CN113777886A - 陶瓷基板图形化方法 - Google Patents

陶瓷基板图形化方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113777886A
CN113777886A CN202110941555.6A CN202110941555A CN113777886A CN 113777886 A CN113777886 A CN 113777886A CN 202110941555 A CN202110941555 A CN 202110941555A CN 113777886 A CN113777886 A CN 113777886A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoetching
substrate
exposure
ceramic substrate
exposing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110941555.6A
Other languages
English (en)
Inventor
管鹏飞
贺贤汉
葛荘
王斌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Fulewa Semiconductor Technology Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Fulewa Semiconductor Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Fulewa Semiconductor Technology Co Ltd filed Critical Shanghai Fulewa Semiconductor Technology Co Ltd
Priority to CN202110941555.6A priority Critical patent/CN113777886A/zh
Publication of CN113777886A publication Critical patent/CN113777886A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • H05K3/064—Photoresists

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明涉及一种陶瓷基板图形化方法，包括：A、基板表面处理，去除陶瓷基板表面的油污和杂质后，进行酸性微蚀，增加基板表面粗糙度；B、旋转匀胶，滴少量的光刻胶到基板表面，采用2000～2500rpm/5s速度动态布胶，主转速为3000～4000rpm/40s，并采用4000～4500rpm/10s速度甩边缘液滴；C、软烘，在115±1℃条件下烘干100～150s，去除多余溶液；D、第一面曝光，将第一面向上光刻曝光，曝光图案中设置对位MarK点；光刻时，采用接触式或接近式曝光，光刻能量10‑50mW/cm2，光刻时间1‑20s，提高曝光精度；E、第二面对位曝光，将第二面向上光刻曝光，CCD相机通过承片台开槽识别第一面对位Mark点，对第二面进行对位曝光并进行光刻，开槽的宽度为曝光mark点的1.5‑3倍；F、显影及硬烘。

Description

陶瓷基板图形化方法
技术领域
本发明属于陶瓷基板制备技术领域，具体涉及一种陶瓷基板图形化方法。
背景技术
陶瓷基板具有高导热、高电绝缘、高机械强度、低膨胀等特性，主要应用于半导体致冷器、光通信模块及LED散热基板及太阳能电池组件等。
随着5G光通信模块的发展，对陶瓷基板的线路精细度要求越来越高，从微米级向亚微米级发展，对于图形化工艺提出了更高的要求。传统进行陶瓷基板图形化方法过程中，双面曝光机采用打孔定位或者上下菲林mark点对位的方式，正反对位精度和曝光精度在50μm左右，难以达到几微米的精度要求。
为了提高精度，使用光刻机替代曝光机，可以将图形单面曝光精度提高到几微米甚至是亚微米，但正反对位精度无法控制，正反错位问题仍无法解决。
发明内容
本发明是为解决上述技术问题进行的，针对当前陶瓷基板图形化流程过程中线路精细度不高的问题，尤其正反对位精度和曝光精度不高的问题进行改进，提供了一种陶瓷基板图形化方法。
针对上述问题，本发明采用改良后半导体光刻机实现对准及曝光精度改进，并结合其他图形化步骤改进，实现无需打孔定位，光刻后的图形精度和位置精度达到亚微米级。
为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：
本发明提供的陶瓷基板图形化方法，采用加装了CCD相机的半自动光刻机进行，CCD相机安装在承片台下方，包括如下步骤：
A、基板表面处理
去除陶瓷基板表面的油污和杂质后，进行酸性微蚀，增加基板表面粗糙度；
B、旋转匀胶
先滴少量的光刻胶到基板表面，采用2000～2500rpm/5s速度动态布胶，主转速为3000～4000rpm/40s，并采用4000～4500rpm/10s速度甩边缘液滴；
C、软烘
在115±1℃条件下烘干100～150s，去除多余溶液；
D、第一面曝光
将第一面向上光刻曝光，曝光图案中设置对位MarK点；光刻时，采用接触式或接近式曝光，光刻能量10-50mW/cm2，光刻时间1-20s，提高曝光精度；
E、第二面对位曝光
将第二面向上光刻曝光，CCD相机通过承片台开槽识别第一面对位Mark点，对第二面进行对位曝光并进行光刻，开槽的宽度为曝光mark点的1.5-3倍。
F、显影及硬烘
所用显影液为0.5～1.5％Na2CO3，硬烘条件为100～115℃烘干30S。
本发明中，陶瓷基板的金属面为铜面或铝面，均可实现光刻后的图形精度和位置精度达到亚微米级。
优选的，步骤A中，通过除油剂或者抛刷研磨去除陶瓷基板表面的油污和杂质；
酸性微蚀的处理步骤如下：采用1％-4％硫酸、20-80g/L过硫酸钠微蚀铜面，增加铜面粗糙度。经过该处理，铜面或铝面的粗糙度Ra达到0.2～0.6μm，便于后续旋转匀胶步骤中，增强光刻胶与基板表面间的结合力。
步骤B中，进行旋转匀胶时，采用2000rpm/5s速度动态布胶，主转速为3000rpm/40s，并采用4000rpm/10s速度甩边缘液滴。
步骤D中，对位MarK点至少包括两个对应位置的MarK点，所述MarK点通过菲林设计实现。
步骤D和E中，进行光刻时，光刻距离为0～200μm。
本发明的有益效果如下：
本发明利用CCD相机的高识别特性并结合承片台开槽，实现MarK点捕获以及正反面Mark点对应，实现正反对位精度控制；与此同时，通过预处理以及光刻条件改进实现线路精度改善，精度达到1μm或亚微米级。
此外，本发明使用曝光图形提供MarK点，取代传统的物理方法如打孔制备Mark点，能显著提高正反面图形对位精度。
附图说明
图1为本发明陶瓷基板图形化方法的流程图。
具体实施方式
下面结合本发明实施例对本发明的实施作详细说明，以下实施例是在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
根据图1，本发明提供的陶瓷基板图形化方法，采用加装了CCD相机的半自动光刻机进行，CCD相机安装在承片台下方，包括如下步骤：
A、基板表面处理
去除陶瓷基板表面的油污和杂质后，进行酸性微蚀，增加基板表面粗糙度：
通过除油剂或者抛刷研磨去除陶瓷基板表面的油污和杂质；而后采用1％-4％硫酸、20-80g/L过硫酸钠微蚀基板表面的铜面或铝面，增加表面粗糙度至0.2～0.6μm，便于后续旋转匀胶步骤中，增强光刻胶与基板表面间的结合力。
B、旋转匀胶
先滴少量的光刻胶到基板表面，采用2000～2500rpm/5s(优选2000rpm/5s)速度动态布胶，主转速为3000～4000rpm/40s(优选3000rpm/40s)，并采用4000～4500rpm/10s(优选4000rpm/10s)速度甩边缘液滴。
C、软烘
在115±1℃条件下烘干100～150s，去除胶溶液中多余溶液；
D、第一面曝光
将第一面向上光刻曝光，曝光图案中设置对位MarK点；光刻时，采用光刻距离为0～200μm接触式或接近式曝光，光刻能量10-50mW/cm2，光刻时间1-20s，提高曝光精度；
E、第二面对位曝光
将第二面向上光刻曝光，CCD相机通过承片台开槽识别第一面对位Mark点，通过软件自动实现第二面进行对位曝光并进行光刻。
本步骤中，承片台具有真空吸附功能，实现陶瓷基板的固定；开槽的宽度为曝光mark点的1.5-3倍，既实现Mark点图像捕获，又不影响承片台强度。
F、显影及硬烘
所用显影液为0.5～1.5％Na2CO3，硬烘条件为100～115℃烘干30S。
本实施例中，陶瓷基板的金属面为铜面或铝面，均可实现光刻后的图形精度和位置精度达到亚微米级。
本发明光刻机在可真空吸附的承片台下方加装了自动对位的CCD，通过软件实现自动对位，并在CCD活动范围的承片台上开槽，使CCD能透过承片台看到基板上的mark点。通过CCD相机的高识别特性并结合承片台开槽，实现MarK点捕获以及正反面Mark点对应，实现正反对位精度控制；与此同时，通过预处理以及光刻条件改进实现线路精度改善，精度达到1μm或亚微米级，满足陶瓷基板的线路精细度要求。
以上已对本发明创造的较佳实施例进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。

Claims (8)

1.一种陶瓷基板图形化方法，其特征在于，采用加装了CCD相机的半自动光刻机进行，所述CCD相机安装在承片台下方，包括如下步骤：
A、基板表面处理
去除陶瓷基板表面的油污和杂质后，进行酸性微蚀，增加基板表面粗糙度；
B、旋转匀胶
先滴少量的光刻胶到基板表面，采用2000～2500rpm/5s速度动态布胶，主转速为3000～4000rpm/40s，并采用4000～4500rpm/10s速度甩边缘液滴；
C、软烘
在115±1℃条件下烘干100～150s；
D、第一面曝光
将第一面向上光刻曝光，曝光图案中设置对位MarK点；光刻时，采用接触式或接近式曝光，光刻能量10-50mW/cm2，光刻时间1-20s；
E、第二面对位曝光
将第二面向上光刻曝光，所述CCD相机通过承片台开槽识别第一面对位Mark点，对第二面进行对位曝光并进行光刻，所述开槽的宽度为曝光mark点的1.5-3倍。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基板图形化方法，其特征在于，还包括F显影及硬烘步骤，所用显影液为0.5～1.5％Na2CO3，硬烘条件为100～115℃烘干30S。
3.根据权利要求1所述的陶瓷基板图形化方法，其特征在于：
其中，步骤A中，通过除油剂或者抛刷研磨去除陶瓷基板表面的油污和杂质；
酸性微蚀的处理步骤如下：采用1％-4％硫酸、20-80g/L过硫酸钠微蚀铜面，增加铜面粗糙度。
4.根据权利要求3所述的陶瓷基板图形化方法，其特征在于：
其中，所述基板表面粗糙度Ra为0.2～0.6μm。
5.根据权利要求3所述的陶瓷基板图形化方法，其特征在于：
其中，步骤B中，进行旋转匀胶时，采用2000rpm/5s速度动态布胶，主转速为3000rpm/40s，并采用4000rpm/10s速度甩边缘液滴。
6.根据权利要求1所述的陶瓷基板图形化方法，其特征在于：
其中，步骤D中，所述对位MarK点至少包括两个对应位置的MarK点，所述MarK点通过菲林设计实现。
7.根据权利要求5所述的陶瓷基板图形化方法，其特征在于：
其中，步骤D和E中，进行光刻时，光刻距离为0～200μm。
8.根据权利要求1所述的陶瓷基板图形化方法，其特征在于：
其中，所述的陶瓷基板的金属面为铜面或铝面。
CN202110941555.6A 2021-08-17 2021-08-17 陶瓷基板图形化方法 Pending CN113777886A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110941555.6A CN113777886A (zh) 2021-08-17 2021-08-17 陶瓷基板图形化方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110941555.6A CN113777886A (zh) 2021-08-17 2021-08-17 陶瓷基板图形化方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113777886A true CN113777886A (zh) 2021-12-10

Family

ID=78838050

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110941555.6A Pending CN113777886A (zh) 2021-08-17 2021-08-17 陶瓷基板图形化方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113777886A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115417697A (zh) * 2022-08-24 2022-12-02 镇江锦兴表面工程技术有限公司 一种用于氮化铝陶瓷片金属化电镀镍金的工艺

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090086207A1 (en) * 2007-10-01 2009-04-02 Maskless Lithography, Inc. Alignment system for optical lithography
CN103345119A (zh) * 2013-07-04 2013-10-09 苏州华博电子科技有限公司 一种带接地孔的陶瓷薄膜电路光刻方法
CN103489789A (zh) * 2012-06-13 2014-01-01 刘毅楠 陶瓷基片双面光刻工艺及结构
CN104407502A (zh) * 2014-11-19 2015-03-11 江苏影速光电技术有限公司 一种激光直接成像设备生产内层无孔电路板的方法
CN106647190A (zh) * 2017-02-28 2017-05-10 精电(河源)显示技术有限公司 双面ito薄膜的光刻方法
CN206479769U (zh) * 2017-01-16 2017-09-08 上海誉刻智能装备有限公司 一种双面对位曝光装置及含有该装置的激光直写设备

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090086207A1 (en) * 2007-10-01 2009-04-02 Maskless Lithography, Inc. Alignment system for optical lithography
CN103489789A (zh) * 2012-06-13 2014-01-01 刘毅楠 陶瓷基片双面光刻工艺及结构
CN103345119A (zh) * 2013-07-04 2013-10-09 苏州华博电子科技有限公司 一种带接地孔的陶瓷薄膜电路光刻方法
CN104407502A (zh) * 2014-11-19 2015-03-11 江苏影速光电技术有限公司 一种激光直接成像设备生产内层无孔电路板的方法
CN206479769U (zh) * 2017-01-16 2017-09-08 上海誉刻智能装备有限公司 一种双面对位曝光装置及含有该装置的激光直写设备
CN106647190A (zh) * 2017-02-28 2017-05-10 精电(河源)显示技术有限公司 双面ito薄膜的光刻方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115417697A (zh) * 2022-08-24 2022-12-02 镇江锦兴表面工程技术有限公司 一种用于氮化铝陶瓷片金属化电镀镍金的工艺

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10128102B2 (en) Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating
CN110047866A (zh) 阵列基板、显示面板及微型led的转移方法
JP2002093947A (ja) 半導体装置およびその製造方法並びに半導体装置実装構造体
CN113777886A (zh) 陶瓷基板图形化方法
KR100557549B1 (ko) 플립칩 범프 패드 형성 방법 및 그 구조
CN104518056B (zh) 一种反极性AlGaInP红光LED芯片的制备方法
CN114300604B (zh) 一种高分辨率Micro-LED微显示器件的高容差铟柱及其制备方法
CN108541142A (zh) 一种pcb内层线路图形转移工艺
CN1776523A (zh) 一种低成本简易制作光刻掩膜的方法
CN110461920A (zh) 用于树脂组合物的蚀刻液和蚀刻方法
CN114122160A (zh) 一种电池片边缘阻隔方法
CN110267446A (zh) 一种电路板线路制作方法
CN107400893B (zh) 一种精细线路褪膜液及褪膜工艺
CN107369617B (zh) 一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法
CN113862770A (zh) 一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法
CN102623356A (zh) 一种芯片级可焊陶瓷热沉的制备方法
CN102222630A (zh) 一种制备Sn-Ag-In三元无铅倒装凸点的方法
CN116528496A (zh) 一种高厚铜线路板阻焊层的制作方法
CN116193724A (zh) 一种提高覆铜陶瓷基板ts寿命的工艺设计
KR20040104033A (ko) 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 범프 형성방법
EP0655779A1 (en) Method of forming solder bumps on an integrated circuit flip chip
CN117812823A (zh) 一种对位光学凸块的制作方法
CN115500011B (zh) 一种用于dpc陶瓷基板加工的定位方法
CN102298277A (zh) 一种用于厚膜光刻胶的清洗液
CN117747711A (zh) 光伏电池栅线制备方法和光伏电池片

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20211210

RJ01 Rejection of invention patent application after publication