CN113872527B - 一种泛音温补晶体振荡器及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种泛音温补晶体振荡器及电子设备，泛音温补晶体振荡器包括低噪声振荡电路、泛音晶体滤波电路、温度补偿电路和输出缓冲电路，低噪声振荡电路的信号输出端与泛音晶体滤波电路的信号输入端电连接，泛音晶体滤波电路的信号输出端与温度补偿电路的信号输入端电连接，温度补偿电路的信号输出端与输出缓冲电路的信号输入端电连接，输出缓冲电路的信号输出端与负载电连接；通过低噪声振荡电路产生振荡信号，通过泛音晶体滤波电路对低噪声振荡电路输出的振荡信号进行滤波，并通过温度补偿电路对振荡信号进行补偿，使得晶体振荡器获得较低相位噪声的同时，实现在全温范围内获得很高的频率精度。

Description

一种泛音温补晶体振荡器及电子设备
技术领域
本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种泛音温补晶体振荡器及电子设备。
背景技术
晶体振荡器的应用领域分为民、企、工、航天等级别，极限工作温度为-55℃和125℃。对于导航、雷达、无线电通信、卫星通信等整机设备来讲，对晶体振荡器的准确度与精度要求极高，要求在整个温度范围内都有很好的频率温度稳定性。
对于高频的晶体振荡器，一般采用泛音晶体搭建振荡电路。相比基频晶体，泛音晶体的晶片具有加工难度小、晶片厚度大、可靠性高、品质因素值高等优势，但是调频灵敏度低，约为基频的1/9，不利于全温范围高精度的实现，因此对电路的补偿灵敏度提出了更高的要求。如何使用泛音晶体实现低相噪的同时，获得较好的频率-温度稳定度，成为一个急需解决的问题。
发明内容
本发明提供一种泛音温补晶体振荡器，在实现低相噪的同时，在全温范围内获得很高的频率精度。
本发明提供一种泛音温补晶体振荡器，包括：低噪声振荡电路、泛音晶体滤波电路、温度补偿电路和输出缓冲电路，所述低噪声振荡电路的信号输出端与所述泛音晶体滤波电路的信号输入端电连接，所述泛音晶体滤波电路的信号输出端与所述温度补偿电路的信号输入端电连接，所述温度补偿电路的信号输出端与所述输出缓冲电路的信号输入端电连接，所述输出缓冲电路的信号输出端与负载电连接；所述低噪声振荡电路用于产生振荡信号；所述泛音晶体滤波电路用于对所述低噪声振荡电路输出的所述振荡信号进行滤波；所述温度补偿电路用于对所述振荡信号进行补偿；所述输出缓冲电路用于对补偿后的所述振荡信号进行放大和/或滤波，并使所述振荡信号与输入负载的阻抗匹配。
根据本发明提供的一种泛音温补晶体振荡器，所述低噪声振荡电路包括第一三极管、高通滤波电路和振荡支路，所述高通滤波电路包括第一电容和第一电阻，所述振荡支路的第一端与所述第一电容的第一端电连接，所述第一电容的第二端与所述第一三极管的基极共同连接所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端接地；所述第一三极管的发射极与所述泛音晶体滤波电路的信号输入端电连接，所述第一三极管的集电极与所述振荡支路的第二端电连接。
根据本发明提供的一种泛音温补晶体振荡器，所述振荡支路包括第二电容、第三电容和第一电感，所述第二电容的一端与所述第一电感的第一端共同连接所述第一电容的第一端，所述第二电容的第二端和所述第三电容的第一端共同接地，所述第三电容的第二端与所述第一电感的第二端共同连接所述第一三极管的集电极。
根据本发明提供的一种泛音温补晶体振荡器，所述温度补偿电路包括：第一二极管、第四电感、第八电容、第五电阻和补偿电压产生电路，所述第一二极管的负极、所述第四电感的第一端以及所述补偿电压产生电路的第一端共同连接所述泛音晶体滤波电路的信号输出端，所述第四电感的第二端与所述第八电容的第一端电连接，所述第八电容的第二端、所述第一二极管的正极以及所述第五电阻的第一端共同连接所述输出缓冲电路的信号输入端，所述第五电阻的第二端接地。
根据本发明提供的一种泛音温补晶体振荡器，所述输出缓冲电路包括第二电阻、第三电阻、第四电阻、第二电感、第二三极管、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容和第三电感，所述第二电阻的第一端与所述第二电感的第一端共同连接所述第四电容的第一端，所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第一端共同连接所述第二三极管的基极，所述第三电阻的第二端接地，所述第二三极管的集电极分别与所述第二电感的第二端、所述第四电容的第二端以及所述第五电容的第一端电连接，所述第二三极管的发射极与所述第四电阻的第一端共同连接所述温度补偿电路的信号输出端，所述第四电阻的第二端接地，所述第五电容的第二端与所述第六电容的第一端共同连接所述第三电感的第一端，所述第三电感的第二端与所述第七电容的第一端共同连接负载，所述第七电容的第二端与所述第六电容的第二端共同接地。
根据本发明提供的一种泛音温补晶体振荡器，还包括低噪声稳压电路，所述低噪声稳压电路的电源输入端与电源电连接，所述低噪声稳压电路的电源输出端分别与所述低噪声振荡电路的电源输入端、所述温度补偿电路的电源输入端以及所述输出缓冲电路的电源输入端电连接。
根据本发明提供的一种泛音温补晶体振荡器，所述振荡信号为正弦波信号。
根据本发明提供的一种泛音温补晶体振荡器，所述振荡信号的频率为50MHz-100MHz。
本发明还提供一种电子设备，所述电子设备包括上述任意一项所述的泛音温补晶体振荡器。
本发明提供的泛音温补晶体振荡器，通过低噪声振荡电路产生振荡信号，通过泛音晶体滤波电路对低噪声振荡电路输出的振荡信号进行滤波，并通过温度补偿电路对振荡信号进行补偿，使得晶体振荡器获得较低相位噪声的同时，实现在全温范围内获得很高的频率精度。本发明的泛音温补晶体振荡器具有可靠性高和实用性强的优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的泛音温补晶体振荡器的结构示意图；
图2是本发明提供的泛音温补晶体振荡器的电路图；
图3是本发明提供的温度补偿电路的电路图；
图4是本发明提供的输出缓冲电路的电路图；
图5是本发明提供的100MHz泛音温补晶体振荡器的频率与温度的稳定性关系示意图；
图6是本发明提供的100MHz泛音温补晶体振荡器的相位噪声。
附图标记：
1、振荡支路；2、泛音晶体滤波电路；3、温度补偿电路；4、输出缓冲电路；5、高通滤波电路；6、低噪声振荡电路；7、低噪声稳压电路；8、补偿电压产生电路；V1、第一三极管；R1、第一电阻；C1、第一电容；C2、第二电容；C3、第三电容；L1、第一电感；D1、第一二极管；L4、第四电感；C8、第八电容；R5、第五电阻；R2、第二电阻；R3、第三电阻；R4、第四电阻；L2、第二电感；V2、第二三极管；C4、第四电容；C5、第五电容；C6、第六电容；C7、第七电容；L3、第三电感。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不能用来限制本发明的范围。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明实施例的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。
在本发明实施例中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
下面结合图1至图6描述本发明的泛音温补晶体振荡器及电子设备。
如图1所示，泛音温补晶体振荡器包括低噪声振荡电路6、泛音晶体滤波电路2、温度补偿电路3和输出缓冲电路4，低噪声振荡电路6为低低噪声振荡电路，低噪声振荡电路6的信号输出端与泛音晶体滤波电路2的信号输入端电连接，泛音晶体滤波电路2的信号输出端与温度补偿电路3的信号输入端电连接，温度补偿电路3的信号输出端与输出缓冲电路4的信号输入端电连接，输出缓冲电路4的信号输出端与负载电连接。低噪声振荡电路6用于产生振荡信号；泛音晶体滤波电路2用于对低噪声振荡电路6输出的振荡信号进行滤波；温度补偿电路3用于对振荡信号进行补偿；输出缓冲电路4用于对补偿后的振荡信号进行放大和/或滤波，并使振荡信号与输入负载的阻抗匹配。
本发明提供的泛音温补晶体振荡器，通过低噪声振荡电路6产生振荡信号，通过泛音晶体滤波电路2对低噪声振荡电路6输出的振荡信号进行滤波，并通过温度补偿电路3对振荡信号进行补偿，使得晶体振荡器获得较低相位噪声的同时，实现在全温范围内获得很高的频率精度。本发明的泛音温补晶体振荡器具有可靠性高和实用性强的优点，可作为本振信号广泛地应用于雷达通信系统和微波系统。
根据本发明的实施例，振荡信号为正弦波信号，振荡信号的频率为50MHz-100MHz，本实施例中振荡信号的频率为100MHz。
根据本发明的实施例，如图2所示，低噪声振荡电路6包括第一三极管V1、高通滤波电路5和振荡支路1，高通滤波电路5包括第一电容C1和第一电阻R1，振荡支路1的第一端与第一电容C1的第一端电连接，第一电容C1的第二端与第一三极管V1的基极共同连接第一电阻R1的第一端，第一电阻R1的第二端接地。第一三极管V1的发射极与泛音晶体滤波电路2的信号输入端电连接，第一三极管V1的集电极与振荡支路1的第二端电连接。
这里需要说明的是，第一三极管V1作为放大三极管使用，第一三极管V1、高通滤波电路5和振荡支路1构成了一种带有高通滤波电路5的三点式振荡电路。振荡支路1和第一三极管V1一起构成振荡电路，振荡电路产生自激振荡信号(后续称为振荡信号)。工作时，从低噪声振荡电路6通过第一三极管V1的发射级输出振荡信号，并输入到下一级的泛音晶体滤波电路2，其相位噪声远远优于传统的振荡电路，因此可以得到更好的相位噪声。
根据本发明的实施例，如图2所示，振荡支路1包括第二电容C2、第三电容C3和第一电感L1，第二电容C2的一端与第一电感L1的第一端共同连接第一电容C1的第一端，第二电容C2的第二端和第三电容C3的第一端共同接地，第三电容C3的第二端与第一电感L1的第二端共同连接第一三极管V1的集电极。低噪声振荡电路6的输出信号依次通过泛音晶体滤波电路2、温度补偿电路3、输出缓冲电路4进入地线，与三点式振荡电路的第二电容C2和第三电容C3共同接地构成并联振荡。
谐振时，第一电容C1和第一电感L1支路呈感性，第一电容C1、第一电感L1支路电流I滞后UL的相位π/2。UF取自第一电容C1，因此UF又滞后电流I的相位π/2，所以UL和UF的相位相差π。而UF与UL的相位相差π，因此符合振荡电路的相位条件，能够稳定振荡产生100MHz附近的信号。但由于电感步进较大，无法谐振在标准的100MHz。并且，电感的品质因素很低，且温度系数较大，导致振荡信号的频率稳定性和相位噪声较差。
为了解决上述问题，低噪声振荡电路设置有高通滤波电路，反馈信号UF没有直接反馈到第一三极管的基级，而是通过一个高通滤波电路5，以便100MHz信号能够通过，而大大衰减其他的频率成分。第一电容C1会对反馈信号的相位造成滞后，第一电容C1的电容值太小的话甚至会破坏三点式振荡电路的相位条件。因此要合理选择第一电容C1和第一电阻R1，以便产生更好的振荡性能和更好的相位噪声。
根据本发明的实施例，第一三极管V1的发射极没有直接接到两个振荡电容(即第二电容C2和第三电容C3)的公共点，而是通过泛音晶体滤波电路2、温度补偿电路3和低阻的输出缓冲电路4之后与两个振荡电容相连，从而构成了并联振荡。电容三点式振荡电路产生100MHz信号，泛音晶体对100MHz信号进行滤波可以有效地防止泛音晶体振荡器工作在不期望的泛音频率上。既能充分利用泛音晶体的高Q值特性，又能保证泛音晶体不会振荡到其他振荡模式。
泛音晶体滤波电路2的选取尤其重要，直接关系到振荡电路是否能够起振，以及频率的稳定度和相噪指标的好坏。晶体除了基频振荡模式，通常还有多个泛音模式，例如三次或五次泛音模式。相比基频振荡模式，随着泛音次数的增加，泛音晶体的Q值提高，电阻也随之增大。由于晶体串联在振荡回路，过大的电阻会导致振荡电路不起振。因此本发明的泛音温补晶体振荡器优选三次泛音模式，在保证有较高Q值的同时电阻不会太大。
泛音晶体比基频晶体的调频灵敏度低，约为基频的1/9，不利于低频率-温度稳定性的实现，因此对电路的补偿灵敏度提出了更高的要求。本发明设置了扩大调频灵敏度的温度补偿电路3，做为泛音晶体的负载电容。如图2所示，温度补偿电路3的等效阻抗为z，等效阻抗z的计算公式详见下列公式(1)，
Figure BDA0003280710540000091
泛音晶体的等效负载电容为CL，等效负载电容CL的计算公式详见下列公式(2)，
Figure BDA0003280710540000092
可见，由于电感的引入，泛音晶体的等效负载电容CL降低，而调频灵敏度与负载电容直接相关，详见下列公式(3)，
Figure BDA0003280710540000093
通过上述公式可以看到，电感的引入大大地提升了泛音晶体振荡器的调频灵敏度。
根据本发明的实施例，如图5和图6所示，工作频率为100MHz时，实现在-55℃-85℃温度范围内，频率温度稳定度在±1ppm以内，相位噪声-143dBc@1KHz。
根据本发明的实施例，如图3所示，温度补偿电路3包括第一二极管D1、第四电感L4、第八电容C8、第五电阻R5和补偿电压产生电路8，第一二极管D1的负极、第四电感L4的第一端以及补偿电压产生电路8的第一端共同连接泛音晶体滤波电路2的信号输出端，第四电感L4的第二端与第八电容C8的第一端电连接。第八电容C8的第二端、第一二极管D1的正极以及第五电阻R5的第一端共同连接输出缓冲电路4的信号输入端。第五电阻R5的第二端接地。第一二极管D1的负极、第四电感L4的第一端以及补偿电压产生电路8的第一端共同连接构成了温度补偿电路3的信号输入端，第八电容C8的第二端、第一二极管D1的正极以及第五电阻R5的第一端共同连接构成了温度补偿电路3的信号输出端。
根据本发明的实施例，如图4所示，输出缓冲电路4包括第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第二电感L2、第二三极管V2、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7和第三电感L3，第二电阻R2的第一端与第二电感L2的第一端共同连接第四电容C4的第一端，第二电阻R2的第二端与第三电阻R3的第一端共同连接第二三极管V2的基极，第三电阻R3的第二端接地。第二三极管V2的集电极分别与第二电感L2的第二端、第四电容C4的第二端以及第五电容C5的第一端电连接，第二三极管V2的发射极与第四电阻R4的第一端共同连接温度补偿电路3的信号输出端。第四电阻R4的第二端接地，第五电容C5的第二端与第六电容C6的第一端共同连接第三电感L3的第一端，第三电感L3的第二端与第七电容C7的第一端共同连接负载，第七电容C7的第二端与第六电容C6的第二端共同接地。
振荡信号输入到输出缓冲电路4之后，输出缓冲电路4将补偿后的振荡信号进行放大、滤波，并使振荡信号与输入负载的阻抗匹配。输出缓冲电路4除了对振荡信号进行输出外，还同时出现在振荡信号的信号通路。若输出缓冲电路4的输入电阻过大，会导致振荡电路不起振。相比第二三极管V2作为共射和共集的放大三极管，第二三极管V2作为共基的放大三极管时，输入电阻要小很多，输入阻抗Zin为1/gm，因此本发明将第二三极管V2的基级作为输出缓冲电路4的信号输入端。
根据本发明的实施例，如图1所示，泛音温补晶体振荡器还包括低噪声稳压电路7，低噪声稳压电路7的电源输入端与电源电连接，低噪声稳压电路7的电源输出端分别与低噪声振荡电路6的电源输入端、温度补偿电路3的电源输入端以及输出缓冲电路4的电源输入端电连接。
根据本发明的实施例，如图1至图4所示，泛音温补晶体振荡器包括低噪声振荡电路6、泛音晶体滤波电路2、温度补偿电路3、输出缓冲电路4和低噪声稳压电路7，低噪声稳压电路7的电源输入端与电源电连接，低噪声稳压电路7的电源输出端分别与低噪声振荡电路6的电源输入端、温度补偿电路3的电源输入端以及输出缓冲电路4的电源输入端电连接。
低噪声振荡电路6用于产生振荡信号，低噪声振荡电路6包括第一三极管V1、高通滤波电路5和振荡支路1，高通滤波电路5包括第一电容C1和第一电阻R1，振荡支路1的第一端与第一电容C1的第一端电连接，第一电容C1的第二端与第一三极管V1的基极共同连接第一电阻R1的第一端，第一电阻R1的第二端接地；第一三极管V1的发射极与泛音晶体滤波电路2的信号输入端电连接，第一三极管V1的集电极与振荡支路1的第二端电连接。
振荡支路1包括第二电容C2、第三电容C3和第一电感L1，第二电容C2的一端与第一电感L1的第一端共同连接第一电容C1的第一端，第二电容C2的第二端和第三电容C3的第一端共同接地，第三电容C3的第二端与第一电感L1的第二端共同连接第一三极管V1的集电极。
泛音晶体滤波电路2用于对低噪声振荡电路6输出的振荡信号进行滤波，温度补偿电路3用于对振荡信号进行补偿，温度补偿电路3包括第一二极管D1、第四电感L4、第八电容C8、第五电阻R5和补偿电压产生电路8，第一二极管D1的负极、第四电感L4的第一端以及补偿电压产生电路8的第一端共同连接泛音晶体滤波电路2的信号输出端，第四电感L4的第二端与第八电容C8的第一端电连接，第八电容C8的第二端与第五电阻R5的第一端共同连接第一二极管D1的正极，第五电阻R5的第二端接地。
输出缓冲电路4用于对补偿后的振荡信号进行放大和/或滤波，并与输入负载的阻抗匹配，输出缓冲电路4包括第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第二电感L2、第二三极管V2、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7和第三电感L3，第二电阻R2的第一端与第二电感L2的第一端共同连接第四电容C4的第一端，第二电阻R2的第二端与第三电阻R3的第一端共同连接第二三极管V2的基极，第三电阻R3的第二端接地，第二三极管V2的集电极分别与第二电感L2的第二端、第四电容C4的第二端以及第五电容C5的第一端电连接，第二三极管V2的发射极与第四电阻R4的第一端共同连接第一二极管D1的正极，第四电阻R4的第二端接地，第五电容C5的第二端与第六电容C6的第一端共同连接第三电感L3的第一端，第三电感L3的第二端与第七电容C7的第一端共同连接负载，第七电容C7的第二端与第六电容C6的第二端共同接地。
本发明还提供一种电子设备，电子设备包括上述任意一项实施例所述的泛音温补晶体振荡器。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (8)

1.一种泛音温补晶体振荡器，其特征在于，包括：低噪声振荡电路(6)、泛音晶体滤波电路(2)、温度补偿电路(3)和输出缓冲电路(4)，所述低噪声振荡电路(6)的信号输出端与所述泛音晶体滤波电路(2)的信号输入端电连接，所述泛音晶体滤波电路(2)的信号输出端与所述温度补偿电路(3)的信号输入端电连接，所述温度补偿电路(3)的信号输出端与所述输出缓冲电路(4)的信号输入端电连接，所述输出缓冲电路(4)的信号输出端与负载电连接；所述低噪声振荡电路(6)用于产生振荡信号；所述泛音晶体滤波电路(2)用于对所述低噪声振荡电路(6)输出的所述振荡信号进行滤波；所述温度补偿电路(3)用于对所述振荡信号进行补偿；所述输出缓冲电路(4)用于对补偿后的所述振荡信号进行放大和/或滤波，并使所述振荡信号与输入负载的阻抗匹配；
还包括低噪声稳压电路(7)，所述低噪声稳压电路(7)的电源输入端与电源电连接，所述低噪声稳压电路(7)的电源输出端分别与所述低噪声振荡电路(6)的电源输入端、所述温度补偿电路(3)的电源输入端以及所述输出缓冲电路(4)的电源输入端电连接。
2.根据权利要求1所述的泛音温补晶体振荡器，其特征在于，所述低噪声振荡电路(6)包括第一三极管(V1)、高通滤波电路(5)和振荡支路(1)，所述高通滤波电路(5)包括第一电容(C1)和第一电阻(R1)，所述振荡支路(1)的第一端与所述第一电容(C1)的第一端电连接，所述第一电容(C1)的第二端与所述第一三极管(V1)的基极共同连接所述第一电阻(R1)的第一端，所述第一电阻(R1)的第二端接地；所述第一三极管(V1)的发射极与所述泛音晶体滤波电路(2)的信号输入端电连接，所述第一三极管(V1)的集电极与所述振荡支路(1)的第二端电连接。
3.根据权利要求2所述的泛音温补晶体振荡器，其特征在于，所述振荡支路(1)包括第二电容(C2)、第三电容(C3)和第一电感(L1)，所述第二电容(C2)的一端与所述第一电感(L1)的第一端共同连接所述第一电容(C1)的第一端，所述第二电容(C2)的第二端和所述第三电容(C3)的第一端共同接地，所述第三电容(C3)的第二端与所述第一电感(L1)的第二端共同连接所述第一三极管(V1)的集电极。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的泛音温补晶体振荡器，其特征在于，所述温度补偿电路(3)包括：第一二极管(D1)、第四电感(L4)、第八电容(C8)、第五电阻(R5)和补偿电压产生电路(8)，所述第一二极管(D1)的负极、所述第四电感(L4)的第一端以及所述补偿电压产生电路(8)的第一端共同连接所述泛音晶体滤波电路(2)的信号输出端，所述第四电感(L4)的第二端与所述第八电容(C8)的第一端电连接，所述第八电容(C8)的第二端、所述第一二极管(D1)的正极以及所述第五电阻(R5)的第一端共同连接所述输出缓冲电路(4)的信号输入端，所述第五电阻(R5)的第二端接地。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的泛音温补晶体振荡器，其特征在于，所述输出缓冲电路(4)包括第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第二电感(L2)、第二三极管(V2)、第四电容(C4)、第五电容(C5)、第六电容(C6)、第七电容(C7)和第三电感(L3)，所述第二电阻(R2)的第一端与所述第二电感(L2)的第一端共同连接所述第四电容(C4)的第一端，所述第二电阻(R2)的第二端与所述第三电阻(R3)的第一端共同连接所述第二三极管(V2)的基极，所述第三电阻(R3)的第二端接地，所述第二三极管(V2)的集电极分别与所述第二电感(L2)的第二端、所述第四电容(C4)的第二端以及所述第五电容(C5)的第一端电连接，所述第二三极管(V2)的发射极与所述第四电阻(R4)的第一端共同连接所述温度补偿电路(3)的信号输出端，所述第四电阻(R4)的第二端接地，所述第五电容(C5)的第二端与所述第六电容(C6)的第一端共同连接所述第三电感(L3)的第一端，所述第三电感(L3)的第二端与所述第七电容(C7)的第一端共同连接负载，所述第七电容(C7)的第二端与所述第六电容(C6)的第二端共同接地。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述的泛音温补晶体振荡器，其特征在于，所述振荡信号为正弦波信号。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述的泛音温补晶体振荡器，其特征在于，所述振荡信号的频率为50MHz-100MHz。
8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括权利要求1至7中任意一项所述的泛音温补晶体振荡器。
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