CN113835506B - 一种终端设备及其多档位调节的超压控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种终端设备及其多档位调节的超压控制方法，所述终端设备包括一主板，主板上设置有南桥芯片、BIOS ROM和超压控制电路；多档位调节的超压控制电路通过南桥芯片连接BIOS ROM；所述BIOSROM用于设置若干个超压电压，每个超压电压对应一个超压参数；所述BIOSROM根据用户所选的超压电压输出对应的超压参数、通过南桥芯片传输给超压控制电路；所述超压控制电路根据超压参数输出对应的下降电流来调整内存电压的压值。不同超压电压对应不同的下降电流，根据下降电流来调整内存电压的压值即可满足不同的超压需求。

Description

一种终端设备及其多档位调节的超压控制方法

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及一种终端设备及其多档位调节的超压控制方法。

背景技术

为了使计算机系统能够发挥更强大的工作性能，满足客户一些特殊应用需求，研发人员会通过增加计算机超频功能来实现，比如对CPU、内存等主板配备超频来增加其工作频率，使其在高于额定频率的状态下稳定工作。在实现超频功能的同时，需要更大的运行功耗来维持，在负载电流不变的状态下，在SPEC允许范围内，对输出适当加压即可提高运行功耗，从而满足超频的运行功耗需求。

现有对输出加压的方式，是通过调节电源芯片的反馈电阻的阻值、使输出电压一直保持在超压工作状态。但是，这种方式只能固定在某一组超压电压值，调节电压值则必须更换电路板上的反馈电阻，客户不能操作，且研发人员操作也很麻烦。由于超压不能进行档位调节，系统在各工作状态下需求的电压有差异，只有一个超压电压不能满足系统超压应用需求，不利于系统性能的有效发挥。同时输出一直保持在超压状态，输出功耗变高，还更容易损坏负载端的元器件。

发明内容

针对上述技术问题，本发明实施例提供了一种终端设备及其多档位调节的超压控制方法，以解决现有超压不能进行档位调节的问题。

本发明实施例提供一种终端设备，包括一主板，所述主板上设置有南桥芯片和BIOS ROM，还设有多档位调节的超压控制电路；所述多档位调节的超压控制电路通过南桥芯片连接BIOS ROM；

所述BIOS ROM根据用户所选的超压电压输出对应的超压参数、通过南桥芯片传输给超压控制电路；所述超压控制电路根据超压参数输出对应的下降电流来调整内存电压的压值。

可选地，所述的终端设备中，所述BIOS ROM中预先储存若干个超压电压，每个超压电压对应一个超压参数；所述超压控制电路中预先储存一下降电流参照表，所述下降电流参照表中记录了地址、Hex值和下降电流的对应关系。

可选地，所述的终端设备中，所述多档位调节的超压控制电路包括超压调节模块和电压输出模块；所述超压调节模块连接电压输出模块和南桥芯片；

所述超压调节模块根据南桥芯片输入的超压参数查询下降电流参照表，找出该超压参数对应的下降电流；

所述电压输出模块开机时输出默认的内存电压，对内存电压采样生成反馈电压，所述下降电流调整反馈电压的电流大小，电压输出模块根据调整后的反馈电压调整内存电压的大小。

可选地，所述的终端设备中，所述超压调节模块包括超压芯片、第一电阻和第一电容；

所述超压芯片的VCC脚连接第一电压端、第一电阻的一端和第一电容的一端；超压芯片的BUS_SEL脚连接第一电阻的另一端，超压芯片的GND脚和第一电容的另一端均接地，超压芯片的SDA脚、SCL脚均连接南桥芯片，超压芯片的OUT脚连接电压输出模块。

可选地，所述的终端设备中，所述超压调节模块还包括预留设置的第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述第二电阻的一端连接超压芯片的SDA脚，第二电阻的另一端连接南桥芯片，第三电阻的一端连接超压芯片的SCL脚，第三电阻的另一端连接南桥芯片，第四电阻的一端连接超压芯片的OUT脚，第四电阻的另一端连接电压输出模块。

可选地，所述的终端设备中，所述电压输出模块包括电源芯片、电感、第一开关管、第二开关管、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第二电容和第三电容；

所述电源芯片的FB脚连接超压芯片的OUT脚、第五电阻的一端和第六电阻的一端；第六电阻的另一端接地，电源芯片的GND_PAD脚和GND脚均接地，电源芯片的VCC脚连接第二电压端，电源芯片的BOOT脚通过第七电阻连接第二电容的一端，电源芯片的UGATE脚连接第一开关管的栅极，第一开关管的源极连接第二电压端；电源芯片的PHASE脚连接第一开关管的漏极、第二开关管的源极和电感的一端；电源芯片的LGATE脚连接第二开关管的栅极，第二开关管的漏极接地；电感的另一端是电压输出端、连接第五电阻的另一端和第三电容的一端，第三电容的另一端接地。

可选地，所述的终端设备中，所述电压输出模块还包括第八电阻、第九电阻、第十电阻和第四电容；

所述第八电阻的一端连接电源芯片的UGATE脚，第八电阻的另一端连接第一开关管的栅极，第九电阻的一端连接第十电阻的一端和电源芯片的LGATE脚，第十电阻的另一端连接第四电容的一端和第二开关管的栅极，第九电阻的另一端和第四电容的另一端均接地。

本发明实施例第二方面提供了一种采用所述的终端设备的多档位调节的超压控制方法，包括：

步骤A、BIOS ROM根据用户所选的超压电压输出对应的超压参数、通过南桥芯片传输给超压控制电路；

步骤B、所述超压控制电路根据超压参数输出对应的下降电流来调整内存电压的压值。

可选地，所述的多档位调节的超压控制方法中，在所述步骤A之前，还包括：在BIOSROM中预先储存若干个超压电压，每个超压电压对应一个超压参数；在超压控制电路中预先储存一下降电流参照表，所述下降电流参照表中记录了地址、Hex值和下降电流的对应关系。

可选地，所述的多档位调节的超压控制方法中，所述步骤B具体包括：

步骤B1、超压控制电路中的超压调节模块根据南桥芯片输入的超压参数查询下降电流参照表，找出该超压参数对应的下降电流；

步骤B2、所述电压输出模块开机时输出默认的内存电压，对内存电压采样生成反馈电压，所述下降电流调整反馈电压的电流大小，电压输出模块根据调整后的反馈电压调整内存电压的大小。

本发明实施例提供的技术方案中，终端设备包括一主板，所述主板上设置有南桥芯片、BIOS ROM和超压控制电路；多档位调节的超压控制电路通过南桥芯片连接BIOS ROM；所述BIOS ROM用于设置若干个超压电压，每个超压电压对应一个超压参数；所述BIOS ROM根据用户所选的超压电压输出对应的超压参数、通过南桥芯片传输给超压控制电路；所述超压控制电路根据超压参数输出对应的下降电流来调整内存电压的压值。不同超压电压对应不同的下降电流，根据下降电流来调整内存电压的压值即可满足不同的超压需求。

附图说明

图1为本发明实施例中终端设备的结构框图。

图2为本发明实施例中主板的结构示意图。

图3为本发明实施例中多档位调节的超压控制电路的电路示意图。

图4为本发明实施例中南桥芯片和BIOS ROM的电路示意图。

图5为本发明实施例中多档位调节的超压控制方法流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请同时参阅图1至图4，本发明实施例提供的终端设备包括一主板40，所述主板40上设置有多档位调节的超压控制电路10、南桥芯片20和BIOS(Basic Input/OutputSystem，基本输入输出系统)ROM(Read Only Memory，只读存储器)30，所述多档位调节的超压控制电路10通过南桥芯片20连接BIOS ROM 30。所述BIOS ROM 30内设置若干个超压电压，每个超压电压对应一个超压参数；所述BIOS ROM 30根据用户所选的超压电压输出对应的超压参数、通过南桥芯片20传输给超压控制电路10；所述超压控制电路10根据超压参数输出对应的下降电流来调整内存电压的压值。

其中，所述BIOS ROM 30内固化有BIOS(基本输入输出系统)程序，所述BIOS程序用于设置若干个超压电压(如0mV(默认)、10mV、20mV、44mV，具体数值由研发人员根据实际需求来设置；也可设置为若干个超压档位，如0档(默认档)、1档、2档、3档等)，每个超压电压对应一个超压参数，本实施例中超压参数为超压寄存器的地址。开机时会自动显示BIOS设置界面，用户可根据需求选择所需的超压电压，若无选择通常是默认值(即超压控制电路10输出的是默认压值的内存电压)。所述南桥芯片20相当于I2C总线、在超压控制电路10与BIOSROM 30之间传输数据信号，当用户选择所需的超压电压后，BIOS ROM 30将该超压电压对应的超压寄存器地址通过南桥芯片20传输给超压控制电路10。

需要理解的是，南桥芯片20和BIOS ROM 30的结构和连接关系均为现有技术，图2所示的是超压控制电路10、南桥芯片20和BIOS ROM30在主板上的位置布局，具体实施时通过主板上的走线进行连接；图4所示的是电路连接，此处对南桥芯片20和BIOS ROM 30的连接关系不做详述；根据终端设备的类型可对主板的形状、其上设置的电路芯片的位置进行对应调整，此处不作限定。本实施例的改进点是在BIOS ROM 30的BIOS程序中增加若干个超压电压以及每个超压电压对应的超压参数，显示BIOS设置界面时会显示多个超压电压方便用户选择。

所述超压控制电路10中预存一下降电流参照表，如下所示。

下降电流参照表

超压控制电路10根据超压寄存器的地址，即可找出对应的Hex值和下降电流，通过下降电流来调整内存电压的压值，下降电流为负值则内存电压增大，下降电流为正值则内存电压减小。后续若还需调整，还可再次显示BIOS设置界面继续选择。这样即可实现多个超压电压的选择和内存电压的调节，满足系统多方面的超压需求。

所述终端设备为台式机、一体机、服务器、平板电脑、笔记本、手机(特别是智能手机)等、需要超压供电的终端设备。

本实施例中，所述多档位调节的超压控制电路包括超压调节模块110和电压输出模块120；所述超压调节模块110连接电压输出模块120和南桥芯片20；所述超压调节模块110根据输入的超压参数查询下降电流参照表，找出该超压参数对应的下降电流；所述电压输出模块120开机时输出默认的内存电压，对内存电压采样生成反馈电压，所述下降电流调整反馈电压的电流大小，电压输出模块120根据调整后的反馈电压调整内存电压的大小。

如图3所示，所述超压调节模块110包括超压芯片U1、第一电阻R1和第一电容C1；所述超压芯片U1的VCC脚连接第一电压端(输入第一电压+5VSB)、第一电阻R1的一端和第一电容C1的一端；超压芯片U1的BUS_SEL脚连接第一电阻R1的另一端，超压芯片U1的GND脚和第一电容C1的另一端均接地，超压芯片U1的SDA脚、SCL脚均连接南桥芯片20(具体如图3所示，SDA脚连接南桥芯片20的GPP_C1/SMBDATA脚，SCL脚连接南桥芯片20的GPP_C0/SMBCLK脚)，超压芯片U1的OUT脚连接电压输出模块120。

其中，所述超压芯片U1的型号优选为NTC3933U，其相当于一个电流源，其OUT脚通过BIOS ROM 20设置的地址参数可产生正电流或负电流，其封装小，线路简单，占用主板的空间小。当超压芯片U1的VCC脚输入第一电压+5VSB时，超压芯片U1得电，第一电容C1用于对VCC脚上的电压进行滤波；超压芯片U1的BUS_SEL脚通过第一电阻R1被上拉为高电平，超压芯片U1被使能开始工作。所述超压芯片U1根据其内部预存的下降电流参照表(只列出部分数值来示例)来计算超压电压的电压值。

所述南桥芯片20从BIOS ROM 30中读取用户所选的超压电压对应的超压参数(本实施例为超压寄存器的地址)，并传输给超压芯片U1；超压参数包括数据信号SMB_DA和频率信号SMB_CK，数据信号SMB_DA(其携带了超压寄存器的地址，如上表中的地址[7:0]栏中的各个值)传输至超压芯片U1的SDA脚，频率信号SMB_CK传输至超压芯片U1的SCL脚；超压芯片U1根据超压参数中的地址在OUT脚输出寄存器地址中写入对应的Hex值(十六进制码)，在内部存储的下降电流参照表中查询该Hex值对应的下降电流，结合电压输出模块120中反馈处的上拉电阻的阻值(已知)即可计算出超压电压DDR_OV的电压值，其等于负的下降电流乘以反馈电压的上拉电阻的阻值。

例如：假设反馈处的上拉电阻的阻值为2200Ω，通过BIOS ROM 30设置的Hex值为02h，查询下降电流表中对应的下降电流为-20uA,则超压电压DDR_OV的电压值应计算为：-(-20)×2200＝44000uV＝44mV。在超压之前的内存电压1P2V_DDR为1.22V，则超压后的内存电压1P2V_DDR为：1.22V+44mV＝1.264V。若下降电流为正值，则超压电压DDR_OV的电压值为负值，与当前的内存电压1P2V_DDR相加后反而将内存电压1P2V_DDR减小。

优选地，所述超压调节模块110还包括预留设置的第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4；所述第二电阻R2的一端连接超压芯片U1的SDA脚，第二电阻R2的另一端连接南桥芯片20，第三电阻R3的一端连接超压芯片U1的SCL脚，第三电阻R3的另一端连接南桥芯片20，第四电阻R4的一端连接超压芯片U1的OUT脚，第四电阻R4的另一端连接电压输出模块120。

R2～R4的阻值优选为0Ω，其作为预留电阻设置在主板上，若终端设备不需要设置超压控制，则断开各个电阻两端或任一端的连接；若需要则连接各个电阻的两端，这样该主板即可同时兼容超压和不超压两种模式，无需重新设计电路布局，缩短了研发时间。即使之前选择不超压，后续想更改时，只要焊接各个电阻(可返厂或找电工焊接)就能增加超压功能，满足用户的不同需求。

所述电压输出模块120包括电源芯片U2、电感L、第一开关管Q1、第二开关管Q2、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第二电容C2和第三电容C3；电源芯片U2的FB脚连接超压芯片U1的OUT脚(或第四电阻R4的另一端)、第五电阻R5的一端和第六电阻R6的一端；第六电阻R6的另一端接地，电源芯片U2的GND_PAD脚和GND脚均接地，电源芯片U2的VCC脚连接第二电压端(输入第二电压+5VD)，电源芯片U2的BOOT脚通过第七电阻R7连接第二电容C2的一端，电源芯片U2的UGATE脚连接第一开关管Q1的栅极，第一开关管Q1的源极连接第二电压端；电源芯片U2的PHASE脚连接第一开关管Q1的漏极、第二开关管Q2的源极和电感L的一端；电源芯片U2的LGATE脚连接第二开关管Q2的栅极，第二开关管Q2的漏极接地；电感L的另一端(是电压输出端，提供内存电压1P2V_DDR)连接第五电阻R5的另一端和第三电容C3的一端，第三电容C3的另一端接地。

其中，所述第一开关管Q1和第二开关管Q2均是NMOS管。所述电源芯片U2的型号优选为RT8120A或UP1542S等带有FB脚、具有反馈电压的芯片。电源芯片U2的EN脚被电源芯片内部上拉为高电平，电源芯片U2被使能。电源芯片U2 BOOT脚输出的信号用于加压，将内部电压加入Q2的源极；UGATE脚输出的信号用于控制第一开关管Q1的通断，LGATE脚输出的信号用于控制第二开关管Q2的通断，UGATE脚的信号与LGATE脚的信号的电压相反；这样Q1导通时Q2截止，Q1的漏极输出高电平并结合加压后输出高电平；Q1截止时Q2导通，Q2的源极输出低电平，高电平和低电平组成一方波，PHASE脚输出的信号用于调节方波的占空比。通过电感L后输出的内存电压1P2V_DDR是这个高电平、低电平结合占空比得出的平均值。

第五电阻R5是反馈的上拉电阻(阻值优选为2.2KΩ)，第六电阻R6是反馈的下拉电阻(阻值优选为2.1KΩ)，R5和R6对内存电压1P2V_DDR分压产生反馈电压DDR_FB。电源芯片U2根据反馈电压DDR_FB来调整内存电压1P2V_DDR。

若此时有下降电流，则采用抽取电流的方式，负的下降电流会减小反馈电压DDR_FB的电流，反馈电压DDR_FB的电流变小，电源芯片U2输出的内存电压1P2V_DDR反而增大。增大的值是超压电压DDR_OV的电压值，其等于负的下降电流乘以反馈处的上拉电阻的阻值；超压调节后，内存电压1P2V_DDR的电压值等于当前的内存电压1P2V_DDR加上超压电压DDR_OV。同理，若下降电流为正，则反馈电压DDR_FB的电流变大，电源芯片U2输出的内存电压1P2V_DDR反而减小，增大的值也是超压电压DDR_OV的电压值。

优选地，所述电压输出模块120还包括第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10和第四电容C4；所述第八电阻R8的一端连接电源芯片U2的UGATE脚，第八电阻R8的另一端连接第一开关管Q1的栅极，第九电阻R9的一端连接第十电阻R10的一端和电源芯片U2的LGATE脚，第十电阻R10的另一端连接第四电容C4的一端和第二开关管Q2的栅极，第九电阻R9的另一端和第四电容C4的另一端均接地。

其中，第八电阻R8用于保护Q1；LGATE脚无信号输出时，第九电阻R9将Q2的栅极下拉使Q2保持截止，有信号时通过第十电阻R10和第四电容C4的RC滤波，使Q2通断更加稳定。

优选地，所述电压输出模块120还包括第十一电阻R11、第五电容C5和第六电容C6；所述第十一电阻R11的一端连接第二开关管Q2的源极和电感L的一端，第十一电阻R11的另一端通过第五电容C5接地，第六电容C6的一端连接电感L的另一端和第三电容C3的一端。

其中，R11和C5组成RC滤波，C6对内存电压1P2V_DDR进一步滤波使其更加稳定。

优选地，所述电压输出模块120还包括第十二电阻R12和第八电容C8，所述第十二电阻R12的一端连接第八电容C8的一端和电源芯片U2的VCC脚，第十二电阻R12的另一端连接第二电压端，第八电容C8的另一端接地。通过R12和C8对输入的第二电压+5VD滤波，使电源芯片U2工作更加稳定。

请继续参阅图1和图3，所述终端设备的工作原理为：

开机时，电源芯片U2工作，其UGATE脚、LGATE脚输出对应的信号控制Q1和Q2的通断，输出默认大小的内存电压1P2V_DDR，通过R5和R6分压输出对应的反馈电压DDR_FB。

需要调节超压时，在开机自动显示的BIOS设置界面中，用户据需求选择所需的超压电压为44mV，BIOS ROM 30与南桥芯片20进行通讯，将44mV对应的超压寄存器的地址00000010通过南桥芯片20传输给超压芯片U1；超压芯片U1根据地址在OUT脚输出寄存器地址中写入对应的Hex值，即02h，在下降电流参照表中查询该Hex值对应的下降电流是-20uA，该下降电流为负值，使反馈电压DDR_FB的电流变小，则电源芯片U2输出的内存电压1P2V_DDR增大，结合电压输出模块120中上拉电阻的阻值为2200Ω，即可计算出超压电压DDR_OV的电压值，其计算为：-(-20)×2200＝44000uV＝44mV。该44mV增加至内存电压1P2V_DDR上使内存电压1P2V_DDR变大，电源芯片U2根据其FB脚上的电压控制BOOT脚、PHASE脚、UGATE脚、LGATE脚输出的信号，使内存电压1P2V_DDR等于1.264V(1.22V+44mV)。

再次需要调整超压时，调出BIOS设置界面即可再次选择设置在BIOS ROM中的多个超压电压供选择，改变Hex值即可对应改变下降电流的大小，从而增加或减小内存电压的压值。

无需超压时也可选择禁用超压功能，满足计算机系统在多种工作状态下的应用需求。

基于上述的终端设备，本实施例还提供一种终端设备的多档位调节的超压控制方法，请参阅图5，所述超压控制方法包括：

S10、BIOS ROM根据用户所选的超压电压输出对应的超压参数、通过南桥芯片传输给超压控制电路；

S20所述超压控制电路根据超压参数输出对应的下降电流来调整内存电压的压值。

其中，在所述步骤S10之前，还包括步骤01、在BIOS ROM中预先储存若干个超压电压，每个超压电压对应一个超压参数；在超压控制电路中预先储存一下降电流参照表，所述下降电流参照表中记录了地址、Hex值和下降电流的对应关系。

所述步骤S20具体包括：

步骤210、超压控制电路中的超压调节模块根据南桥芯片输入的超压参数查询下降电流参照表，找出该超压参数对应的下降电流；

步骤220、所述电压输出模块开机时输出默认的内存电压，对内存电压采样生成反馈电压，所述下降电流调整反馈电压的电流大小，电压输出模块根据调整后的反馈电压调整内存电压的大小。

综上所述，本发明提供的终端设备及其多档位调节的超压控制方法，通过BIOS程序来存储若干个超压电压及其对应的超压参数，根据超压参数找出对应的下降电流来调整反馈电压的电流，即可对应调整内存电压，设置的多个超压电压能满足系统多方面超压需求运用，系统性能得到更有效发挥；.根据实际超压运用有效降低输出功耗，无需使用超压时可通过断开超压芯片与南桥芯片、电源芯片的连接来关闭超压功能，有效保护系统负载端元器件，还实现了超压和不超压两种模式的切换。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (9)

1.一种终端设备，包括一主板，所述主板上设置有南桥芯片和BIOS ROM，其特征在于，还设有多档位调节的超压控制电路；所述多档位调节的超压控制电路通过南桥芯片连接BIOS ROM；

所述BIOS ROM根据用户所选的超压电压输出对应的超压参数、通过南桥芯片传输给超压控制电路；所述超压控制电路根据超压参数输出对应的下降电流来调整内存电压的压值；

所述多档位调节的超压控制电路包括超压调节模块和电压输出模块；所述超压调节模块连接电压输出模块和南桥芯片；

所述超压调节模块根据南桥芯片输入的超压参数查询下降电流参照表，找出该超压参数对应的下降电流；

所述电压输出模块开机时输出默认的内存电压，对内存电压采样生成反馈电压，所述下降电流调整反馈电压的电流大小，电压输出模块根据调整后的反馈电压调整内存电压的大小。

2.根据权利要求1所述的终端设备，其特征在于，所述BIOS ROM中预先储存若干个超压电压，每个超压电压对应一个超压参数；所述超压控制电路中预先储存一下降电流参照表，所述下降电流参照表中记录了地址、Hex值和下降电流的对应关系；地址为超压寄存器的地址，Hex值对应下降电流，改变Hex值即对应改变下降电流的大小。

3.根据权利要求1所述的终端设备，其特征在于，所述超压调节模块包括超压芯片、第一电阻和第一电容；

所述超压芯片的VCC脚连接第一电压端、第一电阻的一端和第一电容的一端；超压芯片的BUS_SEL脚连接第一电阻的另一端，超压芯片的GND脚和第一电容的另一端均接地，超压芯片的SDA脚、SCL脚均连接南桥芯片，超压芯片的OUT脚连接电压输出模块。

4.根据权利要求3所述的终端设备，其特征在于，所述超压调节模块还包括预留设置的第二电阻、第三电阻和第四电阻；所述第二电阻的一端连接超压芯片的SDA脚，第二电阻的另一端连接南桥芯片，第三电阻的一端连接超压芯片的SCL脚，第三电阻的另一端连接南桥芯片，第四电阻的一端连接超压芯片的OUT脚，第四电阻的另一端连接电压输出模块。

5.根据权利要求3所述的终端设备，其特征在于，所述电压输出模块包括电源芯片、电感、第一开关管、第二开关管、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第二电容和第三电容；

所述电源芯片的FB脚连接超压芯片的OUT脚、第五电阻的一端和第六电阻的一端；第六电阻的另一端接地，电源芯片的GND_PAD脚和GND脚均接地，电源芯片的VCC脚连接第二电压端，电源芯片的BOOT脚通过第七电阻连接第二电容的一端，电源芯片的UGATE脚连接第一开关管的栅极，第一开关管的源极连接第二电压端；电源芯片的PHASE脚连接第一开关管的漏极、第二开关管的源极和电感的一端；电源芯片的LGATE脚连接第二开关管的栅极，第二开关管的漏极接地；电感的另一端是电压输出端、连接第五电阻的另一端和第三电容的一端，第三电容的另一端接地。

6.根据权利要求5所述的终端设备，其特征在于，所述电压输出模块还包括第八电阻、第九电阻、第十电阻和第四电容；

所述第八电阻的一端连接电源芯片的UGATE脚，第八电阻的另一端连接第一开关管的栅极，第九电阻的一端连接第十电阻的一端和电源芯片的LGATE脚，第十电阻的另一端连接第四电容的一端和第二开关管的栅极，第九电阻的另一端和第四电容的另一端均接地。

7.一种采用权利要求1所述的终端设备的多档位调节的超压控制方法，其特征在于，包括：

步骤A、BIOS ROM根据用户所选的超压电压输出对应的超压参数、通过南桥芯片传输给超压控制电路；

步骤B、所述超压控制电路根据超压参数输出对应的下降电流来调整内存电压的压值。

8.根据权利要求7所述的多档位调节的超压控制方法，其特征在于，在所述步骤A之前，还包括：在BIOS ROM中预先储存若干个超压电压，每个超压电压对应一个超压参数；在超压控制电路中预先储存一下降电流参照表，所述下降电流参照表中记录了地址、Hex值和下降电流的对应关系；地址为超压寄存器的地址，Hex值对应下降电流，改变Hex值即对应改变下降电流的大小。

9.根据权利要求7所述的多档位调节的超压控制方法，其特征在于，所述步骤B具体包括：

步骤B1、超压控制电路中的超压调节模块根据南桥芯片输入的超压参数查询下降电流参照表，找出该超压参数对应的下降电流；

步骤B2、超压控制电路中的电压输出模块开机时输出默认的内存电压，对内存电压采样生成反馈电压，所述下降电流调整反馈电压的电流大小，电压输出模块根据调整后的反馈电压调整内存电压的大小。