滴加氨水溶液,搅拌,再超声分散,得到混合溶液;
步骤二②中所述的无铅玻璃粉与含铅溶液中含铅化合物的质量比为12.5:1;
步骤二②中所述的氨水溶液与含铅溶液的体积比为0.36:30;
步骤二②中所述的氨水溶液的浓度为13.38mol/L;
步骤二②中所述的搅拌的时间为25min,超声分散的时间为30min;
③、将混合溶液加入到聚四氟乙烯内衬的反应釜中,再在220℃和转速为20r/min的条件下置于均相反应器中反应,自然冷却至室温,得到反应产物;使用去离子水对反应产物离心洗涤,再干燥,得到Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉;
步骤二③中反应时间为8h;
步骤二③中使用去离子水对反应产物离心洗涤6次,再在温度为70℃下干燥12h,得到Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉。
图1为实施例一步骤一⑤中得到的粗玻璃粉的粒径图;
从图1可知,步骤一⑤中所述的粗玻璃粉的粒径为D50:8.86μm,D90:39.94μm;
图2为实施例一步骤一⑥中球磨后得到的无铅玻璃粉的粒径图;
从图2可知,步骤一⑥球磨后得到的无铅玻璃粉的粒径约为D50:1.06μm;D90:3.13μm;
图3为实施例一步骤一⑥中得到的无铅玻璃粉的元素分析图;
图4为实施例一步骤二③得到的Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的元素分析图;
图3和图4通过两种玻璃粉元素分析可得,氧化铅成功包覆在无铅玻璃粉表面,而且是低含量包覆,仅占玻璃粉总质量的8.35%。
图5为实施例一步骤一⑥中得到的无铅玻璃粉的元素映射图;
图6为实施例一步骤二③得到的Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的元素映射图;
图5和图6通过直观的元素映射图可以看到,氧化铅成功包覆在玻璃粉表面,而且分散均匀,包覆性很好。
图7为实施例一步骤一⑥中得到的无铅玻璃粉的高温显微镜图;
图8为实施例一步骤二③得到的Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的高温显微镜图;
通过图7和图8可知,相比无铅玻璃粉,低含量氧化铅包覆玻璃粉的各项温度系数,烧结温度、软化点、球形点温度、半球形点温度和熔化温度都有所下降,更好的适用于TOPcon低温银浆。
图9为实施例一步骤一⑥中得到的无铅玻璃粉刻蚀硅片截面SEM图;
图10为实施例一步骤二③得到的Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉刻蚀硅片截面SEM图;
从图9和图10可知,相比无铅玻璃粉,Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉对硅片的刻蚀深度加大,在无铅玻璃粉表面低含量包覆氧化铅改善了原本无铅玻璃粉对硅片刻蚀能力较弱的缺陷。
图11为经过王水和氢氟酸清洗后的无铅玻璃粉栅线表面SEM图;
图12为经过王水和氢氟酸清洗后的Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉栅线表面SEM图;
图12相比于图11,图12中沉积在硅片表面的银晶更多且更致密,低含量氧化铅对无铅玻璃粉的包覆既增加了导电通路,形成了良好的金属化,又降低了铅含量的使用。
图13为无铅玻璃粉栅线截面SEM图;
图14为Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉栅线截面SEM图;
相比于无铅玻璃粉栅线截面,可以看出低含量氧化铅包覆玻璃粉栅线的截面有更多更大的银晶与硅片接触,降低接触电阻,增加导电通路,另外,低含量氧化铅包覆玻璃粉在烧结过程成形成了连续致密的玻璃层,使银层与硅片连接的更加紧密,形成了良好的金属化接触。
图15为X-射线衍射图,图中1为无铅玻璃粉,2为Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉。
从图15中X-射线衍射图中可以看出,这是典型的非晶“馒头峰”,低含量氧化铅包覆前和包覆后,材料都是非晶的玻璃态。
实施例二:分别利用实施例一步骤一⑥中得到的无铅玻璃粉和实施例一步骤二③得到的Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉制备太阳能电池浆料,具体制备方法为:
按照玻璃粉含量4wt%;银粉含量83wt%;有机载体含量13wt%进行配比混合,上述二款太阳能电池浆料中银粉和有机载体的组成是相同的,只有玻璃粉不同,并通过三辊轧浆机进行轧制3次即可;所述的有机载体由质量分数为15%乙基纤维素,20%氢化蓖麻油,40%丁基卡必醇醋酸酯,15%醇酯12,10%邻苯二甲酸二甲酯所组成的混合物制备而成。
二种玻璃粉制备不同浆料所对应的太阳能电池各项性能参数见表1所示;
表1
从表1可知,对无铅玻璃粉的表面低含量包覆氧化铅,转换效率显著提高到18.9%,而且串联电阻明显降低至0.008Ω,低含量氧化铅的包覆,改善了无铅玻璃粉对硅片的刻蚀能力,使银浆与硅片更好的形成了金属化,既降低了铅的使用,坚持绿色环保发展,又充分发挥了铅在玻璃粉的作用。
Claims (10)
1.一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉,其特征在于一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉为无铅玻璃粉外表面包覆PbO。
2.根据权利要求1所述的一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉,其特征在于所述的无铅玻璃粉按重量份数由3份~10份H3BO3、40份~60份Bi2O3、5份~10份SiO2、10份~20份TeO2、0.5份~5份ZnO、1份~6份Al2O3、0.5份~8份MgO、1份~2.8份Li2CO3、1份~2份CaCO3、0.5份~1份Ga2O3、1份~3份MoO3、0.5份~2份Na2CO3和0.5份~2份Cr2O3制备而成。
3.根据权利要求1或2所述的一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的制备方法,其特征在于所述的无铅玻璃粉是按以下步骤制备的:
①、称取:
按重量份数称取3份~10份H3BO3、40份~60份Bi2O3、5份~10份SiO2、10份~20份TeO2、0.5份~5份ZnO、1份~6份Al2O3、0.5份~8份MgO、1份~2.8份Li2CO3、1份~2份CaCO3、0.5份~1份Ga2O3、1份~3份MoO3、0.5份~2份Na2CO3和0.5份~2份Cr2O3;
②、研磨:
将0.5份~2份Cr2O3置于陶瓷坩埚底部;再将3份~10份H3BO3、40份~60份Bi2O3、5份~10份SiO2、10份~20份TeO2、0.5份~5份ZnO、1份~6份Al2O3、0.5份~8份MgO、1份~2.8份Li2CO3、1份~2份CaCO3、0.5份~1份Ga2O3、1份~3份MoO3和0.5份~2份Na2CO3放入玛瑙研钵中充分研磨,研磨后置于含有Cr2O3的陶瓷坩埚中;
步骤②中所述的研磨时间为15min~45min;
③、将坩埚放入温度为800℃~1300℃的高温电炉中,再在800℃~1300℃下熔融,每隔一段时间摇晃一次,得到混合均匀的玻璃熔融液;
步骤③中在800℃~1300℃下熔融30min~55min,每隔10min~15min摇晃一次;
④、将混合均匀的玻璃熔融液匀速倒入纯水中淬冷或倒置铜板上淬冷,得到玻璃碎片;
⑤、将玻璃碎片用密封式制样粉碎机进行粗破粉碎,得到粗玻璃粉;
步骤⑤中所述的粗玻璃粉的粒径为D50:5~10μm,D90:25~45μm;
⑥、将粗玻璃粉置于氧化锆球磨罐中,再加入去离子水进行球磨,再以去离子水为溶剂,离心清洗,最后放入烘箱中干燥,得到无铅玻璃粉;
步骤⑥中所述的球磨的时间为1h~5h;
步骤⑥中以去离子水为溶剂,离心清洗5~8次,最后放入温度为50℃~80℃的烘箱中干燥8h~15h,得到无铅玻璃粉;
步骤⑥中所述的无铅玻璃粉的粒径约为D50:0.5~3μm;D90:3.0~6.5μm。
4.如权利要求1所述的一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的制备方法,其特征在于一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的制备方法是按以下步骤完成的:
一、制备混合溶液:
①、首先将含铅化合物加入到溶剂中,充分搅拌,然后超声,再在搅拌条件下加入分散剂,再超声分散,得到含铅溶液;
②、将无铅玻璃粉加入到含铅溶液中,再滴加氨水溶液,搅拌,再超声分散,得到混合溶液;
二、包覆:
将混合溶液加入到聚四氟乙烯内衬的反应釜中,再在180℃~230℃和转速为15r/min~25r/min的条件下置于均相反应器中反应,自然冷却至室温,得到反应产物;使用去离子水对反应产物离心洗涤,再干燥,得到Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉。
5.根据权利要求4所述的一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的制备方法,其特征在于步骤一①中所述的含铅化合物为硝酸铅、氢氧化铅、三氧化二铅、硫化铅和氯化铅的混合物,其中硝酸铅、氢氧化铅、三氧化二铅、硫化铅和氯化铅的摩尔比为1:1:2:2:1;步骤一①中所述的溶剂为去离子水、无水乙醇、乙二醇和丙三醇的混合液,其中,去离子水、无水乙醇、乙二醇和丙三醇的体积比为1:2:1:1。
6.根据权利要求4所述的一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的制备方法,其特征在于步骤一①中所述的含铅化合物的质量与溶剂的体积比为(0.1g~1g):(15mL~35mL);步骤一①中首先将硝酸铅、氢氧化铅、三氧化二铅、硫化铅和氯化铅加入到溶剂中,搅拌30min~40min,然后超声分散10min~20min,再在搅拌条件下加入聚乙烯吡咯烷酮,再超声分散15min~30min,得到含铅溶液,聚乙烯吡咯烷酮的质量与含铅溶液中铅离子的物质的量比为(15g~25g):1mol。
7.根据权利要求4所述的一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的制备方法,其特征在于步骤一②中所述的无铅玻璃粉与含铅溶液中含铅化合物的质量比为(10~50):1;步骤一②中所述的氨水溶液与含铅溶液的体积比为(0.09~0.5):(15~35)。
8.根据权利要求4所述的一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的制备方法,其特征在于步骤一②中所述的氨水溶液的浓度为13.38mol/L;步骤一②中所述的搅拌的时间为15min~30min,超声分散的时间为10min~30min。
9.根据权利要求4所述的一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的制备方法,其特征在于步骤二中所述的反应时间为6h~10h。
10.根据权利要求4所述的一种Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉的制备方法,其特征在于步骤二中使用去离子水对反应产物离心洗涤4次~6次,再在温度为60℃~75℃下干燥10h~12h,得到Topcon太阳能电池用低含量PbO修饰玻璃粉。
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GR01 | Patent grant | ||
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