CN113745962A - 集成结构化光投影仪 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及集成结构化光投影仪。公开了一种光电装置，该光电装置包括半导体模片(22)和以包括多个列的网格图案而形成于该半导体模片上的发光元件(24)的单片式阵列。限定用于驱动发光元件的每列的相应公共接触(92)的导体被形成在该模片上。

Description

集成结构化光投影仪
本申请是申请号为201811355978.4、申请日为2014年6月5日、发明名称为“集成结构化光投影仪”的发明专利申请的分案申请，该申请号为201811355978.4的发明专利申请是申请号为201480034775.9、申请日为2014年6月5日、发明名称为“集成结构化光投影仪”的发明专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本专利申请要求于2013年6月19日提交的美国临时专利申请61/836,682的权益，该专利申请以引用方式并入本文。
技术领域
本发明整体涉及光电装置，并且更具体地涉及集成投影设备。
背景技术
微型光学投影仪用于多种应用。例如，此类投影仪可用于将经编码的光或结构化光的图案投射到对象上，以用于3D测绘(也称为深度测绘)目的。就这一点而言，美国专利申请公开2008/0240502(其公开内容以引用方式并入本文)描述了一种照明组件，其中光源诸如激光器二极管或LED利用光学辐射来透射照明透明物，以便将图案投射到对象上。(如本文所使用的，术语“光学”和“光”一般是指可见辐射、红外辐射和紫外辐射中的任一者。)图像捕获组件捕获被投射到对象上的图案的图像，并且处理器处理该图像，以便重建对象的三维(3D)地图。
PCT国际专利申请WO 2008/120217(其公开内容以引用方式并入本文)描述了上述US 2008/0240502中所示的照明组件的种类的更多方面。在一个实施例中，透明物包括被布置成不均匀图案的微透镜阵列。微透镜生成焦点的被投射到对象上的对应图案。
在一些应用中，光学投影仪可通过一个或多个衍射光学元件(DOE)来投射光。例如，美国专利申请公开2009/0185274(其公开内容以引用方式并入本文)描述了一种用于投射图案的装置，该装置包括被共同配置为衍射输入光束以便至少部分地覆盖表面的两个DOE。DOE的组合减小了零级(未衍射的)光束的能量。在一个实施例中，第一DOE生成多个光束的图案，并且第二DOE用作图案生成器，以在光束中的每个光束上形成衍射图案。
作为另一个实例，美国专利申请公开2011/0188054(其公开内容以引用方式并入本文)描述了包括单个集成封装中的光电部件和光学元件的光子模块。在一个实施例中，集成光子模块(PIM)包括光电元件的二维矩阵形式的辐射源，其被布置在衬底上并在垂直于衬底的方向上发射辐射。此类PIM通常包括在X-Y平面中形成网格的多个平行行的发射器，诸如发光二极管(LED)或垂直腔面发射激光器(VCSEL)二极管。来自发射器的辐射被引导到光学模块中，该光学模块包括适当图案化的元件和将所得图案投射到场景上的投影透镜。
美国专利申请公开2013/038881(其公开内容以引用方式并入本文)描述了集成图案生成器，其中以不是规则网格的图案来布置激光器二极管(诸如VCSEL)。光学器件可被耦接以将由激光器二极管阵列的元件发射的光的图案作为对应点的图案投射到空间中，其中每个点包含由阵列中的对应激光器二极管发射的光。在一些实施例中，DOE产生通过扩展的角范围扇出的图案的多个复制品。
发明内容
本发明的实施例提供了尤其可用于投射图案化辐射的集成光学投影仪设备。
因此，根据本发明的实施例，提供了一种光电装置，该光电装置包括半导体模片和以包括多个列的网格图案而形成于半导体模片上的发光元件的单片式阵列。在模片上形成导体，以便限定用于驱动发光元件的每列的相应公共接触。
在所公开的实施例中，发光元件包括垂直腔面发射激光器(VCSEL)。
在一些实施例中，装置包括光学器件，该光学器件被配置为投射由发光元件发射的光，以便生成条纹图案，每个条纹对应于列中的相应一个列。光学器件可包括衍射光学元件(DOE)，该DOE被配置为产生由发光元件生成的条纹图案的多个复制品。另选地或替代地，该光学器件包括圆柱形投影透镜。
在一些实施例中，该装置包括衬底，其中所述光学器件和所述半导体模片被共同安装在衬底上。该光学器件可包括被安装在衬底上的折叠式反射镜。
另选地或替代地，装置包括控制器，该控制器被配置为通过交替致动不同组的列来驱动发光元件。
根据本发明的实施例，还提供了一种光电装置，该光电装置包括半导体模片和以包括多个列的网格图案而形成于半导体模片上的发光元件的单片式阵列。光学器件包括被安装在衬底上的并且被配置为投射由元件发射的光的衍射光学元件(DOE)，以便生成与网格图案的列对应的条纹图案。
在所公开的实施例中，该DOE被配置为产生图案的多个复制品。
在一些实施例中，该装置包括控制器，该控制器被配置为通过交替致动不同组的列来驱动发光元件以产生条纹图案的时间序列。
在一些实施例中，该光学器件包括圆柱形透镜，该圆柱形透镜可具有相对于发光元件的网格图案的列成角度的圆柱形轴。
根据本发明的实施例，还提供了一种光电装置，该光电装置包括具有穿过其的开口的衬底，以及被布置在该衬底上的发光元件阵列。折叠式反射镜被安装在衬底上并被定位成使由发光元件发射的光朝衬底转向。光学器件被安装在衬底上并被配置为通过开口来投射由折叠式反射镜转向的光。
在一些实施例中，发光元件和光学器件被配置为生成并投射图案，该图案可包括分别与发光元件阵列中的列对应的多个条纹。
在一个实施例中，折叠式反射镜包括棱镜。
根据本发明的实施例，还提供了一种光电装置，该光学装置包括衬底和在衬底上被布置成包括多个列的网格图案的发光元件阵列。光学器件被配置为投射由发光元件发射的光以便生成条纹图案，每个条纹对应于列中的相应一个列。控制器被配置为通过交替致动不同组的列来驱动发光元件，以便生成条纹图案。
在一些实施例中，控制器被配置为驱动不同组中的发光元件，以便生成变化的空间周期的条纹图案的时间序列。
根据本发明的实施例，还提供了一种光学方法，该光学方法包括提供在衬底上被布置成包括多个列的网格图案的发光元件阵列。驱动发光元件以发射光。在衬底上安装光学器件，以投射由元件发射的光，以便生成与网格图案的列对应的条纹图案。
结合附图由下文中对本发明的实施例的详细描述将更加完全地理解本发明，其中：
附图说明
图1是根据本发明的实施例的设备的示意性顶视图，该设备包括半导体模片，在该半导体模片上已形成发射器的单片式阵列；
图2A-2C是根据本发明的实施例的集成光学投影模块的示意性侧视图；
图3是根据本发明的实施例的由集成光学投影模块产生的条纹图案的示意性前视图；
图4是示意性示出了根据本发明的实施例的变化的周期的条纹图案的时间序列的图示；
图5A和5B是根据本发明的实施例的半导体模片的示意性顶视图，在该半导体模片上已形成发射器的单片式阵列；
图6A是根据本发明的实施例的光学投影模块中的发射器阵列和圆柱形透镜的示意顶视图；
图6B是示意性示出了根据本发明的实施例由图6A的光学投影模块投射的图案中的条纹密度的时间变化的图示；以及
图7A-7C是根据本发明的替代实施例的包括集成光学投影模块的投影仪的示意侧视图。
具体实施方式
在生产紧凑、高密度光源和投影仪时可有利地使用VCSEL阵列。下文所述的本发明的实施例使用VCSEL网格阵列来直接将光的多个条纹的图案投射到空间中。这种方式提供能够生成具有致密覆盖的条纹图案的廉价设备。当在3D测绘应用中用于将图案投射到场景上时，这些图案简化了场景的图像沿外极线与对应参考图像的匹配。
然而，在3D测绘中使用这种均匀条纹图案时，图像中的任何给定位置处的图案并非局部唯一的(与投射不均匀图案的投影仪对比)，这种唯一性的缺失可能导致匹配的歧义。在本发明的一些实施例中，这种图案歧义通过投射具有不同空间周期的一系列条纹图案来解决。这些实施例提供了一种发射器阵列，该发射器阵列利用对条纹周期的动态控制能够简单而经济地产生此类条纹图案。
尽管下文所述的实施例将VCSEL用于该目的，但也可使用边缘发射激光器二极管(例如，上述US 2011/0188054中所述的种类的激光器二极管)的阵列。此类实施例可使用具有合适的折叠式反射镜以使光束转向偏离衬底的寻址激光器阵列，然后可使用下文所述的光学部件。例如，加以必要的修改，US 2011/0188054的图8中所示的阵列的种类可适用于该目的。
如本文所述，本发明的一些实施例提供了使用上述种类的发射器阵列的集成图案投影模块。与现有技术中已知的投影设备相比，此类模块具有设计简单以及生产简单的优点，并且可实现成本和尺寸减小以及更好的性能。可在上述公开中所述的该种类的3D测绘系统中有利地使用该种类的图案投影模块。
图1是根据本发明的实施例的集成光电装置20的示意性顶视图，该光电装置包括半导体模片22，在该半导体模片上已形成单片VCSEL阵列。该阵列包括六边形网格图案的VCSEL发射器24，该六边形网格图案就每个单位面积的发射器而言是高效的。该阵列包括N个列，每列具有M个发射器24。列之间的距离为
Figure BDA0003251361390000051
其中d为每列内的发射器间距。
图1所示种类的单片VCSEL阵列具有高功率缩放性的优点。例如，使用当前的技术，具有1mm2有效区域的模片可包含600个发射器，其中总光学功率输出约为3W或更多。VCSEL二极管发射圆形光束。如果使用其焦点处的具有VCSEL模片的球形透镜来投射由VCSEL阵列发射的光，则在空间中获得的光斑图案将与VCSEL图案具有相同的形状。
另一方面，如果使用圆柱形透镜投射，则圆柱形轴平行于VCSEL列轴、将被投射的线的图案，其中每条线包含来自列中的M个发射器的集成功率。线的投射角直接由VCSEL光束发散性(通常约15°)限定，而角线距由arctan(dx/f)给出，其中f是透镜的焦距。下文描述的一些实施例以这种方式使用圆柱形投影。
然后，沿X轴的图案的视场(FOV)将是线距的约N倍。该FOV可能对于一些应用而言不够大，但可使用附加光学元件来在预定义的角范围内产生条纹图案的多个复制品，如以下附图中所示的。
图2A是根据本发明的实施例的集成光学投影模块30的示意性侧视图，该光学投影模块包含VCSEL阵列，诸如图1中所示的设备20中的阵列。VCSEL模片22通常在晶片级别进行测试，然后被切成块并被安装到合适的衬底上，该衬底被称为具有合适的电连接件34,36,38的底座32。包括圆柱形投影透镜46的光学器件40被安装在合适的隔离部42上的模片上方。透镜46收集并投射VCSEL发射器的输出光束50。为了实现温度稳定性，可使用玻璃透镜。由薄隔离部48支撑的衍射光学元件(DOE)44产生在预定义的角范围内扇出的VCSEL阵列线图案的多个复制品52,54,56。例如，DOE可包括Damman光栅或类似的元件，如上述美国专利申请公开2009/0185274中所述的。
图2B是根据本发明的实施例的包含VCSEL阵列的集成光学投影模块60的示意性侧视图。在本实施例中，图2A的衍射投影透镜被衍射透镜64替代，该衍射透镜64可被形成在光学衬底66的一侧上，而扇出DOE 62被形成在同一光学衬底66的相对侧上。尽管衍射透镜对波长变化敏感，但VCSEL波长的相对稳定性使得这种方式成为可行的。可添加覆盖玻璃68以保护DOE。
图2C是根据本发明的替代实施例的包含VCSEL阵列的集成光学投影模块70的示意性侧视图。在这种情况下，衍射透镜74和扇出DOE 72两者作为单侧衍射元件而产生。这一实施例是尤其有利的，因为可形成并安装光学元件，使得在模块内保护敏感有源层，同时外表面具有平坦表面。
图3是根据本发明的实施例的通过模块30中的光学器件40输出光束50产生的条纹图案的示意前视图。如前所述，光束50包括VCSEL线图案的复制品52,54,56，但图案中的条纹由于枕形失真而具有扭曲正方形的形状。设计DOE，使得图案的投射的复制品堆砌在空间的表面或区域上，例如如美国专利申请公开2010/0284082(其公开内容以引用方式并入本文)中所述的。
在组装图2A-图2C所示的模块期间，通常相对于VCSEL模片在四个维度(X、Y、Z和旋转)中对准DOE。2B和2C的实施例在对准方面可能是有利的，因为用于产生VCSEL阵列和DOE/衍射透镜结构两者的光刻工艺精确到约1μm，从而允许通过简单地匹配基准标记来在X方向、Y方向和旋转方向被动对准。Z对准(即，VCSEL模片和DOE与透镜之间的距离)仅需要小范围的运动，因为产生精确度很高。因此，可主动实现Z对准，同时VCSEL阵列处于该功率下或可能是无源地，使用高度测量设备诸如共焦微透镜来例如测量VCSEL表面和DOE表面之间的距离。
图2A-图2C的模块可用作利用结构化光的深度测绘系统中的图案投影。平铺的图案(例如，如图3中所示的)被投射到感兴趣对象上，并且合适的相机捕获对象上的图案的图像。处理器测量图案在图像中的每个点处相对于已知参照系的局部横向偏移，从而通过基于局部偏移使用现有技术中已知的图像处理方法来进行三角测量以找到该点的深度坐标。
然而，如前所述，由于图案中的条纹不是唯一的，所以深度测绘的范围被限于与两条线之间的偏移对应的深度。如下所述，为了解决这种歧义性，可控制激光器二极管阵列以便投射具有不同条纹周期的图案的序列。
图4是示意性地示出了根据本发明的实施例的变化的空间周期的条纹图案84的时间序列80的图示。每个列82对应于VCSEL发射器24的十六个条纹中的一个条纹，并且图中的每行中的条纹的状态(亮或暗)指示在给定时间处条纹被打开还是关闭。在本实例中，时间序列80包括相继被投射的四个条纹图案。该序列在十六个垂直列的每个垂直列中产生唯一的二元照明代码。通常，可使用log2N个图案的序列来对N个列的整个测量范围进行覆盖和编码。例如，在PCT国际公布WO 2012/066501(其公开内容以引用方式并入本文)中进一步描述了这种时间编码的照明图案及其在深度测绘中的用途。
可将图4中示出的编码方案视为简单种类的Gray代码。然而，在替代实施例中，可驱动后面的图中所示的VCSEL阵列以生成其他唯一的代码，这可能比图4的Gray代码更有效率。
图5A是根据本发明的实施例的被形成在模片22的半导体衬底上的VCSEL 24的单片式阵列90的示意性顶视图。阵列90类似于图1的阵列，只是在图5A的实施例中存在被布置在独立的列中的十六组VCSEL 24，它们被独立的相应导体驱动，该导体被形成在针对每列具有单个公共接触92的衬底上。控制器96选择列以通过向相应接触92应用合适的驱动信号来致动。尽管图5A中所示的VCSEL列是垂直的，但在本专利申请和权利要求的上下文中，应当将术语“列”理解为表示布置成线的任何发射器组，而无论该线在衬底的参考系中是垂直的、水平的或对角的，发射器在该衬底上进行布置。
控制器96可驱动图5A中所示的VCSEL 24的十六个列，以便通过交替致动不同组的列来产生图4中所示的图案序列。因此，通过致动阵列右侧的八个列来产生图4中的最上方的图案，通过致动阵列左侧和右侧中的每侧的最右方的四个列来产生下一个图案，以产生两个条纹，等等。利用阵列90的每列的对应导体对公共接触92的布置在简化用于生成这种图案序列所需的控制器96的操作和连接时尤其有利。然而，在替代实施例中，也可驱动包括具有其他种类寻址方案的发射器网格阵列的光学投影模块，以生成此类图案序列。
图5B是根据本发明的另一个实施例的已形成在半导体模片22上的VCSEL 24的单片式阵列94的示意性顶视图。图5A和图5B中所示种类的单片VCSEL阵列具有功率缩放性高的优点，从而使其能够缩放功率和阵列中的列的数量两者。图5B示出了将图5A的单片VCSEL阵列扩展到三十二列，其中总功率增大了四倍。
图5A-图5B的VCSEL模片可被安装在标准引线框架封装件诸如薄收缩型小外形封装件(TSSOP)中并附接于其引线。此类封装件通常在附接模片并进行丝焊之后被密封(例如，利用环氧树脂)。然而，在本实施例中，可通过隔离部和DOE来在VCSEL模片上方闭合封装件，例如，如图2B-图2C所示的。
另选地，可将VCSEL模片组装在其他衬底诸如硅晶片上。此类晶片衬底可以是无源的，仅用于VCSEL接触的扇出。另选地，硅晶片衬底可包括有源芯片，其还包括驱动器电路和控制器电路。该后一种方法使我们能够实现更好的集成和更小的外形，因为它省去了对附加驱动器芯片的需要。它还减少了组件中的管脚的数量，因为并非VCSEL的每列均具有管脚，而是仅输入功率、选通/闪烁信号以及I2C或其他串行接口需要管脚，以用于将发光代码编写到控制器中。
图2A-图2C和图5A-图5B中所示的实施例假设光是从VCSEL的顶表面发射的，并且阳极是经由丝焊连接的。另选地，对于一些波长范围(例如，对于GaAs发射器而言，高于900nm)而言，VCSEL可被配置为通过衬底发光。在这种情况下，可针对BSI(后侧照明)设计VCSEL，并且可将模片组装为底座或驱动器芯片上的倒装芯片。
图4中所示的上方三个图案需要将两个或更多个相邻列中的VCSEL发射的光组合到单个宽条纹中，而不是组合到如图3所示看起来是独立、分立的条纹中。换言之，由于来自相邻VCSEL列的发射而投射的亮条纹应当足够宽以在其相应边缘处汇合，所以相邻条纹之间没有明显的缝隙或重叠。如下所述，可通过相对于圆柱形透镜旋转VCSEL阵列来实现这个目标。
图6A是根据本发明的实施例的光学投影模块中的具有圆柱形透镜98的发射器阵列90的示意顶视图。相对于透镜98的圆柱形轴，将阵列90旋转通常小于10°的小角度。可有利地将旋转角设置为
Figure BDA0003251361390000091
其中M是阵列90的列中的发射器的数量。在这种布置中，每个发射器生成相对于其邻居稍微偏移的条纹，并且这些个体条纹组合以形成每个VCSEL的列上方的更宽的条纹。一个列的底部发射器和下一个列的顶部发射器之间的沿X轴(在图中的水平方向上)的距离与相邻发射器之间的距离相等。
图6B是示意性示出了根据本发明的实施例的由图6A的光学投影模块投射的图案中的条纹密度的时间变化的图示。图中的迹线100和102分别示出了模块在两个交替时间投射的图案的沿X轴的强度：在迹线100中，致动阵列90的偶数个列，而在迹线102中，致动奇数个列。所得的图案具有50％的占空比，并且通过致动奇数个列(底部接触)产生的图案与通过致动偶数个列(顶部接触)产生的图案相反。
图6A中所示的布置提供了产生任何期望互补代码的能力，诸如由图6B中的两条迹线示出的代码。这种布置促进使用连续的差分代码来在所捕获的图像中进行简单条纹检测。通过减去互补代码的两个连续图像，可消除由场景和环境光导致的任何强度变化。
上文所述的集成投影仪的图案密度是由投影透镜的列间距和焦距之间的比率来限定的，而条纹宽度限定能够被检测的最小对象宽度。因此，为了实现更致密的图案，希望透镜具有长焦距，因此，距发射器阵列相对较远放置。然而，在很多情况下，适应长焦距并由此实现期望图案密度的透镜所需的大投影仪高度是对设计者减小待嵌入投影仪中的产品的厚度的能力的关键性限制。可通过缩小阵列间距来减小图案密度，但这个维度被VCSEL生产和丝焊的物理限制界定。(典型地，列间距至少为30μm。)因此，在产品厚度和系统分辨率要求之间可能会有艰难的权衡。可使用根据下文所述的本发明的实施例的投影仪来放宽对厚度的要求。
图7A是根据本发明的实施例的包括具有VCSEL阵列的集成光学投影模块70的投影仪110的示意性侧视图。本实施例示出了上文解释的最小厚度限制。在投影仪110中，模块70附接于集成有投影仪110的产品的主底盘112或印刷电路板上方，其中产品覆盖件114和116(通常包括塑料或玻璃)附接于主底盘或印刷电路板下方和上方。从设备20发射的光束118在距设备20一定距离处入射到透镜74和DOE 72上，选择该距离以便给出期望的图案密度。在图7A中所示的投影仪配置中，该距离是产品的总体厚度(在Z方向上)中的关键因素。
图7B是根据本发明另一个实施例的包括集成光学投影模块的投影仪120的示意性侧视图。投影仪120的结构使得能够减小产品的厚度，同时实现与图7A所示的投影仪110相同的图案分辨率。在投影仪120中，包含VCSEL阵列和透镜74及DOE 72的设备20全部并排附接于单个衬底122。折叠式反射镜126粘附到同一衬底，从而替代隔离部42(图7A中所示)，同时在VCSEL和DOE之间产生相等的光学距离。
为了组装投影仪120，首先将设备20安装并丝焊到衬底122，将折叠式反射镜126粘附到适当的位置，并且最后对准DOE 72和透镜74并粘附到衬底。在接近前盖116的位置(而非像前一实施例中的后方)中，将投影仪120附接于产品底盘124(利用DOE上方的孔)。在操作过程中，折叠式反射镜将由设备20发射的光朝衬底122转向，使得光入射到透镜74和DOE72上，它们如图所示通过衬底中的开口引导光。
图7C是根据本发明替代实施例的包括集成光学投影模块的投影仪130的示意性侧视图。投影仪130的配置类似于图7B的集成投影仪，除了折叠式反射镜的功能是由光学棱镜132来执行的。DOE 72和透镜74粘附到棱镜132(例如，通过光学UV固化的黏胶)，以产生一个光学元件。然后将这个元件与设备20对准并粘附到衬底122。尽管棱镜的成本比反射镜高，但其能够实现更简单且更稳定的投影仪组装。棱镜的附加优点是因为其折射率大于空气并且可将其用于增大VCSEL和DOE之间的物理距离以用于实现相等的光学距离，所以放宽机械约束。
尽管上文所述的一些实施例特别涉及生成条纹图案，但加以适当修改，可在使用发光元件的单片式阵列来生成和投射其他种类的图案的过程中类似地应用本发明的原理。此类图案可不仅包括规则几何图形，而且还包括可变形状，甚至包括点的伪随机布置。
因此，应当理解，上述实施例是以举例的方式引用的，并且本发明不限于上文特别示出和描述的内容。相反地，本发明的范围包括上文所述的各种特征的组合和子组合两者，以及本领域技术人员在阅读前述描述时将想到的且在现有技术中未公开的各种特征的变型和修改。

Claims (17)

1.一种光电装置，包括：
半导体模片；
发光元件的单片式阵列，所述发光元件的单片式阵列以包括多个列的网格图案而形成于所述半导体模片上；和
光学器件，所述光学器件包括衍射光学元件(DOE)，所述衍射光学元件(DOE)被安装在所述衬底上并被配置为投射由该元件发射的光，以便生成与所述网格图案的所述列对应的条纹图案，从而每个条纹包含来自所述单片式阵列的对应列中的发光元件的功率；
控制器，所述控制器被配置为驱动发光元件以通过交替致动不同组的所述列来生成条纹图案的时间序列。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述DOE被配置为产生所述图案的多个复制品。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的装置，其中所述光学器件包括圆柱形透镜。
4.根据权利要求3所述的装置，其中所述圆柱形透镜具有相对于所述发光元件的所述网格图案的所述列成角度的圆柱形轴。
5.根据权利要求1-2中任一项所述的装置，并且包括衬底，所述半导体模片和所述光学器件被安装在所述衬底上，其中所述光学器件包括被安装在所述衬底上的折叠式反射镜。
6.一种光电装置，包括：
衬底；
发光元件阵列，所述发光元件阵列以包括多个列的网格图案布置在所述衬底上；
光学器件，所述光学器件被配置为投射由所述发光元件发射的光以便生成条纹图案，每个条纹对应于所述列中的相应一个列，从而每个条纹包含来自所述阵列的对应一个列中的发光元件的功率；和
控制器，所述控制器被配置为通过交替致动不同组的所述列来驱动所述发光元件，以便生成条纹图案的时间序列。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述控制器被配置为驱动所述不同组中的所述发光元件，以便生成具有变化的空间周期的条纹图案的时间序列。
8.根据权利要求6所述的装置，其中所述光学器件包括衍射光学元件(DOE)，所述DOE被配置为产生与所述发光元件的所述列对应的所述条纹图案的多个复制品。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的装置，其中所述光学器件包括圆柱形投影透镜。
10.一种光学方法，包括：
提供发光元件阵列，所述发光元件阵列以包括多个列的网格图案布置在衬底上；
驱动所述发光元件以发射光；以及
将光学器件安装在所述衬底上以投射由所述元件发射的所述光，以便生成与所述网格图案的所述列对应的条纹图案，从而每个条纹包含来自所述阵列的对应列中的发光元件的功率，
其中，驱动所述发光元件包括交替致动不同组的所述列以便生成条纹图案的时间序列。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述发光元件包括垂直腔面发射激光器(VCSEL)。
12.根据权利要求10所述的方法，其中安装所述光学器件包括应用衍射光学元件(DOE)以产生由所述发光元件生成的所述条纹图案的多个复制品。
13.根据权利要求10所述的方法，其中安装所述光学器件包括定位圆柱形透镜以将来自所述发光元件的所述列的所述光投射到对应条纹中。
14.根据权利要求13所述的方法，其中定位所述圆柱形透镜包括相对于所述发光元件的所述网格图案的所述列成角度地对所述圆柱形透镜的圆柱形轴进行取向。
15.根据权利要求10所述的方法，其中安装所述光学器件包括在所述衬底上安装折叠式反射镜，以便使由所述发光元件发射的所述光朝所述衬底转向，以及布置所述光学器件，以便通过所述衬底中的开口来投射由所述元件发射的所述光。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述折叠式反射镜包括棱镜。
17.根据权利要求10-16中任一项所述的方法，其中致动所述不同组包括选择待致动的所述列，使得所述条纹图案具有变化的空间周期。
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WO (1) WO2014203110A1 (zh)

Families Citing this family (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9768361B2 (en) * 2014-07-23 2017-09-19 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Light emitter and light detector modules including vertical alignment features
KR102421236B1 (ko) 2014-08-10 2022-07-15 페이스북 테크놀로지스, 엘엘씨 3d 감지용 구조광
US10895753B2 (en) * 2014-11-14 2021-01-19 Ahead Optoelectronics, Inc. Structured light generation device and diffractive optical element thereof
US10509147B2 (en) 2015-01-29 2019-12-17 ams Sensors Singapore Pte. Ltd Apparatus for producing patterned illumination using arrays of light sources and lenses
US9553423B2 (en) 2015-02-27 2017-01-24 Princeton Optronics Inc. Miniature structured light illuminator
US10001583B2 (en) 2015-04-06 2018-06-19 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Structured light projection using a compound patterned mask
WO2016202295A1 (zh) * 2015-06-19 2016-12-22 上海图漾信息科技有限公司 深度数据检测及监控装置
US20160377414A1 (en) * 2015-06-23 2016-12-29 Hand Held Products, Inc. Optical pattern projector
US10475830B2 (en) 2015-08-06 2019-11-12 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optical modules including customizable spacers for focal length adjustment and/or reduction of tilt, and fabrication of the optical modules
US10063849B2 (en) 2015-09-24 2018-08-28 Ouster, Inc. Optical system for collecting distance information within a field
US9992477B2 (en) 2015-09-24 2018-06-05 Ouster, Inc. Optical system for collecting distance information within a field
JP7145073B2 (ja) * 2015-10-21 2022-09-30 プリンストン・オプトロニクス・インコーポレイテッド コード化パターンプロジェクタ
US10761195B2 (en) 2016-04-22 2020-09-01 OPSYS Tech Ltd. Multi-wavelength LIDAR system
JP6474756B2 (ja) * 2016-06-09 2019-02-27 本田技研工業株式会社 欠陥検査方法及びその装置
US10474297B2 (en) 2016-07-20 2019-11-12 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Projecting a structured light pattern onto a surface and detecting and responding to interactions with the same
US10241244B2 (en) 2016-07-29 2019-03-26 Lumentum Operations Llc Thin film total internal reflection diffraction grating for single polarization or dual polarization
US10481740B2 (en) 2016-08-01 2019-11-19 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Projecting a structured light pattern onto a surface and detecting and responding to interactions with the same
EP3282285B1 (en) * 2016-08-09 2020-09-09 Facebook Technologies, LLC Multiple emitter illumination source for depth information determination
US10827163B2 (en) * 2016-08-09 2020-11-03 Facebook Technologies, Llc Multiple emitter illumination source for depth information determination
KR20230074300A (ko) 2016-08-24 2023-05-26 아우스터, 인크. 필드 내에서 거리 정보를 수집하기 위한 광학 시스템
JP6770637B2 (ja) * 2016-09-19 2020-10-14 アップル インコーポレイテッドＡｐｐｌｅ Ｉｎｃ． 製造方法、及び、光電子デバイスのアレイ
EP3519850A4 (en) 2016-09-30 2019-10-16 Magic Leap, Inc. PROJECTOR WITH SPATIAL MODULATION OF LIGHT
US10718923B2 (en) * 2016-11-10 2020-07-21 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Thermally tunable optoelectronic modules
WO2018132521A1 (en) 2017-01-16 2018-07-19 Canthus Technologies Llc Combining light-emitting elements of differing divergence on the same substrate
US10158845B2 (en) 2017-01-18 2018-12-18 Facebook Technologies, Llc Tileable structured light projection for wide field-of-view depth sensing
EP3580820B1 (en) * 2017-02-08 2022-03-30 Princeton Optronics, Inc. Vcsel illuminator package including an optical structure integrated in the encapsulant
CN110402398B (zh) 2017-03-13 2023-12-01 欧普赛斯技术有限公司 眼睛安全的扫描激光雷达系统
JP7154230B2 (ja) 2017-05-15 2022-10-17 アウスター インコーポレイテッド 輝度を増強した光学撮像送信器
KR102218679B1 (ko) 2017-07-28 2021-02-23 옵시스 테크 엘티디 작은 각도 발산을 갖는 vcsel 어레이 lidar 송신기
WO2019035653A1 (ko) * 2017-08-18 2019-02-21 엘지이노텍 주식회사 표면발광레이저 패키지
US10153614B1 (en) * 2017-08-31 2018-12-11 Apple Inc. Creating arbitrary patterns on a 2-D uniform grid VCSEL array
US10386706B2 (en) * 2017-09-15 2019-08-20 Himax Technologies Limited Structured-light projector
CN107908064A (zh) * 2017-11-06 2018-04-13 深圳奥比中光科技有限公司 结构光投影模组、深度相机及制造结构光投影模组的方法
KR102464368B1 (ko) 2017-11-07 2022-11-07 삼성전자주식회사 메타 프로젝터 및 이를 포함하는 전자 장치
US11373321B2 (en) 2017-11-08 2022-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Projector including meta-lens
KR102444288B1 (ko) 2017-11-08 2022-09-16 삼성전자주식회사 메타 렌즈를 포함하는 프로젝터
DE102017010520B4 (de) * 2017-11-14 2019-11-21 Z-Laser Optoelektronik Gmbh Projektionsvorrichtung zum Projizieren eines optischen Musters auf ein Objekt
CN111356934B (zh) 2017-11-15 2024-03-12 欧普赛斯技术有限公司 噪声自适应固态lidar系统
US10310281B1 (en) * 2017-12-05 2019-06-04 K Laser Technology, Inc. Optical projector with off-axis diffractive element
US10545457B2 (en) 2017-12-05 2020-01-28 K Laser Technology, Inc. Optical projector with off-axis diffractive element and conjugate images
US10969490B2 (en) 2017-12-07 2021-04-06 Ouster, Inc. Light ranging system with opposing circuit boards
CN109901300B (zh) * 2017-12-08 2021-04-06 宁波盈芯信息科技有限公司 一种基于垂直腔面发射激光器规则点阵的激光散斑投射器
CN109903719A (zh) * 2017-12-08 2019-06-18 宁波盈芯信息科技有限公司 一种时空编码的结构光编码图案生成方法及装置
CN111771312A (zh) * 2017-12-28 2020-10-13 普林斯顿光电子公司 包括窄光束发散半导体源的结构化光投射系统
CN108227231A (zh) * 2018-01-15 2018-06-29 深圳奥比中光科技有限公司 条纹投影模组
US10317684B1 (en) 2018-01-24 2019-06-11 K Laser Technology, Inc. Optical projector with on axis hologram and multiple beam splitter
EP3572769A4 (en) * 2018-02-27 2020-04-01 Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. LASER PROJECTION MODULE, DEPTH CAMERA AND ELECTRONIC DEVICE
CN108681094A (zh) * 2018-03-12 2018-10-19 广东欧珀移动通信有限公司 激光投射模组、深度相机和电子装置
CN108535828A (zh) * 2018-03-12 2018-09-14 广东欧珀移动通信有限公司 衍射光学组件、激光投射模组、深度相机及电子装置
US10802291B1 (en) * 2018-03-21 2020-10-13 Apple Inc. Folded projection system
WO2019195054A1 (en) 2018-04-01 2019-10-10 OPSYS Tech Ltd. Noise adaptive solid-state lidar system
US10965102B2 (en) 2018-04-12 2021-03-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Structured light projector and electronic apparatus including the same
WO2019203357A1 (ja) * 2018-04-20 2019-10-24 富士フイルム株式会社 光照射装置およびセンサー
US10714891B2 (en) 2018-07-06 2020-07-14 Himax Technologies Limited Projector, electronic device having projector and associated manufacturing method
EP3595102A1 (en) * 2018-07-10 2020-01-15 Himax Technologies Limited Projector, electronic device having projector and associated manufacturing method
US11675114B2 (en) 2018-07-23 2023-06-13 Ii-Vi Delaware, Inc. Monolithic structured light projector
WO2020022960A1 (en) * 2018-07-25 2020-01-30 Ams Sensors Asia Pte. Ltd. Structured light projector including an integrated metalens and diffractive optical element
US10739189B2 (en) 2018-08-09 2020-08-11 Ouster, Inc. Multispectral ranging/imaging sensor arrays and systems
US11473970B2 (en) 2018-08-09 2022-10-18 Ouster, Inc. Subpixel apertures for channels in a scanning sensor array
US11762193B2 (en) 2018-08-17 2023-09-19 Apple Inc. Optical tracking system
US11639998B2 (en) * 2018-09-28 2023-05-02 Apple Inc. Optical communication system for position-finding of a portable electronic device in free space
CN111142323A (zh) * 2018-11-02 2020-05-12 三赢科技（深圳）有限公司 结构光投影模组及具有该模组的电子装置
EP3926388A4 (en) 2019-02-14 2022-11-16 Hangzhou Uphoton Optoelectronics Technology Co., Ltd. OPTICAL BEAM SPLITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
US11322910B2 (en) 2019-02-21 2022-05-03 Apple Inc. Indium-phosphide VCSEL with dielectric DBR
US11698441B2 (en) * 2019-03-22 2023-07-11 Viavi Solutions Inc. Time of flight-based three-dimensional sensing system
CN113711450A (zh) 2019-04-01 2021-11-26 苹果公司 具有紧密节距和高效率的vcsel阵列
CN113692540A (zh) 2019-04-09 2021-11-23 欧普赛斯技术有限公司 带激光控制的固态lidar发送器
US11063407B1 (en) * 2019-04-18 2021-07-13 Facebook Technologies, Llc Addressable vertical cavity surface emitting laser array for generating structured light patterns
JP7199523B2 (ja) * 2019-05-10 2023-01-05 富士フイルム株式会社 光照射装置およびセンサー
US11846728B2 (en) 2019-05-30 2023-12-19 OPSYS Tech Ltd. Eye-safe long-range LIDAR system using actuator
US11374381B1 (en) 2019-06-10 2022-06-28 Apple Inc. Integrated laser module
KR102637658B1 (ko) 2019-06-10 2024-02-20 옵시스 테크 엘티디 눈-안전 장거리 고체 상태 lidar 시스템
CN110187596B (zh) * 2019-06-26 2021-05-04 业成科技（成都）有限公司 光学投影装置与电子设备
JP2021048206A (ja) * 2019-09-18 2021-03-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体レーザ駆動装置、電子機器、および、半導体レーザ駆動装置の製造方法
WO2021075340A1 (ja) * 2019-10-15 2021-04-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 照明装置および測距装置
CN112782910B (zh) * 2019-11-08 2022-06-24 三赢科技（深圳）有限公司 结构光投射装置
WO2021150860A1 (en) * 2020-01-23 2021-07-29 OPSYS Tech Ltd. Matrix-addressable vcsel for solid-state lidar
CN113410752A (zh) * 2020-03-17 2021-09-17 富士胶片商业创新有限公司 激光元件阵列、发光及光学装置、测量及信息处理装置
CN111884048B (zh) * 2020-07-31 2021-11-30 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 一种激光器及其制造方法与应用
US20240111030A1 (en) * 2021-02-16 2024-04-04 Sony Semiconductor Solutions Corporation Optical module and distance measuring device
WO2022209375A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子、照明装置、および、測距装置
WO2022209376A1 (ja) * 2021-03-31 2022-10-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 照明装置および測距装置
WO2022219914A1 (ja) * 2021-04-14 2022-10-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 照明装置および測距装置
WO2023050398A1 (zh) * 2021-09-30 2023-04-06 深圳市汇顶科技股份有限公司 激光雷达发射装置、激光雷达装置及电子设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102193295A (zh) * 2010-02-02 2011-09-21 普莱姆森斯有限公司 用于光学投影的集成光子学模块
WO2012066501A1 (en) * 2010-11-19 2012-05-24 Primesense Ltd. Depth mapping using time-coded illumination

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5243095B2 (zh) * 1973-08-03 1977-10-28
US4390234A (en) * 1980-08-14 1983-06-28 Embach James T Viewer/projector for display of 360 degree holographic film cassettes
DE3212809C2 (de) * 1982-04-06 1984-12-20 Fa. Carl Zeiss, 7920 Heidenheim Meßeinrichtung für die Stabilisierung von Lasern
US5082339A (en) * 1988-07-11 1992-01-21 Telefunken Electronic Gmbh Optical read-write head with diffraction grating structure
US5477383A (en) 1993-02-05 1995-12-19 Apa Optics, Inc. Optical array method and apparatus
JP3537881B2 (ja) 1994-03-29 2004-06-14 株式会社リコー Ｌｅｄアレイヘッド
JPH08328511A (ja) 1995-03-30 1996-12-13 Toshiba Corp Ｌｅｄ表示装置及びその表示制御方法
US5809053A (en) 1995-07-05 1998-09-15 Hitachi, Ltd. Semiconductor laser device and optical printing apparatus using the same
US6144685A (en) 1996-01-23 2000-11-07 Fuji Xerox Co., Ltd. Two-dimensional surface emitting laser array, two-dimensional surface emitting laser beam scanner, two-dimensional surface emitting laser beam recorder, and two-dimensional surface emitting laser beam recording method
US6243407B1 (en) * 1997-03-21 2001-06-05 Novalux, Inc. High power laser devices
US7028899B2 (en) 1999-06-07 2006-04-18 Metrologic Instruments, Inc. Method of speckle-noise pattern reduction and apparatus therefore based on reducing the temporal-coherence of the planar laser illumination beam before it illuminates the target object by applying temporal phase modulation techniques during the transmission of the plib towards the target
US6597713B2 (en) 1998-07-22 2003-07-22 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus with an optical functional device having a special wiring electrode and method for fabricating the same
US6636538B1 (en) 1999-03-29 2003-10-21 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
EP1067362A1 (en) * 1999-07-09 2001-01-10 Hewlett-Packard Company Document imaging system
US8217304B2 (en) 2001-03-29 2012-07-10 Gsi Group Corporation Methods and systems for thermal-based laser processing a multi-material device
US6888871B1 (en) 2000-07-12 2005-05-03 Princeton Optronics, Inc. VCSEL and VCSEL array having integrated microlenses for use in a semiconductor laser pumped solid state laser system
DE60141704D1 (de) 2000-11-06 2010-05-12 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren zur messung der bewegung eines eingabegeräts
US6611000B2 (en) 2001-03-14 2003-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lighting device
US20040012958A1 (en) 2001-04-23 2004-01-22 Takuma Hashimoto Light emitting device comprising led chip
WO2003096387A2 (en) * 2002-05-08 2003-11-20 Phoseon Technology, Inc. High efficiency solid-state light source and methods of use and manufacture
KR100624405B1 (ko) 2002-10-01 2006-09-18 삼성전자주식회사 광부품 실장용 기판 및 그 제조방법
US7164702B1 (en) 2003-08-29 2007-01-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Optical transmitters and interconnects using surface-emitting lasers and micro-optical elements
CN101471540B (zh) 2003-12-22 2010-12-22 松下电器产业株式会社 面发光激光器和激光投射装置
JP4572312B2 (ja) 2004-02-23 2010-11-04 スタンレー電気株式会社 Ｌｅｄ及びその製造方法
EP1757974B1 (en) * 2004-05-17 2012-08-29 Olympus Corporation Head-mounted type image display device
JP5128047B2 (ja) 2004-10-07 2013-01-23 Ｔｏｗａ株式会社 光デバイス及び光デバイスの生産方法
IL165212A (en) 2004-11-15 2012-05-31 Elbit Systems Electro Optics Elop Ltd Device for scanning light
US7750356B2 (en) 2005-05-04 2010-07-06 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Silicon optical package with 45 degree turning mirror
WO2007105205A2 (en) 2006-03-14 2007-09-20 Prime Sense Ltd. Three-dimensional sensing using speckle patterns
US8050461B2 (en) 2005-10-11 2011-11-01 Primesense Ltd. Depth-varying light fields for three dimensional sensing
US8018579B1 (en) 2005-10-21 2011-09-13 Apple Inc. Three-dimensional imaging and display system
US8792978B2 (en) 2010-05-28 2014-07-29 Lockheed Martin Corporation Laser-based nerve stimulators for, E.G., hearing restoration in cochlear prostheses and method
JP2008109083A (ja) * 2006-09-29 2008-05-08 Seiko Epson Corp レーザ光源装置、照明装置、モニタ装置およびプロジェクタ
US20080144183A1 (en) * 2006-12-18 2008-06-19 Motorola, Inc. Compact three color laser system with light intensity sensor
WO2008108468A1 (ja) 2007-03-08 2008-09-12 Rohm Co., Ltd. Ｌｅｄ照明装置およびその駆動方法
US8150142B2 (en) 2007-04-02 2012-04-03 Prime Sense Ltd. Depth mapping using projected patterns
WO2008120217A2 (en) 2007-04-02 2008-10-09 Prime Sense Ltd. Depth mapping using projected patterns
KR101439434B1 (ko) 2007-10-05 2014-09-12 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
WO2009093228A2 (en) 2008-01-21 2009-07-30 Prime Sense Ltd. Optical designs for zero order reduction
US8384997B2 (en) 2008-01-21 2013-02-26 Primesense Ltd Optical pattern projection
US7821649B2 (en) * 2008-03-05 2010-10-26 Ge Inspection Technologies, Lp Fringe projection system and method for a probe suitable for phase-shift analysis
US8456517B2 (en) 2008-07-09 2013-06-04 Primesense Ltd. Integrated processor for 3D mapping
JP5446635B2 (ja) 2008-09-16 2014-03-19 株式会社リコー 画像形成装置および画像形成方法
US8717416B2 (en) 2008-09-30 2014-05-06 Texas Instruments Incorporated 3D camera using flash with structured light
US8107147B2 (en) * 2009-03-27 2012-01-31 Microvision, Inc. Two-mirror scanning system
KR101733422B1 (ko) 2009-08-20 2017-05-10 코닌클리케 필립스 엔.브이. 구성 가능한 강도 분포를 갖는 레이저 장치
JP5588310B2 (ja) 2009-11-15 2014-09-10 プライムセンス リミテッド ビームモニタ付き光学プロジェクタ
US8320621B2 (en) * 2009-12-21 2012-11-27 Microsoft Corporation Depth projector system with integrated VCSEL array
US20110188054A1 (en) * 2010-02-02 2011-08-04 Primesense Ltd Integrated photonics module for optical projection
JP5626559B2 (ja) 2010-02-09 2014-11-19 アイシン精機株式会社 欠陥判定装置および欠陥判定方法
DE102010012604A1 (de) * 2010-03-24 2011-09-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterlaserlichtquelle
US8330804B2 (en) 2010-05-12 2012-12-11 Microsoft Corporation Scanned-beam depth mapping to 2D image
US8654152B2 (en) 2010-06-21 2014-02-18 Microsoft Corporation Compartmentalizing focus area within field of view
JP5605042B2 (ja) * 2010-07-15 2014-10-15 株式会社リコー 半導体レーザ駆動装置およびその駆動装置を備えた画像形成装置
WO2012020380A1 (en) 2010-08-11 2012-02-16 Primesense Ltd. Scanning projectors and image capture modules for 3d mapping
WO2012027410A1 (en) 2010-08-23 2012-03-01 Lighttime, Llc Ladar using mems scanning
US9620934B2 (en) 2010-08-31 2017-04-11 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flip-chip assembly comprising an array of vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs)
JP2012122844A (ja) 2010-12-08 2012-06-28 Aisin Seiki Co Ltd 表面検査装置
JP2012195434A (ja) 2011-03-16 2012-10-11 Ricoh Co Ltd 面発光レーザモジュール、および該面発光レーザモジュールを用いた光走査装置、画像形成装置
JP5698578B2 (ja) * 2011-03-24 2015-04-08 オリンパス株式会社 頭部装着型表示装置
US8749796B2 (en) 2011-08-09 2014-06-10 Primesense Ltd. Projectors of structured light
AU2013219966B2 (en) 2012-02-15 2015-04-02 Apple Inc. Scanning depth engine
JP2013190298A (ja) 2012-03-13 2013-09-26 Fuji Xerox Co Ltd 試料読取装置
KR101341620B1 (ko) 2012-06-14 2013-12-13 전자부품연구원 3차원 형상 측정 시스템 및 방법
CN104520750B (zh) 2012-07-26 2018-02-23 苹果公司 双轴式扫描镜
BR112015012073A2 (pt) 2012-11-29 2017-07-11 Koninklijke Philips Nv dispositivo de laser para projetar um padrão de luz estruturada sobre uma cena, e uso de um dispositivo
US9153171B2 (en) 2012-12-17 2015-10-06 LuxVue Technology Corporation Smart pixel lighting and display microcontroller

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102193295A (zh) * 2010-02-02 2011-09-21 普莱姆森斯有限公司 用于光学投影的集成光子学模块
WO2012066501A1 (en) * 2010-11-19 2012-05-24 Primesense Ltd. Depth mapping using time-coded illumination

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