CN113822403A - 多功能sd卡 - Google Patents
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Abstract
一种多存储器SD卡包含具有标准SD卡的外部尺寸的罩壳。连同各自根据SD标准的两组单独的电接触件一起提供两个单独的SiP SD封装,以在单SD卡束中提供两张SD卡的功能和性能。所述SiP封装二者可均为完整大小SD格式,或者其中一个可以是微米或纳米SD卡。第一和第二SiP SD封装具有相同或不同的容量和/或速度,且微米或纳米SiP封装为永久的或可移除的。板载电池和/或PCB也可容纳于所述罩壳中以用于配置WiFi/RAID或备份。
Description
技术领域
本发明大体上涉及可移除式非易失性存储卡,确切地说SD卡。
背景技术
标准SD(安全数字)型卡片是用于在众多消费者和工业便携式装置中使用以用于可移除快闪存储器应用的非易失性存储卡格式。SD协会阐述业内最新的SD标准且使那些标准可公开获得。那些标准限定针对多种不同应用的需要定制的多种存储卡存储容量和速度格式,且包含SDSC、SDHC、SDXC和SDUC。SD卡的封装大小也实现了标准化。完整大小SD卡的外部尺寸(以mm计)为32x24x2.1。还存在具有15x11x1.0的标准尺寸(以mm计)的微米大小的型式的SD卡,以及纳米大小的SD卡。
标准SD卡包含容纳于(具有上文提到的标准大小的)平坦的薄矩形罩壳内的SD存储器。图1示出具有安置于罩壳16的腔14内的SD存储器12的常规SD卡10。SD存储器12占据标准罩壳16内的不足整个空间或腔14。在图1中将看到,SD存储器12占据SD卡罩壳腔的不足上半部,下半部被罩壳的塑料结构占据。SD存储器12经由安置在上面安装SD存储器12的板20上的一组外部电接触件18向罩壳16外部通信。接触件18在连接到选定电子装置的一组对应的接触件时为操作性的,用于在SD存储器12和所述装置之间来回传递数据。
当前SD卡,无论大小、平台或容量如何,都具有经由单组标准化SD外部接触件向装置外部通信的单个标准化SD存储器。具有高容量但缓慢速度的卡片可能不适于需要高速度的应用(例如视频)。另一方面,具有高速度的卡片可能不具有对于一些存储需求而言合适的容量。因此,需要两个性能量度(速度和容量)的用户可能必须购买和携带两张单独的SD卡。当用户需要完整大小SD卡和微米或纳米SD卡两者时,也存在限制,此时需要两张单独的卡片。
发明内容
一种电子电路卡片包含大体上平坦的卡片形罩壳,其中容纳具有遵循SD卡标准的协议的第一组电子SD存储器电路。第一组电接触件安置在罩壳外部在其第一位置处,具有遵循SD卡标准的接触图案。提供与所述第一组电子SD存储器电路分离的第二组电子SD存储器电路。还存在不同于所述第一组电接触件且安置在罩壳外部在其第二位置处的第二组电接触件。
根据一实施例,所述卡片在单个封装中提供双SD卡能力。这样的双卡具有两个SD存储器电路卡片,其容纳于罩壳的两个不同区中且各自与一组相关联的外部电接触件通信。此卡片有效地在根据SD标准的单个罩壳的界限内提供两张SD卡。
根据另一方面,这样的双SD卡可具有拥有相同或不同容量和/或速度的SD存储卡,(例如,拥有相同速度的256GB存储卡和128GB存储器;或12.5MB/s下的256GB多层级单元(MLC)存储器和25GB/s下的32GB高速单层级单元(SLC)存储器)。
根据另一实施例,完整大小格式的SD卡可包含容纳于罩壳的一部分中且具有根据完整大小SD格式的第一组外部电接触件的完整大小格式的第一SD存储卡,且可进一步包含具有微米或纳米SD标准的第二组相关联接触件的微米或纳米格式的SD存储卡。
根据另一方面,微米或纳米存储卡可以是可从罩壳移除的。
根据另一方面,可存在一种开关,其在第一位置中操作以将所述第一组电接触件耦合到第一SD存储卡,且在第二位置中操作以将所述第一组电接触件耦合到第二微米或纳米SD存储卡。
根据另一方面,具有完整大小SD存储卡和微米或纳米存储卡的SD卡可进一步包含容纳于罩壳内在未被两张存储卡占据的区域中的电池。
根据另一方面,具有完整大小SD存储卡、微米或纳米存储卡和任选的电池的SD卡可进一步包含容纳于罩壳内在未被两张存储卡和任选的电池占据的区域中的印刷电路板(PCB)。
附图说明
结合详细图式和描述内容考虑,将更好地理解本发明的这些和其它方面和特征,其中:
图1是现有技术完整大小SD卡的平面图,其中一些部分已分离;
图2是根据一实施例的双SD卡的平面图;
图3是根据另一实施例的双SD卡的平面图;
图4A是安装了微米或纳米卡片的图3的卡片的平面图;以及
图4B是图4A的双卡片的仰视图。
具体实施方式
根据本发明的第一实施例的电子电路卡片大体在图2中的30处示出,且包含外部尺寸符合SD协会的标准的卡片壳体、外壳或罩壳32。完整大小SD卡的标准尺寸(以mm计)为32x24x2.1。微米SD卡的标准为15x11x1.0。在所展示的实施例中,罩壳32遵循完整大小SD卡标准,且因此遵循其外部尺寸和关于与接收SD卡的便携式消费者及市售装置配对的总体功能性。
卡片30包含第一组电子SD存储器电路34。此还可称为第一SiP封装、第一SiP SD卡或简称为卡片1,且将理解这些术语表示且涵盖使SD卡能够在卡片和其中将安装卡片的外部装置之间根据SD格式存储和检索数据所需的构造和功能组件。
SD卡30进一步包含第一组电接触件36。这些电接触件是根据SD标准且因此具有相对于罩壳32的预定图案和放置,使得第一SiP SD卡34能够在罩壳外部与选定装置(例如,计算机或数码相机等)通信且在其间交换数据。接触件36包含在上面安装SiP SD存储卡34的板38上。SiP SD卡34和板38的一部分容纳于罩壳32内,且大体占据如图2中所示出的罩壳内的空间的上半部。应理解,接触件36暴露于罩壳32外部以啮合其中将安装SD卡30的装置的相应接触件(未图示)。
罩壳32具有内部空间或腔40,其中安置第一SiP封装34。罩壳32的腔40具有30x21.75的尺寸(以mm计)。第一SiP封装34(包含板38)的尺寸具有小于腔40的尺寸的尺寸。更确切地说,第一SiP封装34的尺寸(以mm计)为10.1x21.35。第一SiP封装34因此占据腔40的不足全部,且可布置以便占据腔40中的可用空间的50%或更小。如图2中所示出,第一SiP封装可占据腔40的上半部40a或更小,其中剩余的下半部40b未被第一SiP封装34占据。
卡片30包含与第一组电子SD存储器电路34分离的第二组电子SD存储器电路44,以及不同于第一组电接触件36的第二组电接触件46。该命名法应理解为如结合第一SiP封装36所使用般应用。根据图2的实施例,第二组电子存储器SD电路是根据SD标准的另一SiP封装。其可等同于第一SiP封装或可以是与SD标准SiP封装系列不同的SiP封装。包含在上面安装第二接触件36和第二存储器34的第二板38。第二SiP封装(与第一SiP封装一样)可容纳于罩壳32中,但在未被第一SiP封装34占据的可用剩余空间中。如图2中所示出,第二SiP封装44优选地占据腔40的下半部40b或更小,且因此与第一SiP封装34相对定位。第二组接触件46在罩壳32外部且安置于罩壳32的与第一组接触件36相对的末端处。接触件46具有与接触件36的旋转对称性。将通过使第一或第二组接触件与选定装置连接以访问第一或第二SiP封装中的任一个来使用卡片30。卡片可调头且重新安装以访问另一SiP封装。
第二SiP封装46可与第一SiP封装相同或不同,意味着第一和第二SD存储卡36、46可具有相同或不同的存储容量和/或速度。举例来说,第一SiP封装36可以是256GB SDSC,其具有12.5GB/s的标准速度,且第二SiP封装46可同样为具有相同速度的256GB SDSC存储器。因此,此SD卡将在单个封装大小中具有双倍容量。
双存储器SD卡30的另一实施例包含第一SiP封装36作为较高容量/较慢速度存储卡,与采用较高速度/较低容量存储卡的形式的第二SiP封装46组合。举例来说,卡片1可为上文描述的256GB卡,与具有25GB/s的速度的32GB HS SLC卡组合。此组合将使消费者能够将例如文档等数据存储在卡片1上,同时使用较高速度卡片2用于照片或视频-均在单卡封装格式内。此卡片将不仅为双重存储,而且在单SD卡束中实现双重用途。
所属领域的技术人员将认识到,其它组合是可能的,目标是在单SD卡封装中有效地提供两张SD卡,同时大小、形状、功能性和操作仍符合SD标准,但在单SD卡的封装大小中提供两张功能卡片,且SD存储器可以具有相同或不同的容量和速度以满足用户的需求。SDSC、SDHC、SDXC和SDUC平台预期以所有组合的形式作为用于卡片1和/或卡片2的格式。卡片1和/或卡片2的其它选项包含SLC、MLC、TLC和QLC SD卡。
图3以及4A和4B示出多功能SD卡的另一实施例,其中如前述实施例中所使用般采用类似术语和理解。卡片50具有根据完整大小SD标准设定大小的罩壳52,且包含可与用于先前实施例的第一SiP封装36的电子存储器电路相同的根据SD标准的第一组电子存储器电路,且可进一步包含与存储卡54一起包含在板58上的相同的第一电接触件56。第一SiP封装可同样占据罩壳52的腔60的半部或更小,且可如所示占据上半部,其中接触件56安置在外部。
第二SiP封装64在此实施例中不同于先前实施例的第二SiP封装44之处在于,其可具有微米或纳米SD卡格式。微米SD SiP卡片具有15x11x1.0的尺寸(以mm计)。腔中未被第一SiP封装54占据的可用空间为21.35x13.98,这对于容纳第二SiP封装微米或纳米SD卡64来说绰绰有余。
卡片50具有第二组电接触件66,其与第二SiP封装连接且大小和图案是根据SD标准(即,微米或纳米SD格式)。第二SiP封装64可以不可移除的方式永久地附接和容纳在罩壳52内,或第二SiP封装可以是可选择性移除的,如图3以及4A和4B中所示出。基于其大小,第二SiP占据腔60的下半部的不足全部。
卡片50包含开关68,其导线电学上且选择性地使第二电接触件66与第一电接触件56耦合。在第一位置中,开关操作以使第一电接触件56与第一SiP封装54耦合以在第一SiP封装54与外部的选定装置之间来回传递数据。在第二位置中,第一和第二电接触件耦合,且经由第一组电接触件在第二SiP与外部之间来回传递数据。
显然,鉴于以上教示,本发明的许多修改和变化是可能的。因此,应理解,本发明可以按除具体描述的方式外的其它方式实践,同时仍在本发明的范围内。
Claims (20)
1.一种电子电路卡片,其包括:
大体上平坦的卡片形罩壳;
第一组电子安全数字(SD)存储器电路,其容纳于所述罩壳内,具有遵循SD卡标准的协议,且包含安置在所述罩壳外部在其第一位置处的具有遵循SD卡标准的接触图案的第一组电接触件;以及
第二组电子SD存储器电路,其与所述第一组电子SD存储器电路分离,且包含不同于所述第一组电接触件并安置在所述罩壳外部在其第二位置处的第二组电接触件。
2.根据权利要求1所述的卡片,其中所述第一和第二组电子存储器电路安置于所述罩壳的物理上分离的区中。
3.根据权利要求1所述的卡片,其中所述第一和第二组电子SD存储器电路具有相同的容量和/或速度。
4.根据权利要求3所述的卡片,其中所述第一和第二组电子SD存储器电路具有不同的容量和/或速度。
5.根据权利要求1所述的卡片,其中所述第一和第二组电接触件遵循所述SD卡标准。
6.根据权利要求1所述的卡片,其中所述罩壳是根据完整大小SD卡标准,所述第一组电子SD存储器电路是根据完整大小SD卡标准,且所述第二组电子SD存储器电路是根据微米或纳米SD卡标准。
7.根据权利要求6所述的卡片,其中所述第二组电接触件是根据所述微米或纳米SD标准,且包含开关,所述开关在第一位置中操作以将所述第一组电接触件耦合到所述第一组电子SD存储器电路,且在第二位置中操作以将所述第一组电接触件耦合到所述第二组SD存储器电路。
8.根据权利要求7所述的卡片,其包含容纳于所述罩壳内的电池。
9.根据权利要求8所述的卡片,其包含容纳于所述罩壳内的PCB。
10.一种安全数字(SD)卡,其包括:
罩壳,其是根据标准SD卡封装大小;
第一SiP封装,其安置于所述罩壳内;
第二SiP封装,其由所述罩壳承载在与所述第一SiP封装分离的位置处;
电接触件,其在所述罩壳的外表面上,操作以经由所述电接触件在所述SiP封装和所述卡片的外部之间传递数据。
11.根据权利要求10所述的SD卡,其中所述SiP封装二者均采用SD协议,且所述电接触件包含在所述罩壳的第一端处的与所述第一SiP封装通信的第一组电接触件,以及在所述罩壳的相对端处的与所述第二SiP封装通信的第二组电接触件。
12.根据权利要求11所述的SD卡,其中所述第一SiP封装具有第一存储器容量和速度,且所述第二SiP封装具有与所述第一存储器容量相同或不同的第二存储器容量以及与所述第一速度相同或不同的第二速度。
13.根据权利要求12所述的SD卡,其中所述第一SiP封装具有预定存储容量和速度,且所述第二SiP封装具有相比于所述第一SiP封装相对较低的存储容量但相对较高的速度。
14.根据权利要求10所述的SD卡,其中所述第一组电接触件具有与所述第二组电接触件的旋转对称性。
15.根据权利要求10所述的SD卡,其中所述SiP封装中的至少一个具有SLC高速缓存协议。
16.根据权利要求10所述的SD卡,其中所述第一SiP封装具有完整大小SD协议,且所述第二SiP具有微米SD或纳米SD协议。
17.根据权利要求16所述的SD卡,其中所述电接触件包含具有根据完整大小SD协议的图案的第一组电接触件,且所述第二组电接触件具有根据所述微米或纳米SD协议的图案。
18.根据权利要求17所述的SD卡,其中所述微米或纳米SD SiP封装电耦合到所述第二组电接触件,且包含开关,所述开关在第一位置中操作以将所述第一组电接触件选择性地耦合到所述第一SD SiP封装以用于经由所述第一组电接触件在所述第一SD SiP封装和所述卡片的外部之间传递数据,且在第二位置中操作以使所述第一组电接触件选择性地与所述第二组电接触件耦合以用于经由所述第一组电接触件在所述第二微米或纳米SD SiP封装和所述卡片的外部之间传递数据,且在所述罩壳内包含电池和PCB中的至少一个。
19.根据权利要求17所述的SD卡,其中所述微米或纳米SD SiP封装可选择性从所述罩壳移除。
20.一种多存储器安全数字(SD)卡,其包括:
SD卡罩壳,其是根据完整大小SD标准;
第一SD SiP存储器,其是根据所述完整大小SD标准且占据所述罩壳的第一部分,并与根据所述SD标准的第一组外部电接触件通信;以及
第二SD SiP存储器,其占据所述罩壳的第二部分并与根据所述SD标准的第二组电接触件通信。
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