CN113808539A - 像素电路 - Google Patents

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Abstract

提供了像素电路。该像素电路包括第一扫描TFT、第一存储电容器、第一驱动TFT、第一发光器件、第二扫描TFT、第二驱动TFT和第二发光器件，第一扫描TFT接收第一数据电压，第一存储电容器保持与第一数据电压对应的第一栅极电压，第一驱动TFT具有与第一存储电容器连接的栅极并且基于第一栅极电压来控制第一驱动电流的量，第一发光器件根据第一驱动电流而发射光，第二扫描TFT响应于发射控制信号而接收第二数据电压，第二驱动TFT具有与第一驱动TFT的栅极连接的栅极以及接收第二数据电压的源极并且第二驱动TFT基于第一栅极电压与第二栅极电压之间的差异来控制第二驱动电流的量，并且第二发光器件根据第二驱动电流而发射光。

Description

像素电路
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年6月12日提交的韩国专利申请第10-2020-0071859号的优先权和权益，该韩国专利申请出于所有目的通过引用并入本文中，如同在本文中全面阐述一样。
技术领域
一个或多个实施方式涉及像素电路和有机发光显示器，并且更具体地，涉及彼此相邻的多个像素电路。
背景技术
有机发光显示器包括具有随电流而变化的亮度的发光器件，例如，有机发光二极管。有机发光显示器的像素电路包括有机发光二极管、根据栅极与源极之间的电压来控制输出到有机发光二极管的电流量的驱动晶体管、将用于控制有机发光二极管的亮度的数据电压传输到驱动晶体管的开关晶体管以及存储数据电压的存储电容器。
随着显示装置的用途多样化以及用户的视线水平增加，在显示装置的总面积中显示图像的显示区域占据的面积的比例在不断增加。为此，正在进行着在显示区域内添加除了显示图像的功能以外的各种其它功能的研究。为了操作这些其它功能，对应的区域中可布置有透射区域。另外，需要能够减小对应的区域中的像素的面积的方法。
在本背景技术部分中公开的上述信息仅用于理解本发明概念的背景，并且因此，它可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
一个或多个实施方式包括能够减小像素的面积的像素电路以及包括像素电路的有机发光显示器。
附加的方面将在下面的详细描述中部分地阐述，并且部分地将通过本描述而显而易见，或者可通过实践本实施方式而习得。
根据一个或多个实施方式，像素电路包括第一像素电路和第二像素电路。第一像素电路可包括第一扫描薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，TFT)、第一存储电容器、第一驱动TFT和第一发光器件，第一扫描TFT响应于第一扫描信号而接收第一数据电压，第一存储电容器保持与第一数据电压对应的第一栅极电压，第一驱动TFT具有与第一存储电容器连接的栅极并且基于第一栅极电压来控制第一驱动电流的量，并且第一发光器件根据第一驱动电流而发射光。第二像素电路可包括第二扫描TFT、第二驱动TFT和第二发光器件，第二扫描TFT响应于发射控制信号而接收第二数据电压，第二驱动TFT具有与第一驱动TFT的栅极连接的栅极以及通过第二扫描TFT接收第二数据电压的源极并且第二驱动TFT基于第一栅极电压与第二数据电压之间的差异来控制第二驱动电流的量，并且第二发光器件根据第二驱动电流而发射光。
根据一个或多个实施方式，有机发光显示器包括衬底、第一像素和第二像素，衬底上限定有第一显示区域和第二显示区域，第一像素布置在第一显示区域中并且各自实现为第一像素电路，并且第二像素布置在第二显示区域中并且包括各自实现为第一像素电路和第二像素电路的两个像素。第一像素电路可包括第一扫描TFT、第一存储电容器、第一驱动TFT和第一发光器件，第一扫描TFT响应于第一扫描信号而接收第一数据电压，第一存储电容器保持与第一数据电压对应的第一栅极电压，第一驱动TFT具有与第一存储电容器连接的栅极并且基于第一栅极电压来控制第一驱动电流的量，并且第一发光器件根据第一驱动电流而发射光。第二像素电路可包括第二扫描TFT、第二驱动TFT和第二发光器件，第二扫描TFT响应于发射控制信号而接收第二数据电压，第二驱动TFT具有与第一驱动TFT的栅极连接的栅极以及通过第二扫描TFT接收第二数据电压的源极并且第二驱动TFT基于第一栅极电压与第二栅极电压之间的差异来控制第二驱动电流的量，并且第二发光器件根据第二驱动电流而发射光。
通过结合附图对实施方式进行的以下描述，这些和/或其它方面将变得显而易见和更容易领会。
附图说明
通过结合附图的以下描述，本公开的某些实施方式的上述和其它方面、特征和优点将更加显而易见，在附图中：
图1是示出根据实施方式的包括显示装置的电子设备的透视图；
图2是示出根据实施方式的包括显示装置的电子设备的一部分的剖面视图；
图3是示出根据实施方式的有机发光显示器的框图；
图4是示出根据实施方式的第一像素的像素电路的视图；
图5是在一个帧期间用于操作图4中所示的第一像素的控制信号的时序图；
图6是示出根据实施方式的第二像素的像素电路的视图；
图7是示出根据另一实施方式的第二像素的像素电路的视图；
图8是示出根据另一实施方式的第二像素的像素电路的视图；
图9是示出根据另一实施方式的第二像素的像素电路的视图；
图10是示出根据另一实施方式的第二像素的像素电路的视图；以及
图11是示出根据另一实施方式的第二像素的像素电路的视图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对本发明的各种示例性实施方式或实现方式的透彻理解。如本文中所使用的，“实施方式”和“实现方式”为可互换的词，它们是采用本文中所公开的本发明概念中的一种或多种的设备或方法的非限制性实例。然而，显而易见的是，各种示例性实施方式可在没有具体细节的情况下或者在一个或多个等同布置的情况下实践。在其它实例中，公知的结构和设备以框图形式示出以避免不必要地混淆各种示例性实施方式。另外，各种示例性实施方式可为不同的，但是不必是排他的。例如，在不背离本发明概念的情况下，示例性实施方式的特定形状、配置和特性可使用或实现在另一示例性实施方式中。
除非另有指明，否则所示的示例性实施方式应被理解为提供能够在实践中实现本发明概念的一些方式的变化细节的示例性特征。因此，除非另有指明，否则各种实施方式的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中单独称为或统称为“元件”)可在不背离本发明概念的情况下以其它方式组合、分离、互换和/或重新布置。
交叉影线和/或阴影在附图中的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。由此，除非指明，否则无论交叉影线或阴影的存在与否都不传达或指示对特定材料、材料性能、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性能等的任何偏好或要求。另外，在附图中，出于清楚和/或描述的目的，元件的尺寸和相对尺寸可被夸大。当示例性实施方式可不同地实现时，具体工艺顺序可与所描述的顺序不同地被执行。例如，两个连续描述的工艺可基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。此外，相似的附图标记表示相似的元件。
D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可被解释为更广泛的含义。例如，D1轴、D2轴和D3轴可彼此垂直，或者可表示彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z构成的集群中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z或X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合，诸如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如本文中所使用的，措辞“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
空间相对措辞诸如“之下(beneath)”、“下方(below)”、“下面(under)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”、“上面(over)”、“更高(higher)”、“侧(side)”(例如，如在“侧壁(sidewall)”中)等可在本文中出于描述性目的使用，并且因此，用以描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。除了图中描绘的取向以外，空间相对措辞还旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被取向为在其它元件或特征“上方”。因此，示例性措辞“下方”能涵盖上方和下方的取向这两者。此外，装置可以其它方式取向(例如，旋转90度或以其它取向)，并且由此，本文中所使用的空间相对描述词被相应地解释。
本文中所使用的专业用语是出于描述特定实施方式的目的，而不旨在进行限制。除非上下文另有清楚指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。此外，当措辞“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包括(include)”和/或“包括(including)”在本说明书中使用时指示所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或添加。也要注意的是，如本文中所使用的，措辞“基本上(substantially)”、“约(about)”以及相似措辞用作近似的措辞而不是程度的措辞，并且由此，被利用以考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
除非另有限定，否则本文中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属技术领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。除非在本文中明确地这样限定，否则术语，诸如常用词典中限定的那些，应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过于正式的含义来解释。
现在将详细地参照实施方式，其中实施方式的实例被示出在附图中，而在附图中相似的附图标记始终指示相似的元件。在这方面，本实施方式可具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。相应地，下面仅通过参照附图来对实施方式进行描述以解释本说明书的各方面。如本文中所使用的，措辞“和/或者”包括相关联所列项目中的一个或者多个的任何和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b或c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b这两者、a和c这两者、b和c这两者、a、b和c的全部或者其变体。
因为本公开可具有多元化的修改实施方式，所以在附图中示出了优选实施方式，并且在详细描述中对其进行了描述。当参考参照附图描述的实施方式时，本公开的效果和特征以及实现这些的方法将是显而易见的。然而，本公开可以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。
在下文中，将参照附图对本发明概念的实施方式进行详细描述。将参照附图对示例性实施方式进行详细描述。相同的附图标记用于指示相同的元件，并且其重复描述将被省略。
将理解的是，虽然“第一”、“第二”、“第三”等措辞可在本文中用于描述各种部件，但是这些部件不应受这些措辞的限制。这些措辞仅用于将一个部件与另一部件区分开。除非在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数使用的表述涵盖复数的表述。将理解的是，当单元被称为“连接”到另一元件时，它可被“直接连接”到另一元件或者在中间元件介于其间的情况下“电连接”到另一元件。另外，将理解的是，当单元被称为“包括”另一元件时，除非具体相反地指示，否则它可不排除其它元件，而是还可包括其它元件。
图1是示出根据实施方式的包括显示装置的电子设备1000的透视图。
参照图1，电子设备1000包括显示区域DA和非显示区域NDA。非显示区域NDA可在显示区域DA外部。电子设备1000可通过在显示区域DA中以矩阵形式布置的多个像素P1和P2来显示图像。多个像素P1和P2可包括布置在第一显示区域DA1中的第一像素P1和布置在第二显示区域DA2中的第二像素P2。
电子设备1000可通过使用从布置在第一显示区域DA1中的第一像素P1发射的光来显示第一图像，并且可通过使用从布置在第二显示区域DA2中的第二像素P2发射的光来显示第二图像。根据一些实施方式，电子设备1000可通过组合第一图像和第二图像来显示一个图像。根据一些实施方式，电子设备1000可显示彼此独立的第一图像和第二图像。
第二显示区域DA2可包括位于第二像素P2之间的透射区域TA。透射区域TA是光可穿过的区域，并且在透射区域TA中不布置有像素。
非显示区域NDA是不显示图像的区域，并且可完全围绕显示区域DA。在非显示区域NDA中可布置有配置成向第一像素P1和第二像素P2提供电信号的驱动电路或者配置成向第一像素P1和第二像素P2供给电力的电力布线。在非显示区域NDA中可布置有焊盘，而焊盘上可电连接有电子设备或印刷电路板。
如图1中所示，在平面上，第二显示区域DA2可具有圆形形状或椭圆形形状。根据另一实例，第二显示区域DA2可具有诸如正方形的多边形形状或条型。
如图1中所示，第二显示区域DA2可在第一显示区域DA1内部。根据另一实例，第二显示区域DA2可例如在图1中的y轴方向上在第一显示区域DA1的一侧上。
如图1中所示，第二显示区域DA2可被第一显示区域DA1完全围绕。根据另一实例，第二显示区域DA2可被第一显示区域DA1部分地围绕。例如，第二显示区域DA2可在第一显示区域DA1的一个角处，并且在这种情况下，第二显示区域DA2可被第一显示区域DA1部分地围绕。
第一显示区域DA1的面积可明显大于第二显示区域DA2的面积。第一显示区域DA1可被称为主显示区域，并且第二显示区域DA2可被称为面板下相机(Under Panel Camera，UPC)区域。电子设备1000可包括如图1中所示的一个第二显示区域DA2，并且可包括两个或更多个第二显示区域DA2。
电子设备1000可包括移动电话、平板PC、膝上型计算机以及戴在手腕上的智能手表或智能表带。
图2是示出根据实施方式的包括显示装置100的电子设备1000的一部分的剖面视图。
参照图2，电子设备1000包括显示装置100和部件200。部件200可布置成与显示装置100重叠。
显示装置100可包括衬底10、显示层20、薄膜封装层30、输入感测层40、光学功能层50、抗反射层60和窗70。
部件200可在第二显示区域DA2中。部件200可为输入或输出光或声音的电子器件。例如，该电子器件可为测量距离的传感器(诸如接近传感器)、识别用户身体的一部分(例如，指纹、虹膜、面部等)的传感器、输出光的小灯、拍摄图像的图像传感器(例如，相机)和类似物。电子器件可使用各种波长带的光，诸如可见光、红外光和紫外光。电子器件可使用超声波或其它频带的声音。根据一些实施方式，部件200可包括子部件，诸如光发射部和光接收部。光发射部和光接收部可具有一体的结构，或者一对光发射部和光接收部可在物理上分离的结构中构成一个部件200。
衬底10可包括玻璃或聚合物树脂。例如，聚合物树脂可包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、醋酸丙酸纤维素和类似物。包括聚合物树脂的衬底10可为柔性的、可卷曲的或可弯折的。衬底10可具有包括包含聚合物树脂的层和无机层(未示出)的多层结构。
下保护膜80可在衬底10的后表面上。下保护膜80可附接在衬底10的后表面上。粘合层可在下保护膜80与衬底10之间。根据另一实例，下保护膜80可直接形成在衬底10的后表面上。
下保护膜80可支承并保护衬底10。与第二显示区域DA2对应的开口80OP可在下保护膜80中。下保护膜80的开口80OP是通过在下保护膜80的厚度方向上去除下保护膜80的一部分而形成的凹部。如图2中所示，开口80OP可具有诸如通孔的形状，同时下保护膜80的一部分在下保护膜80的厚度方向上被完全去除。根据另一实例，开口80OP可具有在下保护膜80的厚度方向上去除下保护膜80的一部分并且一侧被阻挡的盲孔的形状。
通过在下保护膜80中形成开口80OP，可提高第二显示区域DA2的透射率，例如，透射区域TA的透光率。下保护膜80可包括有机绝缘材料，诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)或聚酰亚胺(Polyimide，PI)。
显示层20可在衬底10的前表面上。显示层20可包括多个像素。每个像素可包括发射红色光、绿色光或蓝色光的显示器件或发光器件。显示器件可包括有机发光二极管OLED。
显示层20可包括显示器件层、电路器件层以及多个绝缘层11和IL，其中，显示器件层包括作为显示器件的有机发光二极管OLED，并且电路器件层包括与有机发光二极管OLED电连接的薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT和与薄膜晶体管TFT电连接的有机发光二极管OLED可分别布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中。
第二显示区域DA2可包括未布置有薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED的透射区域TA。透射区域TA是从部件200发射的光和/或引导到部件200的光可穿过的区域。在显示装置100中，透射区域TA的透射率可为约30％或更大、约40％或更大、约50％或更大、约60％或更大、约70％或更大、约75％或更大、约80％或更大、约85％或更大或者约90％或更大。
背金属层BML可在衬底10与显示层20之间，例如，在衬底10与薄膜晶体管TFT之间。背金属层BML可包括从部件200发射的光或引导到部件200的光可穿过的通孔BML-TH。背金属层BML的通孔BML-TH与透射区域TA对应地定位。背金属层BML可防止通过布置在第二显示区域DA2中的像素电路或布线之间的狭窄间隙的光的衍射，并且可提高薄膜晶体管TFT的特性。背金属层BML未布置在透射区域TA中。例如，背金属层BML可包括与透射区域TA对应的通孔。
显示层20可用密封构件密封。根据实施方式，密封构件可包括如图2中所示布置在显示层20上的薄膜封装层30。薄膜封装层30可包括至少一个无机膜和至少一个有机膜。根据实例，薄膜封装层30可包括第一无机膜31和第二无机膜33以及在它们之间的有机膜32。
根据另一实施方式，密封构件可包括封装衬底。封装衬底可在显示层20上，并且显示层20可在衬底10与封装衬底之间。封装衬底与显示层20之间可存在有间隙。封装衬底可包括玻璃。密封剂可在衬底10与封装衬底之间，并且密封剂可布置在图1中所示的非显示区域NDA中。密封剂布置成围绕显示区域DA，以防止湿气通过侧表面渗透到显示区域DA中。
输入感测层40检测外部输入，例如，诸如手指或手写笔的对象的触摸，以使得电子设备1000可获得与触摸位置对应的坐标信息。输入感测层40可包括触摸电极和与触摸电极连接的走线。输入感测层40可使用互电容方法或自电容方法来检测外部输入。
输入感测层40可在密封构件上。根据实例，输入感测层40可直接形成在薄膜封装层30或封装衬底上。根据另一实例，输入感测层40可单独地形成，并且然后通过诸如光学透明粘合剂OCA的粘合层粘合到密封构件。
光学功能层50可提高光效率。例如，光学功能层50可提高从有机发光二极管OLED发射的光的前光效率和/或侧面可见度。另外，可最小化或防止穿过透射区域TA并且朝向部件200引导或从部件200发射的光的衍射。
抗反射层60可减小从外部朝向显示装置100入射的光(外部光)的反射率。根据实例，抗反射层60可包括诸如延迟器和/或偏振器的光学板。延迟器可为膜型或液晶涂覆型，并且可为λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可为膜型或液晶涂覆型。膜型偏振器可包括拉伸型合成树脂膜，并且液晶涂覆型偏振器可包括以一定布局布置的液晶。
根据实例，抗反射层60可包括滤板，诸如黑矩阵和/或滤色器。根据实例，抗反射层60可包括相消干涉结构。相消干涉结构可包括在相应的层上的第一反射层和第二反射层。分别被第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可相消干涉，并且因此可减小外部光反射率。
窗70可在抗反射层60上，并且可通过诸如光学透明粘合剂OCA的粘合层粘合到抗反射层60。尽管在图2中窗70被示出为布置在抗反射层60上，但是根据另一实例，抗反射层60和光学功能层50的位置可被改变。在这种情况下，窗70可通过诸如光学透明粘合剂OCA的粘合层粘合到光学功能层50。根据另一实例，在窗70下面，可省略光学透明粘合剂OCA。
一个部件200可在第二显示区域DA2中，或者可布置有多个部件200。当电子设备1000包括多个部件200时，电子设备1000的第二显示区域DA2的数量可对应于部件200的数量。例如，电子设备1000可包括彼此分开的多个第二显示区域DA2。根据另一实例，一个第二显示区域DA2中可布置有多个部件200。例如，电子设备1000可包括条型第二显示区域DA2，并且多个部件200可布置成在第二显示区域DA2的长度方向(例如，图1中的x方向)上彼此分开。
在图2中，示出了显示装置100包括有机发光二极管OLED作为显示器件的实施方式，但是本公开的显示装置100不限于此。根据另一实施方式，显示装置100可为包括诸如微型LED的无机发光器件的发光显示器(无机发光显示器或无机EL显示器)或者诸如量子点发光显示器的发光显示装置。例如，设置在显示装置100中的显示元件的发光层可包括有机物、无机物、量子点、有机物和量子点、或无机物和量子点。
图3是示出根据实施方式的有机发光显示器100的框图。
参照图3，有机发光显示器100包括显示单元110、栅极驱动器120、数据驱动器130、时序控制器140和电压生成器150。
显示单元110包括像素，诸如位于第i行和第j列的第一像素PX1ij，其中，i是1或更大且m或更小的自然数，并且j是1或更大且n或更小的自然数。为了理解的便利，在图3中仅示出了一个第一像素PX1ij，但是显示单元110包括例如以矩阵形式布置在第一显示区域(图1中的DA1)中的多个第一像素P1以及布置在第二显示区域DA2中的多个第二像素P2。第一像素P1和第二像素P2可被统称为像素。下面将参照图4至图11对第一像素P1和第二像素P2中的每个进行更详细的描述。
多个像素连接到多个第一扫描线SL1_1至SL1_m、多个第二扫描线SL2_1至SL2_m+1、多个发射控制线EML_1至EML_m以及多个数据线DL_1至DL_n。多个像素连接到多个电力线PL_1至PL_n和多个电压线VL_1至VL_m。例如，如图3中所示，第一像素PX1ij可连接到第一扫描线SL1_i、第二扫描线SL2_i、发射控制线EML_i、数据线DL_j、电力线PL_j、电压线VL_i和第二扫描线SL2_i+1。相对于第一像素PX1ij，第二扫描线SL2_i+1可被称为第三扫描线。
多个第一扫描线SL1_1至SL1_m、多个第二扫描线SL2_1至SL2_m+1、多个发射控制线EML_1至EML_m和多个电压线VL_1至VL_m可在第一方向(例如，行方向)上延伸并且连接到位于相同行中的像素。多个数据线DL_1至DL_n和多个电力线PL_1至PL_n可在第二方向(例如，列方向)上延伸并且连接到位于相同列中的像素。
多个第一扫描线SL1_1至SL1_m分别将从栅极驱动器120输出的多个第一扫描信号GW_1至GW_m传输到相同行中的像素，多个第二扫描线SL2_1至SL2_m分别将从栅极驱动器120输出的多个第二扫描信号GI_1至GI_m传输到相同行中的像素，并且多个第二扫描线SL2_2至SL2_m+1分别将从栅极驱动器120输出的多个第三扫描信号GB_1至GB_m传输到相同行中的像素。第二扫描信号GI_i和第三扫描信号GB_i-1这两者通过第二扫描线SL2_i传输，并且实际上可为相同的信号。
多个发射控制线EML_1至EML_m将从栅极驱动器120输出的多个发射控制信号EM_1至EM_m分别传输到相同行中的像素。多个数据线DL_1至DL_n将从数据驱动器130输出的多个数据电压D1至Dn分别传输到相同列中的像素。第一像素PX1ij接收第一扫描信号GW_i、第二扫描信号GI_i和第三扫描信号GB_i、数据电压Dj和发射控制信号EM_i。
多个电力线PL_1至PL_n将从电压生成器150输出的第一驱动电压ELVDD分别传输到相同列中的像素。多个电压线VL_1至VL_m将从电压生成器150输出的初始化电压VINT传输到相同行中的像素。
第一像素PX1ij包括发光器件和基于数据电压Dj来控制向发光器件流动的电流量的驱动TFT。数据电压Dj从数据驱动器130输出，并且通过数据线DL_j由第一像素PX1ij接收。发光器件可为例如有机发光二极管。因为发光器件发射具有与从驱动TFT接收到的电流量对应的亮度的光，因此第一像素PX1ij可表现与数据电压Dj对应的灰度级。像素可对应于能够显示全色的单元像素的一部分，例如，子像素。第一像素PX1ij还可包括至少一个开关TFT和至少一个电容器。下面将参照图4和图5对第一像素PX1ij进行更详细的描述。
电压生成器150可生成配置成驱动第一像素PX1ij的电压。例如，电压生成器150可生成第一驱动电压ELVDD、第二驱动电压ELVSS和初始化电压VINT。第一驱动电压ELVDD的电平可高于第二驱动电压ELVSS的电平。初始化电压VINT的电平可高于第二驱动电压ELVSS的电平。初始化电压VINT与第二驱动电压ELVSS之间的电平差可小于用于像素的发光器件发射光的阈值电压。
电压生成器150可生成配置成控制第一像素PX1ij的开关晶体管的第一栅极电压VGH和第二栅极电压VGL，并且将生成的第一栅极电压VGH和第二栅极电压VGL提供给栅极驱动器120。当第一栅极电压VGH施加到开关晶体管的栅极时，开关晶体管可被关断，并且当第二栅极电压VGL施加到开关晶体管的栅极时，开关晶体管可被导通。第一栅极电压VGH可被称为栅极关断电压，并且第二栅极电压VGL可被称为栅极导通电压。第一像素PX1ij的开关晶体管可为p型MOSFET，并且第一栅极电压VGH的电平可高于第二栅极电压VGL的电平。尽管在图3中未示出，但是电压生成器150可生成伽马基准电压并且将它们提供给数据驱动器130。
时序控制器140可通过控制栅极驱动器120和数据驱动器130的操作时序来控制显示单元110。显示单元110的像素可在每个帧时段接收新的数据电压并且发射具有与新的数据电压对应的亮度的光，从而显示与一个帧的图像源数据RGB对应的图像。根据实施方式，一个帧时段可包括栅极初始化时段、数据写入和阳极初始化时段和发光时段。在初始化时段期间，初始化电压VINT可与多个第二扫描信号GI_1至GI_m同步地施加到像素。在数据写入和阳极初始化时段期间，多个数据电压D1至Dn与多个第一扫描信号GW_1至GW_m同步地提供给像素，并且初始化电压VINT可与多个第三扫描信号GB_1至GB_m同步地施加到像素。在发光时段期间，显示单元110的像素可发射光。
时序控制器140从外部接收图像源数据RGB和控制信号CONT。时序控制器140可基于显示单元110和像素的特性将图像源数据RGB转换为图像数据DATA。时序控制器140可将图像数据DATA提供给数据驱动器130。
控制信号CONT可包括垂直同步信号、水平同步信号、数据使能信号和时钟信号。时序控制器140可使用控制信号CONT来控制栅极驱动器120和数据驱动器130的操作时序。时序控制器140可通过对一个水平扫描时段的数据使能信号进行计数来确定帧时段。在这种情况下，从外部供给的垂直同步信号和水平同步信号可被省略。图像源数据RGB包括像素的亮度信息。亮度可具有一定编号，例如，1024(＝210)、256(＝28)或64(＝26)级灰度。
时序控制器140可生成包括配置成控制栅极驱动器120的操作时序的栅极时序控制信号GDC和配置成控制数据驱动器130的操作时序的数据时序控制信号DDC的控制信号。
栅极时序控制信号GDC可包括栅极起始脉冲、栅极移位时钟、栅极输出使能信号和类似物。栅极起始脉冲供给到在扫描时段的起始时生成第一扫描信号的栅极驱动器120。栅极移位时钟是通常输入到栅极驱动器120的时钟信号，并且是配置成使栅极起始脉冲移位的时钟信号。栅极输出使能信号对栅极驱动器120的输出进行控制。
数据时序控制信号DDC可包括源起始脉冲、源采样时钟、源输出使能信号和类似物。源起始脉冲对数据驱动器130的数据采样起始点进行控制，并且在扫描时段的起始时提供到数据驱动器130。源采样时钟是基于上升沿或下降沿对数据驱动器130中的数据的采样操作进行控制的时钟信号。源输出使能信号对数据驱动器130的输出进行控制。与此同时，取决于数据传输方法，供给到数据驱动器130的源起始脉冲可被省略。
通过使用从电压生成器150提供的第一栅极电压VGH和第二栅极电压VGL，响应于从时序控制器140供给的栅极时序控制信号GDC，栅极驱动器120顺序地生成多个第一扫描信号GW_1至GW_m、多个第二扫描信号GI_1至GI_m和多个第三扫描信号GB_1至GB_m。
数据驱动器130响应于从时序控制器140供给的数据时序控制信号DDC而对从时序控制器140供给的图像数据DATA进行采样和锁存，并且将图像数据DATA转换为并行数据系统中的数据。当转换并行数据系统中的数据时，数据驱动器130将图像数据DATA转换为伽马基准电压，并且将伽马基准电压转换为模拟数据电压。数据驱动器130通过多个数据线DL_1至DL_n将多个数据电压D1至Dn提供给像素。像素响应于多个第一扫描信号GW_1至GW_m而接收多个数据电压D1至Dn。
图4是示出根据实施方式的第一像素PX1ij的像素电路的视图。
参照图4，第一像素PX1ij与分别配置成传输第一扫描信号GW_i、第二扫描信号GI_i和第三扫描信号GB_i的第一扫描线GWL_i、第二扫描线GIL_i和第三扫描线GBL_i、配置成传输数据电压Dj的数据线DL_j以及配置成传输发射控制信号EM_i的发射控制线EML_i连接。第一像素PX1ij与配置成传输第一驱动电压ELVDD的电力线PL_j和配置成传输初始化电压VINT的电压线VL_i连接。第一像素PX1ij与施加有第二驱动电压ELVSS的公共电极连接。第一像素PX1ij可对应于图3的第一像素PX1ij。
第一扫描线GWL_i对应于图3的第一扫描线SL1_i，第二扫描线GIL_i对应于图3的第二扫描线SL2_i，并且第三扫描线GBL_i对应于图3的第二扫描线SL2_i+1。
第一像素PX1ij包括发光器件OLED、第一TFT T1至第七TFT T7以及存储电容器Cst。发光器件OLED可为具有阳极和阴极的有机发光二极管。阴极可为施加有第二驱动电压ELVSS的公共电极。
第一TFT T1是根据源极-栅极电压而确定漏极电流量的驱动晶体管，并且第二TFTT2至第七TFT T7可为根据源极-栅极电压以及基本上栅极电压而导通/关断的开关晶体管。
第一TFT T1可被称为驱动TFT，第二TFT T2可被称为扫描TFT，第三TFT T3可被称为补偿TFT，第四TFT T4可被称为栅极初始化TFT，第五TFT T5可被称为第一发射控制TFT，第六TFT T6可被称为第二发射控制TFT，并且第七TFT T7可被称为阳极初始化TFT。
驱动TFT T1可根据栅极电压来控制从电力线PL_j向发光器件OLED流动的驱动电流Id的量。驱动TFT T1可具有与存储电容器Cst的下电极连接的栅极、通过第一发射控制TFT T5与电力线PL_j连接的源极以及通过第二发射控制TFT T6与发光器件OLED连接的漏极。
驱动TFT T1可将驱动电流Id输出到发光器件OLED。驱动电流Id的量可基于驱动TFT T1的栅极电压来确定。例如，驱动电流Id的量可基于驱动TFT T1的源极-栅极电压与驱动TFT T1的阈值电压之间的差异来确定。驱动TFT T1的源极-栅极电压对应于栅极电压与源极电压之间的差异。发光器件OLED可从驱动TFT T1接收驱动电流Id，并且发射具有根据驱动电流Id的量的亮度的光。
扫描TFT T2响应于第一扫描信号GW_i而接收数据电压Dj。扫描TFT T2响应于第一扫描信号GW_i而将数据电压Dj传输到驱动TFT T1的源极。扫描TFT T2可具有与第一扫描线GWL_i连接的栅极、与数据线DL_j连接的源极以及与驱动TFT T1的源极连接的漏极。
存储电容器Cst连接在电力线PL_j与驱动TFT T1的栅极之间。存储电容器Cst可具有与电力线PL_j连接的上电极以及与驱动TFT T1的栅极连接的下电极。存储电容器Cst可存储施加到电力线PL_j的第一驱动电压ELVDD与驱动TFT T1的栅极电压之间的差异，并且可保持驱动TFT T1的栅极电压。
补偿TFT T3串联连接在驱动TFT T1的漏极和栅极之间，并且可响应于第一扫描信号GW_i而将驱动TFT T1的漏极和栅极彼此连接。补偿TFT T3可具有与第一扫描线GWL_i连接的栅极、与驱动TFT T1的漏极连接的源极以及与驱动TFT T1的栅极连接的漏极。补偿TFTT3可由彼此串联连接并且由第一扫描信号GW_i同步控制的多个TFT构成。
当补偿TFT T3响应于第一扫描信号GW_i而导通时，驱动TFT T1的漏极和栅极彼此连接，以使得驱动TFT T1可被二极管连接。驱动TFT T1的源极响应于第一扫描信号GW_i而通过扫描TFT T2接收数据电压Dj，并且数据电压Dj通过二极管连接的驱动TFT T1向驱动TFT T1的栅极传输。当驱动TFT T1的栅极电压变得等于从数据电压Dj减去驱动TFT T1的阈值电压的电压时，驱动TFT T1被关断，并且等于从数据电压Dj减去驱动TFT T1的阈值电压的电压的驱动TFT T1的栅极电压被存储在存储电容器Cst中。
栅极初始化TFT T4响应于第二扫描信号GI_i而将初始化电压VINT施加到驱动TFTT1的栅极。栅极初始化TFT T4可具有与第二扫描线GIL_i连接的栅极、与驱动TFT T1的栅极连接的源极以及与电压线VL_i连接的漏极。栅极初始化TFT T4可由彼此串联连接并且由第二扫描信号GI_i同步控制的多个TFT构成。
阳极初始化TFT T7响应于第三扫描信号GB_i而将初始化电压VINT施加到发光器件OLED的阳极。阳极初始化TFT T7可具有与第三扫描线GBL_i连接的栅极、与发光器件OLED的阳极连接的源极以及与电压线VL_i连接的漏极。
第一发射控制TFT T5可响应于发射控制信号EM_i而将电力线PL_j和驱动TFT T1的源极彼此连接。第一发射控制TFT T5可具有与发射控制线EML_i连接的栅极、与电力线PL_j连接的源极以及与驱动TFT T1的源极连接的漏极。
第二发射控制TFT T6可响应于发射控制信号EM_i而将驱动TFT T1的漏极和发光器件OLED的阳极彼此连接。第二发射控制TFT T6可具有与发射控制线EML_i连接的栅极、与驱动TFT T1的漏极连接的源极以及与发光器件OLED的阳极连接的漏极。
图5是在一个帧期间配置成操作图4中所示的第一像素PX1ij的控制信号的时序图。
与图4一同参照图5，在发射控制信号EM_i具有高电平的时段中，第一发射控制TFTT5和第二发射控制TFT T6被关断，并且发光器件OLED不发射光。发射控制信号EM_i具有高电平的时段可被称为非发射时段。
首先，第二扫描信号GI_i具有低电平。此时，栅极初始化TFT T4导通，并且初始化电压VINT被施加到驱动TFT T1的栅极。第二扫描信号GI_i具有低电平的时段可被称为栅极初始化时段。
在第二扫描信号GI_i再次转变为高电平之后，第一扫描信号GW_i具有低电平。此时，随着通过数据线DL_j接收数据电压Dj并且扫描TFT T2和补偿TFT T3被导通，与数据电压Dj对应的栅极电压被存储在存储电容器Cst中。第一扫描信号GW_i具有低电平的时段可被称为数据写入时段。
第三扫描信号GB_i具有低电平。此时，阳极初始化TFT T7导通，并且初始化电压VINT被施加到发光器件OLED的阳极。第三扫描信号GB_i具有低电平的时段可被称为阳极初始化时段。
此后，随着第一扫描信号GW_i和第三扫描信号GB_i转变为高电平并且发射控制信号EM_i具有低电平，第一发射控制TFT T5和第二发射控制TFT T6被导通。驱动TFT T1基于存储在存储电容器Cst中的栅极电压而输出驱动电流Id，并且发光器件OLED根据驱动电流Id而发射光。发射控制信号EM_i具有低电平的时段可被称为发光时段。
第二扫描信号GI_i可与上一行的第一扫描信号GW_i-1基本上同步。第三扫描信号GB_i可与第一扫描信号GW_i基本上同步。根据另一实例，第三扫描信号GB_i可与下一行的第一扫描信号GW_i+1基本上同步。
在下文中，将对根据实施方式的有机发光显示器100的第一像素PX1ij的详细操作过程进行详细描述。
首先，当接收到高电平发射控制信号EM_i时，第一发射控制TFT T5和第二发射控制TFT T6被关断，并且驱动TFT T1停止输出驱动电流Id，并且发光器件OLED停止发射光。
此后，在接收低电平第二扫描信号GI_i的栅极初始化时段期间，栅极初始化TFTT4被导通，并且初始化电压VINT被施加到驱动TFT T1的栅极，即，存储电容器Cst的下电极。第一驱动电压ELVDD与初始化电压VINT之间的差异(ELVDD-VINT)被存储在存储电容器Cst中。
此后，在接收低电平第一扫描信号GW_i的数据写入时段期间，扫描TFT T2和补偿TFT T3被导通，并且数据电压Dj由驱动TFT T1的源极接收。驱动TFT T1由补偿TFT T3二极管连接，并且在正向方向上偏置。驱动TFT T1的栅极电压在初始化电压VINT处升高。当驱动TFT T1的栅极电压等于从数据电压Dj减去驱动TFT T1的阈值电压Vth的电压Dj-|Vth|时，驱动TFT T1被关断，并且驱动TFT T1的栅极电压的增加停止。相应地，驱动TFT T1的栅极电压变为Dj-|Vth|，并且第一驱动电压ELVDD与栅极电压Dj-|Vth|之间的差异(ELVDD-Dj+|Vth|)被存储在存储电容器Cst中。
而且，在接收低电平第三扫描信号GB_i的阳极初始化时段期间，阳极初始化TFTT7被导通，并且初始化电压VINT被施加到发光器件OLED的阳极。通过将初始化电压VINT施加到发光器件OLED的阳极以完全不发射光，可消除发光器件OLED在下一帧中精细地发射与黑色灰度对应的光的现象。
此后，当接收到低电平发射控制信号EM_i时，第一发射控制TFT T5和第二发射控制TFT T6被导通，驱动TFT T1输出具有与存储在存储电容器Cst中的电压(即，通过从驱动TFT T1的源极-栅极电压ELVDD-Dj+|Vth|减去驱动TFT T1的阈值电压|Vth|而获得的电压ELVDD-Dj)对应的量的驱动电流Id，并且发光器件OLED可发射具有与驱动电流Id的量对应的亮度的光。
图6是示出根据实施方式的第二像素P2的像素电路的视图。
参照图6，如图1中所示的第二像素P2包括第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b。第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b中的每个可构成一个子像素。例如，第一像素电路PX2a可为绿色子像素，并且第二像素电路PX2b可为红色子像素或蓝色子像素。第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b可布置成彼此相邻。如参照图1所描述的，第二像素P2可布置在第二显示区域DA2中。
第一像素电路PX2a与图4中所示的第一像素PX1ij基本上相同。第一像素电路PX2a分别连接到传输第一扫描信号GW、第二扫描信号GI和第三扫描信号GB的第一扫描线至第三扫描线、传输第一数据电压DATAa的数据线以及传输发射控制信号EM的发射控制线。第一像素电路PX2a连接到传输第一驱动电压ELVDD的电力线和传输初始化电压VINT的电压线。第一像素电路PX2a连接到施加有第二驱动电压ELVSS的公共电极。
施加到第一像素电路PX2a的第一扫描信号GW、第二扫描信号GI和第三扫描信号GB、第一数据电压DATAa和发射控制信号EM分别对应于施加到图4的第一像素PX1ij的第一扫描信号GW_i、第二扫描信号GI_i和第三扫描信号GB_i、数据电压Dj和发射控制信号EM_i。第一驱动电压ELVDD、初始化电压VINT和第二驱动电压ELVSS公共地施加到图4的第一像素PX1ij的像素电路以及第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b。
与第一像素PX1ij基本上相同地，第一像素电路PX2a包括第一发光器件OLEDa、第一TFT T1a至第七TFT T7a以及第一存储电容器Csta。尽管图6示出了第一像素电路PX2a包括七个晶体管和一个电容器，但是这是示例性的并且可具有其它电路配置。例如，第一像素电路PX2a可包括两个晶体管和一个电容器。
第一像素电路PX2a包括第一扫描TFT T2a、第一存储电容器Csta、第一驱动TFTT1a和第一发光器件OLEDa，其中，第一扫描TFT T2a响应于第一扫描信号GW而接收第一数据电压DATAa，第一存储电容器Csta保持与第一数据电压DATAa对应的第一栅极电压，第一驱动TFT T1a具有与第一存储电容器Csta连接的栅极并且基于第一栅极电压来控制第一驱动电流Ida的量，并且第一发光器件OLEDa根据第一驱动电流Ida而发射光。
第一像素电路PX2a还可包括第一补偿TFT T3a、第一栅极初始化TFT T4a和第一阳极初始化TFT T7a，第一补偿TFT T3a响应于第一扫描信号GW而将第一驱动TFT T1a的漏极和栅极彼此连接，第一栅极初始化TFT T4a响应于第二扫描信号GI而将初始化电压VINT施加到第一驱动TFT T1a的栅极，并且第一阳极初始化TFT T7a响应于第三扫描信号GB而将初始化电压VINT施加到第一发光器件OLEDa的阳极。
第一像素电路PX2a还可包括第一发射控制TFT T5a和第二发射控制TFT T6a，第一发射控制TFT T5a响应于发射控制信号EM而将第一驱动电压ELVDD施加到第一驱动TFT T1a的源极，并且第二发射控制TFT T6a响应于发射控制信号EM而将来自第一驱动TFT T1a的第一驱动电流Ida传输到第一发光器件OLEDa。
因为第一像素电路PX2a具有与第一像素PX1ij基本上相同的配置，因此不再重复电路配置的详细描述。第一像素电路PX2a也根据图5的时序图由控制信号驱动。首先，将简要描述第一像素电路PX2a的操作。
当接收到高电平发射控制信号EM时，第一发射控制TFT T5a和第二发射控制TFTT6a被关断。第一驱动TFT T1a停止输出第一驱动电流Ida，并且第一发光器件OLEDa停止发射光。
当接收到低电平第二扫描信号GI时，第一栅极初始化TFT T4a被导通，并且初始化电压VINT被施加到第一驱动TFT T1a的栅极。
当接收到低电平第一扫描信号GW和第一数据电压DATAa时，第一扫描TFT T2a和第一补偿TFT T3a被导通，并且第一数据电压DATAa通过第一扫描TFT T2a施加到第一驱动TFTT1a的源极。第一驱动TFT T1a由第一补偿TFT T3a二极管连接。当第一驱动TFT T1a的栅极电压变得等于从第一数据电压DATAa减去第一驱动TFT T1a的阈值电压Vth的电压DATAa-|Vth|时，第一驱动TFT T1a被关断。相应地，第一驱动电压ELVDD与第一栅极电压DATAa-|Vth|之间的差异(ELVDD-DATAa+|Vth|)存储在存储电容器Cst中。在以下，由存储电容器Cst保持的第一驱动TFT T1a的栅极电压被称为第一栅极电压DATAa-|Vth|。
当接收到低电平第三扫描信号GB时，第一阳极初始化TFT T7a被导通，并且初始化电压VINT被施加到第一发光器件OLEDa的阳极。
当接收到低电平发射控制信号EM时，第一发射控制TFT T5a和第二发射控制TFTT6a被导通。第一驱动TFT T1a输出具有与从源极-栅极电压ELVDD-DATAa+|Vth|减去第一驱动TFT T1a的阈值电压|Vth|而获得的电压ELVDD-DATAa对应的量的第一驱动电流Ida，并且第一发光器件OLEDa发射具有与第一驱动电流Ida的量对应的亮度的光。
第二像素电路PX2b包括第二驱动TFT T1b、第二扫描TFT T2b和第二发光器件OLEDb。
第二扫描TFT T2b响应于发射控制信号EM而接收第二数据电压DATAb。在第二发光器件OLEDb发射光的时段期间，即，在发光时段期间，第二数据电压DATAb被施加到第二像素电路PX2b。第二扫描TFT T2b可响应于发射控制信号EM而将第二数据电压DATAb施加到第二驱动TFT T1b的源极。第二扫描TFT T2b可具有接收发射控制信号EM的栅极、接收第二数据电压DATAb的源极以及与第二驱动TFT T1b的源极连接的漏极。由第二像素电路PX2b接收的发射控制信号EM与由第一像素电路PX2a接收的发射控制信号EM相同。
第二驱动TFT T1b可具有与第一像素电路PX2a的第一驱动TFT T1a的栅极连接的栅极、通过第二扫描TFT T2b接收第二数据电压DATAb的源极以及通过第一电流传输TFTT6b与第二发光器件OLEDb连接的漏极。第二驱动TFT T1b基于由第一像素电路PX2a的第一存储电容器Csta存储的第一栅极电压DATAa-|Vth|与第二数据电压DATAb之间的差异(即，DATAb-DATAa+|Vth|)来控制第二驱动电流Idb的量。第二驱动TFT T1b输出具有与通过从源极-栅极电压DATAb-DATAa+|Vth|减去第二驱动TFT T1b的阈值电压|Vth'|而获得的电压DATAb-DATAa+|Vth|-|Vth'|对应的量的第二驱动电流Idb。
第二驱动TFT T1b可具有与第一驱动TFT T1a基本上相同的平面形状或对称的平面形状。因为第二驱动TFT T1b和第一驱动TFT T1a具有彼此对应的形状并且被布置成彼此相邻，因此它们具有基本上相同的工艺误差并且具有基本上相似的晶体管特性。相应地，第一驱动TFT T1a的阈值电压|Vth|与第二驱动TFT T1b的阈值电压|Vth'|之间没有显著差异，并且第二驱动电流Idb的量可由第二数据电压DATAb与第一数据电压DATAa之间的差异(DATAb-DATAa)来确定。即，随着第一驱动TFT T1a的阈值电压|Vth|和第二驱动TFT T1b的阈值电压|Vth'|彼此抵消，第二驱动电流Idb的量可不受第一驱动TFT T1a的阈值电压|Vth|和第二驱动TFT T1b的阈值电压|Vth'|的影响。
第二发光器件OLEDb可发射具有与第二驱动电流Idb的量对应的亮度的光。第二发光器件OLEDb可为具有阳极和阴极的有机发光二极管。阴极可为施加有第二驱动电压ELVSS的公共电极。
第二像素电路PX2b还可包括第二阳极初始化TFT T7b。第二阳极初始化TFT T7b可响应于第三扫描信号GB而将初始化电压VINT施加到第二发光器件OLEDb的阳极。第二阳极初始化TFT T7b可具有接收第三扫描信号GB的栅极、与第二发光器件OLEDb的阳极连接的源极以及接收初始化电压VINT的漏极。施加到第二像素电路PX2b的第三扫描信号GB与施加到第一像素电路PX2a的第三扫描信号GB相同。
第二像素电路PX2b还可包括第一电流传输TFT T6b。第一电流传输TFT T6b可响应于发射控制信号EM而将从第二驱动TFT Tlb输出的第二驱动电流Idb传输到第二发光器件OLEDb。第一电流传输TFT T6b可具有接收发射控制信号EM的栅极、与第二驱动TFT T1b的漏极连接的源极以及与第二发光器件OLEDb的阳极连接的漏极。
在第一像素电路PX2a中，第一驱动TFT T1a输出具有与第一驱动电压ELVDD与第一数据电压DATAa之间的差异(ELVDD-DATAa)对应的量的第一驱动电流Ida，并且第一发光器件OLEDa发射具有与第一驱动电流Ida对应的亮度的光。在第二像素电路PX2b中，第二驱动TFT T1b输出具有与第二数据电压DATAb与第一数据电压DATAa之间的差异(DATAb-DATAa)对应的量的第二驱动电流Idb，并且第二发光器件OLEDb发射具有与第二驱动电流Idb对应的亮度的光。第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b可分别生成不受第一驱动TFT T1a和第二驱动TFT T1b的阈值电压影响的第一驱动电流Ida和第二驱动电流Idb。第二像素电路PX2b可通过共享第一像素电路PX2a的第一驱动TFT T1a的栅极来省略多个TFT中的一些。在图6的实例中，第一像素电路PX2a包括七个TFT和一个电容器，而第二像素电路PX2b仅包括四个TFT。相应地，第二像素电路PX2b可形成在较小的区域中，并且可确保相对较宽的透射区域(图1中的TA)。
图7是示出根据另一实施方式的第二像素P2的像素电路的视图。
参照图7，第二像素P2包括第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b。因为第一像素电路PX2a与图6中所示的第一像素电路PX2a相同，因此对第一像素电路PX2a的描述将被省略。第二像素电路PX2b与图6中所示的第二像素电路PX2b的不同之处在于其还包括第二存储电容器Cstb和第二补偿TFT T3b。以下描述对差异进行描述。
第二像素电路PX2b还可包括响应于第一扫描信号GW而将第二驱动TFT T1b的栅极连接到第一驱动TFT T1a的栅极的第二补偿TFT T3b。第二补偿TFT T3b可具有接收第一扫描信号GW的栅极、与第一驱动TFT T1a的栅极连接的源极以及与第二驱动TFT T1b的栅极连接的漏极。第二补偿TFT T3b可由彼此串联连接并且由第一扫描信号GW同步控制的多个TFT形成。施加到第二像素电路PX2b的第一扫描信号GW与施加到第一像素电路PX2a的第一扫描信号GW相同。
第二像素电路PX2b还可包括连接到第二驱动TFT T1b的栅极并且保持第一栅极电压DATAa-|Vth|的第二存储电容器Cstb。第二存储电容器Cstb可具有施加有第一驱动电压ELVDD的第一电极以及与第二驱动TFT T1b的栅极连接的第二电极。在数据写入时段中，第二存储电容器Cstb可存储第一驱动电压ELVDD与第一栅极电压DATAa-|Vth|之间的差异(ELVDD-DATAa+|Vth|)，并且可在发光时段期间保持该差异。
在数据写入时段中，接收低电平第一扫描信号GW和第一数据电压DATAa。响应于低电平第一扫描信号GW，第一扫描TFT T2a、第一补偿TFT T3a和第二补偿TFT T3b被导通。第一驱动TFT T1a的漏极和栅极彼此连接以使得第一驱动TFT T1a二极管连接，并且第一驱动TFT T1a的栅极和第二驱动TFT T1b的栅极也彼此连接。第一数据电压DATAa通过二极管连接的第一驱动TFT T1a传输到第一驱动TFT T1a和第二驱动TFT T1b的栅极，并且第一栅极电压DATAa-|Vth|存储在第一存储电容器Csta和第二存储电容器Cstb这两者中。
因为第一栅极电压DATAa-|Vth|由第一存储电容器Csta和第二存储电容器Cstb独立地保持，因此第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b中的每个可独立地更可靠地操作。
图8是示出根据另一实施方式的第二像素P2的像素电路的视图。
参照图8，第二像素P2包括第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b。因为第一像素电路PX2a与图6中所示的第一像素电路PX2a相同，因此对第一像素电路PX2a的描述将被省略。与图6中所示的第二像素电路PX2b相比，第二像素电路PX2b在第二阳极初始化TFT T7b的连接关系上具有差异。以下描述对差异进行描述。
第二阳极初始化TFT T7b可响应于第三扫描信号GB而将第二发光器件OLEDb的阳极连接到第一发光器件OLEDa的阳极。第二阳极初始化TFT T7b可具有接收第三扫描信号GB的栅极、与第二发光器件OLEDb的阳极连接的源极以及与第一发光器件OLEDa的阳极连接的漏极。
响应于低电平第三扫描信号GB，第一阳极初始化TFT T7a和第二阳极初始化TFTT7b被导通，并且初始化电压VINT被施加到第一发光器件OLEDa的阳极和第二发光器件OLEDb的阳极。
通过第一阳极初始化TFT T7a和第二阳极初始化TFT T7b施加到第二发光器件OLEDb的阳极的初始化电压VINT的电平可高于通过第一阳极初始化TFT T7a施加到第一发光器件OLEDa的阳极的初始化电压VINT的电平。第一发光器件OLEDa和第二发光器件OLEDb可包括发射不同颜色的光的发光材料。通过根据第一发光器件OLEDa和第二发光器件OLEDb的材料属性而施加不同电平的初始化电压VINT，可解决诸如特定颜色的光迟发射的延迟发光的问题。
图9是示出根据另一实施方式的第二像素P2的像素电路的视图。
参照图9，第二像素P2包括第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b。因为第一像素电路PX2a与图6中所示的第一像素电路PX2a相同，因此对第一像素电路PX2a的描述将被省略。与图7中所示的第二像素电路PX2b相比，第二像素电路PX2b在第二阳极初始化TFT T7b的连接关系上具有差异。以下描述对差异进行讨论。
第二阳极初始化TFT T7b可响应于第三扫描信号GB而将第二发光器件OLEDb的阳极连接到第一发光器件OLEDa的阳极。第二阳极初始化TFT T7b可具有接收第三扫描信号GB的栅极、与第二发光器件OLEDb的阳极连接的源极以及与第一发光器件OLEDa的阳极连接的漏极。响应于低电平第三扫描信号GB，第一阳极初始化TFT T7a和第二阳极初始化TFT T7b被导通，并且初始化电压VINT被施加到第一发光器件OLEDa的阳极和第二发光器件OLEDb的阳极。
图10是示出根据另一实施方式的第二像素P2的像素电路的视图。
参照图10，第二像素P2包括第一像素电路PX2a、第二像素电路PX2b和第三像素电路PX2c。因为第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b与图6中所示的第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b相同，因此对第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b的描述将被省略。在下面将对第三像素电路PX2c进行描述。
第三像素电路PX2c包括第三驱动TFT T1c、第三扫描TFT T2c和第三发光器件OLEDc。第一像素电路PX2a可构成第一颜色(例如，绿色)的子像素，第二像素电路PX2b可构成第二颜色(例如，红色)的子像素，并且第三像素电路PX2c可构成第三颜色(例如，蓝色)的子像素。
第三扫描TFT T2c响应于发射控制信号EM而接收第三数据电压DATAc。在第三发光器件OLEDc发射光的时段期间，即，在发光时段期间，第三数据电压DATAc被施加到第三像素电路PX2c。第三扫描TFT T2c可响应于发射控制信号EM而将第三数据电压DATAc施加到第三驱动TFT T1c。第三扫描TFT T2c可具有接收发射控制信号EM的栅极、接收第三数据电压DATAc的源极以及与第三驱动TFT T1c的源极连接的漏极。由第三像素电路PX2c接收的发射控制信号EM与由第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b接收的发射控制信号EM相同。
第三驱动TFT T1c可具有与第一像素电路PX2a的第一驱动TFT T1a的栅极连接的栅极、通过第三扫描TFT T2c接收第三数据电压DATAc的源极以及通过第二电流传输TFTT6c与第三发光器件OLEDc连接的漏极。第三驱动TFT T1c基于由第一像素电路PX2a的第一存储电容器Csta存储的第一栅极电压DATAa-|Vth|与第三数据电压DATAc之间的差异(DATAc-DATAa+|Vth|)来控制第三驱动电流Idc的量。第三驱动TFT T1c输出具有与通过从源极-栅极电压DATAc-DATAa+|Vth|减去第三驱动TFT T1c的阈值电压|Vth”|而获得的电压DATAc-DATAa+|Vth|-|Vth”|对应的量的第三驱动电流Idc。
第三驱动TFT T1c可具有与第一驱动TFT T1a基本上相同的平面形状或对称的平面形状。因为第三驱动TFT T1c和第一驱动TFT T1a具有彼此对应的形状并且被布置成彼此相邻，因此它们具有基本上相同的工艺误差并且具有基本上相似的晶体管特性。相应地，第一驱动TFT T1a的阈值电压|Vth|与第三驱动TFT T1c的阈值电压|Vth”|之间没有显著差异，并且第三驱动电流Idc的量可由第三数据电压DATAc与第一数据电压DATAa之间的差异(DATAc-DATAa)来确定。即，随着第一驱动TFT T1a的阈值电压|Vth|和第三驱动TFT T1c的阈值电压|Vth”|彼此抵消，第三驱动电流Idc的量可不受第一驱动TFT T1a的阈值电压|Vth|和第三驱动TFT T1c的阈值电压|Vth”|的影响。
第三发光器件OLEDc可发射具有与第三驱动电流Idc的量对应的亮度的光。第三发光器件OLEDc可为具有阳极和阴极的有机发光二极管。阴极可为施加有第二驱动电压ELVSS的公共电极。
第三像素电路PX2c还可包括第三阳极初始化TFT T7c。第三阳极初始化TFT T7c可响应于第三扫描信号GB而将第三发光器件OLEDc的阳极连接到第一发光器件OLEDa的阳极。第三阳极初始化TFT T7c可具有接收第三扫描信号GB的栅极、与第三发光器件OLEDc的阳极连接的源极以及与第一发光器件OLEDa的阳极连接的漏极。施加到第三像素电路PX2c的第三扫描信号GB与施加到第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b的第三扫描信号GB相同。
第三像素电路PX2c还可包括第二电流传输TFT T6c。第二电流传输TFT T6c可响应于发射控制信号EM而将从第三驱动TFT T1c输出的第三驱动电流Idc传输到第三发光器件OLEDc。第二电流传输TFT T6c可具有接收发射控制信号EM的栅极、与第三驱动TFT T1c的漏极连接的源极以及与第三发光器件OLEDc的阳极连接的漏极。
在第一像素电路PX2a中，第一驱动TFT T1a输出具有与第一驱动电压ELVDD与第一数据电压DATAa之间的差异(ELVDD-DATAa)对应的量的第一驱动电流Ida，并且第一发光器件OLEDa发射具有与第一驱动电流Ida对应的亮度的光。在第二像素电路PX2b中，第二驱动TFT T1b输出具有与第二数据电压DATAb与第一数据电压DATAa之间的差异(DATAb-DATAa)对应的量的第二驱动电流Idb，并且第二发光器件OLEDb发射具有与第二驱动电流Idb对应的亮度的光。在第三像素电路PX2c中，第三驱动TFT T1c输出具有与第三数据电压DATAc与第一数据电压DATAa之间的差异(DATAc-DATAa)对应的量的第三驱动电流Idc，并且第三发光器件OLEDc发射具有与第三驱动电流Idc对应的亮度的光。
第一像素电路PX2a、第二像素电路PX2b和第三像素电路PX2c可分别生成不受第一驱动TFT T1a、第二驱动TFT T1b和第三驱动TFT T1c的阈值电压影响的第一驱动电流Ida、第二驱动电流Idb和第三驱动电流Idc。第二像素电路PX2b和第三像素电路PX2c可通过共享第一像素电路PX2a的第一驱动TFT T1a的栅极来省略多个TFT中的一些。在图10的实例中，第一像素电路PX2a包括七个TFT和一个电容器，而第二像素电路PX2b和第三像素电路PX2c仅包括四个TFT。相应地，第二像素电路PX2b和第三像素电路PX2c可形成在较小的区域中，并且可确保相对较宽的透射区域(图1中的TA)。
图11是示出根据另一实施方式的第二像素P2的像素电路的视图。
参照图11，第二像素P2包括第一像素电路PX2a、第二像素电路PX2b和第三像素电路PX2c。因为第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b与图7中所示的第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b相同，因此对第一像素电路PX2a和第二像素电路PX2b的描述将被省略。第三像素电路PX2c与图10中所示的第三像素电路PX2c的不同之处在于其还包括第三存储电容器Cstc和第三补偿TFT T3c。以下描述对差异进行讨论。
第三像素电路PX2c还可包括响应于第一扫描信号GW而将第三驱动TFT T1c的栅极连接到第一驱动TFT T1a的漏极的第三补偿TFT T3c。第三补偿TFT T3c可具有接收第一扫描信号GW的栅极、与第一驱动TFT T1a的漏极连接的源极以及与第三驱动TFT T1c的栅极连接的漏极。第三补偿TFT T3c可由彼此串联连接并且由第一扫描信号GW同步控制的多个TFT形成。
第三像素电路PX2c还可包括连接到第三驱动TFT T1c的栅极并且保持第一栅极电压DATAa-|Vth|的第三存储电容器Cstc。第三存储电容器Cstc可具有施加有第一驱动电压ELVDD的第一电极以及与第三驱动TFT T1c的栅极连接的第三电极。在数据写入时段中，第三存储电容器Cstc可存储第一驱动电压ELVDD与第一栅极电压DATAa-|Vth|之间的差异(ELVDD-DATAa+|Vth|)，并且可在发光时段期间保持该差异。
在数据写入时段中，接收低电平第一扫描信号GW和第一数据电压DATAa。响应于低电平第一扫描信号GW，第一扫描TFT T2a、第一补偿TFT T3a和第二补偿TFT T3b被导通。第一驱动TFT T1a的漏极和栅极彼此连接以使得第一驱动TFT T1a被二极管连接，并且第一驱动TFT T1a的栅极、第二驱动TFT T1b的栅极和第三驱动TFT T1c的栅极也彼此连接。第一数据电压DATAa通过二极管连接的第一驱动TFT T1a向第一驱动TFT T1a的栅极和第三驱动TFT T1c的栅极传输，并且第一栅极电压DATAa-|Vth|分别存储在第一存储电容器Csta、第二存储电容器Cstb和第三存储电容器Cstc中。
因为第一栅极电压DATAa-|Vth|通过第一存储电容器Csta、第二存储电容器Cstb和第三存储电容器Cstc独立地保持，因此第一像素电路PX2a、第二像素电路PX2b和第三像素电路PX2c中的每个可独立地更可靠地操作。
根据本公开的各种实施方式，因为可在添加有其它功能的区域中减小像素的区域，因此可布置有相对宽的透射区域。相应地，显示装置可在将显示品质保持原样的同时提供各种功能。
应理解的是，本文中描述的实施方式应仅被视为描述性意义，而不是出于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它实施方式中的其它相似特征或方面。虽然已参照附图对一个或多个实施方式进行了描述，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不背离如随附权利要求书中限定的范围和精神的情况下，可在形式和细节上进行各种改变。

Claims (10)

1.一种像素电路，包括第一像素电路和第二像素电路，
其中，所述第一像素电路包括：
第一扫描薄膜晶体管，所述第一扫描薄膜晶体管响应于第一扫描信号而接收第一数据电压；
第一存储电容器，所述第一存储电容器保持与所述第一数据电压对应的第一栅极电压；
第一驱动薄膜晶体管，所述第一驱动薄膜晶体管具有与所述第一存储电容器连接的栅极并且基于所述第一栅极电压来控制第一驱动电流的量；以及
第一发光器件，所述第一发光器件根据所述第一驱动电流而发射光，并且
所述第二像素电路包括：
第二扫描薄膜晶体管，所述第二扫描薄膜晶体管响应于发射控制信号而接收第二数据电压；
第二驱动薄膜晶体管，所述第二驱动薄膜晶体管具有与所述第一驱动薄膜晶体管的所述栅极连接的栅极以及通过所述第二扫描薄膜晶体管接收所述第二数据电压的源极，并且所述第二驱动薄膜晶体管基于所述第一栅极电压与所述第二数据电压之间的差异来控制第二驱动电流的量；以及
第二发光器件，所述第二发光器件根据所述第二驱动电流而发射光。
2.如权利要求1所述的像素电路，其中，所述第一像素电路还包括：
第一补偿薄膜晶体管，所述第一补偿薄膜晶体管响应于所述第一扫描信号而将所述第一驱动薄膜晶体管的漏极和所述第一驱动薄膜晶体管的所述栅极彼此连接；
第一栅极初始化薄膜晶体管，所述第一栅极初始化薄膜晶体管响应于第二扫描信号而将初始化电压施加到所述第一驱动薄膜晶体管的所述栅极；以及
第一阳极初始化薄膜晶体管，所述第一阳极初始化薄膜晶体管响应于第三扫描信号而将所述初始化电压施加到所述第一发光器件的阳极。
3.如权利要求2所述的像素电路，其中，所述第二像素电路还包括：
第二阳极初始化薄膜晶体管，所述第二阳极初始化薄膜晶体管响应于所述第三扫描信号而将所述初始化电压施加到所述第二发光器件的阳极。
4.如权利要求2所述的像素电路，其中，所述第二像素电路还包括：
第二阳极初始化薄膜晶体管，所述第二阳极初始化薄膜晶体管响应于所述第三扫描信号而将所述第二发光器件的阳极连接到所述第一发光器件的所述阳极。
5.如权利要求1所述的像素电路，其中，所述第一像素电路还包括：
第一发射控制薄膜晶体管，所述第一发射控制薄膜晶体管响应于所述发射控制信号而将第一驱动电压施加到所述第一驱动薄膜晶体管的源极；以及
第二发射控制薄膜晶体管，所述第二发射控制薄膜晶体管响应于所述发射控制信号而将来自所述第一驱动薄膜晶体管的所述第一驱动电流传输到所述第一发光器件。
6.如权利要求1所述的像素电路，其中，所述第二像素电路还包括：
第一电流传输薄膜晶体管，所述第一电流传输薄膜晶体管响应于所述发射控制信号而将来自所述第二驱动薄膜晶体管的所述第二驱动电流传输到所述第二发光器件。
7.如权利要求1所述的像素电路，还包括：
第三像素电路，其中，所述第三像素电路包括：
第三扫描薄膜晶体管，所述第三扫描薄膜晶体管响应于所述发射控制信号而接收第三数据电压；
第三驱动薄膜晶体管，所述第三驱动薄膜晶体管具有与所述第一驱动薄膜晶体管的所述栅极连接的栅极以及通过所述第三扫描薄膜晶体管接收所述第三数据电压的源极，并且所述第三驱动薄膜晶体管基于所述第一栅极电压与所述第三数据电压之间的差异来控制第三驱动电流的量；以及
第三发光器件，所述第三发光器件根据所述第三驱动电流而发射光。
8.如权利要求7所述的像素电路，其中，所述第三像素电路还包括：
第三阳极初始化薄膜晶体管，所述第三阳极初始化薄膜晶体管响应于第三扫描信号而将所述第三发光器件的阳极连接到所述第一发光器件的阳极；以及
第二电流传输薄膜晶体管，所述第二电流传输薄膜晶体管响应于所述发射控制信号而将来自所述第三驱动薄膜晶体管的所述第三驱动电流传输到所述第三发光器件。
9.如权利要求1所述的像素电路，其中，所述第二像素电路还包括：
第二补偿薄膜晶体管，所述第二补偿薄膜晶体管响应于所述第一扫描信号而将所述第二驱动薄膜晶体管的所述栅极连接到所述第一驱动薄膜晶体管的所述栅极；以及
第二存储电容器，所述第二存储电容器与所述第二驱动薄膜晶体管的所述栅极连接并且保持所述第一栅极电压。
10.如权利要求9所述的像素电路，还包括：
第三像素电路，其中，所述第三像素电路包括：
第三扫描薄膜晶体管，所述第三扫描薄膜晶体管响应于所述发射控制信号而接收第三数据电压；
第三补偿薄膜晶体管，所述第三补偿薄膜晶体管响应于所述第一扫描信号而接收所述第一栅极电压；
第三驱动薄膜晶体管，所述第三驱动薄膜晶体管具有通过所述第三补偿薄膜晶体管接收所述第一栅极电压的栅极以及通过所述第三扫描薄膜晶体管接收所述第三数据电压的源极，并且所述第三驱动薄膜晶体管基于所述第一栅极电压与所述第三数据电压之间的差异来控制第三驱动电流的量；
第三存储电容器，所述第三存储电容器与所述第三驱动薄膜晶体管的所述栅极连接并且保持所述第一栅极电压；以及
第三发光器件，所述第三发光器件根据所述第三驱动电流而发射光。
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