CN113809100B - 显示面板、显示装置和控制方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板、显示装置和控制方法。显示面板包括显示区、布线区,布线区邻接于显示区,显示面板包括阵列基板和触控层,触控层在所述显示区设置有触控电极,阵列基板在布线区设置有接触电阻、选择开关和与触控电极连接的第一走线,选择开关用于控制接触电阻可选择地串联接入第一走线。本申请通过在布线区设置接触电阻以及选择开关,使得选择开关控制接触电阻可选择的串联接入第一走线,从而可以调节降低触控信号对整机的电磁干扰,同时,可以避免在柔性电路板上外接电阻,减小了柔性电路板的面积,降低了成本。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是一种显示面板、显示装置和控制方法。
背景技术
随着消费者对屏幕感官追求的不断提高,以及面板行业技术的不断进步,窄边框的设计越来越受到青睐。
当前,柔性AMOLED显示产品通常采用Pad Bending或COF Bending工艺以实现窄边框化,而达到提升显示区屏占比的目的。然而,由于弯折区较为脆弱,完成弯折工艺后,不能再贴合EMI及IC Cover Tape等电磁屏蔽保护膜,因此电学上弯折区实际上无电磁屏蔽层,导致对整机信号的电磁干扰较强。
发明内容
本申请旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本申请提供了一种显示面板、显示装置和显示面板的控制方法。
本申请实施方式的显示面板,所述显示面板包括显示区、布线区,所述布线区邻接于所述显示区,所述显示面板包括阵列基板和触控层,所述触控层在所述显示区设置有触控电极,所述阵列基板在所述布线区设置有接触电阻、选择开关和与所述触控电极连接的第一走线,所述选择开关用于控制所述接触电阻可选择地串联接入所述第一走线。
在某些实施方式中,所述阵列基板包括依次层叠的衬底基板、缓冲层、有源层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层、层间介质层和源漏极层,所述第一走线位于所述源漏极层,所述接触电阻位于所述栅极层,所述第一走线通过过孔连接所述栅极层。
在某些实施方式中,所述选择开关包括第一传输门电路,所述接触电阻串联在所述第一走线,所述第一传输门电路和所述接触电阻并联,所述第一传输门电路包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管为P型晶体管,所述第二晶体管为N型晶体管,所述第一晶体管的栅极连接第一控制线,所述第二晶体管的栅极连接第二控制线,所述第一晶体管的第一极和所述第二晶体管的第一极连接所述第一传输门电路的第一信号端,所述第一晶体管的第二极和所述第二晶体管的第二极连接所述第一传输门电路的第二信号端。
在某些实施方式中,所述第一控制线和所述第二控制线位于所述栅极层,所述第一控制线和所述第二控制线沿第一方向延伸且相互间隔设置,所述第一信号端的第一连接导线和所述第二信号端的第二连接导线沿第二方向延伸,所述有源层包括第一类型有源层和第二类型有源层,所述第一连接导线通过过孔连所述第一类型有源层的第一极和所述第二类型有源层的第一极,所述第二连接导线通过过孔连接所述第一类型有源层的第二极和所述第二类型有源层的第二极。
在某些实施方式中,所述选择开关包括第一传输门电路和第二传输门电路,所述第一传输门电路包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管为P型晶体管,所述第二晶体管为N型晶体管,所述第一晶体管的栅极连接第二控制线,所述第二晶体管的栅极连接第一控制线,所述第一晶体管的第一极和所述第二晶体管的第一极连接所述第一传输门电路的第一信号端,所述第一晶体管的第二极和所述第二晶体管的第二极连接所述第一传输门电路的第二信号端;
所述第二传输门电路和所述接触电阻依次串联在所述第一走线,所述第二传输门电路包括第三晶体管和第四晶体管,所述第三晶体管为P型晶体管,所述第四晶体管为N型晶体管,所述第三晶体管的栅极连接第一控制线,所述第四晶体管的栅极连接第二控制线,所述第三晶体管的第一极和所述第四晶体管的第一极连接所述第一传输门电路的第一信号端,所述第三晶体管的第二极和所述第四晶体管的第二极连接所述接触电阻的第一端,所述接触电阻的第二端连接所述第一传输门电路的第二信号端。
在某些实施方式中,所述第一控制线和所述第二控制线位于所述栅极层且相互间隔设置,所述第一控制线包括间隔设置且沿第一方向延伸的第一子线段和第二子线段,所述源漏极层包括第一连接电极,所述第一连接电极导通所述第一子线段和所述第二子线段;
所述第二控制线包括间隔设置且沿所述第一方向延伸的第三子线段和第四子线段,所述源漏极层包括第二连接电极,所述第二连接电极导通所述第三子线段和所述第四子线段;
所述第一走线包括沿第二方向延伸的第一连接导线和第二连接导线,所述有源层包括第一类型有源层和第二类型有源层,所述第一连接导线通过过孔连接所述第一类型有源层的第一极和所述第二类型有源层的第一极,所述第二连接导线通过过孔连接所述第一类型有源层的第二极和所述第二类型有源层的第二极。
在某些实施方式中,所述触控层包括感应电极,所述阵列基板在所述布线区设置有与所述感应电极连接的第二走线,所述第一走线和所述第二走线同层设置。
在某些实施方式中,所述接触电阻的阻值为510欧姆-610欧姆。
在某些实施方式中,所述显示面板包括弯折区和绑定区,所述弯折区连接所述布线区和所述绑定区。
本申请实施的显示装置,包括上述任一实施方式所述的显示面板。
本申请实施的控制方法,用于上述任意一实施方式所述的显示面板,所述控制方法包括:
检测所述触控电极的触控信号对整机信号的干扰值;
在所述干扰值超过预设阈值的情况下,向所述选择开关提供第一控制信号以控制所述接触电阻串联接入所述第一走线;
在所述干扰值未超过所述预设阈值的情况下,向所述选择开关提供第二控制信号以控制所述接触电阻不接入所述第一走线。
本申请实施方式的显示面板、显示装置和控制方法中,通过阵列基板在布线区设置接触电阻、选择开关和与触控电极连接的第一走线,并使得选择开关用于控制接触电阻可选择地串联接入第一走线。如此,通过接触电阻可有效地消除第一走线产生的电磁干扰,降低了第一走线对整个显示面板造成的电磁干扰,而通过选择开关对接触电阻进行控制,使得接触电阻可选择地串联接入第一走线,可以避免在柔性电路板上外接电阻,减小了柔性电路板的面积,降低了成本。
本申请的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施方式的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是相关技术中的显示面板的结构示意图。
图2是本申请实施方式的显示面板的模块示意图。
图3是本申请实施方式的显示面板的模块示意图。
图4是本申请实施方式的选择开关的连接示意图。
图5是本申请实施方式的选择开关的连接示意图。
图6是本申请实施方式的控制选择开关的场景示意图。
图7是本申请实施方式的选择开关的连接示意图。
图8是本申请实施方式的控制选择开关的场景示意图。
图9是本申请实施方式的显示面板的部分横截示意图。
图10是本申请实施方式的选择开关的电路连接示意图。
图11是本申请实施方式的选择开关的电路连接示意图。
图12是本申请实施方式的控制方法的流程示意图。
主要元件符号说明:
显示面板10、边框区11、布线区111、绑定区112、显示区12、触控电极121、感应电极122;
接触电阻R、选择开关Switch、第一走线101、第一子走线1011、第二子走线1012、第三子走线1013、第二走线102、第一连接导线103、第二连接导线104、第一控制线S、第一子线段S1、第二子线段S2、第二控制线S’、第三子线段S’1、第四子线段S’2;
第一晶体管TFT1、第二晶体管TFT2、第三晶体管TFT3、第四晶体管TFT4、
电路板20、触控芯片21;
阵列基板110、衬底基板Substrate、缓冲层Buffer、有源层Active、第一绝缘层GI1、栅极层Gate、第二绝缘层GI2、层间介质层ILD、源漏极层SD、触控层120;
显示装置100。
具体实施方式
下面详细描述本申请的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本申请,而不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
需要说明的是,本申请实施方式中,采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件。这里采用的晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的,所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中,为了区分晶体管除栅极之外的两极,直接描述了其中一极为第一极,另一极为第二极,所以本公开实施例中全部或部分晶体管的源极和漏极根据需要是可以互换的。
此外,按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型和P型晶体管,其中,P型晶体管的栅极接收到低电平信号时,晶体管的第一极和第二极导通,栅极接收到高电平信号时,晶体管的第一极和第二极关断。N型晶体管的栅极接收到高电平信号时,晶体管的第一极和第二极导通,栅极接收到低电平信号时,晶体管的第一极和第二极关断。
随着消费者对屏幕感官追求的不断提高,以及面板行业技术的不断进步,窄边框的设计越来越受到青睐。当前,柔性有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organiclight-emitting diode,AMOLED)显示产品通常采用Pad Bending或COF Bending工艺以实现窄边框化,以达到提升显示区屏占比的目的。
Pad Bending技术是指对显示基板进行异形切割,去除显示基板的测试区,并将Pad区弯折至显示基板的背面,达到减小边框宽度的目的。COF Bending技术是指将IC芯片集成在柔性电路板FPC上,然后弯折至显示基板下方,基板的正面会有COF引脚(pin)。
请结合图1,由于弯折区较为脆弱,完成弯折工艺后,弯折区不能再贴合EMI及ICCover Tape等电磁屏蔽保护膜,因此电学上弯折区实际上无电磁屏蔽层,因此在弯折区中的走线(例如Tx走线或Rx走线)产生的触控信号会对整机端信号造成电磁干扰(Electromagnetic Interference,EMI)。
相关技术中,可在柔性电路板上设置与Tx走线串联的电阻,可优化2~3dB的触控EMI干扰。可以理解地,串联的电阻,跟信号线的分布电容以及负载的输入电容等形成一个RC电路,这样就会降低信号边沿的陡峭程度。如果一个信号的边沿非常陡峭,含有大量的高频成分,将会辐射干扰,另外,也容易产生过冲。并且,因为信号源的阻抗很低,跟信号线之间阻抗不匹配,串上一个电阻后,可改善匹配情况,以减少反射,避免振荡等。然而,在柔性电路板中若每条Tx走线上增加电阻,一方面增加物料清单(Bill of Materials,BOM)成本,另一方面会增加柔性电路板的面积,使得原本已经拥挤的柔性电路板器件排布更加拥挤。因此,如何能在不新增BOM成本和FPC空间占用的前提下增加Tx串联电阻,将是解决触控电磁干扰信号对整机信号成了亟待解决的问题。
有鉴于此,请参阅图2和图3,本申请提供了一种显示装置100,显示装置100包括显示面板10。显示面板10包括显示区12和边框区11,边框区11邻接于显示区12,显示面板10包括阵列基板110和触控层120,触控层120在显示区设置有触控电极121,阵列基板110在边框区11设置有接触电阻R、选择开关Switch和与触控电极121连接的第一走线(Tx走线)101,选择开关Switch用于控制接触电阻R可选择地串联接入第一走线101。
本申请的显示装置100和显示面板10中,通过阵列基板110的布线区111设置接触电阻R、选择开关Switch和与触控电极121连接的第一走线,并使得选择开关Switch用于控制接触电阻R可选择地串联接入第一走线101。如此,接触电阻R可以跟第一走线的分布电容以及负载的输入电容等形成一个RC电路,这样就会降低触控信号边沿的陡峭程度。并且,可改善信号源之间阻抗匹配情况,以减少反射,避免振荡等。从而可有效地降低第一走线101产生的触控电磁干扰,降低对整个显示面板10造成影响,而选择开关Switch可实时控制接触电阻R的接入与否,实现兼顾降低EMI干扰和保障触控信号稳定的功能,并且,一方面,避免在电路板20上新增电阻,降低了物流清单成本,另一方面,避免了电路板20面积增加,进一步地缩小了显示装置100的体积。
具体地,显示装置100可以为电视、计算机、手机、平板或智能手表等智能可穿戴设备等电子设备。例如,在一些示例中,显示装置100为手机,则显示面板10是指手机屏幕。
显示装置100包括显示面板10和电路板20。显示面板10可以为AMOLED显示面板,AMOLED显示面板是指有源矩阵驱动的OLED显示面板。电路板20可以是柔性印刷电路板(FPC)或刚性印刷电路板(PCBA),例如,在本实施方式中,电路板20可以是柔性印刷电路板。电路板20设置于显示面板10上,电路板20上设置有触控芯片21(Touch IC),触控芯片21与显示面板10电连接,用于触控芯片21用于向显示面板10提供触控信号以及控制信号。
请进一步地结合图2,显示面板10可以以不发光区域和发光区域进行划分,分成边框区11和显示区12两个区域。其中,边框区11包括有布线区111、绑定区112和弯折区(图中未示出),布线区111与显示区12邻接,弯折区连接布线区111和绑定区112。电路板20绑定于绑定区112上,位于电路板20的触控芯片21用于分别向布线区111、显示区12的触控电极121传输触控信号以及接收感应电极122产生的感应信号。
请进一步地结合图3和图4,布线区111内设置有多个接触电阻R、选择开关Switch和第一走线101。
第一走线101为Tx走线,用于向触控电极121传输触控信号,第一走线101包括有第一子走线1011、第二子走线1012和第三子走线1013。其中,第一子走线1011和第二子走线1012并联在第三子走线1013上,第三子走线1013的一端自布线区111延伸至显示区12中。接触电阻R位于第一子走线1011上,选择开关Switch的一端连接柔性电路板的触控芯片21,另一端选择连接第一子走线1011或第二子走线1012。
选择开关Switch可以根据触控芯片21的控制信号实现连接第一子走线1011或第二子走线1012。
具体地,控制信号包括第一控制信号和第二控制信号,其中,第一控制信号用于控制选择开关Switch连接第一子走线1011,第二控制信号用于控制选择开关Switch连接第二子走线1012。
可以理解地,当选择开关Switch连接第一子走线1011时,由于接触电阻R串联于第一子走线1011,触控芯片21发出的触控信号经选择开关Switch、接触电阻R以及第一走线101上传输至显示区12。而当选择开关Switch连接第二子走线1012时,则接触电阻R不串联于第一走线101上,触控芯片21发出的触控信号由选择开关Switch直接传输至第一走线101上。
第一走线101的电阻为Rl,接触电阻R的电阻值为Rc。其中,接触电阻R的电阻值Rc可以为510欧姆-610欧姆。例如,接触电阻R的电阻值Rc可以为560欧姆。
在某些实施方式中,当检测触控信号对显示面板10的整机信号(其它信号)干扰分贝超过预设阈值时,生成第一控制信号,控制选择开关Switch连接第一子走线1011,使得触控信号流经串联电阻Rc,此时,第一走线101中实际电阻R=Rc+Rl,如此,使得触控信号对整机信号干扰减弱。当显示面板10的触控功能处于正常模式时,触控芯片21生成第二控制信号,控制选择开关Switch连接第二子走线1012,使得触控芯片21的触控信号不流经接触电阻R,此时,第一走线101实际电阻R=Rl。如此,在触控信号通过第一走线101传输时产生的电磁干扰较强时,可通过在第一走线101串联接触电阻R将触控信号强度减弱,从而避免了对其它信号造成干扰,并在显示面板10的触控功能处于正常模式时,触控芯片21生成第二控制信号,控制选择开关Switch连接第二子走线1012,使得触控芯片21的触控信号不流经接触电阻R。
请结合图5和图6,在某些实施方式中,每个选择开关Switch包括第一传输门电路,第一传输门电路和接触电阻R并联,第一传输门电路包括第一晶体管TFT1和第二晶体管TFT2,第一晶体管TFT1为P型晶体管,第二晶体管TFT2为N型晶体管,第一晶体管TFT1的栅极连接第一控制线S,第二晶体管TFT2的栅极连接第二控制线S',第一晶体管TFT1的第一极和第二晶体管TFT2的第一极连接第一传输门电路的第一信号端,第一晶体管TFT1的第二极和第二晶体管TFT2的第二极连接第一传输门电路的第二信号端。
在本实施方式中,第一晶体管TFT1和第二晶体管TFT2可以为MOS管。需要说明的是,N型和P型晶体管并联,相对单一类型的晶体管控制开关,导流能力更强,可充分满足触控信号的传输。
具体地,第一子走线1011连接触控芯片21,第二子走线1012连接第一传输门电路。当显示面板10处于正常模式时,第一控制线S置高电平、第二控制线S'置低电平,第一晶体管TFT1和第二晶体管TFT2关闭,第二子走线1012不与触控芯片21连接,触控芯片21的触控信号流经串联有接触电阻R的第一子走线1011,再通过第三子走线1013流向显示区12,线路实际电阻R=Rl+Rc,使得触控信号对其它信号造成的电磁干扰减弱。当检测到触控信号干扰分贝超过预设阈值时,第一控制线S置低电平,第二控制线S'置高电平,第一晶体管TFT1和第二晶体管TFT2开启,第一子走线1011短路,触控芯片21的触控信号流经第一传输门电路、第二子走线1012,再通过第三子走线1013流向显示区12,线路实际电阻R=Rl。
请结合图7和图8,在某些实施方式中,选择开关Switch包括第一传输门电路和第二传输门电路,第一传输门电路包括第一晶体管TFT1和第二晶体管TFT2,第一晶体管TFT1为P型晶体管,第二晶体管TFT2为N型晶体管,第一晶体管TFT1的栅极连接第二控制线S',第二晶体管TFT2的栅极连接第一控制线S,第一晶体管TFT1的第一极和第二晶体管TFT2的第一极连接第一传输门电路的第一信号端,第一晶体管TFT1的第二极和第二晶体管TFT2的第二极连接第一传输门电路的第二信号端;
第二传输门电路和接触电阻R依次串联在第一走线101,第二传输门电路包括第三晶体管TFT3和第四晶体管TFT4,第三晶体管TFT3为P型晶体管,第四晶体管TFT4为N型晶体管,第三晶体管TFT3的栅极连接第一控制线S,第四晶体管TFT4的栅极连接第二控制线S',第三晶体管TFT3的第一极和第四晶体管TFT4的第一极连接第一传输门电路的第一信号端,第三晶体管TFT3的第二极和第四晶体管TFT4的第二极连接接触电阻R的第一端,接触电阻R的第二端连接第一传输门电路的第二信号端。
具体地,在本实施方式中,第一传输门电路的第二信号端连接第一子走线1011,第二传输门电路的第二信号端连接第二子走线1012。当显示面板10处于正常模式时,第一控制线S置高电平、第一控制线S置低电平,第一晶体管TFT1和第二晶体管TFT2关闭,第三晶体管TFT3和第四晶体管TFT4开启,触控芯片21的触控信号不流经串联有接触电阻R的第一子走线1011,而通过第二子走线1012传输至第三子走线1013,线路实际电阻R=Rl。当检测到触控信号干扰分贝超过预设阈值时,第一控制线S置低电平,第二控制线S'置高电平,第一晶体管TFT1和第二晶体管TFT2开启,第三晶体管TFT3和第四晶体管TFT4关闭,触控芯片21的触控信号流经串联有接触电阻R的第一子走线1011,再由第一子走线1011传输至第三子走线1013,此时线路的实际电阻R=Rl+Rc,触控信号干扰减弱。
请进一步地结合图2,显示区12内可设置有多个像素发光单元(图中未示出)、触控电极121和感应电极122,多个像素发光单元呈阵列排布,形成有多条像素行和多条像素列。显示区12通过阵列的像素发光单元发光以显示画面以实现显示功能,像素发光单元可以有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)。触控电极121和感应电极122用于实现触摸功能。
触控电极121和感应电极122分别阵列形成多行阵列的触控电极121行和多行阵列的感应电极行,触控电极121行和感应电极122行间隔交替设置。第一走线101为Tx走线,每一条第一走线101自布线区111向显示区12延伸与一行触控电极121连接,以向触控电极121传输触控信号。布线区111还包括有第二走线102,第二走线102为Rx走线,第二走线102包括多条,每条第二走线102自布线区111向显示区12延伸,第二走线102的一端连接触控芯片21,另一端连接一列感应电极122。感应电极122用于产生感应信号并通过第二走线102将感应信号传输至触控芯片21。
请参阅图2和图9,显示面板10以组成部分进行层级划分,分成出触控层120和阵列基板110,其中触控层120可位于阵列基板110的出光侧。
感应电极122和触控电极121形成于触控层120,接触电阻R、像素发光单元、第一走线101、第二走线102、选择开关Switch、第一控制线S和第二控制线S'形成于阵列基板110上。
具体地,阵列基板110包括依次层叠的衬底基板Substrate、缓冲层Buffer、有源层Active、第一绝缘层GI1、栅极层Gate、第二绝缘层GI2、层间介质层ILD和源漏极层SD。其中,第一走线101位于源漏极层SD,接触电阻R位于栅极层Gate,第一走线101通过过孔连接栅极层Gate。第一走线101和第二走线102同层设置。在一些示例中,第一走线101和第二走线102相互垂直,如第一走线101走线为横向设置,对应地,第二走线102则为纵向设置。
请结合图5、图9和10,在某些实施方式中,第一控制线S和第二控制线S'位于栅极层Gate,第一控制线S和第二控制线S'沿第一方向延伸且相互间隔设置,例如,第一控制线S位于栅极层Gate1,第二控制线S'位于栅极层Gate3。第一信号端的第一连接导线103和第二信号端的第二连接导线104沿第二方向延伸,其中,第一方向和第二方向之间相互垂直,有源层Active包括第一类型有源层和第二类型有源层,第二连接导线103通过过孔连接第一类型有源层的第一极和第二类型有源层的第一极,第二连接导线104通过过孔连接第一类型有源层的第二极和第二类型有源层的第二极。
其中,第一类型有源层和第二类型有源层可采用不同材料制成,例如,在本实施方式中,第一类型有源层可以由多晶硅(POLY)制成,第二类型有源层可以由铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO)制成。
进一步地,第一类型有源层形成有第一晶体管TFT1(P型晶体管)、第二类型有源层形成有第二晶体管TFT2(N型晶体管)。
请结合图5、图9和图11,在某些实施方式中,第一控制线S和第二控制线S'位于栅极层Gate且相互间隔设置,第一控制线S包括间隔设置且沿第一方向延伸的第一子线段S1和第二子线段S2,源漏极层SD包括第一连接电极SD1,第一连接电极SD1导通第一子线段S1和第二子线段S2。
第二控制线S'包括间隔设置且沿第一方向延伸的第三子线段S’1和第四子线段S’2,源漏极层SD包括第二连接电极SD2,第二连接电极SD2导通第三子线段S’1和第四子线段S’2;
第一信号端的第一连接导线103和第二信号端的第二连接导线104沿第二方向延伸,有源层Active包括第一类型有源层和第二类型有源层,第一连接导线103通过过孔连第一类型有源层的第一极和第二类型有源层的第一极,第二连接导线104通过过孔连接第一类型有源层的第二极和第二类型有源层的第二极。
第一类型有源层和第二类型有源层可采用不同材料制成,例如,在本实施方式中,第一类型有源层可以由多晶硅(POLY)制成,第二类型有源层可以由铟镓锌氧化物(IndiumGallium Zinc Oxide,IGZO)制成。
第一类型有源层形成有第一晶体管TFT1和第三晶体管TFT3(P型晶体管)、第二类型有源层形成有第二晶体管TFT2和第四晶体管TFR4(N型晶体管)。
请结合图12,本申请还提供了一种控制方法,用于上述任意一项所述的显示面板10,控制方法包括:
01,检测触控电极的触控信号对整机信号的干扰值;
02,在干扰值超过预设阈值的情况下,向选择开关提供第一控制信号以控制接触电阻串联接入第一走线;
03,在干扰值未超过预设阈值的情况下,向选择开关提供第二控制信号以控制接触电阻不接入第一走线。
在某些实施方式中,显示设备包括处理器,处理器用于实现上述的控制方法,或者说,处理器用于检测触控电极的触控信号对整机信号的干扰值,在干扰值超过预设阈值的情况下,向选择开关提供第一控制信号以控制接触电阻串联接入第一走线,在干扰值未超过预设阈值的情况下,向选择开关提供第二控制信号以控制接触电阻不接入第一走线。
如此,通过检测触控电极的触控信号对整机信号的干扰值,并在干扰值超过预设阈值的情况下,向选择开关提供第一控制信号以控制接触电阻串联接入第一走线101,从而可以通过接触电阻来降低触控信号对整机信号的干扰值,以及在干扰值未超过预设阈值的情况下,向选择开关提供第二控制信号以控制接触电阻不接入第一走线101,从而保证第一走线101触控信号对正常信号传输。并且,可以降低第一走线101的功耗。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施方式”、“某些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本申请的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
尽管已经示出和描述了本申请的实施方式,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本申请的原理和宗旨的情况下可以对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型,本申请的范围由权利要求及其等同物限定。
Claims (11)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区、布线区,所述布线区邻接于所述显示区,所述显示面板包括阵列基板和触控层,所述触控层在所述显示区设置有触控电极,所述阵列基板在所述布线区设置有接触电阻、选择开关和与所述触控电极连接的第一走线,所述选择开关用于控制所述接触电阻可选择地串联接入所述第一走线。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板包括依次层叠的衬底基板、缓冲层、有源层、第一绝缘层、栅极层、第二绝缘层、层间介质层和源漏极层,所述第一走线位于所述源漏极层,所述接触电阻位于所述栅极层,所述第一走线通过过孔连接所述栅极层。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述选择开关包括第一传输门电路,所述接触电阻串联在所述第一走线,所述第一传输门电路和所述接触电阻并联,所述第一传输门电路包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管为P型晶体管,所述第二晶体管为N型晶体管,所述第一晶体管的栅极连接第一控制线,所述第二晶体管的栅极连接第二控制线,所述第一晶体管的第一极和所述第二晶体管的第一极连接所述第一传输门电路的第一信号端,所述第一晶体管的第二极和所述第二晶体管的第二极连接所述第一传输门电路的第二信号端。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一控制线和所述第二控制线位于所述栅极层,所述第一控制线和所述第二控制线沿第一方向延伸且相互间隔设置,所述第一信号端的第一连接导线和所述第二信号端的第二连接导线沿第二方向延伸,所述有源层包括第一类型有源层和第二类型有源层,所述第一连接导线通过过孔连接所述第一类型有源层的第一极和所述第二类型有源层的第一极,所述第二连接导线通过过孔连接所述第一类型有源层的第二极和所述第二类型有源层的第二极。
5.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述选择开关包括第一传输门电路和第二传输门电路,所述第一传输门电路包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管为P型晶体管,所述第二晶体管为N型晶体管,所述第一晶体管的栅极连接第二控制线,所述第二晶体管的栅极连接第一控制线,所述第一晶体管的第一极和所述第二晶体管的第一极连接所述第一传输门电路的第一信号端,所述第一晶体管的第二极和所述第二晶体管的第二极连接所述第一传输门电路的第二信号端;
所述第二传输门电路和所述接触电阻依次串联在所述第一走线,所述第二传输门电路包括第三晶体管和第四晶体管,所述第三晶体管为P型晶体管,所述第四晶体管为N型晶体管,所述第三晶体管的栅极连接第一控制线,所述第四晶体管的栅极连接第二控制线,所述第三晶体管的第一极和所述第四晶体管的第一极连接所述第一传输门电路的第一信号端,所述第三晶体管的第二极和所述第四晶体管的第二极连接所述接触电阻的第一端,所述接触电阻的第二端连接所述第一传输门电路的第二信号端。
6.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述第一控制线和所述第二控制线位于所述栅极层且相互间隔设置,所述第一控制线包括间隔设置且沿第一方向延伸的第一子线段和第二子线段,所述源漏极层包括第一连接电极,所述第一连接电极导通所述第一子线段和所述第二子线段;
所述第二控制线包括间隔设置且沿所述第一方向延伸的第三子线段和第四子线段,所述源漏极层包括第二连接电极,所述第二连接电极导通所述第三子线段和所述第四子线段;第一信号端的第一连接导线和所述第二信号端的第二连接导线沿第二方向延伸,所述有源层包括第一类型有源层和第二类型有源层,所述第一连接导线通过过孔连接所述第一类型有源层的第一极和所述第二类型有源层的第一极,所述第二连接导线通过过孔连接所述第一类型有源层的第二极和所述第二类型有源层的第二极。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述触控层包括感应电极,所述阵列基板在所述布线区设置有与所述感应电极连接的第二走线,所述第一走线和所述第二走线同层设置。
8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述接触电阻的阻值为510欧姆-610欧姆。
9.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括弯折区和绑定区,所述弯折区连接所述布线区和所述绑定区。
10.一种显示装置,其特征在于,包括上述如权利要求1-9任意一项所述的显示面板。
11.一种控制方法,其特征在于,用于如权利要求1-9任意一项所述的显示面板,所述控制方法包括:
检测所述触控电极的触控信号对整机信号的干扰值;
在所述干扰值超过预设阈值的情况下,向所述选择开关提供第一控制信号以控制所述接触电阻串联接入所述第一走线;
在所述干扰值未超过所述预设阈值的情况下,向所述选择开关提供第二控制信号以控制所述接触电阻不接入所述第一走线。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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