CN113871552A - 一种电子注入层材料及有机电致发光器件 - Google Patents

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CN113871552A CN202111140824.5A CN202111140824A CN113871552A CN 113871552 A CN113871552 A CN 113871552A CN 202111140824 A CN202111140824 A CN 202111140824A CN 113871552 A CN113871552 A CN 113871552A
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李梦茹
苗玉鹤
孙月
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Abstract

本发明提供一种电子注入层材料及有机电致发光器件，属于有机电致发光技术领域。本发明通过将金属Yb掺杂到含锂化合物中，可以降低电子注入势垒，显著地提高了电子的注入能力，通过对金属Yb掺杂浓度的优化，进一步平衡器件内部电子和空穴的浓度，有效提高器件的发光性能。本发明还提供一种包含所述电子注入层材料的有机电致发光器件，空穴阻挡层和电子传输层中的至少一层通过采用特定的式I所示结构，可以进一步改善电子和空穴的平衡度，使得有机电致发光器件具有较高的发光效率以及较长的使用寿命。

Description

一种电子注入层材料及有机电致发光器件
技术领域
本发明属于有机电致发光技术领域，具体涉及一种电子注入层材料及有机电致发光器件。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是一种全固态的发光器件，具有高亮度、高对比度、高清晰度、宽视角、宽色域、超薄、超轻、低功耗、宽温度、自发光、发光效率高、反应时间短、透明、柔性等优点，已经在手机、电视、微型显示等领域得到商用，被业内人士称为“梦幻般的显示器”，将成为未来最具发展潜力的新型显示技术。
OLED采用的器件结构一般由阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极组成。通过向阳极和阴极之间施加电压，电子从阴极一侧注入，空穴从阳极一侧注入，二者在发光层结合成为激子，激子再从激发态恢复至基态，从而发光，实现将电能直接转化为有机半导体材料分子的光能。在OLED器件发光过程中，由于空穴的传输速度高于电子，造成了器件中载流子传输的不平衡，进而影响器件的发光性能。通过低功函数的金属材料可降低阴极界面的注入势垒，提高电子注入能力，可以改善器件中载流子传输的平衡。金属材料，功函数越低，在同等电压下，其电流密度越大，电子注入能力越高，但是其化学性质活泼，常温常压下不易保存，容易受到空气中的水汽、氧气等的影响，影响其电子注入能力，因此，研发新型电子注入材料、提高电子注入能力刻不容缓。
发明内容
为了解决现有技术中存在的技术问题，本发明提供一种电子注入层材料及有机电致发光器件。
本发明首先提供一种电子注入层材料，包括Yb和Li2CO3的混合物。
优选的，所述混合物中Yb的质量分数为0.5％-30％。
优选的，所述混合物中Yb的质量分数为0.8％-20％。
优选的，所述混合物中Yb的质量分数为1.0％-15％。
本发明还提供一种有机电致发光器件，含有所述的电子注入层材料。
优选的，所述有机电致发光器件中所述电子注入层材料的厚度为1-3.5nm。
优选的，所述有机电致发光器件中所述电子注入层材料的厚度为1.5-3nm。
优选的，所述有机电致发光器件还包括空穴阻挡层和电子传输层中的至少一层，所述空穴阻挡层和所述电子传输层中的至少一层具有如式I所示结构：
Figure BDA0003283832740000021
其中，在式I所示结构中，Ar1选自式II所示结构，Ar2、Ar3彼此相同或不同，独立的选自式III所示结构；
L1～L3彼此相同或不同，独立的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基中的任意一种；
“*”为L1与Ar1的连接位点，L2与Ar2的连接位点为式Ⅲ所示结构上的任意位置，L3与Ar3的连接位点为式III所示结构上的任意位置；
在式II所示结构中，R1、R2彼此相同或不同，独立的选自氢、C1～C12的烷基、取代或未取代的苯基中的任意一种，或R1、R2之间连接形成取代或未取代的环，所述“取代”指由下列任意一个基团单或多取代：氘、甲基、乙基、叔丁基、苯基、联苯基、萘基；
R3选自氢、氘、卤素、氰基、羟基、氨基、巯基、金刚烷基、降莰烷基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C2～C12的烯基、取代或未取代的C6～C30的芳基中的任意一种；
m1选自0～4之间的整数，当m1大于1时，两个或多个R3彼此相同或不同，或两个相邻的R3之间连接形成环；
在式III所示结构中，X1独立的选自O、S、N-Ar5中的任意一种；
R4选自氢、氘、卤素、氰基、羟基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C2～C12的烯基、取代或未取代的C6～C30的芳基中的任意一种；
m2选自0～4之间的整数，当m2大于1时，两个或多个R4彼此相同或不同，或相邻的两个R4之间连接形成环；
Ar4、Ar5独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的任意一种。
优选的，所述式II结构选自以下基团中的任意一种：
Figure BDA0003283832740000031
优选的，所述式III结构选自如下所示基团中的任意一种：
Figure BDA0003283832740000032
本发明的有益效果：
本发明提供一种电子注入层材料，将金属Yb掺杂到Li2CO3中，可以降低电子注入势垒，显著地提高了电子的注入能力，通过对金属Yb掺杂浓度的优化，进一步平衡器件内部电子和空穴的浓度，有效提高器件的发光性能。本发明还提供一种包含所述电子注入层材料的有机电致发光器件，空穴阻挡层和电子传输层中的至少一层通过采用特定的式I所示结构，式I所示结构具有双噁唑、双噻唑或双咪唑基团，使得化合物具有较深的HOMO值，可以有效阻挡空穴、传递电子，与电子注入层协同作用，可以进一步改善电子和空穴的平衡度，使得有机电致发光器件具有较高的发光效率以及较长的使用寿命。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所要求保护的范围内。
本发明首先提供一种电子注入层材料，包括Yb和Li2CO3的混合物。
本发明中，所述混合物中Yb的质量分数优选为0.5％-30％，再优选为0.8％-20％，最优选为1.0％-15％。
本发明中，所述电子注入层材料采用不同蒸发源共蒸的方式进行蒸镀而成。
本发明还提供一种有机电致发光器件，含有所述的电子注入层材料。
本发明中，所述有机电致发光器件中所述电子注入层材料的厚度优选为1-3.5nm，再优选为1.5-3nm，最优选为2-3nm。
本发明中，所述有机电致发光器件包括阴极、有机物层、阳极，所述有机物层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、覆盖层等，然而，本发明有机电致发光器件的结构并非受上述结构的限制，如果需要，可以省略或同时具有多层有机物层。
本发明对各功能层中使用的材料没有特殊限制，可以使用如现有技术中用于所述层的任何材料。本发明对各功能层的厚度没有特殊限制，采用本领域所常用的厚度即可。
本发明有机电致发光器件的制备采用真空蒸镀系统，在真空不间断条件下连续蒸发制备完成。所用材料分别在不同的蒸发源石英坩埚中，蒸发源的温度可以单独控制。
本发明有机电致发光器件的阳极，可使用功函数大的材料，可举例：金属，例如钒、铬、铜、锌、金或其合金；金属氧化物，例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)及氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)；金属与氧化物的组合，例如ZnO:Al或SnO2:Sb；导电聚合物，例如聚(3-甲基化合物)、聚[3,4-(乙烯-1,2-二氧)化合物](PEDOT)、聚吡咯及聚苯胺等，但并非仅限于此。
本发明有机电致发光器件的阴极，可使用功函数小的材料，可举例：金属，例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅或其合金；多层结构材料，例如LiF/Al或LiO2/Al等，但并非仅限于此。
本发明所述空穴注入层材料，优选具有良好接受空穴能力的材料，并且空穴注入材料的最高占据分子轨道(HOMO)优选为在阳极材料的功函数和邻近的有机材料层的HOMO之间的数值。在本发明中可使用的空穴注入材料的具体实例可包括：酞菁化合物(比如酞菁酮)；N,N'-二[4-[二(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N,N'-二苯基-联苯-4,4'-二胺(DNTPD)、4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA)、4,4',4”-三(N,N-二苯基氨基)三苯基胺(TDATA)、4,4',4”-三{N-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯基胺(2-TNATA)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)、含三苯基胺的聚醚酮(TPAPEK)、4-异丙基-4'-甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐、六腈六氮杂苯并菲(HAT)等，但不限于此。本发明的空穴注入材料还可以为基质材料和掺杂材料相互掺杂的混合材料，所述基质材料优选芳胺衍生物，所述掺杂材料优选轴烯类化合物或者含氰基的共轭有机化合物。
本发明所述空穴传输层材料，优选具备良好空穴迁移率的物质，同时，需具备合适的能级，可保证空穴有效地注入。可用于本发明的空穴传输材料包括：芳胺衍生物、金属配合物、高分子材料等，但不限于此，例如N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)、4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、2,2,7,7-四(二苯基氨基)-9,9-螺二芴(Spiro-TAD)、4,4',4”-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺(2T-NATA)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)、1,3,5-三(9-咔唑基)苯(TCB)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，面式-三(1-苯基吡唑)合钴配合物(fac-Co(ppz)3)、面式-三(2-苯基吡啶)合钴配合物(fac-Co(ppy)3)，聚对亚苯基乙烯(PPV)、聚乙烯咔唑(PVC)等，但不限于此。
本发明所述发光层材料，可包含荧光材料及磷光材料，在使用磷光发光材料时，为了避免磷光材料浓度淬灭现象，通常将磷光材料作为掺杂材料，与其他基质材料(主体材料)共沉积制备发光层，对于磷光材料的用量选择，优选质量分数为0.5～30％、进一步优选质量分数为1～30％、更进一步优选质量分数为1～20％、特别优选质量分数为1～10％。
在本发明中可使用的荧光材料的具体实例可包括：稠合多环芳族衍生物、苯乙烯基胺衍生物、稠环胺衍生物、含硼化合物、吡咯衍生物、吲哚衍生物、咔唑衍生物等，但不限于此。在本发明中可使用的磷光材料的具体实例可包括：重金属配合物(比如铱配合物、铂配合物、锇配合物等)、磷光发光性的稀土类金属配合物(比如铽络合物、铕络合物)等，但不限于此。
在本发明中可使用的主体材料的具体实例可包括：主体材料包括稠合芳族环衍生物、含杂环的化合物等。具体地，稠合芳族环衍生物包括蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲衍生物、荧蒽衍生物等，以及含杂环的化合物包括咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并噻吩衍生物、嘧啶衍生物等，但不限于此。
本发明所述空穴阻挡材料，优选具有高三线态能级且具有合适HOMO能级的材料，包括咪唑衍生物、菲啰啉衍生物、金属配合物、含氮的五元杂环类化合物、恶唑类衍生物等，但不限于此。例如1,3,5-三(N-苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBi)、4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、2,9-二(萘-2-基)-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(NBphen)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲啰啉(BCP)、二(8-羟基-2-甲基喹啉)-(4-苯基苯氧基)铝(BAlq)，3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)，2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑(PBD)等。但不限于此。
本发明所述电子传输层材料，优选具备良好电子迁移率的物质，同时具备合适的HOMO和LUMO能级。可作为本发明的电子传输材料包括噁唑类衍生物、噻唑类衍生物、金属配合物、含氮的五元杂环类化合物、三嗪类化合物、吡啶类衍生物等，但不限于此。例如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、2,5-二-(4-萘基)-1,3,4-噁二唑(BND)，三(8-羟基喹啉)合铝(III)(Alq3)、二(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(Bepq2)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)合铝(III)(BAlq)，3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑(TAZ)，2,4,6-三苯基三嗪(TRZ)，3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基](简称:TmPyPB)等，但不限于此。
本发明所述覆盖层，优选使用折射率高、光取出效果好的材料，可以是咔唑衍生物、咪唑衍生物、噁唑衍生物、噻唑衍生物、芳胺类衍生物等，但不限于此。
优选的，本发明所述有机电致发光器件还包括空穴阻挡层和电子传输层中的至少一层，所述空穴阻挡层和所述电子传输层中的至少一层具有如式I所示结构：
Figure BDA0003283832740000071
其中，在式I所示结构中，Ar1选自式II所示结构，Ar2、Ar3彼此相同或不同，独立的选自式III所示结构；
L1～L3彼此相同或不同，独立的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基中的任意一种；
“*”为L1与Ar1的连接位点，L2与Ar2的连接位点为式Ⅲ所示结构上的任意位置，L3与Ar3的连接位点为式III所示结构上的任意位置；
在式II所示结构中，R1、R2彼此相同或不同，独立的选自氢、C1～C12的烷基、取代或未取代的苯基中的任意一种，或R1、R2之间连接形成取代或未取代的环，所述“取代”指由下列任意一个基团单或多取代：氘、甲基、乙基、叔丁基、苯基、联苯基、萘基；
R3选自氢、氘、卤素、氰基、羟基、氨基、巯基、金刚烷基、降莰烷基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C2～C12的烯基、取代或未取代的C6～C30的芳基中的任意一种；
m1选自0～4之间的整数，当m1大于1时，两个或多个R3彼此相同或不同，或两个相邻的R3之间连接形成环；
在式III所示结构中，X1独立的选自O、S、N-Ar5中的任意一种；
R4选自氢、氘、卤素、氰基、羟基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C2～C12的烯基、取代或未取代的C6～C30的芳基中的任意一种；
m2选自0～4之间的整数，当m2大于1时，两个或多个R4彼此相同或不同，或相邻的两个R4之间连接形成环；
Ar4、Ar5独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的任意一种。
优选的，所述式II结构选自以下基团中的任意一种：
Figure BDA0003283832740000081
优选的，所述式III结构选自如下所示基团中的任意一种：
Figure BDA0003283832740000082
优选的，所述L1独立的选自单键或下列基团中的任意一种：
Figure BDA0003283832740000091
n1选自1～4之间的整数。
优选的，所述L2、L3彼此相同或不同，独立的选自单键或下列基团中的任意一种：
Figure BDA0003283832740000092
n1选自1～4之间的整数。
优选的，所述式I化合物选自下列所示结构中的任意一种：
Figure BDA0003283832740000093
Figure BDA0003283832740000101
Figure BDA0003283832740000111
Figure BDA0003283832740000121
Figure BDA0003283832740000131
Figure BDA0003283832740000141
Figure BDA0003283832740000151
Figure BDA0003283832740000161
Figure BDA0003283832740000171
Figure BDA0003283832740000181
下面结合实施例对本发明做进一步详细的描述。本发明对下述实施例中所采用的原料的来源没有特别的限制，可以为市售产品或采用本领域技术人员所熟知的制备方法制备得到。
实施例1
将ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤30分钟，蒸馏水清洗结束后，异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后干燥，转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟，送到蒸镀机里。逐层蒸镀空穴注入层HAT-CN/15nm、空穴传输层NPB/120nm、发光层为主体BH：掺杂10％BD/20nm、空穴阻挡层本发明化合物17/5nm、电子传输层Alq3/25nm、电子注入层Li2CO3：掺杂2％Yb/2nm、阴极Al/300nm。
Figure BDA0003283832740000182
实施例2
将ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤30分钟，蒸馏水清洗结束后，异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后干燥，转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟，送到蒸镀机里。逐层蒸镀空穴注入层HAT-CN/15nm、空穴传输层NPB/120nm、发光层为主体BH：掺杂10％BD/20nm、空穴阻挡层本发明化合物82/5nm、电子传输层Alq3/25nm、电子注入层Li2CO3：掺杂5％Yb/2.5nm、阴极Al/300nm。
实施例3
将ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤30分钟，蒸馏水清洗结束后，异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后干燥，转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟，送到蒸镀机里。逐层蒸镀空穴注入层HAT-CN/15nm、空穴传输层NPB/120nm、发光层为主体BH：掺杂10％BD/20nm、空穴阻挡层本发明化合物161/5nm、电子传输层Alq3/25nm、电子注入层Li2CO3：掺杂13％Yb/2nm、阴极Al/300nm。
实施例4
将ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤30分钟，蒸馏水清洗结束后，异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后干燥，转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟，送到蒸镀机里。逐层蒸镀空穴注入层HAT-CN/15nm、空穴传输层NPB/120nm、发光层为主体BH：掺杂10％BD/20nm、空穴阻挡层HB/5nm、电子传输层本发明化合物219/25nm、电子注入层Li2CO3：掺杂10％Yb/2.2nm、阴极Al/300nm。
实施例5
将ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤30分钟，蒸馏水清洗结束后，异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后干燥，转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟，送到蒸镀机里。逐层蒸镀空穴注入层HAT-CN/15nm、空穴传输层NPB/120nm、发光层为主体BH：掺杂10％BD/20nm、空穴阻挡层HB/5nm、电子传输层本发明化合物288/25nm、电子注入层Li2CO3：掺杂8％Yb/2nm、阴极Al/300nm。
实施例6
将ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤30分钟，蒸馏水清洗结束后，异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后干燥，转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟，送到蒸镀机里。逐层蒸镀空穴注入层HAT-CN/15nm、空穴传输层NPB/120nm、发光层为主体BH：掺杂10％BD/20nm、空穴阻挡层HB/5nm、电子传输层本发明化合物17/25nm、电子注入层Li2CO3：掺杂1％Yb/2.7nm、阴极Al/300nm。
实施例7
将ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤30分钟，蒸馏水清洗结束后，异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后干燥，转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟，送到蒸镀机里。逐层蒸镀空穴注入层HAT-CN/15nm、空穴传输层NPB/120nm、发光层为主体BH：掺杂10％BD/20nm、空穴阻挡层本发明化合物82/5nm、电子传输层本发明化合物288/25nm、电子注入层Li2CO3：掺杂11％Yb/3nm、阴极Al/300nm。
对比例1
将ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤30分钟，蒸馏水清洗结束后，异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后干燥，转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟，送到蒸镀机里。逐层蒸镀空穴注入层HAT-CN/15nm、空穴传输层NPB/120nm、发光层为主体BH：掺杂10％BD/20nm、空穴阻挡层HB/5nm、电子传输层Alq3/25nm、电子注入层LiF：掺杂50％Yb/2nm、阴极Al/300nm。
对比例2
将ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤30分钟，蒸馏水清洗结束后，异丙醇、丙酮、甲醇等溶剂按顺序超声波洗涤以后干燥，转移到等离子体清洗机里，将上述基板洗涤5分钟，送到蒸镀机里。逐层蒸镀空穴注入层HAT-CN/15nm、空穴传输层NPB/120nm、发光层为主体BH：掺杂BD10％/20nm、空穴阻挡层HB/5nm、电子传输层Alq3/25nm、电子注入层Li2CO3/2nm、阴极Al/300nm。
器件性能测试：采用本发明制备方法制备得到的有机电致发光器件的发光效率采用IVL测试系统进行测试，该测试系统是由测试软件、计算机、美国Keithley公司生产的K2400数字源表和美国Photo Research公司的PR788光谱扫描亮度计组成的。寿命的测试采用McScience公司的M6000 OLED寿命测试系统。测试的环境为大气环境，温度为室温。本发明实施例1-7及对比例1-2制备的有机电致发光器件的发光特性测试结果如表1所示。
表1有机电致发光器件的发光特性测试数据
Figure BDA0003283832740000201
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种电子注入层材料，其特征在于，包括Yb和Li2CO3的混合物。
2.根据权利要求1所述的一种电子注入层材料，其特征在于，所述混合物中Yb的质量分数为0.5％-30％。
3.根据权利要求1所述的一种电子注入层材料，其特征在于，所述混合物中Yb的质量分数为0.8％-20％。
4.根据权利要求1所述的一种电子注入层材料，其特征在于，所述混合物中Yb的质量分数为1.0％-15％。
5.一种有机电致发光器件，其特征在于，含有权利有求1-4任一项所述的电子注入层材料。
6.根据权利要求6所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件中所述电子注入层材料的厚度为1-3.5nm。
7.根据权利要求6所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件中所述电子注入层材料的厚度为1.5-3nm。
8.根据权利要求7所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，还包括空穴阻挡层和电子传输层中的至少一层，所述空穴阻挡层和所述电子传输层中的至少一层具有如式I所示结构：
Figure FDA0003283832730000011
其中，在式I所示结构中，Ar1选自式II所示结构，Ar2、Ar3彼此相同或不同，独立的选自式III所示结构；
L1～L3彼此相同或不同，独立的选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基中的任意一种；
“*”为L1与Ar1的连接位点，L2与Ar2的连接位点为式Ⅲ所示结构上的任意位置，L3与Ar3的连接位点为式III所示结构上的任意位置；
在式II所示结构中，R1、R2彼此相同或不同，独立的选自氢、C1～C12的烷基、取代或未取代的苯基中的任意一种，或R1、R2之间连接形成取代或未取代的环，所述“取代”指由下列任意一个基团单或多取代：氘、甲基、乙基、叔丁基、苯基、联苯基、萘基；
R3选自氢、氘、卤素、氰基、羟基、氨基、巯基、金刚烷基、降莰烷基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C2～C12的烯基、取代或未取代的C6～C30的芳基中的任意一种；
m1选自0～4之间的整数，当m1大于1时，两个或多个R3彼此相同或不同，或两个相邻的R3之间连接形成环；
在式III所示结构中，X1独立的选自O、S、N-Ar5中的任意一种；
R4选自氢、氘、卤素、氰基、羟基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C2～C12的烯基、取代或未取代的C6～C30的芳基中的任意一种；
m2选自0～4之间的整数，当m2大于1时，两个或多个R4彼此相同或不同，或相邻的两个R4之间连接形成环；
Ar4、Ar5独立的选自氢、氘、卤素、氰基、取代或未取代的C1～C12的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的任意一种。
9.根据权利要求8所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述式II结构选自以下基团中的任意一种：
Figure FDA0003283832730000021
Figure FDA0003283832730000031
10.根据权利要求8所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述式III结构选自如下所示基团中的任意一种：
Figure FDA0003283832730000032
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