CN113851511A - 显示装置及拼接式显示器 - Google Patents

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成宇镛
赵镇晧
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Abstract

本公开涉及一种显示装置及拼接式显示器。所述显示装置包括：基底，所述基底包括显示部分、焊盘部分以及在显示部分与焊盘部分之间的弯曲部分；显示层，所述显示层设置在所述显示部分的第一表面上并且包括像素；焊盘电极，所述焊盘电极设置在所述焊盘部分的第一表面上；以及金属层，所述金属层设置在所述显示部分的第二表面以及在所述焊盘部分的第二表面上。所述显示部分的所述第二表面与所述显示部分的所述第一表面相对，并且所述焊盘部分的所述第二表面与所述焊盘部分的所述第一表面相对。所述弯曲部分的厚度小于所述显示部分的厚度和所述焊盘部分的厚度中的至少一个。所述弯曲部分的平面形状是由所述金属层来确定的。

Description

显示装置及拼接式显示器
技术领域
本公开涉及一种显示装置以及具有显示装置的拼接式显示器。
背景技术
随着以信息为导向的社会的发展，对显示装置的各种需求不断增长。例如，显示装置被诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视的各种电子装置所采用。显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置或有机发光显示装置的平板显示装置。在这样的平板显示装置当中，发光显示装置包括可自身发光的发光元件，以便显示面板的每个像素可自身发光。因此，发光显示装置可显示图像而无需向显示面板供应光的背光单元。
对于具有大屏幕的显示装置，可以设置大量像素，并且因而发光元件的缺陷率可能增加了，同时生产率或可靠性可能降低了。为了克服这样的问题，通过使具有相对小尺寸的多个显示装置连接，拼接式显示器可提供大屏幕。这样的拼接式显示器可以包括在多个显示装置之间的边界，其可以被称为接缝。接缝可以是彼此相邻的多个显示装置之间的非显示区域或边框区域。在可以全屏显示单个图像的情况下(例如大屏幕拼接式显示器)，各个显示装置之间的这种边界或接缝可能是可见的，从而阻碍了观看者沉浸在图像之中。
应当理解的是背景技术部分旨在部分地提供用于理解技术的有用背景。然而，该背景技术部分还可以包括在这里所公开的主题的相应有效申请日之前不属于相关领域的技术人员已知的或领会的思想、构思或认识。
发明内容
本公开的一方面可以提供一种拼接式显示器，该拼接式显示器通过防止辨识出显示装置之间的边界或非显示区域来消除多个显示装置之间的可见接缝以便观看者可沉浸在所显示的图像之中。
应当注意的是本公开的各方面不局限于上述方面。对于本领域普通技术人员来说从以下描述本发明的其它方面将是显而易见的。
根据本公开的实施例，显示装置可以包括：基底，包括显示部分、焊盘部分以及在显示部分与焊盘部分之间的弯曲部分；显示层，设置在显示部分的第一表面上，显示层包括像素；焊盘电极，设置在焊盘部分的第一表面上；以及金属层，设置在显示部分的第二表面及焊盘部分的第二表面上。显示部分的第二表面可以与显示部分的第一表面相对，并且焊盘部分的第二表面可以与焊盘部分的第一表面相对。弯曲部分的厚度可以小于显示部分的厚度和焊盘部分的厚度中的至少一个，并且弯曲部分的平面形状可以是由金属层来确定的。
金属层可以包括可以抗干蚀刻的金属氧化物。金属层的蚀刻速率可以低于基底的蚀刻速率。
金属层的热导率可以高于基底的热导率。
在弯曲部分弯曲的情况下，焊盘部分可以在厚度方向上与显示部分重叠。
显示装置可以进一步包括保护膜，保护膜覆盖设置在显示部分的第二表面上的金属层和设置在焊盘部分的第二表面上的金属层。
在弯曲部分弯曲的情况下，覆盖设置在显示部分的第二表面上的金属层的保护膜的一部分与覆盖设置在焊盘部分的第二表面上的金属层的保护膜的另一部分可以彼此面对。
显示装置可以进一步包括：柔性膜，电连接到焊盘电极；以及源极驱动器，设置在柔性膜上。在弯曲部分弯曲的情况下，柔性膜和源极驱动器可以在厚度方向上与显示部分重叠。
显示层可以包括：薄膜晶体管层，设置在显示部分上并且包括至少一个薄膜晶体管；发光元件层，设置在薄膜晶体管层上并且包括电连接到至少一个薄膜晶体管的发光元件；波长转换层，设置在发光元件层上并包括与发光元件重叠的波长转换部分；以及滤色器层，设置在波长转换层上并包括与波长转换部分重叠的滤色器。
根据本公开的实施例，一种拼接式显示器可以包括：显示装置，每个显示装置包括基底，基底包括显示部分、焊盘部分以及在显示部分与焊盘部分之间的弯曲部分；耦接构件，用于使显示装置彼此耦接；以及覆盖构件，用于覆盖显示装置和耦接构件。每个显示装置可以包括：显示层，设置在显示部分的第一表面上，显示层包括像素；焊盘电极，设置在焊盘部分的第一表面上；以及金属层，设置在显示部分的第二表面和焊盘部分的第二表面上。显示部分的第二表面可以与显示部分的第一表面相对，并且焊盘部分的第二表面可以与焊盘部分的第一表面相对。弯曲部分的厚度可以小于显示部分的厚度和焊盘部分的厚度中的至少一个，并且弯曲部分的平面形状可以是由金属层确定的。
金属层可以包括可以抗干蚀刻的金属氧化物。金属层的蚀刻速率可以低于基底的蚀刻速率。
金属层的热导率可以高于基底的热导率。
每个显示装置的弯曲部分可以在厚度方向上与耦接构件重叠。
每个显示装置的弯曲部分可以设置在显示装置中的相邻显示装置的显示部分之间。
每个显示装置可以进一步包括：柔性膜，电连接到焊盘电极；以及源极驱动器，设置在柔性膜上。柔性膜和源极驱动器可以在厚度方向上与显示部分重叠。
焊盘部分可以在厚度方向上与显示部分重叠。
每个显示装置可以进一步包括保护膜，保护膜覆盖设置在显示部分的第二表面上的金属层以及设置在焊盘部分的第二表面上的金属层。
覆盖设置在显示部分的第二表面上的金属层的保护膜的一部分与覆盖设置在焊盘部分的第二表面上的金属层的保护膜的另一部分可以彼此面对。
显示层可以包括：薄膜晶体管层，设置在显示部分上并且包括至少一个薄膜晶体管；发光元件层，设置在薄膜晶体管层上并且包括电连接到至少一个薄膜晶体管的发光元件；波长转换层，设置在发光元件层上并且包括与发光元件重叠的波长转换部分；以及滤色器层，设置在波长转换层上并且包括与波长转换部分重叠的滤色器。
每个显示装置可以进一步包括封装层，覆盖显示层的上表面和侧表面。耦接构件可以设置在显示装置中的相邻显示装置的封装层之间。
覆盖构件可以覆盖每个显示装置的封装层。
根据本公开的实施例，拼接式显示器的每个显示装置可以包括弯曲部分，弯曲部分具有小于显示部分或焊盘部分的厚度的厚度，以便可减小在弯曲部分处的弯曲应力。每个显示装置可以包括可以从显示部分或焊盘部分下凹的弯曲部分，从而减小了显示装置之间的距离。其结果是，可以防止显示装置之间的非显示区域或边界被察觉。
根据本公开的实施例，拼接式显示器的每个显示装置可以包括金属层，并且因而可以形成弯曲部分而无需使用单独的掩模，以便可减少加工步骤和工艺时间。每个显示装置可以不包括单独的散热层，以便可减小显示装置的厚度并且可节省制造成本。由于每个显示装置可以包括金属层，因此与包括单独的散热层的显示装置相比，可减小显示装置的厚度，从而防止在弯曲部分弯曲的情况下的层分离。
应当注意的是本公开的效果不局限于上述那些，并且本公开的其它效果对于本领域普通技术人员而言从以下描述将是显而易见的。
附图说明
通过参考附图详细地描述本公开的实施例，本公开的上述及其它方面和特征将变得更加显而易见，在附图中：
图1是示出了根据本公开实施例的拼接式显示器的示意性平面图；
图2是示出了根据本公开实施例的显示装置的示意性平面图；
图3是沿图2的线I-I'所截取的示意性截面图；
图4是示出了根据本公开实施例的显示装置的像素的示意性平面图；
图5是沿图4的线II-II'所截取的示意性截面图；
图6是示出了根据本公开实施例的发光二极管的示意图；
图7是示出了根据本公开实施例的拼接式显示器的耦接结构的示意性平面图；
图8是沿图7的线III-III'所截取的示意性截面图；
图9是示出了根据本公开实施例的在制造显示装置的工艺期间的第一加工步骤的示意性截面图；
图10是示出了根据本公开实施例的在制造显示装置的工艺期间的第二加工步骤的示意性截面图；
图11是示出了根据本公开实施例的在制造显示装置的工艺期间的第三加工步骤的示意性截面图；以及
图12是示出了根据本公开实施例的在制造显示装置的工艺期间的第四加工步骤的示意性截面图。
具体实施方式
在以下描述中，出于说明的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的各种实施例或实现的透彻理解。如在这里所使用的“实施例”和“实现”是采用在这里所公开的一个或多个发明构思的装置或方法的非限制性示例的可互换的词语。然而，显而易见的是可以在没有这些具体细节的情况下或者利用一个或多个等同布置来实施各个实施例。在其它实例中，以方框图的形式示出了公知的结构和装置以便避免不必要地模糊各个实施例。此外，各个实施例可以是不同的，但不必是排他的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，实施例的特定形状、配置以及特征可以在另一实施例中使用或实现。
除非另有说明，否则所示的实施例应被理解为提供可以在实际中实现本发明构思所采用的一些方式的不同细节的特征。因此，除非另有说明，否则在不脱离本发明构思的情况下可以对各个实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文中单独地或统称为“元件”)另外进行组合、分离、互换、和/或重新布置。
通常提供在附图中使用交叉影线和/或阴影来阐明相邻元件之间的边界。因而，交叉影线或阴影的存在与否都不传达或指示对元件的特定材料、材料特性、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或任何其它特征、属性、特性等的任何偏好或要求，除非另有说明。此外，在附图中，为了清楚和/或描述的目的，元件的大小及相对大小可以被放大。当实施例可以不同地实现时，可以与所述顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所述顺序相反的顺序执行。此外，相同附图标记表示相同元件。
当元件被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件时，它可以直接在另一元件上、连接到或耦接到另一元件，或者可以存在居间元件。然而，当元件被称为“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件时，不存在居间元件。为此，术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理连接、电气连接、和/或流体连接。此外，X轴、Y轴及Z轴不局限于诸如x、y及z轴的直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，X轴、Y轴及Z轴可以彼此垂直，或者可以表示可以彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”以及“从X、Y和Z所组成的组中选择的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y及Z中的两个或更多个的任何组合，诸如例如XYZ、XYY、YZ和ZZ。如在这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何和所有组合。此外，术语“和”及“或”可以联合或分离使用，并且一般应被解释为“和/或”。
尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因而，在不脱离本公开的教导的情况下，可以将下面所讨论的第一元件称为第二元件。
可以在这里使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“在……之下”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“更高”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语以用于描述目的，并且由此，用于描述附图中所示的一个元件与另一(些)元件的关系。除了附图中所描绘的取向之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随后被定向在其它元件或特征“上方”。因而，术语“在……下方”可涵盖上方和下方的取向。此外，该设备可以另外定向(例如旋转90度或以其它取向)，并且因而，应当相应地解释这里所使用的空间相对描述符。
这里所使用的术语是为了描述特定实施例的目的并且不是限制性的。如这里所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确说明。此外，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包含(includes)”和/或“包含(including)”当在本说明书中使用时指定存在所述特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组，但不排除存在或增加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。还应注意的是如这里所使用的，术语“基本上”、“约”及其它类似术语用作近似的术语而不是程度的术语，并且因而，用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在这里参考截面图示和/或分解图示描述了各个实施例，所述截面图示和/或分解图示是理想化的实施例和/或中间结构的示意性图示。因而，可以预期到由于例如制造技术和/或裕度所导致的图示形状的变化。因而，这里所公开的实施例不应必须被解释为局限于特定示出的区域形状，而是包括由例如制造所导致的形状偏差。按照这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，并且因而，并非必须旨在是限制性的。
如本领域中的惯例，在附图中按照功能块、单元和/或模块来对一些实施例进行描述和说明。本领域普通技术人员将理解的是这些块、单元和/或模块是由诸如逻辑电路、分立组件、微处理器、硬连线电路、存储器元件和布线连接等的可以使用基于半导体的制造技术或其它制造技术所形成的电子(或光学)电路物理地实现的。在块、单元和/或模块是由微处理器或其它类似硬件实现的情况下，可以使用软件(例如微代码)对它们进行编程和控制以执行这里所讨论的各种功能，并且它们可以可选地是由固件和/或软件来驱动的。还可以想到每个块、单元和/或模块可以是由专用硬件来实现的或者是作为用于执行一些功能的专用硬件与用于执行其它功能的处理器的组合(例如一个或多个编程的微处理器和相关电路)来实现的。而且，在不脱离本发明构思的范围的情况下，一些实施例的每个块、单元和/或模块可以在物理上被分成两个或更多个相互作用且分立的块、单元和/或模块。此外，在不脱离本发明构思的范围的情况下，可以将一些实施例的块、单元和/或模块物理地组合成更复杂的块、单元和/或模块。
术语“重叠”可以包括层、堆叠、面对或面向、在之上延伸、在之下延伸、覆盖或部分覆盖、或者本领域普通技术人员将明白和理解的任何其它适当术语。
除非另外定义，否则这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。诸如在常用字典中所定义的那些的术语应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义并且不应该以理想化或过于正式的含义来解释，除非在这里明确如此定义。
图1是示出根据本公开实施例的拼接式显示器的示意性平面图。
参考图1，拼接式显示器TD可以包括多个显示装置10。多个显示装置10可以被布置成但不局限于格状图案。多个显示装置10可以在第一方向(X轴方向)或第二方向(Y轴方向)上延伸，并且拼接式显示器TD可以具有特定形状。多个显示装置10可以全部具有相同尺寸。然而，应理解的是本公开不局限于此。例如，多个显示装置10可以具有不同尺寸。
多个显示装置10中的每一个可以具有包括较长侧和较短侧的矩形形状。显示装置10可以被布置为使得显示装置10的较长侧或较短侧可以从彼此延伸。一些显示装置10可以设置在拼接式显示器TD的边缘上以形成拼接式显示器TD的一侧。一些其他显示装置10可以设置在拼接式显示器TD的角处，并且可以形成拼接式显示器TD的两个相邻侧。又一些其他显示装置10可以设置在拼接式显示器TD的内侧并且可以被其它显示装置10围绕。
每个显示装置10可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可以包括用于显示图像的像素。非显示区域NDA可以被设置成与显示区域DA相邻(例如围绕显示区域DA)，并且在实施例中，可以围绕显示区域DA并且可以不显示图像。
拼接式显示器TD可以具有但不局限于大致平面形状。拼接式显示器TD可以具有三维形状，这为观看者提供三维体验。例如，在拼接式显示器TD具有三维形状的情况下，至少一些显示装置10可以具有弯曲形状。作为另一示例，显示装置10可以具有平坦形状并且可以以一定角度从彼此延伸，以便拼接式显示器TD可以具有三维形状。
拼接式显示器TD可以是通过使相邻显示装置10的非显示区域NDA彼此连接而形成的。多个显示装置10可以通过接合构件或粘合构件从彼此延伸。因此，显示装置10之间的非显示区域NDA可以被相邻的显示区域DA围绕。显示装置10的显示区域DA可以彼此如此接近以至于观看者可能无法辨识显示装置10之间的非显示区域NDA或显示装置10之间的边界。外部光在多个显示装置10的显示区域DA处的反射率可以基本上等于外部光在显示装置10之间的非显示区域NDA处的反射率。因此，拼接式显示器TD通过防止多个显示装置10之间的非显示区域NDA或边界被察觉来消除显示装置10之间的接缝可使得观看者沉浸在图像之中。
图2是示出了根据本公开实施例的显示装置的示意性平面图。
参考图2，显示装置10可以包括在显示区域DA中布置成行和列的像素。每个像素可以包括由像素限定层限定的发光区域LA，并且可以通过发光区域LA发射具有峰值波长的光。例如，每个显示装置10的显示区域DA可以包括第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个中，由显示装置10的发光元件所产生的光可以自显示装置10射出。
第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以将具有峰值波长的光发射到显示装置10的外部。第一发光区域LA1可以发射第一颜色的光，第二发光区域LA2可以发射第二颜色的光，并且第三发光区域LA3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色的光可以是峰值波长在约610至约650nm范围内的红色光，第二颜色的光可以是峰值波长在约510至约550nm范围内的绿色光，并且第三颜色的光可以是峰值波长在约440nm至约480nm范围内的蓝色光。然而，应当理解的是本公开不局限于此。
第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可以沿着显示区域DA的第一方向(X轴方向)重复且顺序地布置。例如，第一发光区域LA1在第一方向(X轴方向)上的宽度可以大于第二发光区域LA2在第一方向上的宽度。第二发光区域LA2在第一方向上的宽度可以大于第三发光区域LA3在第一方向上的宽度。作为另一示例，第一发光区域LA1在第一方向(X轴方向)上的宽度、第二发光区域LA2在第一方向上的宽度以及第三发光区域LA3在第三方向上的宽度可以基本上相等。
在实施例中，第一发光区域LA1的面积可以大于第二发光区域LA2的面积，并且第二发光区域LA2的面积可以大于第三发光区域LA3的面积。作为另一示例，第一发光区域LA1的面积、第二发光区域L2的面积以及第三发光区域LA3的面积可以基本上相等。
显示装置10的显示区域DA可以包括围绕发光区域LA的阻光区域BA。例如，显示区域DA可以包括第一阻光区域BA1、第二阻光区域BA2和第三阻光区域BA3。第一阻光区域BA1、第二阻光区域BA2和第三阻光区域BA3可以被设置成分别与第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3相邻(例如在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的一侧上)，从而防止从第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3发射的光混合。
图3是沿图2的线I-I'所截取的示意性截面图。
参考图2和图3，每个显示装置10的显示区域DA可以包括第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个中，由显示装置10的发光二极管ED所产生的光可以自显示装置10射出。
显示装置10可以包括基底100、缓冲层BF、显示层DPL和封装层ENC。
基底100可以是基体基底或基体构件，并且可以是由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成的。例如，基底100可以是可弯曲的、折叠的或卷曲的柔性基底。基底100可以包括但不局限于聚酰亚胺(PI)。
缓冲层BF可以设置在基底100上。缓冲层BF可以是由可防止空气或湿气渗透的无机膜形成的。例如，缓冲层BF可以包括交替地堆叠在彼此之上的多个无机膜。
显示层DPL可以包括薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、波长转换层WLCL和滤色器层CFL。
薄膜晶体管层TFTL可以包括薄膜晶体管TFT、栅极绝缘层GI、层间介电层ILD、第一钝化层PAS1和第一平坦化层OC1。
薄膜晶体管TFT可以设置在缓冲层BF上，并且可以形成多个像素中的每一个的像素电路。例如，薄膜晶体管TFT可以是像素电路的驱动晶体管或开关晶体管。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层ACT、栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE。
半导体层ACT可以设置在缓冲层BF上。半导体层ACT可以与栅极电极GE、源极电极SE以及漏极电极DE重叠。半导体层ACT可以与源极电极SE和漏极电极DE直接接触，并且可以面向栅极电极GE，其中栅极绝缘层GI位于半导体层ACT和栅极电极GE之间。
栅极电极GE可以设置在栅极绝缘层GI上。栅极电极GE可以与半导体层ACT重叠，其中栅极绝缘层GI介于栅极电极GE和半导体层ACT之间。
源极电极SE和漏极电极DE可以设置在层间介电层ILD上以使得它们可以彼此间隔开。源极电极SE可以通过形成于栅极绝缘层GI和层间介电层ILD中的接触孔而与半导体层ACT的一端接触。漏极电极DE可以通过形成于栅极绝缘层GI和层间介电层ILD中的接触孔而与半导体层ACT的另一端接触。漏极电极DE可以通过形成于第一钝化层PAS1和第一平坦化层OC1中的接触孔而电连接到发光元件EL的第一电极AE。
栅极绝缘层GI可以设置在半导体层ACT上。例如，栅极绝缘层GI可以设置在半导体层ACT和缓冲层BF上，并且可以使半导体层ACT与栅极电极GE绝缘。栅极绝缘层GI可以包括源极电极SE穿透过的接触孔以及漏极电极DE穿透过的接触孔。
层间介电层ILD可以设置在栅极电极GE之上。例如，层间介电层ILD可以包括源极电极SE穿透过的接触孔以及漏极电极DE穿透过的接触孔。层间介电层ILD的接触孔可以电连接到栅极绝缘层GI的接触孔。
第一钝化层PAS1可以设置在薄膜晶体管TFT上方以保护薄膜晶体管TFT。例如，第一钝化层PAS1可以包括第一电极AE穿过的接触孔。
第一平坦化层OC1可以设置在第一钝化层PAS1上以在薄膜晶体管TFT上提供平坦表面。例如，第一平坦化层OC1可以包括发光元件EL的第一电极AE穿过的接触孔。第一平坦化层OC1中的接触孔可以电连接到第一钝化层PAS1中的接触孔。
发光元件层EML可以包括发光元件EL、第一堤坝BNK1、第二堤坝BNK2、第二钝化层PAS2和第二平坦化层OC2。
发光元件EL可以设置在薄膜晶体管TFT上。发光元件EL可以包括第一电极AE、第二电极CE和发光二极管ED。
第一电极AE可以设置在第一平坦化层OC1上。例如，第一电极AE可以设置在设置于第一平坦化层OC1上的第一堤坝BNK1上以覆盖第一堤坝BNK1。第一电极AE可以设置为与由第二堤坝BNK2所限定的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的一个重叠。第一电极AE可以电连接到薄膜晶体管TFT的漏极电极DE。第一电极AE可以是但不局限于发光二极管ED的阳极电极。
第二电极CE可以设置在第一平坦化层OC1上。例如，第二电极CE可以设置在设置于第一平坦化层OC1上的第一堤坝BNK1上以覆盖第一堤坝BNK1。第二电极CE可以设置为与由第二堤坝BNK2所限定的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的一个重叠。例如，第二电极CE可以接收施加到所有像素的公共电压。第二电极CE可以是但不局限于发光二极管ED的阴极电极。
第一绝缘层IL1可以覆盖彼此相邻的第一电极AE的一部分和第二电极CE的一部分，并且可以使第一电极AE和第二电极CE彼此绝缘。
发光二极管ED可以设置在第一平坦化层OC1上方的第一电极AE与第二电极CE之间。发光二极管ED可以设置在第一绝缘层IL1上。发光二极管ED的一端可以电连接到第一电极AE，并且发光二极管ED的另一端可以电连接到第二电极CE。例如，发光二极管ED可以包括具有相同材料的有源层以便它们可以发射相同波长的光或相同颜色的光。从第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个发射的光可以具有相同的颜色。例如，发光二极管ED可以发射第三颜色的光或峰值波长在约440nm至约480nm范围内的蓝色光。因此，发光元件层EML可以发射第三颜色的光或蓝色光。
第二堤坝BNK2可以设置在第一平坦化层OC1上以限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。例如，第二堤坝BNK2可以围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个。然而，应理解的是本公开不局限于此。第二堤坝BNK2可以使发光元件EL的第一电极AE或第二电极CE与另一发光元件EL的第一电极AE或第二电极CE分离并绝缘。第二堤坝BNK2可以设置在第一阻光区域BA1、第二阻光区域BA2和第三阻光区域BA3中。
第二钝化层PAS2可以设置在发光元件EL和第二堤坝BNK2上。第二钝化层PAS2可以覆盖发光元件EL以保护发光元件EL。第二钝化层PAS2可防止诸如湿气和空气的杂质从外部渗透以防止损坏发光元件EL。
第二平坦化层OC2可以设置在第二钝化层PAS2上以提供遍及发光元件层EML的平坦表面。第二平坦化层OC2可以包括有机材料。例如，第二平坦化层OC2可以是丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
波长转换层WLCL可以包括第一封盖层CAP1、第一阻光构件BKl、第一波长转换单元WLC1、第二波长转换单元WLC2、透光单元LTU、第二封盖层CAP2以及第三平坦化层OC3。
第一封盖层CAP1可以设置在发光元件层EML的第二平坦化层OC2上。第一封盖层CAP1可以密封第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU的下表面。第一封盖层CAP1可以包括无机材料。例如，第一封盖层CAP1可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氧化硅中的至少一个。
第一阻光构件BKl可以设置在第一阻光区域BA1、第二阻光区域BA2和第三阻光区域BA3中在第一封盖层CAP1上。第一阻光构件BK1可以在厚度方向上与第二堤坝BNK2重叠。第一阻光构件BK1可阻挡光的透射。第一阻光构件BK1可通过防止光在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3当中侵入和混合来改善色域。当从顶部观看时，第一阻光构件BK1可以被布置为围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的格状形状。
第一阻光构件BKl可以包括有机阻光材料、疏液成分或其组合。在这里，疏液成分可以是由含氟单体或含氟聚合物构成的，并且具体地，可以包括含氟脂肪族聚碳酸酯。例如，第一阻光构件BK1可以是由包括疏液成分的黑色有机材料制成的。第一阻光构件BK1可以是通过对含有疏液成分的有机阻光材料等进行涂覆和曝光工艺而形成的。
因为第一阻光构件BKl可以包括疏液成分，因此第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU可以分隔开以便它们可以与相应发光区域LA相对应。例如，在第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU是通过喷墨法形成的情况下，油墨组合物可以在第一阻光构件BK1的上表面上流动。在这方面，第一阻光构件BK1可以包括疏液成分，并且因而可以引导油墨组合物流向发光区域。因此，第一阻光构件BK1可防止油墨组合物混合。
第一波长转换单元WLC1可以设置在第一发光区域LA1中在第一封盖层CAP1上。第一波长转换单元WLC1可以被第一阻光构件BK1围绕。第一波长转换单元WLC1可以包括第一基体树脂BS1、第一散射体SCT1以及第一波长变换器WLS1。
第一基体树脂BS1可以包括具有相对高透射率的材料。第一基体树脂BS1可以是由透明有机材料制成的。例如，第一基体树脂BS1可以包括环氧树脂、丙烯酸树脂、Cardo树脂和酰亚胺树脂当中的至少一种有机材料。
第一散射体SCT1可以具有与第一基体树脂BS1的折射率不同的折射率，并且可以形成与第一基体树脂BS1的光学界面。例如，第一散射体SCT1可以包括散射至少一部分透射光的光散射材料或光散射颗粒。例如，第一散射体SCT1可以包括诸如氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO2)或其组合的金属氧化物，或者可以包括诸如丙烯酸树脂、聚氨酯树脂或其组合的有机颗粒。第一散射体SCT1可以在基本上不改变入射光的峰值波长的情况下在随机方向上散射光而与入射光的入射方向无关。
第一波长变换器WLS1可以将入射光的峰值波长转换或变换为第一峰值波长。例如，第一波长变换器WLS1可以将从显示装置10提供的蓝色光转换为具有在约610nm至约650nm范围内的单个峰值波长的红色光，并且输出该光。第一波长变换器WLS1可以是量子点、量子棒、磷光体或其组合。量子点可以是随着电子从导带跃迁到价带而发射具有颜色的光的颗粒物质。
例如，量子点可以是半导体纳米晶体材料。量子点可以根据其组分和尺寸而具有特定带隙，并且可吸收光并且发射具有本征波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族纳米晶体或其组合。
II-VI族化合物可以是从二元化合物(从CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物所组成的组中选择的)、三元化合物(从InZnP、AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物所组成的组中选择的)、以及四元化合物(从HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物所组成的组中选择的)所组成的组中选择的。
III-V族化合物可以是从二元化合物(从GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物所组成的组中选择的)、三元化合物(从GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其混合物所组成的组中选择的)、以及四元化合物(从GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物所组成的组中选择的)所组成的组中选择的。
IV-VI族化合物可以是从二元化合物(从SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物所组成的组中选择的)、三元化合物(从SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物所组成的组中选择的)以及四元化合物(从SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其混合物所组成的组中选择)所组成的组中选择的。IV族元素可以是从Si、Ge及其混合物所组成的组中选择的。IV族化合物可以是从SiC、SiGe及其混合物所组成的组中选择的二元化合物。
例如，上述二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中或者可以以部分不同的浓度存在于相同颗粒中。
例如，量子点可以具有核-壳结构，该核-壳结构包括含有纳米晶体的核以及围绕核的壳。量子点的壳可以用作通过防止核的化学变性来保持半导体特性的保护层，并且可以用作用于向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。在核与壳之间的界面处，壳中原子的浓度梯度可以朝着中心的方向减小。量子点的壳可以是由金属或非金属的氧化物、半导体化合物、其组合等制成的。
例如，金属或非金属的氧化物的示例可以是但不局限于诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO的二元化合物或诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4的三元化合物。
半导体化合物的示例可以包括但不局限于CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等。
从第一波长变换器WLS1输出的光可以具有约45nm或更小、约40nm或更小、或者约30nm或更小的发射波长谱的半最大值全宽(FWHM)。按照这种方式，可进一步改善由显示装置10所显示的颜色的颜色纯度和色域。从第一波长变换器WLS1输出的光可以在不同的方向上传播，而不管入射光的入射方向。因此，可改善在第一发光区域TA1中所显示的红色的侧向可视性。
从发光元件层EML发射的蓝色光的一部分可以穿过第一波长转换单元WLC1，而不会被第一波长变换器WLS1转换成红色光。在这种蓝色光可以入射在第一滤色器CF1上的情况下，它可被第一滤色器CF1阻挡。另一方面，由第一波长转换单元WLC1转换的红色光可以穿过第一滤色器CF1而射出到外部。因此，第一发光区域LA1可以发射红色光。
第二波长转换单元WLC2可以设置在第二发光区域LA2中在第一封盖层CAP1上。第二波长转换单元WLC2可以被第一阻光构件BK1围绕。第二波长转换单元WLC2可以包括第二基体树脂BS2、第二散射体SCT2和第二波长变换器WLS2。
第二基体树脂BS2可以包括具有相对高透光率的材料。第二基体树脂BS2可以是由透明的有机材料制成的。例如，第二基体树脂BS2可以是由与第一基体树脂BS1相同的材料制成的，或者可以是由第一基体树脂BS1的上面列出的材料之一制成的。
第二散射体SCT2可以具有与第二基体树脂BS2的折射率不同的折射率，并且可以形成与第二基体树脂BS2的光学界面。例如，第二散射体SCT2可以包括用于使至少一部分透射光散射的光散射材料或光散射颗粒。例如，第二散射体SCT2可以是由与第一散射体SCT1相同的材料制成的，或者可以是由第一散射体SCT1的上面列出的材料之一制成的。第二散射体SCT2可以在基本上不改变入射光的峰值波长的情况下在随机方向上散射光而与入射光的入射方向无关。
第二波长变换器WLS2可以将入射光的峰值波长转换或变换为可以与第一波长变换器WLS1的第一峰值波长不同的第二峰值波长。例如，第二波长变换器WLS2可以将从显示装置10提供的蓝色光转换为具有在约510nm至约550nm范围内的单个峰值波长的蓝色光，并且输出该光。第二波长变换器WLS2可以是量子点、量子棒、磷光体或其组合。第二波长变换器WLS2可以包括第一波长变换器WLS1的上面列出的材料。第二波长变换器WLS2的波长转换范围可以是由量子点、量子棒、磷光体或其组合确定的，以便它可以与第一波长变换器WLS1的波长转换范围不同。
透光单元LTU可以设置在第三发光区域LA3中在第一封盖层CAP1上。透光单元LTU可以被第一阻光构件BK1围绕。透光单元LTU可以使入射光透射而无需对其峰值波长进行转换。透光单元LTU可以包括第三基体树脂BS3和第三散射体SCT3。
第三基体树脂BS3可以包括具有相对高的透光率的材料。第三基体树脂BS3可以是由透明的有机材料制成的。例如，第三基体树脂BS3可以是由与第一基体树脂BS1或第二基体树脂BS2相同的材料制成的，或者可以是由第一基体树脂BS1或第二基体树脂BS2的上面列出的材料之一制成的。
第三散射体SCT3可以具有与第三基体树脂BS3的折射率不同的折射率，并且可以形成与第三基体树脂BS3的光学界面。例如，第三散射体SCT3可以包括使至少一部分透射光散射的光散射材料或光散射颗粒。例如，第三散射体SCT3可以是由与第一散射体SCT1或第二散射体SCT2相同的材料制成的，或者可以是由第一散射体SCT1或第二散射体SCT2的上面列出的材料之一制成的。第三散射体SCT3可以在基本上不改变入射光的峰值波长的情况下在随机方向上散射光而与入射光的入射方向无关。
第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU可以通过第二平坦化层OC2和第一封盖层CAP1设置在发光元件层EML上。因此，显示装置10可以不需要用于第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU的单独的基底。因此，第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU可容易地分别与第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3对准，以便可相对减小显示装置10的厚度。
第二封盖层CAP2可以覆盖第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2、透光单元LTU以及第一阻光构件BK1。例如，第二封盖层CAP2可以密封第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU以从而防止对第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU的损坏或污染。第二封盖层CAP2可以是由与第一封盖层CAP1相同的材料制成的，或者可以是由第一封盖层CAP1的上面列出的材料制成的。
第三平坦化层OC3可以设置在第二封盖层CAP2上以在第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU上提供平坦顶表面。第三平坦化层OC3可以包括有机材料。例如，第三平坦化层OC3可以是丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂中的至少一种。
滤色器层CFL可以包括第二阻光构件BK2、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及第三钝化层PAS3。
第二阻光构件BK2可以设置在第一阻光区域BA1、第二阻光区域BA2和第三阻光区域BA3中在波长转换层WLCL的第三平坦化层OC3上。第二阻光构件BK2可以在厚度方向上与第一阻光构件BK1或第二堤坝BNK2重叠。第二阻光构件BK2可以阻挡光的透射。第二阻光构件BK2可通过防止光在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3当中侵入和混合来改善色域。当从顶部观看时，第二阻光构件BK2可以被布置成围绕第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的格状形状。
第一滤色器CF1可以设置在第一发光区域LA1中在第三平坦化层OC3上。第一滤色器CF1可以被第二阻光构件BK2围绕。第一滤色器CF1可以在厚度方向上与第一波长转换单元WLC1重叠。第一滤色器CF1可以选择性地使第一颜色的光(例如红色光)透射，并且可以阻挡和吸收第二颜色的光(例如绿色光)和第三颜色的光(例如蓝色光)。例如，第一滤色器CF1可以是红色滤色器并且可以包括红色着色剂。红色着色剂可以是由红色染料或红色颜料制成的。
第二滤色器CF2可以设置在第二发光区域LA2中在第三平坦化层OC3上。第二滤色器CF2可以被第二阻光构件BK2围绕。第二滤色器CF2可以在厚度方向上与第二波长转换单元WLC2重叠。第二滤色器CF2可以选择性地使第二颜色的光(例如绿色光)透射，并且可以阻挡和吸收第一颜色的光(例如红色光)和第三颜色的光(例如蓝色光)。例如，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器并且可以包括绿色着色剂。绿色着色剂可以是由绿色染料或绿色颜料制成的。
第三滤色器CF3可以设置在第三发光区域LA3中在第三平坦化层OC3上。第三滤色器CF3可以被第二阻光构件BK2围绕。第三滤色器CF3可以在厚度方向上与透光单元LTU重叠。第三滤色器CF3可以选择性地使第三颜色的光(例如蓝色光)透射并且可以阻挡和吸收第一颜色的光(例如红色光)和第二颜色的光(例如绿色光)。例如，第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器并且可以包括蓝色着色剂。蓝色着色剂可以是由蓝色染料或蓝色颜料制成的。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以吸收从显示装置10的外部引入的光的一部分以减少外部光的反射。因此，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可防止由于外部光的反射而引起的颜色失真。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以通过第三平坦化层OC3而设置在第一波长转换单元WLC1和第二波长转换单元WLC2以及透光单元LTU上，并且因而显示装置10可以不需要用于第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3的单独的基底。因此，可相对减小显示装置10的厚度。
第三钝化层PAS3可以覆盖第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。第三钝化层PAS3可保护第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。
封装层ENC可以设置在滤色器层CFL的第三钝化层PAS3上。例如，封装层ENC可以包括至少一个无机层以防止氧气或湿气渗透。封装层ENC可以包括至少一个有机层以保护显示装置10免受诸如灰尘的异物的影响。
图4是示出了根据本公开实施例的显示装置的像素的示意性平面图。
参考图3和图4，每个像素SP可以包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以分别与第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3相对应。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个的发光二极管ED可以通过第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3而发射光。
第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个可以发射相同颜色的光。例如，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个可以包括相同类型的发光二极管ED，并且可以发射第三颜色的光或蓝色光。作为另一示例，第一子像素SP1可以发射第一颜色的光或红色光，第二子像素SP2可以发射第二颜色的光或绿色光，并且第三子像素SP3可以发射第三颜色的光或蓝色光。
第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个可以包括第一电极AE和第二电极CE、发光二极管ED、接触电极CTE以及第二堤坝BNK2。
第一电极AE和第二电极CE可以电连接到发光二极管ED以接收电压，并且发光二极管ED可以发射某个波长带的光。第一电极AE和第二电极CE中的至少一部分可以在像素SP中形成电场，并且发光二极管ED可以通过电场而对准。
例如，第一电极AE可以是用于第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个的单独的像素电极，并且第二电极CE可以是跨第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3延伸的公共电极。第一电极AE和第二电极CE中的一个可以是发光二极管ED的阳极电极，而另一个可以是发光二极管ED的阴极电极。
第一电极AE可以包括在第一方向(X轴方向)上延伸的第一电极主干AE1以及从第一电极主干AE1分支出并在第二方向(Y轴方向)上延伸的至少一个第一电极分支AE2。
第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个的第一电极主干AE1可以与相邻子像素的第一电极主干AE1间隔开，并且第一电极主干AE1可以设置于在第一方向(X轴方向)上相邻的子像素的第一电极主干AE1的假想延长线上。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的第一电极主干AE1可以分别接收不同的信号，并且可以被各自地驱动。
第一电极分支部分AE2可以从第一电极主干AE1分支出并且可以在第二方向(Y轴方向)上延伸。第一电极分支AE2的一端可以电连接到第一电极主干AE1，而第一电极分支AE2的另一端可以与和第一电极主干AE1相对的第二电极主干CE1间隔开。
第二电极CE可以包括在第一方向(X轴方向)上延伸的第二电极主干CE1以及从第二电极主干CE1分支出并在第二方向(Y轴方向)上延伸的第二电极分支CE2。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的每一个的第二电极主干CE1可以电连接到相邻子像素的第二电极主干CE1。第二电极主干CE1可以在第一方向(X轴方向)上延伸以横贯子像素SP。第二电极主干CE1可以连接到在显示区域DA或非显示区域NDA的外部中的在一个方向上延伸的部分。
第二电极分支CE2可以与第一电极分支AE2间隔开并面向第一电极分支AE2。第二电极分支CE2的一端可以电连接到第二电极主干CE1，而第二电极分支CE2的另一端可以与第一电极主干AE1间隔开。
第一电极AE可以通过第一接触孔CNT1而电连接到显示装置10的薄膜晶体管层TFTL，并且第二电极CE可以通过第二接触孔CNT2而电连接到显示装置10的薄膜晶体管层TFTL。例如，可以在第一电极主干AE1中的每一个中形成第一接触孔CNT1，并且可以在第二电极主干CE1中形成第二接触孔CNT2。然而，应理解的是本公开不局限于此。
第二堤坝BNK2可以设置在像素SP之间的边界处。第一电极主干AE1可以相对于第二堤坝BNK2彼此间隔开。第二堤坝BNK2可以在第二方向(Y轴方向)上延伸并且可以设置在沿第一方向(X轴方向)布置的像素SP的边界处。第二堤坝BNK2还可以设置在沿第二方向(Y轴方向)布置的像素SP的边界处。第二堤坝BNK2可以限定像素SP之间的边界。
在制造显示装置10的工艺期间可以喷射其中可以分散有发光二极管ED的油墨的情况下，第二堤坝BNK2可防止油墨流动越过像素SP的边界。第二堤坝BNK2可使其中分散有不同发光二极管ED的油墨分离以便油墨可以彼此不混合。
发光二极管ED可以设置在第一电极AE与第二电极CE之间。发光二极管ED的一端可以电连接到第一电极AE，并且发光二极管ED的另一端可以电连接到第二电极CE。例如，发光二极管ED可以通过第一接触电极CTE1而电连接到第一电极AE，并且可以通过第二接触电极CTE2而电连接到第二电极CE。
发光二极管ED可以彼此间隔开并且可以基本上彼此平行地对准。发光二极管ED之间的间隔在此不受特别限制。一些发光二极管ED可以被设置成彼此相邻，一些其它发光二极管ED可以以一定间距间隔开，并且还有一些其它发光二极管ED可以在特定方向上以不均匀的密度对准。例如，发光二极管ED可以布置在与第一电极分支AE2或第二电极分支CE2可以延伸的方向相垂直的方向上。作为另一示例，发光二极管ED可以布置在相对于第一电极分支AE2或第二电极分支CE2可以延伸的方向倾斜的方向上。
发光二极管ED可以包括具有相同材料的有源层以便它们可以发射相同波长范围的光或相同颜色的光。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以发射相同颜色的光。例如，发光二极管ED可以发射第三颜色的光或具有在约440nm至约480nm范围内的峰值波长的蓝色光。因此，显示装置10的发光元件层EML可以发射第三颜色的光或蓝色光。作为另一示例，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以包括具有不同有源层的发光二极管ED，并且可以发射不同颜色的光。
接触电极CTE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第一接触电极CTE1可以覆盖第一电极分支AE2以及发光二极管ED的部分，并且可以使第一电极分支AE2与发光二极管ED电连接。第二接触电极CTE2可以覆盖第二电极分支CE2以及发光二极管ED的其它部分，并且可以使第二电极分支CE2与发光二极管ED电连接。
第一接触电极CTE1可以设置在第一电极分支AE2上并在第二方向(Y轴方向)上延伸。第一接触电极CTE1可以与发光二极管ED的第一端接触。发光二极管ED可以通过第一接触电极CTE1电连接到第一电极AE。
第二接触电极CTE2可以设置在第二电极分支CE2上并在第二方向(Y轴方向)上延伸。第二接触电极CTE2可以在第一方向(X轴方向)上与第一接触电极CTE1间隔开。第二接触电极CTE2可以与发光二极管ED的第二端接触。发光二极管ED可以通过第二接触电极CTE2而电连接到第二电极CE。
例如，第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2的宽度可以分别大于第一电极分支AE2和第二电极分支CE2的宽度。作为另一示例，第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2可以分别覆盖第一电极分支AE2和第二电极分支CE2的侧面。
图5是沿着图4的线II-II'所截取的示意性截面图。
参考图2至图5，显示装置10的发光元件层EML可以设置在薄膜晶体管层TFTL上，并且可以包括第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2和第三绝缘层IL3。
第一堤坝BNK1可以分别设置在第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中。第一堤坝BNK1中的每一个可以与第一电极AE或第二电极CE相对应。第一电极AE和第二电极CE中的每一个可以设置在相应的第一堤坝BNK1上。例如，第一电极分支AE2和第二电极分支CE2中的每一个可以设置在相应的第一堤坝BNK1上。第一堤坝BNK1可以包括但不局限于聚酰亚胺(PI)。
第一堤坝BNK1可以设置在第一平坦化层OC1上，并且第一堤坝BNK1中的每一个的侧表面可以相对于第一平坦化层OC1倾斜。例如，第一电极AE和第二电极CE中的每一个可以包含具有高反射率的材料，并且可以布置在第一堤坝BNK1的倾斜表面上以将从发光二极管ED发射的光朝着显示装置10的上侧的方向反射。
结合图4，参考图5，第一电极主干AE1可以包括穿透第一平坦化层OC1的第一接触孔CNT1。第一电极主干AE1可以通过第一接触孔CNT1而电连接到薄膜晶体管TFT。因此，第一电极AE可以接收来自薄膜晶体管TFT的电信号。
第二电极主干CE1可以在第一方向(X轴方向)上延伸，并且还可以设置在未设置有发光二极管ED的非发光区域中。第二电极主干CE1可以包括穿透第一平坦化层OC1的第二接触孔CNT2。第二电极主干CE1可以通过第二接触孔CNT2而电连接到功率电极。第二电极CE可以接收来自功率电极的电信号。
第一电极AE和第二电极CE可以包括透明导电材料。例如，第一电极AE和第二电极CE中的每一个可以包括但不局限于铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)中的至少一个。
第一电极AE和第二电极CE可以包括具有高反射率的导电材料。例如，第一电极AE和第二电极CE可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)或其组合的具有高反射率的金属。第一电极AE和第二电极CE可将从发光二极管ED发射的光朝着显示装置10的上侧反射。
第一电极AE和第二电极CE可以是由一种或多种透明导电材料以及具有高反射率的一种或多种金属的堆叠构成，或由包括一种或多种透明导电材料以及具有高反射率的一种或多种金属的单层构成。例如，第一电极AE和第二电极CE可以具有ITO/银(Ag)/ITO/IZO的堆叠结构，或者可以是包括铝(Al)、镍(Ni)、镧(La)等的合金。然而，应该理解的是本公开不局限于此。
第一绝缘层IL1可以设置在第一平坦化层OC1、第一电极AE和第二电极CE上。第一绝缘层IL1可以部分地覆盖第一电极AE和第二电极CE中的每一个。例如，第一绝缘层IL1可以露出第一电极AE和第二电极CE的与第一堤坝BNK1的上表面相对应的部分，并且可以覆盖第一电极AE和第二电极CE的与所述上表面不对应的其它部分。因此，第一绝缘层IL1可以包括开口，该开口露出第一电极AE和第二电极CE的与第一堤坝BNK1的上表面相对应的部分。
第一绝缘层IL1可以包括无机绝缘材料，并且可以包括在第一电极AE和第二电极CE之间的凹陷部分。第一绝缘层IL1的凹陷部分可以被第二绝缘层IL2填充。因此，第二绝缘层IL2可使第一绝缘层IL1的上表面平坦，并且因此发光二极管ED可以设置在第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2上。
第一绝缘层IL1可保护第一电极AE和第二电极CE，并且可以使第一电极AE和第二电极CE彼此绝缘。第一绝缘层IL1可防止发光二极管ED可能与其它元件直接接触并被其它元件损坏。
发光二极管ED可以设置在第一电极AE与第二电极CE之间在第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2上。发光二极管ED的一端可以电连接到第一电极AE，并且发光二极管ED的另一端可以电连接到第二电极CE。例如，发光二极管ED可以通过第一接触电极CTE1而电连接到第一电极AE，并且可以通过第二接触电极CTE2而电连接到第二电极CE。
第三绝缘层IL3可以部分地设置在设置于第一电极AE与第二电极CE之间的发光二极管ED上。第三绝缘层IL3可以部分地覆盖发光二极管ED的外表面。绝缘层IL3可保护发光二极管ED。
接触电极CTE可以包括第一接触电极CTE1和第二接触电极CTE2。第一接触电极CTE1可以覆盖第一电极分支AE2以及发光二极管ED的部分，并且可以使第一电极分支AE2与发光二极管ED电连接。第二接触电极CTE2可以覆盖第二电极分支CE2以及发光二极管ED的其它部分，并且可以使第二电极分支CE2与发光二极管ED电连接。
第一接触电极CTE1可以设置在第一电极分支AE2上并在第二方向(Y轴方向)上延伸。第一接触电极CTE1可以与发光二极管ED的第一端接触。发光二极管ED可以通过第一接触电极CTE1而电连接到第一电极AE。
第二接触电极CTE2可以设置在第二电极分支CE2上并在第二方向(Y轴方向)上延伸。第二接触电极CTE2可以在第一方向(X轴方向)上与第一接触电极CTE1间隔开。第二接触电极CTE2可以与发光二极管ED的第二端接触。发光二极管ED可以通过第二接触电极CTE2而电连接到第二电极CE。
接触电极CTE可以包括导电材料。例如，接触电极CTE可以包括但不局限于ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等或其组合。
图6是示出了根据本公开实施例的发光二极管的示意图。
参考图6，发光二极管ED可以是发光二极管。例如，发光二极管ED可以具有微米或纳米的大小，并且可以是包含无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以对准在彼此面对的两个电极之间，因为可以通过在这两个电极之间的特定方向上形成电场来产生极性。
发光二极管ED可以具有在一个方向上延伸的形状。发光二极管ED可以具有杆、线、管等的形状。例如，发光二极管ED可以具有圆柱形或杆状的形状。作为另一示例，发光二极管ED可以具有各种形状(其包括诸如立方体、长方体和六角柱的多角柱形状)或者可以具有可以在具有部分倾斜的部分的方向上延伸的形状。包含在发光二极管ED中的半导体可以具有沿着一个方向顺序地布置或堆叠的结构。
发光二极管ED可以包括第一半导体层111、第二半导体层113、有源层115、电极层117以及绝缘层118。
第一半导体层111可以是n型半导体。例如，在发光二极管ED发射蓝色光的情况下，第一半导体层111可以包括具有以下化学式的半导体材料：AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。第一半导体层111可以是n型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种半导体材料。第一半导体层111可以掺杂有诸如Si、Ge和Sn的n型掺杂剂。第一半导体层111可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层111的长度可以在但不局限于从约1.5μm到约5μm的范围内。
第二半导体层113可以设置在有源层115上。例如，在发光二极管ED发射蓝色光或绿色光的情况下，第二半导体层113可以包括具有以下化学式的半导体材料：AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤2，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。例如，第二半导体层113可以是p型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN当中的至少一种半导体材料。第二半导体层113可以掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Se和Ba的p型掺杂剂。第二半导体层113可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层113的长度可以在但不局限于约0.05μm至约0.10μm的范围内。
第一半导体层111和第二半导体层113中的每一个可以是但不局限于由单层构成的。例如，第一半导体层111和第二半导体层113中的每一个可以具有包括覆层或拉伸应变阻隔减小(TSBR)层的多个层。
有源层115可以设置在第一半导体层111和第二半导体层113之间。有源层115可以包括具有单个或多个量子阱结构的材料。在有源层115包括具有多个量子阱结构的材料的情况下，量子层和阱层可以交替地堆叠在彼此上。随着电子-空穴对响应于通过第一半导体层111和第二半导体层113所施加的电信号而在有源层115中结合，有源层115可以发射光。例如，在有源层115发射蓝色光的情况下，它可以包括诸如AlGaN、AlGaInN或其组合的材料。在有源层115具有其中量子层和阱层可以交替地堆叠在彼此上的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括AlGaN、AlGaInN等或其组合，并且阱层可以包括GaN、AlInN等或其组合。有源层115可以包括作为量子层的AlGaInN以及作为阱层的AlInN以发射蓝色光。
在另一实施例中，有源层115可以具有如下结构，其中，具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料可以交替地堆叠在彼此上，并且可以包括III族至V族半导体材料，这取决于发射光的波长范围。从有源层115发射的光不局限于蓝色光。在一些实现中，有源层115可以发射红色光或绿色光。有源层115的长度可以在但不局限于约0.05μm至约0.10μm的范围内。
从有源层115发射的光可以在发光二极管ED的纵向方向上而且通过两个侧面射出。从有源层115发射的光的方向性可以不受限制。
电极层117可以是欧姆接触电极。作为另一示例，电极层117可以是肖特基接触电极。发光二极管ED可以包括至少一个电极层117。在发光二极管ED可以电连接到电极或接触电极CTE的情况下，电极层117可减小发光二极管ED与电极或接触电极CTE之间的电阻。电极层117可以包括具有导电性的金属。例如，电极层117可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)中的至少一种。电极层117可以包括掺杂有n型或p型杂质的半导体材料。
绝缘层118可以围绕半导体层和电极层的外表面。绝缘层118可以围绕有源层115的外表面，并且可以在发光二极管ED可以延伸的方向上延伸。绝缘层118可保护发光二极管ED。例如，绝缘层118可以围绕发光二极管ED的侧表面并且可以暴露出发光二极管ED的在纵向方向上的两端。
绝缘层118可以包括具有绝缘特性的材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)或其组合。因此，绝缘层118可防止在有源层115与可以将电信号传输到发光二极管ED所通过的电极相接触的情况下可能发生的电短路。因为绝缘层118可以保护包括有源层115的发光二极管ED的外表面，因此可以防止发光效率的降低。
可以对绝缘层118的外表面进行表面处理。发光二极管ED可以分散在油墨中并且可以将油墨喷射到电极上以便可以在制造显示装置10的工艺期间使发光二极管ED对准。可以对绝缘层118施加表面处理以便使其变为疏水性或亲水性，并且因而发光二极管ED可分散在油墨中而彼此不会聚集。
图7是示出了根据本公开实施例的拼接式显示器的耦接结构的示意性平面图。图8是沿图7的线III-III'所截取的示意性截面图。在以下描述中，将简要描述或省略与上述元件相同的元件。
参考图7和图8，拼接式显示器TD可以包括多个显示装置10、耦接构件20以及覆盖构件30。例如，根据图7的实施例，拼接式显示器TD可以包括第一显示装置10-1至第四显示装置10-4(以下简称为图1中标示的“显示装置10”)，但是显示装置10的数量不局限于四个。可以根据显示装置10和拼接式显示器TD的尺寸来确定显示装置10的数量。
多个显示装置10中的每一个可以包括基底100、缓冲层BF、显示层DPL、封装层ENC、金属层MSK、保护膜PF、焊盘电极PD、连接膜ACF、柔性膜210以及源极驱动器220。
基底100可以是基体基底或基体构件并且可以是由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成的。例如，基底100可以是可弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。基底100可以包括但不局限于聚酰亚胺(PI)。
基底100可以包括显示部分DP、弯曲部分BP和焊盘部分PP。
显示部分DP可以与显示装置10的显示区域DA相对应。显示装置10的薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、波长转换层WLCL、滤色器层CFL以及封装层ENC可以顺序地堆叠在显示部分DP上。因此，显示部分DP可以支撑显示装置10的显示层DPL。
弯曲部分BP可以从显示部分DP的一侧延伸。弯曲部分BP可以设置在显示部分DP与焊盘部分PP之间。弯曲部分BP的厚度可以小于显示部分DP的厚度或焊盘部分PP的厚度。弯曲部分BP的下端可以从显示部分DP的下端或者焊盘部分PP的下端下凹。弯曲部分BP的下端可以与显示部分DP的下端或焊盘部分PP的下端具有高差(level difference)。显示装置10可以包括具有小于显示部分DP或焊盘部分PP的厚度的厚度的弯曲部分BP，从而减小了弯曲部分BP的弯曲应力。每个显示装置10可以包括可以从显示部分DP或焊盘部分PP下凹的弯曲部分BP，从而减小了显示装置10之间的距离。其结果是，可以防止显示装置10之间的非显示区域或边界被察觉。
弯曲部分BP可以是通过去除显示部分DP与焊盘部分PP之间的基底100的下部而形成的。例如，弯曲部分BP可以是通过经由干蚀刻工艺去除基底100的下部而形成的。然而，应理解的是本公开不局限于此。通过使用干蚀刻工艺，可以精确地形成弯曲部分BP而无需去除显示部分DP和焊盘部分PP的一部分。可以使用满足基底100的蚀刻特征的工艺气体和高频电源来蚀刻弯曲部分BP。可以通过在工艺气体的等离子体状态下所产生的电子或离子与基底100之间的物理或化学反应来蚀刻弯曲部分BP。
当从顶部观察时弯曲部分BP的形状和面积可以是由金属层MSK确定的。在形成弯曲部分BP的工艺期间，金属层MSK可以用作掩模。因此，金属层MSK可以用作用于确定当从顶部观察时弯曲部分BP的形状和面积的掩模。
缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间介电层ILD和第一钝化层PAS1可以顺序地堆叠在弯曲部分BP上。弯曲部分BP可以支撑使设置在焊盘部分PP上的焊盘电极PD与设置在显示部分DP上的薄膜晶体管TFT连接的连接线(未示出)。连接线可以设置在栅极绝缘层GI或层间介电层ILD上。例如，连接线可以与薄膜晶体管TFT的栅极电极GE、源极电极SE或漏极电极DE设置在相同的层上。连接线可以电连接到数据线以供应数据电压，并且可以电连接到扫描线以供应扫描信号。例如，连接线CWL可以与薄膜晶体管TFT的源极电极SE或漏极电极DE形成在相同的层上并且由相同的材料制成。因此，连接线可以使焊盘电极PD与薄膜晶体管TFT的栅极电极GE、源极电极SE或漏极电极DE连接。
焊盘部分PP可以设置在基底100的边缘处。由于弯曲部分BP可以弯曲，所以焊盘部分PP可以在厚度方向或Z轴方向上与显示部分DP重叠。缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间介电层ILD以及第一钝化层PAS1可以顺序地堆叠在焊盘部分PP上。焊盘部分PP可以支撑设置在第一钝化层PAS1上的焊盘电极PD。穿过弯曲部分BP的连接线可以延伸到焊盘部分PP，并且可以通过接触孔而电连接到焊盘电极PD。
金属层MSK可以设置在基底100的下表面上。金属层MSK可以设置在显示部分DP的与其上可以设置有显示层DPL的表面相对的另一表面上。金属层MSK可以设置在焊盘部分PP的与其上可以设置有焊盘电极PD的表面相对的另一表面上。在可以形成弯曲部分BP之前可以在显示部分DP的下表面和焊盘部分PP的下表面上设置金属层MSK。
金属层MSK可以包括可以抗干蚀刻的金属氧化物。金属层MSK的蚀刻速率可以低于基底100的蚀刻速率。因为金属层MSK可以抗干蚀刻，因此它可在形成弯曲部分BP的工艺期间用作掩模。金属层MSK可以确定弯曲部分BP的位置、平面形状和尺寸。金属层MSK可以确定在蚀刻基底100的下部的工艺期间要蚀刻的区域。例如，金属层MSK可以用作用于在干法蚀刻工艺期间蚀刻基底100的下部的掩模。金属层MSK可以是由包括铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、铁氧体、银(Ag)或其组合的金属薄膜形成的，但不局限于此。
金属层MSK可以将在显示装置10内部所产生的热量释放到外部。金属层MSK的热导率可以高于基底100的热导率。在薄膜晶体管层TFTL或发光元件层EML中所产生的热量可以通过基底100传递的情况下，金属层MSK可以将热量释放到显示装置10的外部。
因此，由于显示装置10可以包括金属层MSK，因此可以形成弯曲部分BP而无需使用单独的掩模，以便可减少加工步骤和工艺时间。显示装置10可以不包括单独的散热层，以便可减小显示装置10的厚度并且可节省制造成本。由于显示装置10可以包括金属层MSK，因此与包括单独的散热层的显示装置相比，可减小显示装置10的厚度，从而防止在弯曲部分BP弯曲的情况下的层分离。
保护膜PF可以设置在金属层MSK上。保护膜PF可以设置在覆盖显示部分DP的金属层MSK上以及覆盖焊盘部分PP的金属层MSK上。由于弯曲部分BP可以弯曲，所以覆盖金属层MSK的保护膜PF的与显示部分DP相对应的一部分和覆盖金属层MSK的保护膜PF的与焊盘部分PP相对应的另一部分可以彼此面对。与焊盘部分PP相对应的保护膜PF可以通过粘合构件AM附着到与显示部分DP相对应的保护膜PF的下表面。与焊盘部分PP相对应的保护膜PF可以附着到与显示部分DP相对应的保护膜PF的下表面，以便它可被固定且被支撑。由于弯曲部分BP可以弯曲，所以保护膜PF可保护在厚度方向或Z轴方向上重叠的金属层MSK和基底100。
焊盘电极PD可以设置在焊盘部分PP上。缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间介电层ILD、第一钝化层PAS1以及焊盘电极PD可以顺序地堆叠在焊盘部分PP上。焊盘电极PD可以暴露在第一钝化层PAS1上，并且可以通过接触孔而电连接到穿过弯曲部分BP的连接线。
连接膜ACF可以使柔性膜210附着到焊盘电极PD。连接膜ACF的表面可以附着到焊盘电极PD，并且连接膜ACF的相对表面可以附着到柔性膜210。例如，连接膜ACF可以覆盖整个焊盘电极PD，但是本公开不局限于此。
连接膜ACF可以包括各向异性导电膜。在连接膜ACF包括各向异性导电膜的情况下，连接膜ACF可以在焊盘电极PD和柔性膜210的接触焊盘可以彼此接触的区域中具有导电性，并且可以使柔性膜210与焊盘电极PD电连接。
柔性膜210可以设置在焊盘部分PP上。柔性膜210的一侧可以电连接到焊盘电极PD，并且柔性膜210的另一侧可以电连接到源极电路板(未示出)。柔性膜210可以将信号从源极驱动器220传输到显示装置10。例如，源极驱动器220可以是集成电路(IC)。源极驱动器220可以根据来自时序控制器的源极控制信号将数字视频数据转换为模拟数据电压，并且可以通过柔性膜210将其供应给显示区域DA的数据线。
耦接构件20可以设置在每两个显示装置10之间以使相邻显示装置10的侧表面彼此耦接。耦接构件20可以连接在以格状图案布置的第一显示装置10-1至第四显示装置10-4的侧表面之间以实现拼接式显示器TD。耦接构件20可以使每个显示装置10的基底100和封装层ENC的侧表面与相邻显示装置10的基底100和封装层ENC的侧表面耦接。在图8中，耦接构件20可以使第一显示装置10-1的封装层ENC的侧表面、基底100的侧表面、金属层MSK的侧表面以及保护膜PF的侧表面与第二显示装置10-2的封装层ENC的侧表面、基底100的侧表面、金属层MSK的侧表面以及保护膜PF的侧表面耦接。
例如，耦接构件20可以是由具有相对薄厚度的粘合剂或双面胶带制成的，从而减小了多个显示装置10之间的间隙。作为另一示例，耦接构件20可以实现为具有相对小厚度的耦接框架，以便可减小显示装置10之间的间隙。因此，拼接式显示器TD可防止观看者辨识出多个显示装置10之间的非显示区域NDA或边界。
覆盖构件30可以设置在多个显示装置10和耦接构件20的上表面上以覆盖多个显示装置10和耦接构件20。例如，覆盖构件30可以设置在多个显示装置10中的每一个的封装层ENC的上表面上。覆盖构件30可保护拼接式显示器TD的上表面。
图9是示出了根据本公开实施例的在制造显示装置的工艺期间的第一加工步骤的示意性截面图。
参考图9，基底100可以是基体基底或基体构件，并且可以是由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成的。例如，基底100可以是可弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。基底100可以包括但不局限于聚酰亚胺(PI)。基底100可以包括显示部分DP和焊盘部分PP。
显示部分DP可以与显示装置10的显示区域DA相对应。显示装置10的薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML、波长转换层WLCL、滤色器层CFL和封装层ENC可以顺序地堆叠在显示部分DP上。因此，显示部分DP可以支撑显示装置10的显示层DPL。
焊盘部分PP可以设置在基底100的边缘。焊盘部分PP可以与显示部分DP间隔开。缓冲层BF、栅极绝缘层GI、层间介电层ILD、第一钝化层PAS1和焊盘电极PD可以顺序地堆叠在焊盘部分PP上。焊盘部分PP可以支撑设置在第一钝化层PAS1上的焊盘电极PD。焊盘部分PP可以通过连接线连接到设置在显示部分DP上的薄膜晶体管TFT。
图10是示出了根据本公开实施例的在制造显示装置的工艺期间的第二加工步骤的示意性截面图。
参考图10，显示装置10的封装层ENC可以位于载体基底CS上。载体基底CS可以在蚀刻基底100的工艺期间临时支撑显示装置10。在显示装置10的封装层ENC可以位于载体基底CS上的情况下，基底100的可以与面向显示层DPL的表面相对的另一表面可以被暴露出。
金属层MSK可以设置在显示部分DP的可以与面向显示层DPL的表面相对的另一表面上，并且可以设置在焊盘部分PP的与面向焊盘电极PD的表面相对的另一表面上。形成金属层MSK的材料可以被应用于基底100的另一表面上并且被图案化。例如，形成金属层MSK的材料可以被设置在基底100的另一表面上并且可以使用光致抗蚀剂工艺而被图案化。
例如，形成金属层MSK的材料可以是负性光致抗蚀剂。可以将形成金属层MSK的材料放置在基底100的整个另一表面上，并且可以将掩模构件设置在将要形成金属层MSK的位置之外。在光可以照射到掩模构件和金属层MSK上的情况下，除了金属层MSK之外的区域可以溶解以便可以形成金属层MSK。
作为另一示例，形成金属层MSK的材料可以是正性光致抗蚀剂。掩模构件可以设置在将要形成金属层MSK的位置。在光可以照射到掩模构件和金属层MSK上的情况下，除了金属层MSK之外的区域可以溶解以便可以形成金属层MSK。
金属层MSK可以包括可以抗干蚀刻的金属氧化物。金属层MSK的蚀刻速率可以低于基底100的蚀刻速率。由于金属层MSK可以抗干蚀刻，因此它可在形成弯曲部分BP的工艺期间用作掩模。金属层MSK可以确定弯曲部分BP的位置、平面形状和尺寸。金属层MSK可以确定在蚀刻基底100的下部的工艺期间要被蚀刻的区域。例如，金属层MSK可以用作用于在干蚀刻工艺期间蚀刻基底100的下部的掩模。金属层MSK可以包括但不局限于诸如铝(Al)、铜(Cu)或其组合的金属。
图11是示出了根据本公开实施例的在制造显示装置的工艺期间的第三加工步骤的示意性截面图。
参考图11，基底100的弯曲部分BP可以是通过去除显示部分DP与焊盘部分PP之间的基底100的下部而形成的。例如，弯曲部分BP可以是通过经由干蚀刻工艺去除基底100的下部而形成的。然而，应该理解的是本公开不局限于此。弯曲部分BP的厚度可以小于显示部分DP的厚度或焊盘部分PP的厚度。弯曲部分BP的下端可以从显示部分DP的下端或者焊盘部分PP的下端下凹。
当从顶部观察时弯曲部分BP的形状和面积可以是由金属层MSK确定的。在形成弯曲部分BP的工艺期间，金属层MSK可以用作掩模。因此，金属层MSK可以用作用于确定当从顶部观察时弯曲部分BP的形状和面积的掩模。可以在已蚀刻了弯曲部分BP之后去除图10中所示的载体基底CS。
通过使用干蚀刻工艺，可以精确地形成弯曲部分BP而无需去除显示部分DP和焊盘部分PP的一部分。可以使用满足基底100的蚀刻特征的工艺气体和高频电源来蚀刻弯曲部分BP。可以通过在工艺气体的等离子体状态下所产生的电子或离子与基底100之间的物理或化学反应来蚀刻弯曲部分BP。
保护膜PF可以设置在金属层MSK上。保护膜PF可以设置在覆盖显示部分DP的金属层MSK以及覆盖焊盘部分PP的金属层MSK上。
图12是示出了根据本公开实施例的在制造显示装置的工艺期间的第四加工步骤的示意性截面图。
参考图12，柔性膜210可以通过连接膜ACF附着到焊盘电极PD。柔性膜210的一侧可以电连接到焊盘电极PD，并且柔性膜210的另一侧可以电连接到源极电路板。一旦柔性膜210已被电连接，则弯曲部分BP可以弯曲。由于弯曲部分BP可以弯曲，所以焊盘部分PP可以在厚度方向或Z轴方向上与显示部分DP重叠。
由于弯曲部分BP可以弯曲，所以覆盖金属层MSK的保护膜PF的与显示部分DP相对应的一部分和覆盖金属层MSK的保护膜PF的与焊盘部分PP相对应的另一部分可以彼此面对。与焊盘部分PP相对应的保护膜PF可以通过粘合构件AM附着到与显示部分DP相对应的保护膜PF的下表面。与焊盘部分PP相对应的保护膜PF可以附着到与显示部分DP相对应的保护膜PF的下表面，以便它可被固定且被支撑。由于弯曲部分BP可以弯曲，所以保护膜PF可保护在厚度方向或Z轴方向上重叠的金属层MSK和基底100。
尽管已经出于说明性目的公开了本发明的实施例，但是本领域技术人员将理解的是在不脱离如所附权利范围及其等价物所公开的本发明的范围和精神的情况下可以进行各种修改、添加和替换。

Claims (10)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基底，包括显示部分、焊盘部分以及在所述显示部分与所述焊盘部分之间的弯曲部分；
显示层，设置在所述显示部分的第一表面上，所述显示层包括像素；
焊盘电极，设置在所述焊盘部分的第一表面上；以及
金属层，所设置在所述显示部分的第二表面及在所述焊盘部分的第二表面上，所述显示部分的所述第二表面与所述显示部分的所述第一表面相对，并且所述焊盘部分的所述第二表面与所述焊盘部分的所述第一表面相对，其中，
所述弯曲部分的厚度小于所述显示部分的厚度和所述焊盘部分的厚度中的至少一个，并且
所述弯曲部分的平面形状是由所述金属层来确定的。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述金属层包括抗干蚀刻的金属氧化物；并且
所述金属层的蚀刻速率低于所述基底的蚀刻速率。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述金属层的热导率高于所述基底的热导率。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置进一步包括保护膜，所述保护膜覆盖设置在所述显示部分的所述第二表面上的所述金属层以及设置在所述焊盘部分的所述第二表面上的所述金属层，
其中，在所述弯曲部分弯曲的情况下，覆盖设置在所述显示部分的所述第二表面上的所述金属层的所述保护膜的一部分与覆盖设置在所述焊盘部分的所述第二表面上的所述金属层的所述保护膜的另一部分彼此面对。
5.一种拼接式显示器，其中，所述拼接式显示器包括：
显示装置，每个所述显示装置包括基底，所述基底包括显示部分、焊盘部分以及在所述显示部分与所述焊盘部分之间的弯曲部分；
耦接构件，用于使所述显示装置彼此耦接；以及
覆盖构件，用于覆盖所述显示装置和所述耦接构件，
其中，每个所述显示装置包括：
显示层，设置在所述显示部分的第一表面上，所述显示层包括像素；
焊盘电极，设置在所述焊盘部分的第一表面上；以及
金属层，设置在所述显示部分的第二表面和所述焊盘部分的第二表面上，所述显示部分的所述第二表面与所述显示部分的所述第一表面相对，并且所述焊盘部分的所述第二表面与所述焊盘部分的所述第一表面相对，其中
所述弯曲部分的厚度小于所述显示部分的厚度和所述焊盘部分的厚度中的至少一个，并且
所述弯曲部分的平面形状是由所述金属层来确定的。
6.根据权利要求5所述的拼接式显示器，其中，
所述金属层包括抗干蚀刻的金属氧化物，并且
所述金属层的蚀刻速率低于所述基底的蚀刻速率。
7.根据权利要求5所述的拼接式显示器，其中，所述金属层的热导率高于所述基底的热导率。
8.根据权利要求5所述的拼接式显示器，其中，每个所述显示装置的所述弯曲部分在厚度方向上与所述耦接构件重叠。
9.根据权利要求5所述的拼接式显示器，其中，每个所述显示装置进一步包括保护膜，所述保护膜覆盖设置在所述显示部分的所述第二表面上的所述金属层以及设置在所述焊盘部分的所述第二表面上的所述金属层，
其中，覆盖设置在所述显示部分的所述第二表面上的所述金属层的所述保护膜的一部分与覆盖设置在所述焊盘部分的所述第二表面上的所述金属层的所述保护膜的另一部分彼此面对。
10.根据权利要求5所述的拼接式显示器，其中，所述显示层包括：
薄膜晶体管层，设置在所述显示部分上并且包括至少一个薄膜晶体管；
发光元件层，设置在所述薄膜晶体管层上并且包括电连接到所述至少一个薄膜晶体管的发光元件；
波长转换层，设置在所述发光元件层上并且包括与所述发光元件重叠的波长转换部分；以及
滤色器层，设置在所述波长转换层上并且包括与所述波长转换部分重叠的滤色器，
其中，每个所述显示装置进一步包括封装层，所述封装层覆盖所述显示层的上表面和侧表面，并且
所述耦接构件设置在所述显示装置的相邻显示装置的封装层之间。
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