CN113793877B - 一种光伏电池及其制作方法 - Google Patents

一种光伏电池及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113793877B
CN113793877B CN202111150965.5A CN202111150965A CN113793877B CN 113793877 B CN113793877 B CN 113793877B CN 202111150965 A CN202111150965 A CN 202111150965A CN 113793877 B CN113793877 B CN 113793877B
Authority
CN
China
Prior art keywords
burn
slurry
layer
silicon substrate
passivation layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202111150965.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113793877A (zh
Inventor
请求不公布姓名
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shangrao Jietai New Energy Technology Co ltd
Original Assignee
Shangrao Jietai New Energy Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shangrao Jietai New Energy Technology Co ltd filed Critical Shangrao Jietai New Energy Technology Co ltd
Priority to CN202111150965.5A priority Critical patent/CN113793877B/zh
Publication of CN113793877A publication Critical patent/CN113793877A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113793877B publication Critical patent/CN113793877B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本申请公开了一种光伏电池及其制作方法，包括硅基体；位于硅基体背面在远离硅基体方向上依次层叠的第二钝化层和背面电极；位于硅基体正面在远离硅基体方向上依次层叠的第一钝化层、非烧穿性浆料层、烧穿性浆料层，烧穿性浆料层透过第一钝化层、非烧穿性浆料层与硅基体之间形成点接触；烧穿性浆料层包括呈阵列排布的烧穿性浆料单元，位于相邻两条竖线上的烧穿性浆料单元在横向上错位排布。烧穿性浆料层透过非烧穿性浆料层和第一钝化层与硅基体点接触，接触面积变小，降低载流子复合，同时烧穿性浆料层包括呈阵列排布的烧穿性浆料单元，位于相邻两条竖线上的烧穿性浆料单元在横向上错位排布，可以均匀有效的收集电流，提升光伏电池的转换效率。

Description

一种光伏电池及其制作方法
技术领域
本申请涉及光伏技术领域，特别是涉及一种光伏电池及其制作方法。
背景技术
随着能源危机越来越严重，可以代替传统能源的新能源的研究越来越重要。光伏电池可以将太阳能转换为电能，并且在转换过程中不会产生其他的废气污染物。
现有的光伏电池在正面涂覆线条状的浆料，经过烧结后，浆料与硅基体形成线接触金属-半导体结构，这种线接触的方式接触面积大，载流子复合严重，导致光伏电池的光电转换效率低。
因此，如何解决上述技术问题应是本领域技术人员重点关注的。
发明内容
本申请的目的是提供一种光伏电池及其制作方法，以提升光伏电池的光电转换效率。
为解决上述技术问题，本申请提供一种光伏电池，包括：
硅基体；
位于所述硅基体背面在远离所述硅基体方向上依次层叠的第二钝化层和背面电极；
位于所述硅基体正面在远离所述硅基体方向上依次层叠的第一钝化层、非烧穿性浆料层、烧穿性浆料层，所述烧穿性浆料层透过所述第一钝化层、所述非烧穿性浆料层与所述硅基体之间形成点接触；所述烧穿性浆料层包括呈阵列排布的烧穿性浆料单元，位于相邻两条竖线上的所述烧穿性浆料单元在横向上错位排布。
可选的，所述非烧穿性浆料层包括多个分离的非烧穿性浆料单元。
可选的，所述非烧穿性浆料单元的形状为条状，且所述烧穿性浆料单元的宽度小于或者等于所述非烧穿性浆料单元的宽度。
可选的，所述烧穿性浆料层的材料为铝浆料、铜浆料、银浆料或银铝浆料。
可选的，所述烧穿性浆料层的厚度在5μm～10μm之间，包括端点值。
可选的，所述非烧穿性浆料层的材料为导电胶。
可选的，所述背面电极包括呈阵列排布的背面电极单元，位于相邻两条竖线上的所述背面电极单元在横向上错位排布。
本申请还提供一种光伏电池制作方法，包括：
获得正面形成有第一钝化层的硅基体；
在所述第一钝化层的远离所述硅基体的表面形成非烧穿性浆料层；
在所述非烧穿性浆料层远离所述第一钝化层的表面形成烧穿性浆料层，其中，所述烧穿性浆料层包括呈阵列排布的烧穿性浆料单元，位于相邻两条竖线上的所述烧穿性浆料单元在横向上错位排布；
对形成有所述第一钝化层、所述非烧穿性浆料层、所述烧穿性浆料层的硅基体进行烧结，使所述烧穿性浆料层透过所述第一钝化层、所述非烧穿性浆料层与所述硅基体之间形成点接触；
在所述硅基体的背面形成第二钝化层；
在所述第二钝化层远离所述硅基体的表面形成背电极浆料层；
对所述背电极浆料层进行烧结使所述背电极浆料层形成背电极。
可选的，在所述第一钝化层的远离所述硅基体的表面形成非烧穿性浆料层包括：
采用喷墨打印法，在所述第一钝化层的远离所述硅基体的表面形成所述非烧穿性浆料层。
可选的，在所述非烧穿性浆料层远离所述第一钝化层的表面形成烧穿性浆料层包括：
采用图形印刷法，在所述非烧穿性浆料层远离所述第一钝化层的表面形成所述烧穿性浆料层。
本申请所提供的一种光伏电池，包括：硅基体；位于所述硅基体背面在远离所述硅基体方向上依次层叠的第二钝化层和背面电极；位于所述硅基体正面在远离所述硅基体方向上依次层叠的第一钝化层、非烧穿性浆料层、烧穿性浆料层，所述烧穿性浆料层透过所述第一钝化层、所述非烧穿性浆料层与所述硅基体之间形成点接触；所述烧穿性浆料层包括呈阵列排布的烧穿性浆料单元，位于相邻两条竖线上的所述烧穿性浆料单元在横向上错位排布。
可见，本申请中光伏电池的硅基体正面设置有第一钝化层、非烧穿性浆料层和烧穿性浆料层，烧穿性浆料层透过非烧穿性浆料层中的颗粒缝隙并透过第一钝化层与硅基体形成点接触，与硅基体的接触面积变小，降低载流子复合，提升光伏电池的开路电压和填充因子，提升光伏电池的光电转换效率，提高光伏电池的性能，且非烧穿性浆料层和烧穿性浆料层的层叠结构可以保证良好的接触电阻，另外，烧穿性浆料层包括呈阵列排布的烧穿性浆料单元，位于相邻两条竖线上的烧穿性浆料单元在横向上错位排布，该种设计可以均匀有效的收集电流，提升光伏电池的转换效率。
此外，本申请还提供一种具有上述优点的光伏电池制作方法。
附图说明
为了更清楚的说明本申请实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例所提供的一种光伏电池的结构示意图；
图2为本申请实施例中烧穿性浆料单元的排布示意图；
图3为本申请实施例所提供的一种光伏电池制作方法的流程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术部分所述，现有的光伏电池在正面涂覆线条状的浆料，经过烧结后，浆料与硅基体形成线接触金属-半导体结构，这种线接触的方式接触面积大，载流子复合严重，导致光伏电池的光电转换效率低。
有鉴于此，本申请提供了一种光伏电池，请参考图1，图1为本申请实施例所提供的一种光伏电池的结构示意图，包括：
硅基体1；
位于所述硅基体1背面在远离所述硅基体1方向上依次层叠的第二钝化层5和背面电极6；
位于所述硅基体1正面在远离所述硅基体1方向上依次层叠的第一钝化层2、非烧穿性浆料层3、烧穿性浆料层，所述烧穿性浆料层透过所述第一钝化层2、所述非烧穿性浆料层3与所述硅基体1之间形成点接触；所述烧穿性浆料层包括呈阵列排布的烧穿性浆料单元4，位于相邻两条竖线上的所述烧穿性浆料单元4在横向上错位排布。
需要说明的是，硅基体1的正面包括扩散层。硅基体1可以为N型硅基体1，或者P型硅基体1，本申请中不做具体限定。
第一钝化层2和第二钝化层5包括但不限于氮化硅、氮氧化硅。
背面电极6的材料一般采用银铝浆料，背面电极6的厚度一般为8μm～20μm，包括端点值，例如，10μm，12μm，14μm，16μm，18μm等等。
还需要说明的是，所述烧穿性浆料层的材料包括但不限于铝浆料、铜浆料、银浆料或银铝浆料。
所述烧穿性浆料层的厚度一般在5μm～10μm之间，包括端点值，例如，6μm，7μm，8μm，9μm等等。
烧穿性浆料层包括呈阵列排布的烧穿性浆料单元4，可以减小烧穿性浆料层与硅基体1的接触面积，烧穿性浆料单元4的形状包括但不限于圆形、正方形、长方形、椭圆形、短线条。
以烧穿性浆料单元4的形状为圆形为例，位于相邻两条竖线上的烧穿性浆料单元4在横向上错位排布的结构示意图如图2所示。
为了增加光伏电池接触光照的面积，所述非烧穿性浆料层3包括多个分离的非烧穿性浆料单元4。
可选的，所述非烧穿性浆料单元4的形状为条状，且所述烧穿性浆料单元4的宽度小于或者等于所述非烧穿性浆料单元4的宽度。或者，非烧穿性浆料单元4的形状为带状等等，本申请中不做具体限定。
烧穿性浆料单元4的宽度小于或者等于非烧穿性浆料单元4的宽度的目的是，减小烧穿性浆料层与硅基体1的接触面积。
本申请中对非烧穿性浆料层3的材料不做具体限定，可行选择。例如，所述非烧穿性浆料层3的材料为导电胶，或者，非烧穿性浆料层3的材料为金属含量高的浆料，其中，金属含量大于等于50wt％。
需要指出的是，非烧穿性浆料层3还可以为整面的层结构，即与第一钝化层2的尺寸相同，此时非烧穿性浆料层3需为透明的非烧穿性浆料层3。
非烧穿性浆料层3的厚度一般在80nm～200nm之间，例如，80nm，100nm，120nm，150nm，180nm，190nm，200nm等等。
非烧穿性浆料层3的设置目的是，非烧穿性浆料层3中金属颗粒之间具有缝隙，烧穿性浆料层透过金属颗粒之间的缝隙达到第一钝化层2，金属颗粒可以起到阻挡烧穿性浆料层的作用，进而减小烧穿性浆料层与硅基体1的接触面积。
本申请中光伏电池的硅基体1正面设置有第一钝化层2、非烧穿性浆料层3和烧穿性浆料层，烧穿性浆料层透过非烧穿性浆料层3中的颗粒缝隙并透过第一钝化层2与硅基体1形成点接触，与硅基体1的接触面积变小，降低载流子复合，提升光伏电池的开路电压和填充因子，提升光伏电池的光电转换效率，提高光伏电池的性能，且非烧穿性浆料层3和烧穿性浆料层的层叠结构可以保证良好的接触电阻，另外，烧穿性浆料层包括呈阵列排布的烧穿性浆料单元4，位于相邻两条竖线上的烧穿性浆料单元4在横向上错位排布，该种设计可以均匀有效的收集电流，提升光伏电池的转换效率。
在上述任一实施例的基础上，在本申请中的一个实施例中，所述背面电极包括呈阵列排布的背面电极单元，位于相邻两条竖线上的所述背面电极单元在横向上错位排布。
本实施例的光伏电池中，背面电极透过第二钝化层与硅基体之间形成点接触，与硅基体的接触面积变小，降低载流子复合，提升光伏电池的开路电压和填充因子，提升光伏电池的光电转换效率，同时，相邻两条竖线上的背面电极单元在横向上错位排布可以均匀有效的收集电流，进一步提升光伏电池的转换效率。
在本申请的其他实施例中，背面电极也可以为线状的电极，具体可参考相关技术，此处不再详细赘述。
本申请还提供一种光伏电池制作方法，请参考图3，图3为本申请实施例所提供的一种光伏电池制作方法的流程图，该方法包括：
步骤S101：获得正面形成有第一钝化层的硅基体。
硅基体的正面包括扩散层。
可以采用化学气相沉积或者等离子增强化学气相沉积的方式，在硅基体的正面沉积第一钝化层，其中，第一钝化层可以为氮化硅或者氮氧化硅。
步骤S102：在所述第一钝化层的远离所述硅基体的表面形成非烧穿性浆料层。
本申请中对形成非烧穿性浆料层的方式不做限定，可自行选择。可选的，在所述第一钝化层的远离所述硅基体的表面形成非烧穿性浆料层包括：采用喷墨打印法，在所述第一钝化层的远离所述硅基体的表面形成所述非烧穿性浆料层，或者，采用图形印刷法，在所述第一钝化层的远离所述硅基体的表面形成所述非烧穿性浆料层。
为了增加光伏电池接触光照的面积，形成的非烧穿性浆料层为多个分离的非烧穿性浆料单元。多个分离的非烧穿性浆料单元的形状包括但不限于条状或者带状。
非烧穿性浆料层的材料为导电胶或者金属含量高的浆料。
步骤S103：在所述非烧穿性浆料层远离所述第一钝化层的表面形成烧穿性浆料层，其中，所述烧穿性浆料层包括呈阵列排布的烧穿性浆料单元，位于相邻两条竖线上的所述烧穿性浆料单元在横向上错位排布。
烧穿性浆料层的材料包括但不限于铝浆料、铜浆料、银浆料或银铝浆料。
当非烧穿性浆料层为多个分离的非烧穿性浆料单元时，烧穿性浆料单元的宽度小于或者等于非烧穿性浆料单元的宽度，以减小烧穿性浆料层与硅基体的接触面积。
本申请中对形成烧穿性浆料层的方式不做限定，可自行选择。可选的，在所述非烧穿性浆料层远离所述第一钝化层的表面形成烧穿性浆料层包括：采用图形印刷法，在所述非烧穿性浆料层远离所述第一钝化层的表面形成所述烧穿性浆料层，或者，采用喷墨打印法，在所述非烧穿性浆料层远离所述第一钝化层的表面形成所述烧穿性浆料层。
本步骤中仅需要在烧穿性浆料单元所在的位置形成烧穿性浆料单元即可。
步骤S104：对形成有所述第一钝化层、所述非烧穿性浆料层、所述烧穿性浆料层的硅基体进行烧结，使所述烧穿性浆料层透过所述第一钝化层、所述非烧穿性浆料层与所述硅基体之间形成点接触。
本申请中烧结温度不做具体限定，需要保证将第一钝化层烧穿，使得烧穿性浆料层穿过第一钝化层、非烧穿性浆料层与硅基体接触。
步骤S105：在所述硅基体的背面形成第二钝化层。
需要指出的是，第二钝化层的形成方式包括但不限于化学气相沉积法、等离子增强化学气相沉积法。
第二钝化层可以为氮化硅或者氮氧化硅。
步骤S106：在所述第二钝化层远离所述硅基体的表面形成背电极浆料层。
步骤S107：对所述背电极浆料层进行烧结使所述背电极浆料层形成背电极。
需要指出的是，本申请中对光伏电池的制作步骤不做限定，光伏电池的制作方法还可以按照步骤S101、步骤S105、步骤S106、步骤S107、步骤S102、步骤S103、步骤S104的顺序进行。
本申请中光伏电池制作方法得到的光伏电池中，硅基体正面设置有第一钝化层、非烧穿性浆料层和烧穿性浆料层，烧穿性浆料层透过非烧穿性浆料层中的颗粒缝隙并透过第一钝化层与硅基体形成点接触，与硅基体的接触面积变小，降低载流子复合，提升光伏电池的开路电压和填充因子，提升光伏电池的光电转换效率，提高光伏电池的性能，且非烧穿性浆料层和烧穿性浆料层的层叠结构可以保证良好的接触电阻，另外，烧穿性浆料层包括呈阵列排布的烧穿性浆料单元，位于相邻两条竖线上的烧穿性浆料单元在横向上错位排布，该种设计可以均匀有效的收集电流，提升光伏电池的转换效率。此外，本申请中的制作方法可以与传统的印刷线兼容，只需更换网版和浆料即可，无需其他投入，增加的成本非常有限，无需对传统的生产工艺进行大规模调整。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
以上对本申请所提供的光伏电池及其制作方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以对本申请进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本申请权利要求的保护范围内。

Claims (8)

1.一种光伏电池，其特征在于，包括：
硅基体；
位于所述硅基体背面在远离所述硅基体方向上依次层叠的第二钝化层和背面电极；
位于所述硅基体正面在远离所述硅基体方向上依次层叠的第一钝化层、非烧穿性浆料层、烧穿性浆料层，所述烧穿性浆料层透过所述第一钝化层、所述非烧穿性浆料层与所述硅基体之间形成点接触；所述烧穿性浆料层包括呈阵列排布的烧穿性浆料单元，位于相邻两条竖线上的所述烧穿性浆料单元在横向上错位排布；
其中，所述烧穿性浆料层的材料为铝浆料、铜浆料、银浆料或银铝浆料；所述非烧穿性浆料层的材料为导电胶，或者为金属含量高的浆料，其中，金属含量大于等于50wt％。
2.如权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，所述非烧穿性浆料层包括多个分离的非烧穿性浆料单元。
3.如权利要求2所述的光伏电池，其特征在于，所述非烧穿性浆料单元的形状为条状，且所述烧穿性浆料单元的宽度小于或者等于所述非烧穿性浆料单元的宽度。
4.如权利要求1所述的光伏电池，其特征在于，所述烧穿性浆料层的厚度在5μm～10μm之间，包括端点值。
5.如权利要求1至4任一项所述的光伏电池，其特征在于，所述背面电极包括呈阵列排布的背面电极单元，位于相邻两条竖线上的所述背面电极单元在横向上错位排布。
6.一种光伏电池制作方法，其特征在于，包括：
获得正面形成有第一钝化层的硅基体；
在所述第一钝化层的远离所述硅基体的表面形成非烧穿性浆料层；
在所述非烧穿性浆料层远离所述第一钝化层的表面形成烧穿性浆料层，其中，所述烧穿性浆料层包括呈阵列排布的烧穿性浆料单元，位于相邻两条竖线上的所述烧穿性浆料单元在横向上错位排布；
对形成有所述第一钝化层、所述非烧穿性浆料层、所述烧穿性浆料层的硅基体进行烧结，使所述烧穿性浆料层透过所述第一钝化层、所述非烧穿性浆料层与所述硅基体之间形成点接触；其中，所述烧穿性浆料层的材料为铝浆料、铜浆料、银浆料或银铝浆料；所述非烧穿性浆料层的材料为导电胶，或者为金属含量高的浆料，其中，金属含量大于等于50wt％；
在所述硅基体的背面形成第二钝化层；
在所述第二钝化层远离所述硅基体的表面形成背电极浆料层；
对所述背电极浆料层进行烧结使所述背电极浆料层形成背电极。
7.如权利要求6所述的光伏电池制作方法，其特征在于，在所述第一钝化层的远离所述硅基体的表面形成非烧穿性浆料层包括：
采用喷墨打印法，在所述第一钝化层的远离所述硅基体的表面形成所述非烧穿性浆料层。
8.如权利要求6或7所述的光伏电池制作方法，其特征在于，在所述非烧穿性浆料层远离所述第一钝化层的表面形成烧穿性浆料层包括：
采用图形印刷法，在所述非烧穿性浆料层远离所述第一钝化层的表面形成所述烧穿性浆料层。
CN202111150965.5A 2021-09-29 2021-09-29 一种光伏电池及其制作方法 Active CN113793877B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111150965.5A CN113793877B (zh) 2021-09-29 2021-09-29 一种光伏电池及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111150965.5A CN113793877B (zh) 2021-09-29 2021-09-29 一种光伏电池及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113793877A CN113793877A (zh) 2021-12-14
CN113793877B true CN113793877B (zh) 2023-05-05

Family

ID=78877499

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111150965.5A Active CN113793877B (zh) 2021-09-29 2021-09-29 一种光伏电池及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113793877B (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109713051A (zh) * 2018-12-26 2019-05-03 浙江晶科能源有限公司 一种光伏电池接触结构以及制造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014220346A (ja) * 2013-05-07 2014-11-20 株式会社村田製作所 太陽電池セルおよびその製造方法
CN112993072A (zh) * 2019-12-12 2021-06-18 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 Perc双面电池及其制作方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109713051A (zh) * 2018-12-26 2019-05-03 浙江晶科能源有限公司 一种光伏电池接触结构以及制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113793877A (zh) 2021-12-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109728103B (zh) 太阳能电池
US9502590B2 (en) Photovoltaic devices with electroplated metal grids
CN102403371B (zh) 具有电镀的金属格栅的太阳能电池
WO2022183603A1 (zh) 一种具有双面铝浆电极的N型Topcon电池及其制备方法
US20110277825A1 (en) Solar cell with metal grid fabricated by electroplating
US20130125974A1 (en) Solar cell with metal grid fabricated by electroplating
CN103337529A (zh) 全背接触太阳电池电极及其制作方法
CN105914249A (zh) 全背电极接触晶硅太阳能电池结构及其制备方法
Green High-efficiency silicon solar cell concepts
KR20110048792A (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
CN208028070U (zh) 一种太阳能电池片及电池片阵列和组件
EP2999005B1 (en) Solar cell, manufacturing method therefor, solar-cell module, and manufacturing method therefor
CN105789344A (zh) 一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构
CN105118874A (zh) 一种晶体硅太阳能电池及其制作方法
CN113793877B (zh) 一种光伏电池及其制作方法
CN205657065U (zh) 一种具有透明电极晶体硅光伏电池的组串连接结构
CN113437161A (zh) 太阳能电池片及其制备方法和光伏组件
TWI705573B (zh) 具有堆疊背面鈍化層的太陽電池及其製造方法
TWI705572B (zh) 具有氮氧化矽鈍化層的太陽電池及其製造方法
KR101961370B1 (ko) 태양 전지
TWI518709B (zh) 包含細化玻璃顆粒之銀漿及其用於製造光伏元件之用途
US20150207019A1 (en) Method for Fabricating Crystalline Silicon Solar Cell Having Passivation Layer and Local Rear Contacts
TWI470815B (zh) 矽基太陽能電池及其製造方法
CN117878176A (zh) 一种p型tbc太阳能电池及其制作方法
TWI506650B (zh) 銀漿及其用於製造光伏元件之用途

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant