CN113823724A - 微发光二极管器件及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种微发光二极管器件及显示面板，属于显示技术领域，其旨在解决微发光二极管与接收基板之间结合力较差的问题，所述微发光二极管器件包括发光芯片和接收基板；发光芯片朝向接收基板的一侧设置有第一电极和第二电极；接收基板朝向发光芯片的表面间隔且相对设置有第一导电垫和第二导电垫，第一导电垫和第二导电垫之间形成插装空间；发光芯片插装在插装空间内，且第一电极与第一导电垫电性连接，第二电极与第二导电垫电性连接。本发明提供的微发光二极管器件及显示面板，能够增强接收基板与发光芯片之间的结合力，从而提升发光芯片与接收基板之间的连接效果以及电性连接的可靠性。

Description

微发光二极管器件及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种微发光二极管器件及显示面板。
背景技术
微发光二极管(Micro Light Emitting Diode，简称为Micro LED)显示器是一种以在一个基板上集成的高密度微小尺寸的Micro LED阵列作为显示像素来实现图像显示的显示器，Micro LED显示器具有稳定性好、寿命长、无影像烙印等优点，成为显示装置的主流产品。
在微发光二极管显示器的制作过程中，微发光二极管先在原始基板(例如蓝宝石衬底)通过外延生长的方法生长出来；然后，需将微发光二极管从原始基板上剥离，并通过转印头转移至接收基板上。接收基板设置有与微发光二极管的第一电极正相对的第一焊点以及与第二电极正相对的第二焊点，第一电极连接在第一焊点上，并与第一焊点电性连接，第二电极连接在第二焊点上，并与第二焊点电性连接。
然而，上述各焊点与微发光二极管间的结合力较差，而影响微发光二极管与接收基板之间的连接效果以及电性连接的可靠性。
发明内容
本发明实施例提供了一种微发光二极管器件及显示面板，能够增强接收基板与发光芯片之间的结合力，从而提升发光芯片与接收基板之间的连接效果以及电性连接的可靠性。
为了实现上述目的，本发明实施例采用如下技术方案：
第一方面，本发明实施例提供了一种微发光二极管器件，包括发光芯片和接收基板，所述发光芯片朝向所述接收基板的一侧设置有第一电极和第二电极；所述接收基板朝向所述发光芯片的表面间隔且相对设置有第一导电垫和第二导电垫，所述第一导电垫和所述第二导电垫之间形成插装空间；所述发光芯片插装在所述插装空间内，且所述第一电极与所述第一导电垫电性连接，所述第二电极与所述第二导电垫电性连接。
在一些可选实施例中，所述发光芯片包括第一侧面、第二侧面以及位于所述第一侧面和所述第二侧面之间的第一底面；所述第一底面为所述发光芯片朝向所述接收基板的表面，所述第一电极和所述第二电极位于所述第一底面上。
在一些可选实施例中，所述第一电极和所述第二电极分别位于所述第一底面的两个相对的边缘；所述第一电极具有覆盖至少部分所述第一侧面的第一延伸部，所述第一延伸部与所述第一导电垫抵接；所述第二电极具有覆盖至少部分所述第二侧面的第二延伸部，所述第二延伸部与所述第二导电垫抵接。
在一些可选实施例中，所述发光芯片还包括与所述第一底面相对的所述第二底面；以垂直于所述第一底面的面为截面，所述发光芯片的截面形状为等腰梯形；所述等腰梯形的第一底边的长度小于其第二底边的长度，所述第一底边位于所述第一底面上，所述第二底边位于所述第二底面上。
在一些可选实施例中，所述插装空间的最小间距小于或等于第一底边的长度；所述第一导电垫远离所述插装空间的外缘面为第一外缘面，所述第二导电垫远离所述插装空间的外缘面为第二外缘面，且所述第一外缘面和所述第二外缘面之间的最小间距大于或等于所述第二底边的长度。
在一些可选实施例中，沿垂直于所述接收基板的方向，所述第一导电垫的厚度和所述第二导电垫的厚度相等。
在一些可选实施例中，所述发光芯片的厚度为h，所述第一导电垫的厚度d的范围为0.3h≤d≤h。
在一些可选实施例中，所述第一导电垫为P型导电垫，所述第一电极为P型电极；所述第二导电垫为N型导电垫，所述第二电极为N型电极。
在一些可选实施例中，所述接收基板还设置有公共导电垫；所述公共导电垫为P型导电垫，且位于所述公共导电垫两侧且与该所述公共导电垫相邻的两个导电垫为N型导电垫；或者所述公共导电垫为N型导电垫，且位于所述公共导电垫两侧且与该所述公共导电垫相邻的两个导电垫为P型导电垫。
第二方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括所述微发光二极管器件。
本发明实施例提供的微发光二极管器件及显示面板具有以下优点；
本发明实施例提供的微发光二极管器件及显示面板，微发光二极管器件包括发光芯片及接收基板，其中，发光芯片间隔设置有第一电极和第二电极，接收基板朝向发光芯片的一侧有第一导电垫和第二导电垫，第一导电垫和第二导电垫之间形成插装空间，发光芯片可插装在插装空间内，且发光芯片嵌设在第一导电垫和第二导电垫之间，第一电极与第一导电垫接触，第二电极与第二导电垫接触。
与相关技术中发光芯片的电极与接收基板的焊点正相对设置相比，本实施例中由于发光芯片嵌设在第一导电垫和第二导电垫之间，第一导电垫、第二导电垫可对发光芯片进行夹持，从而增强发光芯片与接收基板的之间的结合力，提升了发光芯片与接收基板之间的连接效果，进而保证了发光芯片与接收基板电性连接的可靠性。
除了上面所描述的本发明解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本发明提供的微发光二极管器件及显示面板所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对本发明实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一部分实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为发明实施例提供的微发光二极管器件的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的第一导电垫、第二导电垫在接收基板上的布置示意图；
图3为本发明实施例提供的第一电极和第二电极在发光芯片的布置示意图；
图4为本发明实施例提供的发光芯片的俯视示意图；
图5为本发明实施例提供的发光芯片的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的公共导电垫在接收基板上的布置示意图；
图7为本发明实施例提供的芯片阵列与接收基板邦定示意图一；
图8为本发明实施例提供的芯片阵列与接收基板邦定示意图二；
图9为本发明实施例提供的发光芯片在临时基板上的布置示意图；
图10为本发明实施例提供的利用转印头转移芯片阵列的示意图；
图11为本发明实施例提供的利用转印头将芯片阵列绑定至接收基板的示意图。
附图标记说明：
10-原始基板； 20-发光芯片；
21-第一电极； 22-第二电极；
23-LED外延层； 24-钝化层；
30-接收基板； 31-第一导电垫；
32-第二导电垫； 33-公共导电垫；
40-临时基板； 50-转印头；
211-第一延伸部； 221-第二延伸部。
具体实施方式
在微发光二极管显示器的制作过程中，微发光二极管先在原始基板(例如蓝宝石衬底)通过外延生长的方法生长出来；然后，需将微发光二极管从原始基板上剥离，再通过转印头转移至接收基板上。接收基板设置有用于焊接微发光二极管的焊点，微发光二极管设置有第一电极和第二电极；相应的，接收基板设置有与第一电极正相对的第一焊点，以及与第二电极正相对的第二焊点；第一电极连接在第一焊点上，且第一电极与第一焊点电性连接，第二电极连接在第二焊点上，且第二电极与第二焊点电性连接。
待微发光二极管安装至接收基板之后，还需要使转印头与微发光二极管脱离；此时，应保证各焊点与电极之间具有较强的结合力，以使转印头顺利从微发光二极管上脱离。然而，采用上述焊点与微发光二极管之间的结合力较差，在转印头脱离过程中，各焊点与电极之间容易出现松动，而影响微发光二极管与接收基板之间的连接效果以及电性连接的可靠性。
为解决上述问题，本发明实施例提供了一种微发光二极管器件及显示面板，微发光二极管器件中的接收基板朝向发光芯片的一侧间隔且相对设置有第一导电垫和第二导电垫，第一导电垫和第二导电垫形成插装空间；发光芯片可插装在上述插装空间内，使发光芯片嵌设在第一导电垫与第二导电垫之间。由于发光芯片插装在第一导电垫和第二导电垫之间，第一导电垫和第二导电垫可对发光芯片进行夹持，可增强发光芯片与接收基板的之间的结合力，提升了发光芯片与接收基板之间的连接效果，进而保证了发光芯片与接收基板电性连接的可靠性。
为了使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发明保护的范围。
实施例一
图1为发明实施例提供的微发光二极管器件的结构示意图；图2为本发明实施例提供的第一导电垫、第二导电垫在接收基板上的布置示意图。
如图1和图2所示，本发明实施例提供的微发光二极管器件包括接收基板30和安装在接收基板30上的发光芯片20，接收基板30上可具有多个发光芯片20，多个发光芯片20分布在接收基板30上，且每个发光芯片20与接收基板30上的驱动电路电性连接。
接收基板30朝向发光芯片20的一侧设置有驱动电路，驱动电路包括第一导线和第二导线，其中，第一导线与第二导线的电性不同，第一导线可以是P型导线，第二导线可以是N型导线；或者，第一导线是N型导线，第二导线是P型导线；本实施例对第一导线和第二导线的所连的电极不加以限制，本实施例以第一导线为P型导线、第二导线为N型导线为例，对本实施例的方案进行介绍。
如图2所示，在接收基板30朝向发光芯片20的一侧设置有第一导电垫31和第二导电垫32，第一导电垫31和第二导电垫32可间隔并相对布置在接收基板30的表面上。其中，第一导电垫31和第二导电垫32可分别是形成在接收基板30的表面上的焊点；沿垂直于接收基板30的方向，各焊点突出接收基板30的表面并具有一定厚度，可使第一导电垫31和第二导电垫32之间形成供发光芯片20插入的插装空间。上述各焊点的制作材料为软性的低温焊料，当发光芯片20插入第一导电垫31和第二导电垫32之间时，第一导电垫31和第二导电垫32发生变形并对发光芯片20形成夹持力，同时，第一导电垫31和第二导电垫32分别与发光芯片20的电极电性连接。
根据接收基板30上布置的发光芯片20的数量及排布形状，可对第一导电垫31和第二导电垫32在接收基板30上的位置进行调整。例如，本实施例中多个发光芯片20呈阵列排布在接收基板30上，可将第一导电垫31和第二导电垫32设置成长条状导电垫。第一导电垫31和第二导电垫32可沿第一方向依次且间隔布置在接收基板30上(如图2所示的第一方向)，且第一导电垫31和第二导电垫32之间的间隔形成供发光芯片20的插装空间。
进一步的，第一导电垫31和第二导电垫32可沿第二方向布置在接收基板30上(如图2所示第二方向)，且第一导电垫31和第二导电垫32的长度方向与第二方向平行；每个第一导电垫31可与多个发光芯片20的电极连接，每个第二导电垫32可与多个发光芯片20的电极连接，可将发光芯片20快速安装至接收基板30上。
或者，多个第一导电垫31和多个第二导电垫32呈点状均匀布置在接收基板30上，相邻的第一导电垫31和第二导电垫32对应一个发光芯片20，即一个发光芯片20的电极与第一导电垫31电性连接，其另一个的电极与第二导电垫32电性连接。本实施例优选地将第一导电垫31和第二导电垫32通长布置在接收基板30上，即沿第二方向布置在接收基板30上，且第一导电垫31和第二导电垫32的长度方向与第二方向平行，便于发光芯片20与第一导电垫31和第二导电垫32对位，可提升发光芯片20安装至接收基板30的效率。
本实施例中的第一导电垫31可以是P型导电垫，第一导电垫31与第一导线电性连接，第二导电垫32可以是N型导电垫，第二导电垫32与第二导线电性连接。示例性地，可先在接收基板30朝向发光芯片20的表面形成第一导线和第二导线，第一导线和第二导线可依次布置在接收基板30上；然后，在第一导线所在的表面处形成第一导电垫31，第一导电垫31覆盖第一导线，以使两者电性连接；同样的，在第二导线所在的表面处形成第二导电垫32，第二导电垫32覆盖第一导线，以使两者电性连接。
图3为本发明实施例提供的第一电极和第二电极在发光芯片的布置示意图；图4为本发明实施例提供的发光芯片的俯视示意图；图5为本发明实施例提供的发光芯片的结构示意图。
如图3至图5所示，本实施例提供的发光芯片20包括LED外延层23和电极，LED外延层23包括N型掺杂层、P型掺杂层以及位于N型掺杂层、P型掺杂层之间的发光层；LED外延层23的底面还设置有第一电极21和第二电极22，其中，第一电极21为P型电极，并与P型掺杂层电性连接；第二电极22为N型电极，并与N型掺杂层电性连接。发光芯片20可以预先形成在原始基板10上，原始基板10可以为蓝宝石基板、硅基板、碳化硅基板或氮化镓基板中的一种。
第一电极21和第二电极22可均为透明电极，第一电极21和第二电极22为高反射电极，并且第一电极21和第二电极22可以是氧化铟锡(ITO)铝(Al)、银(Ag)、镍(Ni)、铬(Cr)、钛(Ti)、金(Au)组合而成的叠层结构。可理解的是，第一电极21和第二电极22与LED外延层23之间设置有钝化层24，位于钝化层24靠近第一电极21、第二电极22的位置设置有通道，以使第一电极21与LED外延层23的P型掺杂层电性连接，以及第二电极22与LED外延层23的N型掺杂层电性连接。
发光芯片20包括第一侧面、第二侧面、第一底面和第二底面，第一底面和第二底面位于第一侧面和第二侧面之间；其中，第一底面为发光芯片20朝向接收基板30的表面；第二底面为朝向衬底(原始基板10)的表面，且第二底面与第一底面相对，第一电极21和第二电极22位于第一底面上，第一电极21和第二电极22间隔设置在第一底面上，且第一电极21和第二电极22朝向接收基板30的表面位于同一高度上，即第一电极21和第二电极22朝向接收基板30的表面平齐设置。
当发光芯片20连接至接收基板30时，发光芯片20朝向接收基板30的一端可插装在第一导电垫31和第二导电垫32之间，第一侧面与第一导电垫31接触，第二侧面与第二导电垫32接触；第一导电垫31、第二导电垫32可对发光芯片20形成夹持力；同时，第一电极21与第一导电垫31抵接并电性连接，第二电极22与第二导电垫32抵接并电性连接。
本实施例中，接收基板30上的第一导电垫31和第二导电垫32形成供发光芯片20插入的插装空间，且发光芯片20嵌设在第一导电垫31和第二导电垫32之间，第一导电垫31和第二导电垫32可对发光芯片20进行夹持，以增强发光芯片20与接收基板30的之间的结合力，提升了发光芯片20与接收基板30之间的连接效果，进而保证了发光芯片20与接收基板30电性连接的可靠性。
另外，接收基板30的面积一般较大，考虑到微发光二极管的良率及精度限制，单次转移发光芯片20的数量及面积不易太大，需要将接收基板30划分多个区域依次安装多个发光芯片20组成的芯片阵列，以便于将发光芯片20分为多次转移至接收基板30上。
在一种实施方式中，如图7和图8所示，原始基板10上的发光芯片20可直接转移到接收基板30上，在每次将原始基板10上的芯片阵列邦定到接收基板30之后，第一导电垫31和第二导电垫32对发光芯片20的产生夹持力，无需对接收基板30和发光芯片20进行回流工艺，便可实现原始基板10的脱离。即使在分离原始基板10的过程中，会对第一导电垫31、第二导电垫32与发光芯片20的连接界面产生力的冲击；(例如用激光剥离(LLO)分离蓝宝石衬底会产生氮气冲击力)，本实施例中无需经过回流工艺，且第一导电垫31和第二导电垫32对发光芯片20的夹持力仍然能够抵抗这种冲击，而不会造成发光芯片20与接收基板30发生脱离的现象。
当接受基板30上的多个区域依次先后都完成芯片阵列的安装后，再对发光芯片20与接收基板30进行一次回流，以加强发光芯片20分别与第一导电垫31、第二导电垫32之间的电学和力学连接。相比于每个芯片阵列邦定至接收基板30后，待原始基板10需要分离时，都需要进行一次回流的方案；本实施例可大幅减少回流工艺的次数，防止接收基板30经过多次冷热冲击后性能衰退或失效。
在另一种实施方式中，如图9至图11所示，多个发光芯片20已经转移到临时基板40上的情况下，通过转印头50从临时基板40上拾取一部分发光芯片20形成芯片阵列，然后通过转印头50转移芯片阵列；当芯片阵列与接收基板30对准后，下压转印头50，并将发光芯片20邦定至接收基板30上，然后转印头50从发光芯片20第二底面脱离。重复上述过程，直至接收基板30布满发光芯片20，然后进行一次回流工艺，以加强发光芯片20分别与第一导电垫31、第二导电垫32之间的电学和力学连接；同样的，本实施例可大幅减少回流工艺的次数，防止接收基板30经过多次冷热冲击后性能衰退或失效。
在相关技术中，发光芯片20的电极与接收基板30上的导电垫(焊点)正对设置，为保证发光芯片20与接收基板30之间的结合强度，通常对发光芯片20施加较大的压力，导致焊点过度变形而使相邻两个焊点接触发生短路的现象；而本实施例中，发光芯片20插装在接收基板30的第一导电垫31和第二导电垫32之间，在对发光芯片20施加压力时，第一导电垫31和第二导电垫朝32向外侧变形，可降低第一导电垫31和第二导电垫32发生短路的风险。
继续参阅图3和图5，第一电极21和第二电极22分别位于第一底面的左右两侧，且第一电极21、第二电极22布置在第一底面的边缘位置；其中，部分第一电极21覆盖在第一底面上，部分第一电极21朝向第一侧面延伸并形成第一延伸部211，第一延伸部211覆盖至少部分第一侧面，进一步地，第一延伸部211可覆盖部分位于第一侧面的钝化层24。同样的，部分第一电极22覆盖第二底面上，部分第二电极22朝向第二侧面延伸并形成第二延伸部221，第二延伸部221覆盖至少部分第二侧面，进一步地，第二延伸部221可覆盖部分位于第二侧面上的钝化层24。
进一步的，覆盖在第二底面上的第一电极21与LED外延层23中的P型掺杂层电性连接，覆盖在第二底面上的第二电极22与LED外延层23中的N型掺杂层电性连接。本实施例中，第一电极21和第二电极22分别延伸至第一侧面和第二侧面上，当发光芯片20插装在第一导电垫31和第二导电垫32之间时，第一延伸部211可与第一导电垫31接触、第二延伸部221可与第二导电垫32接触，可增大发光芯片20上的各电极与导电垫之间的接触面积，提升发光芯片20与接收基板30之间的电性连接可靠性。
进一步的，参阅图3，本实施例提供的发光芯片20整体呈倒置的梯形，进一步地，沿垂直于第一底面所截取的面为截面，其截面的形状为等腰梯形；截面与第一底面形成底边为第一底边，截面与第二底面形成的底边为第二底边，截面与第一侧面、第二侧面形成两个侧边；第一底边、第二底边以及两个侧边围成等腰梯形。
其中，第一底边靠近接收基板30设置，第二底边与第一底边相对，第一底边的长度小于第二底边的长度。发光芯片20整体呈倒置的等腰梯形，发光芯片20的第一侧面与第一导电垫31之间的接触面为第一斜面、发光芯片20的第二侧面与第二导电垫32之间的接触面为第二斜面，可增强发光芯片20与接收基板30的夹持力；同时，也便于将发光芯片20朝向接收基板30的一端插装在第一导电垫31和第二导电垫32之间，提升发光芯片20的安装效率。
在上述实施例的基础上，为保证发光芯片20与第一导电垫31和第二导电垫32之间的夹持效果，第一导电垫31和第二导电垫32之间形成的插装空间的最小间距小于或等于第一底边的长度。当发光芯片20的朝向接收基板30的一端插入第一导电垫31和第二导电垫32之间时，发光芯片20的第一侧面与第一导电垫31接触，第二侧面与第二导电垫32接触；并且第一电极21与第一导电垫31电性连接，第二电极22与第二导电垫32电性连接。
第一导电垫31和第二导电垫32沿垂直于接收基板30的截面呈弧形或者矩形，第一导电垫31包括形成插装空间的第一内缘面以及与第一内缘面相对的第一外缘面，即第一外缘面为第一导电垫31远离插装空间的外缘面。第二导电垫32包括形成插装空间的第二内缘面以及与第二内缘面相对的第二外缘面，即第二外缘面为第二导电垫32远离插装空间的外缘面。第一外缘面和第二外缘面之间最小间距大于或等于第二底边的长度，以增大发光芯片20与第一导电垫31和第二导电垫32的接触面积。可理解的是，第一导电垫31和第二导电垫32之间的外缘面的最小间距略大于第二底边长度即可，以增加发光芯片20在接收基板30上的排布密度。
进一步的，为增大发光芯片20的侧面与第一导电垫31、第二导电垫32的接触面积，本实施例中沿垂直于接收基板30的方向，第一导电垫31的厚度和第二导电垫32的厚度相等，且第一导电垫31和第二导电垫32的厚度可设置为2至8微米；可使第一导电垫31和第二导电垫32的表面平齐，可增强发光芯片20与第一导电垫31、第二导电垫32结合面的平整性，提升发光芯片20与接收基板30之间的连接效果。
第一导电垫31、第二导电垫32的厚度可小于发光芯片20的厚度，但也需保证第一导电垫31和第二导电垫32与发光芯片20之间具有一定的插接深度，以保证发光芯片20与接收基板30之间具有良好的夹持效果及电性连接稳定性。本实施例中若发光芯片的厚度为h，第一导电垫31和第二导电垫32的厚度为d，则第一导电垫31与第二导电垫32的厚度范围可以是0.3h≤d≤h，在保证发光芯片20与接收基板30的连接稳定性的同时，可以节约制作成本。
实施例二
图6为本发明实施例提供的公共导电垫在接收基板上的布置示意图。
如图6所示，本实施例提供了另一种导电垫在接收基板30上的排布方式，接收基板30上还设置有公共导电垫33，位于公共导电垫33两侧且与其相邻的两个导电垫的电性相同。
具体地，可在接收基板30上成对设置有P型焊点a、N型焊点b，可选地在一对焊点中的N型焊点b的一侧设置冗余焊点c，冗余焊点c可作为P型焊点使用；位于P型焊点a与冗余焊点c之间的N型焊点b可作为公共焊点，公共焊点与冗余焊点c配对构成冗余焊点对。
当P型、N型焊点对之间绑定的发光芯片20失效时(例如，图6中左侧发光芯片20失效时)，可以在冗余焊点对b、c之间补充一个发光芯片20，调整补充的发光芯片20的位置，使发光芯片20的第一电极21与P型焊点连接，第二电极22与N型焊点连接。即在接收基板30上布置有N型的公共导电垫33，则位于其两侧且与其相邻的导电垫为P型导电垫。
反之，若在接收基板30上布置有P型的公共导电垫33，则位于其两侧且与其相邻的导电垫为N型导电垫,此处不再赘述。本实施例中在接收基板30上设置有公共导电垫33，公共导电垫33在接收基板30上的正投影面积略大于位于其两侧的导电垫的正投影面积，可便于在公共导电垫上布置两列发光芯片20；节省了导电垫的布置空间，可充分利用接收基板30的表面积，增大发光芯片20的排布密度。
本发明另一实施例中还提供了一种显示面板，包括上述微发光二极管器件。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种微发光二极管器件，其特征在于,包括发光芯片和接收基板；
所述发光芯片朝向所述接收基板的一侧设置有第一电极和第二电极；
所述接收基板朝向所述发光芯片的表面间隔且相对设置有第一导电垫和第二导电垫，所述第一导电垫和所述第二导电垫之间形成插装空间；
所述发光芯片插装在所述插装空间内，且所述第一电极与所述第一导电垫电性连接，所述第二电极与所述第二导电垫电性连接。
2.根据权利要求1所述的微发光二极管器件，其特征在于，所述发光芯片包括第一侧面、第二侧面以及位于所述第一侧面和所述第二侧面之间的第一底面；
所述第一底面为所述发光芯片朝向所述接收基板的表面，所述第一电极和所述第二电极位于所述第一底面上。
3.根据权利要求2所述的微发光二极管器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极分别位于所述第一底面的两个相对的边缘；
所述第一电极具有覆盖至少部分所述第一侧面的第一延伸部，所述第一延伸部与所述第一导电垫抵接；
所述第二电极具有覆盖至少部分所述第二侧面的第二延伸部，所述第二延伸部与所述第二导电垫抵接。
4.根据权利要求2所述的微发光二极管器件，其特征在于，所述发光芯片还包括与所述第一底面相对的第二底面；
以垂直于所述第一底面的面为截面，所述发光芯片的截面形状为等腰梯形；
所述等腰梯形的第一底边的长度小于其第二底边的长度，所述第一底边位于所述第一底面上，所述第二底边位于所述第二底面上。
5.根据权利要求4所述的微发光二极管器件，其特征在于，
所述插装空间的最小间距小于或等于第一底边的长度；
所述第一导电垫远离所述插装空间的外缘面为第一外缘面，所述第二导电垫远离所述插装空间的外缘面为第二外缘面，且所述第一外缘面和所述第二外缘面之间的最小间距大于或等于所述第二底边的长度。
6.根据权利要求1至5任一项所述的微发光二极管器件，其特征在于，沿垂直于所述接收基板的方向，所述第一导电垫的厚度和所述第二导电垫的厚度相等。
7.根据权利要求6所述的微发光二极管器件，其特征在于，所述发光芯片的厚度为h，所述第一导电垫、第二导电垫的厚度d的范围为0.3h≤d≤h。
8.根据权利要求1所述的微发光二极管器件，其特征在于，所述第一导电垫为P型导电垫，所述第一电极为P型电极；
所述第二导电垫为N型导电垫，所述第二电极为N型电极。
9.根据权利要求1所述的微发光二极管器件，其特征在于，所述接收基板还设置有公共导电垫；
所述公共导电垫为P型导电垫，且位于所述公共导电垫两侧且与该所述公共导电垫相邻的两个导电垫为N型导电垫；或者
所述公共导电垫为N型导电垫，且位于所述公共导电垫两侧且与该所述公共导电垫相邻的两个导电垫为P型导电垫。
10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的微发光二极管器件。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103258946A (zh) * 2012-02-17 2013-08-21 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管灯条及其制造方法
CN103311261A (zh) * 2013-05-24 2013-09-18 安徽三安光电有限公司 集成led发光器件及其制作方法
US20140284639A1 (en) * 2013-03-21 2014-09-25 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light emitting diode package
CN105009314A (zh) * 2013-02-27 2015-10-28 日亚化学工业株式会社 发光装置、发光元件安装方法以及发光元件用安装装置
KR20170045067A (ko) * 2015-10-16 2017-04-26 서울바이오시스 주식회사 소형 발광 다이오드 칩, 이를 포함하는 발광 장치 및 전자 장치
US20180102465A1 (en) * 2016-03-14 2018-04-12 Boe Technology Group Co., Ltd. A light emitting diode, a light emitting device and a display device
CN108803149A (zh) * 2018-07-20 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 面光源及其制作方法以及液晶显示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103258946A (zh) * 2012-02-17 2013-08-21 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 发光二极管灯条及其制造方法
CN105009314A (zh) * 2013-02-27 2015-10-28 日亚化学工业株式会社 发光装置、发光元件安装方法以及发光元件用安装装置
US20140284639A1 (en) * 2013-03-21 2014-09-25 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light emitting diode package
CN103311261A (zh) * 2013-05-24 2013-09-18 安徽三安光电有限公司 集成led发光器件及其制作方法
KR20170045067A (ko) * 2015-10-16 2017-04-26 서울바이오시스 주식회사 소형 발광 다이오드 칩, 이를 포함하는 발광 장치 및 전자 장치
US20180102465A1 (en) * 2016-03-14 2018-04-12 Boe Technology Group Co., Ltd. A light emitting diode, a light emitting device and a display device
CN108803149A (zh) * 2018-07-20 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 面光源及其制作方法以及液晶显示装置

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