CN113802101A - 一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法 - Google Patents
一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113802101A CN113802101A CN202110983341.5A CN202110983341A CN113802101A CN 113802101 A CN113802101 A CN 113802101A CN 202110983341 A CN202110983341 A CN 202110983341A CN 113802101 A CN113802101 A CN 113802101A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- entropy alloy
- nanocrystalline
- annealing
- grain boundary
- creep
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 76
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 title claims abstract description 16
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004321 preservation Methods 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 abstract description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910001325 element alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002707 nanocrystalline material Substances 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005324 grain boundary diffusion Methods 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C30/00—Alloys containing less than 50% by weight of each constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5806—Thermal treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法，通过磁控溅射的方法制备非晶包裹纳米晶的双相高熵合金，其中非晶相可以看作宽度为2～3.5nm的晶界，纳米晶晶粒尺寸为3～5nm。由于非晶相对纳米晶晶粒的滑移和旋转起到很好的抑制作用，而调控退火温度可以改变非晶相宽度从而对晶粒旋转和晶界滑移进行不同程度的抑制，实现调控CrMnFeCoNi纳米晶高熵合金蠕变性能的目的。该方法包括磁控溅射镀膜和控制退火两个步骤。该方法可以有效的调控CrMnFeCoNi纳米米晶高熵合金的蠕变抗性。
Description
技术领域
本发明涉及合金材料领域，主要涉及一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法。
背景技术
高熵合金(或多主元合金)是一种新型的合金材料，具有优异的力学性能、摩擦磨损性能、抗辐照和耐腐蚀性能等，是潜在的可应用于航天、航海、核能及电子等关键领域的功能与结构材料。其多主元等原子比高的混合熵，使之可以形成单相固溶体而非金属间化合物。而高熵效应、晶格畸变效应、缓慢扩散效应及鸡尾酒效应等四种核心性能使其在强度、塑性、蠕变性能等方面优于传统的单主元合金。
蠕变性能是金属材料在工业应用中一个重要指标。大多数传统合金可以通过降低晶粒尺寸可以提高强度，但随着晶粒尺寸减小到纳米级，由于大量晶界的产生，蠕变变形的相关机制由粗晶时的位错主导机制转变为晶界主导的相关机制，如晶界滑移、晶界扩散及晶粒旋转等。大量的晶界在蠕变变形时发生滑移和晶粒旋转而导致蠕变抗性的降低，所以纳米晶材料虽然强度高于粗晶材料材料，但是较差的蠕变性能成为其在工程应用上的瓶颈。
纳米晶高熵合金由于其缓慢扩散效应而具有由于传统合金的蠕变抗性，但是如果可以调控纳米晶高熵合金的蠕变性能，那么纳米晶高熵合金在结构材料上的使用范围将进一步扩大。
发明内容
为了解决上述存在的问题，本发明在于提供一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法，利用蠕变变形机制中晶界滑移和晶粒旋转等主导机制，通过调控晶界的宽度，实现对晶界滑移和晶粒旋转的抑制，而改变材料的蠕变性能。为达到上述目的，本发明采用如下：
本发明提供的调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法包括间歇磁控溅射镀膜和控制退火两个步骤，将沉积态的纳米晶高熵合金薄膜置于通有保护气体的退火炉进行退火，所制备的CrMnFeCoNi纳米晶高熵合金薄膜晶界宽度为0.6-3.5nm，其蠕变抗性随晶界宽度降低而增高。
一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法，包括间歇磁控溅射镀膜和控制退火两个步骤：
(1)制备CrMnFeCoNi高熵合金靶材，其原子百分比为：Cr：18-20％、Mn：21-25％、Fe：17-21％、Co：19-21％、Ni：18-20％，总质量百分比之和为100％；
(2)将CrMnFeCoNi高熵合金靶材作为溅射靶材，采用间歇磁控溅射的方法在基底上制备沉积态纳米晶高熵合金薄膜；
(3)镀膜时电源采用射频电源，功率为80-100W，溅射过程中加偏压80-100V，炉内压强为0.3-0.8Pa；
(4)将沉积态的纳米晶高熵合金薄膜置于通有保护气体的退火炉中进行退火处理。
所制备的沉积态CrMnFeCoNi高熵合金薄膜晶界宽度为2-3.5nm，晶粒尺寸为3-5nm。
退火时保持炉内压强为25-35Pa。
所述保护气体为95％氩气+5％氢气的混合气体，且在退火时保持气体流量为28-32sccm。
所述退火温度为200-600℃。
所述退火保温时间为0.5-3h。
退火后冷却方式为随炉冷却，制得的高熵合金薄膜晶界宽度为0.6-2.5nm，晶粒尺寸为5-10nm，均具有高的蠕变抗性且蠕变抗性随晶界宽度的降低而呈现增高的趋势。
所述间歇磁控溅射镀膜所制备的沉积态薄膜厚约1μm，晶界宽度为2-3.5nm。
本发明具有以下优点：
1、本发明利用蠕变变形中晶界相关机制，通过改变晶界宽度对晶粒旋转、晶界滑移的抑制程度调控蠕变性能，该方法可以有效的调控纳米晶高熵合金的蠕变抗性。
2、本发明提供的方法所需设备皆为研究所需最基础设备，方法可靠，可控程度高。
3、本发明为调控纳米晶高熵合金的蠕变性能提供了新思路。
附图说明
图1是不同晶界宽度的纳米晶高熵合金薄膜TEM照片图；
(a)沉积态纳米晶的结构形貌。
(b)300℃退火后纳米晶的结构形貌。
(c)450℃退火后纳米晶的结构形貌。
图2是不同晶界宽度的纳米晶高熵合金硬度图。
图3是不同加载速率下的载荷-位移曲线图；
图4是不同晶界宽度的纳米晶高熵合金不同载荷速率下的蠕变速率图。
具体实施方式
下面将结合附图及具体实例来详细说明本发明，但并不作为对本发明的限定。
参照图1所示，其中图(a)为沉积态纳米晶高熵合金为单相FCC结构，晶界为非晶结构，宽度为3nm左右；图(b)为300℃退火后纳米晶高熵合金为单相FCC结构，晶界为非晶结构，宽度降至2nm左右；图(c)为450℃退火后纳米晶高熵合金仍为单相FCC结构，晶界宽度降至0.6nm左右。
参照图2所示，三种状态下的纳米晶高熵合金均发生了蠕变，且蠕变曲线随加载速率的改变而发生改变。
参照图3所示，纳米晶高熵合金随着晶界宽度的降低，其硬度呈现上升趋势。
参照图4所示，纳米晶高熵合金随着晶界宽度的降低，其蠕变稳态速率呈现下降趋势，说明其蠕变抗性随晶界宽度的减小而增大。
实施例1
采用CrMnFeCoNi高熵合金靶材，通过间歇磁控溅射的方法在硅基底上制备纳米晶高熵合金薄膜，射频电源功率为100W，偏压80V，单次溅射20min，循环12次，制备得到厚度约为1μm的高熵合金薄膜，所得纳米晶晶粒尺寸约为3.8nm，晶界宽度约3.0nm左右。
纳米晶高熵合金薄膜的TEM测试结果如图1(a)所示，结果表明纳米晶高熵合金薄膜的晶界宽度为3.0nm左右，硬度为8.9GPa左右(如图2所示)，沉积态纳米晶高熵合金在室温下发生了蠕变，且蠕变随应变速率的变化而变化(如图3所示)。该方法制备的纳米晶高熵合金具有很强的蠕变蠕变抗性(如图4所示)。
实施例2
该方法包括间歇磁控溅射镀膜和控制退火两个步骤。所制备的CrMnFeCoNi纳米晶高熵合金薄膜厚约1μm，纳米晶晶粒尺寸约为4.8nm，晶界宽度约2.1nm。
该方法制备的纳米晶高熵合金薄膜蠕变抗性优于晶界宽度为3.0nm的沉积态纳米晶高熵合金薄膜。
具体实施步骤如下
(1)间歇磁控溅射镀膜：使用CrMnFeCoNi高熵合金靶材在硅基底上制备纳米晶高熵合金薄膜。射频电源功率为100W，偏压80V，单次溅射20min，循环12次，制备得到厚度约为1μm的高熵合金薄膜。
(2)控制退火：将沉积态的纳米晶高熵合金薄膜置于通有保护气体的退火炉中，退火温度为300℃，保温1h后随炉冷却。
纳米晶高熵合金薄膜的TEM测试结果如图1(b)所示，结果表明纳米晶高熵合金薄膜的晶界宽度为2.1nm左右，硬度为9.5GPa左右(如图2所示)，高于晶界宽度为3.0nm左右的沉积态纳米晶高熵合金。300℃退火态纳米晶高熵合金在室温下发生了蠕变，且蠕变随应变速率的变化而变化(如图3所示)，蠕变性能如图4所示，结果表明晶界宽度的降低使得纳米晶高熵合金的蠕变抗性增加，这使得纳米晶材料因晶界增多而导致的蠕变性能差的问题得到解决。
实施例3
该方法包括间歇磁控溅射镀膜和控制退火两个步骤。所制备的CrMnFeCoNi纳米晶高熵合金薄膜厚约1μm，纳米晶晶粒尺寸约为7.8nm，晶界宽度约0.6nm。
该方法制备的纳米晶高熵合金薄膜蠕变抗性优于300℃退火的纳米晶薄膜。
具体实施步骤如下
(1)间歇磁控溅射镀膜：通过间歇磁控溅射硅基底上制备纳米晶高熵合金薄膜。射频电源功率为100W，偏压80V，单次溅射20min，循环12次，制备得到厚度约为1μm的高熵合金薄膜。
(2)控制退火：将沉积态的纳米晶高熵合金薄膜置于通有保护气体的退火炉中，退火温度为450℃，保温3h后随炉冷却。
纳米晶高熵合金薄膜的TEM测试结果如图1(c)所示，结果表明纳米晶高熵合金薄膜的晶界宽度为0.6nm左右，硬度为12.9GPa左右，高于晶界宽度为2.05nm左右的纳米晶高熵合金。450℃退火态纳米晶高熵合金在室温下发生了蠕变，且蠕变随应变速率的变化而变化(如图3所示)，蠕变性能如图4所示，结果表明晶界宽度的进一步降低使得纳米晶高熵合金的蠕变抗性得到更高的提升，调控纳米晶高熵合金材料的晶界宽度而调控蠕变性能可以使纳米晶高熵材料在工程上的应用得到进一步的扩展。
Claims (7)
1.一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法，其特征在于：包括间歇磁控溅射镀膜和控制退火两个步骤：
(1)制备CrMnFeCoNi高熵合金靶材，其原子百分比为：Cr：18-20％、Mn：21-25％、Fe：17-21％、Co：19-21％、Ni：18-20％，总质量百分比之和为100％；
(2)将CrMnFeCoNi高熵合金靶材作为溅射靶材，采用间歇磁控溅射的方法在基底上制备沉积态纳米晶高熵合金薄膜；
(3)镀膜时电源采用射频电源，功率为80-100W，溅射过程中加偏压80-100V，炉内压强为0.3-0.8Pa；
(4)将沉积态的纳米晶高熵合金薄膜置于通有保护气体的退火炉中进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所制备的沉积态CrMnFeCoNi高熵合金薄膜晶界宽度为2-3.5nm，晶粒尺寸为3-5nm。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：退火时保持炉内压强为25-35Pa。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述保护气体为95％氩气+5％氢气的混合气体，且在退火时保持气体流量为28-32sccm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述退火温度为200-600℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述退火保温时间为0.5-3h。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：退火后冷却方式为随炉冷却，制得的高熵合金薄膜晶界宽度为0.6-2.5nm，晶粒尺寸为5-10nm，均具有高的蠕变抗性且蠕变抗性随晶界宽度的降低而呈现增高的趋势。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110983341.5A CN113802101A (zh) | 2021-08-25 | 2021-08-25 | 一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110983341.5A CN113802101A (zh) | 2021-08-25 | 2021-08-25 | 一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113802101A true CN113802101A (zh) | 2021-12-17 |
Family
ID=78894132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110983341.5A Pending CN113802101A (zh) | 2021-08-25 | 2021-08-25 | 一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113802101A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115717231A (zh) * | 2023-01-09 | 2023-02-28 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种次晶金属材料、其制备方法及应用 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200041629A (ko) * | 2018-10-12 | 2020-04-22 | 포항공과대학교 산학협력단 | 이상을 갖는 변태유기소성 고엔트로피 합금 및 그 제조방법 |
| CN111441026A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-07-24 | 南京工业大学 | 一种双相结构高熵合金的制备方法 |
| CN111926303A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-11-13 | 西安邮电大学 | 一种高熵合金薄膜的制备方法 |
| RU2742751C1 (ru) * | 2020-07-14 | 2021-02-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ") | Способ получения износостойкого наноструктурированного покрытия |
| CN112662928A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-04-16 | 西安交通大学 | 一种非晶包裹纳米晶双相高强高熵合金薄膜及其制备方法 |
| CN112930418A (zh) * | 2018-10-26 | 2021-06-08 | 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔 | 具有带有受控析出结构的hea陶瓷基体的pvd涂层 |
-
2021
- 2021-08-25 CN CN202110983341.5A patent/CN113802101A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200041629A (ko) * | 2018-10-12 | 2020-04-22 | 포항공과대학교 산학협력단 | 이상을 갖는 변태유기소성 고엔트로피 합금 및 그 제조방법 |
| CN112930418A (zh) * | 2018-10-26 | 2021-06-08 | 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔 | 具有带有受控析出结构的hea陶瓷基体的pvd涂层 |
| CN111441026A (zh) * | 2020-05-14 | 2020-07-24 | 南京工业大学 | 一种双相结构高熵合金的制备方法 |
| RU2742751C1 (ru) * | 2020-07-14 | 2021-02-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный технологический университет" (ФГБОУ ВО "КубГТУ") | Способ получения износостойкого наноструктурированного покрытия |
| CN111926303A (zh) * | 2020-08-20 | 2020-11-13 | 西安邮电大学 | 一种高熵合金薄膜的制备方法 |
| CN112662928A (zh) * | 2020-12-16 | 2021-04-16 | 西安交通大学 | 一种非晶包裹纳米晶双相高强高熵合金薄膜及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| L.L.XIAO ET AL.: "Ultra-strong nanostructured CrMnFeCoNi high entropy alloys", 《MATERIALS AND DESIGN》 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115717231A (zh) * | 2023-01-09 | 2023-02-28 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种次晶金属材料、其制备方法及应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Chu et al. | Deposition and characterization of TiNi-base thin films by sputtering | |
| CN108300882B (zh) | 在MnCoGe基合金中实现磁结构耦合相变的方法 | |
| CN113802101A (zh) | 一种调控纳米晶高熵合金蠕变性能的方法 | |
| Sawaguchi et al. | Microstructure and shape memory behavior of Ti51. 2 (Pd27. 0Ni21. 8) and Ti49. 5 (Pd28. 5Ni22. 0) thin films | |
| CN113106408B (zh) | 一种自润滑难熔高熵合金薄膜及其制备方法 | |
| Hagihara et al. | Enhancement of plastic anisotropy and drastic increase in yield stress of Mg-Li single crystals by Al-addition followed by quenching | |
| Luo et al. | Mechanical properties, thermal stability and oxidation resistance of HfC/aC: H films deposited by HiPIMS | |
| Wang | Electroless deposition of Ni–Co–B alloy films and influence of heat treatment on the structure and the magnetic performances of the film | |
| CN108330455B (zh) | 一种Cr2AlC相纯度可调控的涂层制备方法 | |
| Priyadarshini et al. | Nano-crystalline NiTi alloy thin films fabricated using magnetron co-sputtering from elemental targets: effect of substrate conditions | |
| Gupta et al. | Oxidation resistance of nanocrystalline alloys | |
| CN114645254B (zh) | 一种TiAlMoNbW高熵合金氮化物薄膜及其制备工艺 | |
| CN111681846B (zh) | 软磁性合金和磁性零件 | |
| CN109273184B (zh) | 一种低成本耐腐蚀的单晶磁粉及其制备方法与应用 | |
| CN107604331A (zh) | 一种运用固相反应技术制备Cu/Ti非晶多层膜的方法 | |
| Malykhin et al. | Structure and phase formation features of Ti-Zr-Ni quasicrystalline films under heating | |
| Meng et al. | Structure of martensite in Ti-rich Ti–Ni–Cu thin films annealed at different temperatures | |
| Geetha Priyadarshini et al. | An investigation on phase formations and microstructures of Ni-rich Ni-Ti shape memory alloy thin films | |
| Merakeb et al. | Investigation of phase transformation for ferrite–austenite structure in stainless steel thin films | |
| Vishnoi et al. | Energetic ion irradiation induced crystallization of Ni–Mn–Sn ferromagnetic shape memory alloy thin film | |
| Shivaee et al. | Study of nanocrystallization in FINEMET alloy by active screen plasma nitriding | |
| Shang et al. | The influence of interstitial distribution on phase stability and properties of hexagonal ε-Fe6Cx, ε-Fe6Ny and ε-Fe6CxNy phases: A first-principles calculation | |
| CN111471969B (zh) | 一种用于在高温下抗氧化的Cr/CrN/CrAlN梯度涂层及制备方法 | |
| CN114369744A (zh) | 一种无磁宽温域恒弹性钛合金及其制备方法 | |
| Rodionov et al. | Cubic texture of recrystallization of ribbon substrates made of nickel alloys alloyed with W, Mo, and Re refractory elements |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211217 |