CN113745433A - 一种显示面板 - Google Patents
一种显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113745433A CN113745433A CN202111049374.9A CN202111049374A CN113745433A CN 113745433 A CN113745433 A CN 113745433A CN 202111049374 A CN202111049374 A CN 202111049374A CN 113745433 A CN113745433 A CN 113745433A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- optical
- cathode
- optical structure
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 308
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 134
- 239000012788 optical film Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 109
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 19
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 claims description 14
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 13
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 300
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 11
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 2-Methylquinolin-8-ol Chemical compound C1=CC=C(O)C2=NC(C)=CC=C21 NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种显示面板,包括第一显示区和围绕第一显示区的第二显示区,第一显示区包括显示基板和设置于显示基板上的光学膜层。显示基板包括像素定义层和设置于像素定义层上的阴极层,像素定义层包括多个相间隔的像素开口和相邻像素开口之间的支撑部,阴极层在像素开口的厚度大于阴极层在支撑部上的厚度。光学膜层包括多个对应设置于相邻两像素开口之间的第一光学结构,第一光学结构包括靠近阴极层的第一面及、与第一面相对的第二面、以及侧面,第一光学结构的侧面为全反射表面。本发明通过在显示基板的出光面上设置光学膜层,该光学膜层通过位于支撑部上的第一光学结构以将更多的外界光反射至第一显示区内,从而增加第一显示区的入光量。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode,有机发光二极管)显示技术受到了越来越多科研工作者的关注,并被广泛应用于手机、平板和电视等显示领域,而随着显示设备的快速发展,用户对显示设备的屏占比的要求越来越高,使得大尺寸和高分辨率的全面显示设备成为未来的发展方向。
在现有技术当中,为了尽可能的提升屏占比,通常采用将前置摄像头和面部识别等光学元件设置在屏下,但是,现有的OLED全面显示设备中,阴极采用整面设置的方式,而阴极对于光线的透过率低,从而导致设置在屏下的光学元件无法接收到充足的光信号,影响光学元件的正常工作。
发明内容
本发明提供一种显示面板,能够解决设置在屏下的光学元件无法接收到充足的光信号,影响光学元件的正常工作的问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明提供一种显示面板,所述显示面板包括第一显示区和第二显示区,所述第二显示区围绕所述第一显示区,且所述第一显示区的透过率大于第二显示区的透过率,所述第一显示区包括:
显示基板,所述显示基板包括像素定义层和设置在所述像素定义层上的阴极层,所述像素定义层包括多个相间隔的像素开口和相邻像素开口之间的支撑部,所述阴极层在所述像素开口的厚度大于所述阴极层在支撑部上的厚度;
光学膜层,设置于所述阴极层远离所述像素定义层的一侧,所述光学膜层包括多个对应设置于相邻两所述像素开口之间的第一光学结构;
其中,所述第一光学结构包括靠近所述阴极层的第一面及、与所述第一面相对的第二面、以及侧面,且所述第一光学结构的侧面为全反射表面。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述光学膜层包括至少两层折射率不同的光学子膜层,至少两层所述光学子膜层中的至少一者形成所述第一光学结构。
可选的,在本发明的一些实施例中,至少两层所述光学子膜层的折射率从靠近所述显示基板的一侧向远离所述显示基板的一侧依次减小;所述第一光学结构远离所述显示基板一侧的截面宽度大于或等于所述第一光学结构靠近所述显示基板一侧的截面宽度。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述光学膜层还包括多个对应所述像素开口的第二光学结构,所述第二光学结构与所述第一光学结构位于同一层,所述第二光学结构包括靠近所述阴极层的第一面及、与所述第一面相对的第二面、以及侧面,且所述第二光学结构的侧面为全反射表面。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述第二光学结构远离所述显示基板一侧的截面宽度大于或等于所述第二光学结构靠近所述显示基板一侧的截面宽度。
可选的,在本发明的一些实施例中,至少两层所述光学子膜层的折射率从靠近所述显示基板的一侧向远离所述显示基板的一侧依次增大;所述第一光学结构远离所述显示基板一侧的截面宽度小于或等于所述第一光学结构靠近所述显示基板一侧的截面宽度。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述第一光学结构和/或所述第二光学结构中包括至少两层所述光学子膜层,远离所述显示基板一侧的光学子膜层包裹靠近所述显示基板一侧的光学子膜层,且所述第一光学结构和/或所述第二光学结构中的至少两层所述光学子膜层在垂直于所述显示基板的方向上的截面形状相同。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述阴极层包括对应所述像素开口的第一阴极部和对应支撑部的第二阴极部,所述第一阴极部的厚度大于所述第二阴极部的厚度。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述显示基板还包括多个阳极、第一辅助层、有机发光层以及第二辅助层,所述阳极与所述第一阴极部相对设置,所述第一辅助层位于所述阳极靠近所述阴极层的一侧,所述有机发光层位于所述第一辅助层靠近所述阴极层的一侧,所述第二辅助层位于所述有机发光层靠近所述阴极层的一侧;所述支撑部上形成有阴极抑制层,所述阴极抑制层的厚度小于所述阴极层的厚度,所述阴极抑制层与所述阴极层之间的粘合力小于所述阴极层与所述第二辅助层之间的粘合力,且所述阴极抑制层为透明材质。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述阴极抑制层在所述光学膜层上的正投影与所述阳极在所述光学膜层上的正投影相离。
可选的,在本发明的一些实施例中,当所述第一光学结构远离所述显示基板一侧的截面宽度大于或等于所述第一光学结构靠近所述显示基板一侧的截面宽度时,所述第一光学结构在所述显示基板上的正投影与所述阴极抑制层重叠。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述第一光学结构靠近所述阴极抑制层的一侧为底部,其中,所述第一光学结构的底部边界与所述阴极抑制层的边界相对应。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述第一显示区的相邻两所述像素开口之间还设有透光区,当所述第一光学结构远离所述显示基板一侧的截面宽度小于或等于所述第一光学结构靠近所述显示基板一侧的截面宽度时,所述第一光学结构在所述显示基板上的正投影位于所述像素开口与所述透光区之间。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述第一光学结构靠近所述阴极抑制层的一侧为底部,其中,所述第一光学结构靠近所述像素开口的底部边界与所述像素开口的边界相对应,所述第一光学结构靠近所述透光区的底部边界与所述阴极抑制层的边界相对应。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述第二光学结构在所述显示基板上的正投影与所述第一阴极部重叠。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述像素开口的宽度为L,所述像素开口的高度为H,其中,所述第一光学结构的侧面与所述第一光学结构的第一面之间的夹角为第一夹角,所述第二光学结构的侧面与所述第二光学结构的第一面之间的夹角为第二夹角,所述第一夹角和所述第二夹角的角度范围均大于阈值角,且小于或等于90°;其中,所述阈值角为arctan(H/L)*180°/π。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述第一夹角与所述第二夹角的角度相等。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述第二光学结构靠近所述阴极层一侧的底部边界位于像素开口边界至超出像素开口边界预设距离的范围内;
其中,所述预设距离为:所述像素定义层至所述光学膜层的垂直距离/所述阈值角的正切值。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述第一光学结构和所述第二光学结构的侧面为斜面或曲面中的至少一种。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述曲面的曲率半径为1.5微米-5微米。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述光学膜层的厚度范围为1微米至3.5微米之间。
本发明的有益效果为:本发明提供的显示面板,通过对阴极层进行图案化,使得对应两像素开口之间的阴极层较薄或没有阴极层沉积,以极大的提升第一显示区的透光率;同时本发明还通过在显示基板的出光面上设置光学膜层,该光学膜层包括位于相邻两像素开口之间的第一光学结构,所述第一光学结构可将更多的外界光反射至显示面板的第一显示区内,从而进一步增加第一显示区的入光量,使得设置在第一显示区的光学元件可以接收到充足的光信号,以提升光学元件的性能。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明实施例提供的显示面板的平面示意图;
图2为本发明实施例一提供的显示面板的第一显示区的截面示意图;
图3为本发明实施例一提供的显示面板的第二显示区的截面示意图;
图4为图2中A区域的一种局部放大图;
图5为图2中A区域的另一种局部放大图;
图6为本发明实施例二提供的显示面板的局部示意图;
图7为本发明实施例三提供的显示面板的第一显示区的截面示意图;
图8为图7中B区域的局部放大图;
图9为本发明实施例四提供的显示面板的第一显示区的截面示意图;
图10为本发明实施例五提供的显示面板的第一显示区的截面示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。在本发明中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
本发明针对目前设置在显示屏下方的光学元件无法接收到充足的光信号,影响光学元件的正常工作的问题,以下实施例能够解决该缺陷。
参阅图1,本发明的显示面板包括第一显示区11和第二显示区12,所述第二显示区12围绕所述第一显示区11,所述第一显示区11可以设置于显示面板上的任意位置。
其中,显示面板为全面屏显示面板,所述第一显示区11中排布有多个第一子像素13,所述第二显示区12中排布有多个第二子像素14。
需要说明的是,第一显示区11为功能附加区,第一显示区11既可以用于显示图像,从而使得显示面板可以呈现全屏显示的效果,又可以用于安装摄像头、光学触控组件以及指纹识别传感器等光学元件,从而提高用户体验;第二显示区12为主显示区,第二显示区12用于显示图像。
在一实施方式中,所述第一显示区11的透光率大于所述第二显示区12的透光率。
可以理解的是,对于光学元件而言,第一显示区11的透光性对光学元件的工作具有极大的影响,而第一显示区11处的透光性又与第一显示区11处的膜层结构相关,以光学元件为摄像头为例,第一显示区11的透光率越高,摄像头进行拍摄工作时,摄像头的成像品质越好。
参阅图2-图10,所述显示面板的第一显示区11包括显示基板100和光学膜层200,所述显示基板100具有出光面,所述光学膜层200位于所述显示基板100的出光面的一侧。
所述显示基板100包括像素定义层1031和设置在所述像素定义层1031上的阴极层1034,所述像素定义层1031包括多个相间隔的像素开口1001和相邻像素开口1001之间的支撑部1031a,所述阴极层1034在所述像素开口1001的厚度大于所述阴极层1034在支撑部1031a上的厚度。其中,当所述阴极层1034在支撑部1031a上的厚度为0时,即对应两像素开口1001之间没有阴极层沉积。
进一步的,所述第一显示区11的相邻两所述像素开口1001之间设有透光区111,所述透光区111用于使外界光线穿过所述显示面板射向光学元件,所述阴极层1034在所述像素开口1001的厚度大于所述阴极层1034在所述透光区111的厚度。
进一步的,所述光学膜层200包括多个对应设置于相邻两所述像素开口1001之间的第一光学结构200a。所述第一光学结构200a包括靠近所述阴极层1034的第一面及、与所述第一面相对的第二面、以及侧面200a’,且所述第一光学结构200a的侧面200a’为全反射表面。
本发明通过对第一显示区11的阴极层1034进行图案化,使得对应像素开口1001之间的支撑部1031a上的阴极层1034较薄或没有阴极层沉积,从而提升第一显示区11的透光率。同时,本发明还通过在显示基板100的出光面上设置光学膜层200,该光学膜层200利用光线能够在第一光学结构200a的侧面200a’发生全反射,从而将射向透光区111之外的外界光通过第一光学结构200a的侧面200a’反射至透光区111内,以进一步增加第一显示区11的入光量,使得设置在第一显示区11的光学元件可以接收到充足的光信号,进而提升光学元件的性能。
具体请参考以下实施例。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
实施例一
参阅图2,本实施例的显示面板的第一显示区11包括显示基板100和位于所述显示基板100的出光面一侧的光学膜层200。所述光学膜层200包括第一光学子膜层201和第二光学子膜层202,所述第二光学子膜层202位于所述第一光学子膜层201远离所述基底101的一侧,且所述第一光学子膜层201的折射率大于所述第二光学子膜层202的折射率。
示例性的,所述第一光学子膜层201的折射率的范围为1.5-2,例如可以为1.5、1.7、1.8、或者2等。所述第二光学子膜层202的折射率的范围为1-1.4,例如可以为1、1.1、1.2、1.3或者1.4等。
在本实施例中,由所述第一光学子膜层201形成第一光学结构200a,所述显示基板100包括像素定义层1031和设置在所述像素定义层1031上的阴极层1034,所述像素定义层1031包括多个相间隔的像素开口1001和相邻像素开口1001之间的支撑部1031a,所述第一光学结构200a对应设置于相邻两所述像素开口1001之间的支撑部1031a上。
当然,在其他实施例中,可以由所述第二光学子膜层202形成所述第一光学结构200a,此时,所述第一光学子膜层201对应所述第一光学结构200a的位置需要设置与第一光学结构200a相匹配的凹陷,所述第一光学结构200a嵌设于所述凹陷内。
在一种实施例中,所述光学膜层200为透明膜层。
参阅图3,本实施例的显示面板的第二显示区12包括显示基板100和触控层300,所述触控层300设置于所述显示基板100的出光面一侧。所述触控层300包括第一绝缘层301、第二绝缘层302、第三绝缘层303、触控电极304以及触控电极连接线305。所述第一绝缘层301位于所述显示基板100的表面,所述触控电极连接线305位于所述第一绝缘层301远离所述显示基板100的一侧,所述第二绝缘层302位于所述触控电极连接线305远离所述显示基板100的一侧,所述触控电极304位于所述第二绝缘层302远离所述显示基板100的一侧,所述第三绝缘层303位于所述触控电极304远离所述显示基板100的一侧。
其中,所述显示基板100包括像素定义层1031和设置在所述像素定义层1031上的阴极层1034,所述像素定义层1031包括多个相间隔的像素开口1001和相邻像素开口1001之间的支撑部1031a,所述触控电极304以及所述触控电极连接线305对应位于相邻两像素开口1001之间。所述第二绝缘层302在对应所述触控电极连接线305的位置设有贯穿所述第二绝缘层302的过孔,当所述触控层300为互容式触控时,所述触控电极304中包括可以形成互电容的第一电极和第二电极,其中,相邻两所述第一电极或所述第二电极通过所述触控电极连接线305经由所述过孔实现电连接。
结合图2和图3所示,本实施例的显示基板100包括基底101、TFT器件层102、OLED器件层103以及薄膜封装层104。
其中,所述基底101可以是柔性基底,柔性基底的材料可以是聚酰亚胺等有机材料;所述基底101也可以是刚性基底,刚性基底的材料例如可以为玻璃、金属、塑料等;所述基底101可以为单层膜层结构或多层膜层结构。
所述TFT器件层102位于所述基底101上,所述TFT器件层102与所述基底101之间还包括缓冲层105,所述缓冲层105为具有阻隔水氧的氧化硅或氮化硅。所述TFT器件层102包括:有源层1021、覆盖所述有源层1021的第一栅极绝缘层1022、设置于所述第一栅极绝缘层1022远离所述基底101一侧的栅极1023、覆盖所述栅极1023的第二栅极绝缘层1024、设置于所述第二栅极绝缘层1024远离所述基底101一侧的第二栅极1025、覆盖所述第二栅极1025的层间介电层1026、设置于所述层间介电层1026远离所述基底101一侧的源/漏极1027,以及,覆盖所述源/漏极1027的平坦层1028。
所述OLED器件层103位于所述TFT器件层102远离所述基底101的一侧,所述OLED器件层103包括像素定义层1031、多个阳极1032、有机发光层1033以及阴极层1034。所述像素定义层1031定义出像素开口1001,所述有机发光层1033对应所述像素开口1001设置,且所述有机发光层1033位于所述阳极1032和所述阴极层1034之间,所述阳极1032位于所述阴极层1034远离所述光学膜层200的一侧。
所述薄膜封装层104位于所述OLED器件层103远离所述基底101的一侧,所述薄膜封装层104用以保护所述显示面板的器件不受水氧影响,进而可以延长所述显示面板的使用寿命。所述薄膜封装层104包括层叠设置的第一无机层1041、第一有机层1042以及第二无机层1043,所述第一有机层1042位于所述第一无机层1041与所述第二无机层1043之间,所述第一无机层1041位于所述第一有机层1042靠近所述基底101的一侧,所述第二无机层1043位于所述第一有机层1042远离所述基底101的一侧。
其中,所述第一显示区11的显示基板100和所述第二显示区12的显示基板100的区别在于:所述阴极层1034在所述第二显示区12内为整层设置,无需进行图案化,即厚度保持均一;而在所述第一显示区11内,所述阴极层1034被图案化成具有不同的厚度,所述阴极层1034包括对应所述像素开口1001的第一阴极部1034a和对应支撑部1031a的第二阴极部(未图示),所述第一阴极部1034a的厚度大于所述第二阴极部的厚度。
在本实施例中,所述第一显示区11内的所述阴极层1034被图案化成多个第一阴极部1034a,所述第一阴极部1034a对应所述像素开口1001设置。
如图2所示,在本实施例中,所述第一显示区11内的相邻两所述像素开口1001之间还包括透光区111,所述透光区111用于使外界光线穿过所述显示面板射向光学元件。
所述显示基板100还包括位于所述阳极1032与所述有机发光层1033之间的第一辅助层(未图示),以及位于所述有机发光层1033与所述第一阴极部1034a之间的第二辅助层(未图示)。其中,所述第一辅助层可以为空穴传输层,所述第二辅助层可以为电子传输层。
所述第一显示区11还包括阴极抑制层1035,所述阴极抑制层1035设置于所述支撑部1031a上,所述阴极抑制层1035在所述光学膜层200上的正投影与所述阳极1032在所述光学膜层200上的正投影相离(即不交叠)。并且,所述阴极抑制层1035与所述阴极层1034之间的粘合力小于所述阴极层1034与所述第二辅助层之间的粘合力。
所述阴极层1034的材料可以为金属镁,阴极抑制层1035的材料可以为BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(对苯基苯酚)合铝)、TAZ(3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑)及OTI(氧化铟)中的至少一种。金属镁在BAlq、TAZ和OTI材料上的附着力较差,在蒸镀金属镁形成阴极层1034时,阴极抑制层1035抑制金属镁在阴极抑制层1035上成膜。由于所述阴极抑制层1035为透明材料,因此可增强第一显示区11的透光率。
进一步的,所述阴极抑制层1035的边界与所述透光区111的边界重合。
在一种实施例中,所述阴极抑制层1035的厚度不超过所述阴极层1034的厚度。
结合图2、图4和图5所示,所述第一光学结构200a的侧面200a’与所述第一光学结构200a的第一面之间形成的第一夹角α1在0°至90°之间。示例性的,所述第一夹角α1为15°、30°、45°、60°、70°、80°或90°。
如图4所示,所述第一光学结构200a在所述显示基板100上的正投影与所述阴极抑制层1035交叠。具体地,所述第一光学结构200a靠近所述薄膜封装层104的一侧为底部,所述底部的边界与所述阴极抑制层1035的边界相对应。在垂直于所述显示基板100的方向上,所述第一光学结构200a远离所述显示基板100一侧的截面宽度w2大于所述第一光学结构200a靠近所述显示基板100一侧的截面宽度w1。由于所述第二光学子膜层202的折射率大于所述第一光学结构200a(即第一光学子膜层)的折射率,因此所述第一光学结构200a与所述第二光学子膜层202的交界面(即侧面200a’)为全反射表面,当外界光线进入所述第一光学结构200a时,其中射向所述侧面200a’的光线会在所述侧面200a’的内表面发生全反射,从而改变光线路径,使原本射向所述透光区111之外的外界光经全反射后可以进入所述透光区111的范围内,以增加透光区111的入光量,进而提高所述第一显示区11的透光率。
如图5所示,当所述第一光学结构200a的侧面200a’与所述第一光学结构200a的第一面之间形成的第一夹角α1为90°时,在垂直于所述显示基板100的方向上,所述第一光学结构200a远离所述显示基板100一侧的截面宽度w2等于所述第一光学结构200a靠近所述显示基板100一侧的截面宽度w1。由于外界光为自然光,因此,当第一夹角α1为90°时仍然可以照射至所述侧面200a’。当外界光线进入所述第一光学结构200a时,其中射向所述侧面200a’的光线会在所述侧面200a’的内表面发生全反射,从而改变光线路径,使原本射向所述透光区111之外的外界光经全反射后可以进入所述透光区111的范围内,以增加透光区111的入光量,进而提高所述第一显示区11的透光率。
结合图2-图5,为了方便制作,所述第一显示区11可以共用所述第二显示区12内的所述第一绝缘层301、所述第二绝缘层302和所述第三绝缘层303,也就是说,所述第二光学子膜层202可以与所述第三绝缘层303为同一个膜层。
在一种实施例中,所述光学膜层200的厚度范围为1微米至3.5微米之间。其中,所述第一光学子膜层201的厚度为0.2微米-1.5微米,所述第二光学子膜层202的厚度为1微米-2微米。
在一种实施例中,所述第一光学结构200a的侧面200a’为斜面或曲面中的至少一种。
进一步的,当所述第一光学结构200a的侧面200a’为曲面时,所述曲面的曲率半径为1.5微米-5微米。
实施例二
请参阅图2、图3和图6,本实施例的显示面板与上述实施例一的显示面板的结构相似,本实施例与上述实施例一的区别在于:本实施例的显示面板的光学膜层200包括多层折射率不同的光学子膜层,多层所述光学子膜层中的至少两者形成第一光学结构200a。其中,多层所述光学子膜层的折射率从靠近所述显示基板100的一侧向远离所述显示基板100的一侧依次减小。其中,远离所述显示基板100一侧的光学子膜层包裹靠近所述显示基板100一侧的光学子膜层,且所述第一光学结构200a中的至少两层所述光学子膜层在垂直于所述显示基板100的方向上的截面形状相同。
具体请参照图6,图6中所示的区域相当于图2中的A区域。为了方便说明,图6中的仅示意了三层光学子膜层。其中,光学膜层200至少包括第一光学子膜层201、第二光学子膜层202以及第三光学子膜层203,且第一光学子膜层201的折射率大于第二光学子膜层202的折射率,第三光学子膜层203的折射率大于第二光学子膜层202的折射率。由第一光学子膜层201和第二光学子膜层202构成第一光学结构200a,第三光学子膜层203覆盖第一光学结构200a。
所述第一光学结构200a中包括两层光学子膜层,其中,所述第二光学子膜层202包裹所述第一光学子膜层201。其中,为了方便制作,在制作第一光学子膜层201和第二光学子膜层202时,可采用不同开口孔径的相同类型的掩膜板完成第一光学子膜层201和第二光学子膜层202的图案化,以形成尺寸不同但形状相同的第一光学子膜层201和第二光学子膜层202,此处不做限制。
可以理解的是,所述第一光学结构200a中的每一个光学子膜层,其靠近所述阴极抑制层1035的一侧为底部,远离所述阴极抑制层1035的一侧为顶部。其中,所述第一光学结构200a中最内层的一个光学子膜层(如第一光学子膜层201)的底部边界对应所述阴极抑制层1035(即透光区111)的边界,所述第一光学结构200a中最外层的一个光学子膜层(如第二光学子膜层202)的顶部边界对应位于所述阴极抑制层1035的边界与所述像素开口1001的边界之间。
其中,本实施例的显示面板中的显示基板与实施例一的显示面板中的显示基板100的结构相同,以及本实施例的显示面板的第二显示区与上述实施例一的显示面板的第二显示区12的结构相同,此处不再赘述。
在本实施例中,由于所述第一光学结构200a中的每个光学子膜层的侧面都可以形成全反射表面,当外界光线进入所述第一光学结构200a时,其中射向每个光学子膜层侧面的光会在该光学子膜层侧面的内表面发生全反射,从而改变光线路径,使原本射向所述透光区111之外的外界光经全反射后可以进入所述透光区111的范围内,以增加透光区111的入光量。因此,本实施例相较于上述实施例一可以进一步提高所述第一显示区11的透光率。
实施例三
请参阅图3、图6-图8,本实施例的显示面板与上述实施例一/二的显示面板的结构相似,本实施例的显示面板中的显示基板100与实施例一的显示面板中的显示基板100的结构相同,以及本实施例的显示面板的第二显示区12与上述实施例一的显示面板的第二显示区12的结构相同,此处不再赘述。本实施例与上述实施例一/二的区别在于:在所述第一显示区11中,所述光学膜层200还包括多个对应所述像素开口1001的第二光学结构200b,所述第二光学结构200b与所述第一光学结构200a位于同一层,且所述第二光学结构200b包括靠近所述阴极层1034的第一面及、与所述第一面相对的第二面、以及侧面200b’,所述第二光学结构200b的侧面200b’与所述第二光学结构200b的第一面之间的夹角为第二夹角α2,其中,第二夹角α2在0°至90°之间。
示例性的,所述第二夹角α2为15°、30°、45°、60°、70°、80°或90°。
如图7所示,所述第二光学结构200b在所述显示基板100上的正投影与所述第一阴极部1034a存在重叠。所述第二光学结构200b的截面形状与所述第一光学结构200a的截面形状相同/相似,在垂直于所述显示基板100的方向上,所述第二光学结构200b远离所述显示基板100一侧的截面宽度大于或等于所述第二光学结构200b靠近所述显示基板100一侧的截面宽度。
在一种实施例中,所述第二光学结构200b靠近所述薄膜封装层104的一侧为底部,远离所述薄膜封装层104的一侧为顶部,其中,所述第二光学结构200b的底部边界与所述像素开口1001的边界相对应,所述第二光学结构200b的顶部边界位于所述像素开口1001的边界与透光区111的边界之间。进一步的,所述第二光学结构200b与所述第一光学结构200a相间隔。
请结合图2和图3所示,在显示面板的第二显示区12内,通常触控层300的触控电极304以及触控电极连接线305设置于相邻两所述像素开口1001之间,又由于所述触控电极304以及所述触控电极连接线305为具有反射特性的导电金属,因此,有机发光层1033发出的射向相邻两像素开口1001之间的光会在所述触控电极304以及所述触控电极连接线305的表面被反射(如图3中的光线路径所示),也就是说,第二显示区12内的第二子像素射向大视角的光被所述触控电极304以及所述触控电极连接线305所遮挡。然而,在第一显示区11内,由于相邻两所述像素开口1001之间不设置所述触控电极304以及所述触控电极连接线305,因此,第一显示区11内的第一子像素发出的射向相邻两像素开口1001之间的光不会被遮挡。这就导致了第一显示区11和第二显示区12之间存在亮度差异。
针对该技术问题,本实施例在所述第一显示区11对应所述像素开口1001的位置设置第二光学结构200b,如图7和图8所示,由于所述第二光学结构200b(即第一光学子膜层201)的折射率大于所述第二光学子膜层202的折射率,因此所述第二光学结构200b与所述第二光学子膜层202的交界面(即侧面200b’)为全反射表面。当所述有机发光层1033发出的光进入所述第二光学结构200b时,其中射向所述侧面200b’的光会在所述侧面200b’的内表面发生全反射,改变光线路径,使原本射向大视角的光经全反射后向正视角的方向偏移,从而增加第一子像素的正向出光量,进而改善第一显示区11和第二显示区12之间的亮度差异。
在一种实施例中,当所述第二光学结构200b的侧面200b’与所述显示基板100所在平面之间形成的第二夹角α2为90°时,在垂直于所述显示基板100的方向上,所述第二光学结构200b远离所述显示基板100一侧的截面宽度等于所述第二光学结构200b靠近所述显示基板100一侧的截面宽度。与实施例一中的图5相似,当所述第一子像素发出的光进入所述第二光学结构200b时,其中射向所述侧面200b’的光线会在该侧面200b’的内表面发生全反射,改变光线路径,使原本射向大视角的光经全反射后向正视角的方向偏移,从而增加第一子像素的正向出光量,进而改善第一显示区11和第二显示区12之间的亮度差异。
如图8所示,在理论上,所述第二夹角α2的最小值受到所述像素定义层1031形成的像素开口1001的宽度和高度的限制。设定所述像素开口1001的宽度为L,所述像素开口1001的高度为H,位于所述像素开口1001内的所述有机发光层1033发出的光射出所述像素开口1001后会存在一定的视角范围,设定光线a1和a2为所述有机发光层1033从像素定义层1031边沿射出的最大角度的光线。可以理解的是,当所述第二夹角α2大于最大角度的光线(如a1或a2)与所述显示基板100所在平面形成的阈值角α时,所述有机发光层1033发出的光会照射至所述第二光学结构200b的侧面200b’上。
其中,所述阈值角α=arctan(H/L)*180°/π。
在一种实施例中,所述第二夹角α2的角度大于所述阈值角α,且小于或等于90°。
在一种实施例中,为了简化制程,所述第一夹角α1和所述第二夹角α2相等。即所述第一光学结构200a和所述第二光学结构200b的形状、大小保持一致。
在一种实施例中,为了使所述第二光学结构200b得到最大的利用率,所述第二光学结构200b靠近所述阴极层1034一侧的底部边界位于所述像素开口1001的边界至超出所述像素开口1001边界预设距离d的范围内。其中,当所述第二光学结构200b的底部边界位于最大角度的光线(如a1或a2)与所述光学膜层200的交汇处(A点/A’点)时,此时最大角度的光线刚好能照射到所述第二光学结构200b的侧面200b’的底部,此时所述有机发光层1033的出射光刚好可以射向整个侧面200b’。
其中,预设距离(d)=像素定义层至光学膜层的垂直距离(h)/阈值角(α)的正切值。
在一种实施例中,所述第二光学结构200b的侧面200b’为斜面或曲面中的至少一种。
进一步的,当所述第二光学结构200b的侧面200b’为曲面时,所述曲面的曲率半径为1.5微米-5微米。
其中,图7中的第一光学结构200a和第二光学结构200b均为单层结构的光学子膜层。可以理解的是,在其他实施例中,所述第一光学结构200a和所述第二光学结构200b均可采用至少两层不同折射率的光学子膜层,且所述光学膜层200中的多层光学子膜层的折率率从靠近所述显示基板100的一侧向远离所述显示基板100的一侧依次减小。例如,所述第一光学结构200a和所述第二光学结构200b中包括至少两层所述光学子膜层,远离所述显示基板100一侧的光学子膜层包裹靠近所述显示基板100一侧的光学子膜层,且所述第一光学结构200a和所述第二光学结构200b中的至少两层所述光学子膜层在垂直于所述显示基板100的方向上的截面形状相同。具体可参照实施例二以及图6中的第一光学结构200a的设计,此处不再赘述。采用这种设计,可以进一步增加第一显示区的透光率以及第一子像素的正向出光量。
本实施例相较于上述实施例一/二,由于在像素开口上方设置了可以增加正向出光的第二光学结构,因此,本实施例在增加第一显示区的透光率的同时,还可以增加第一显示区中第一子像素的正向出光量,进而改善第一显示区和第二显示区之间的亮度差异。
实施例四
请参阅图3和图9,本实施例的显示面板与上述实施例一的显示面板的结构相似,本实施例的显示面板中的显示基板100与实施例一的显示面板中的显示基板100的结构相同,以及本实施例的显示面板的第二显示区12与上述实施例一的显示面板的第二显示区12的结构相同,此处不再赘述。本实施例与上述实施例一的区别在于:
所述光学膜层200包括第一光学子膜层201和第二光学子膜层202,所述第二光学子膜层202位于所述第一光学子膜层201远离所述基底101的一侧,且所述第一光学子膜层201的折射率小于所述第二光学子膜层202的折射率。
示例性的,所述第一光学子膜层201的折射率的范围为1-1.4,例如可以为1、1.1、1.2、1.3或者1.4等。所述第二光学子膜层202的折射率的范围为1.5-2,例如可以为1.5、1.7、1.8、或者2等。
所述第一光学子膜层201形成第一光学结构200a,所述显示基板100的像素定义层1031包括多个相间隔的像素开口1001和相邻两像素开口1001之间的支撑部1031a,所述第一光学结构200a对应设置于相邻两所述像素开口1001之间的支撑部1031a上。其中,所述显示基板100的面向所述第一光学结构200a的一表面上形成有阴极抑制层1035,所述阴极抑制层1035位于相邻两个所述像素开口1001之间的支撑部1031a上。其中,相邻两个所述像素开口1001之间设置有透光区111,所述阴极抑制层1035正对所述透光区111设置。
进一步的,所述第一光学结构200a位于一个所述像素开口1001及一个所述阴极抑制层1035之间。并且,在垂直于所述显示基板100的方向上,所述第一光学结构200a远离所述显示基板100一侧的截面宽度w2小于或等于所述第一光学结构200a靠近所述显示基板100一侧的截面宽度w1。
在一种实施例中,所述第一光学结构200a在所述显示基板100上的正投影不与所述阴极抑制层1035交叠。
在一种实施例中,所述第一光学结构200a的边界位于所述像素开口1001的边界与所述阴极抑制层1035的边界之间。
进一步的,所述第一光学结构200a靠近所述阴极抑制层1035的一侧为底部,远离所述阴极抑制层1035的一侧为顶部,其中,所述第一光学结构200a靠近所述像素开口1001的底部边界与所述像素开口1001的边界相对应,所述第一光学结构200a靠近所述透光区111的底部边界与所述阴极抑制层1035的边界相对应。
其中,所述第一光学结构200a的侧面200a’与所述显示基板100所在平面之间形成的第一夹角α1在0°至90°之间。示例性的,所述第一夹角α1为15°、30°、45°、60°、70°、80°或90°。
在本实施例中,所述第一光学结构200a同时具备增强透光区111入光以及增强第一子像素正向出光的作用。综合考虑,所述第一夹角α1的角度大于所述阈值角α,且小于或等于90°。
在本实施例中,由于所述第二光学子膜层202的折射率大于所述第一光学结构200a(即第一光学子膜层)的折射率,因此所述第一光学结构200a与所述第二光学子膜层202的交界面(即侧面200a’)为全反射表面,当外界光线射向所述第一光学结构200a靠近所述透光区111一侧的侧面200a’时,光线会在所述侧面200a’的外表面发生全反射,从而改变光线路径,使原本射向所述透光区111之外的外界光经全反射后可以进入所述透光区111的范围内,以增加透光区111的入光量,进而提高所述第一显示区11的透光率。
进一步的,当所述有机发光层1033发出的光射向所述第二光学结构200b靠近所述像素开口1001一侧的侧面200a’时,光会在所述侧面200b’的外表面发生全反射,改变光线路径,使原本射向大视角的光经全反射后向正视角的方向偏移,从而增加第一子像素的正向出光量,进而改善第一显示区11和第二显示区12之间的亮度差异。
因此,本实施例相较于上述实施例一,能够在增加第一显示区的透光率的同时,还可以增加第一显示区中第一子像素的正向出光量,进而改善第一显示区和第二显示区之间的亮度差异。
实施例五
请参阅图3和图10,本实施例的显示面板与上述实施例四的显示面板的结构相似,本实施例与上述实施例四的区别在于:本实施例的显示面板的光学膜层200包括多层折射率不同的光学子膜层,多层所述光学子膜层中的至少两者形成第一光学结构200a。其中,多层所述光学子膜层的折射率从靠近所述显示基板100的一侧向远离所述显示基板100的一侧依次增大。其中,远离所述显示基板100一侧的光学子膜层包裹靠近所述显示基板100一侧的光学子膜层,且所述第一光学结构200a中的至少两层所述光学子膜层在垂直于所述显示基板100的方向上的截面形状相同。
具体请参照图10,为了方便说明,图10中的仅示意了三层光学子膜层。其中,光学膜层200至少包括第一光学子膜层201、第二光学子膜层202以及第三光学子膜层203,且第一光学子膜层201的折射率小于第二光学子膜层202的折射率,第二光学子膜层202的折射率小于第三光学子膜层203的折射率。第一光学子膜层201和第二光学子膜层202构成第一光学结构200a,第三光学子膜层203覆盖第一光学结构200a。
其中,本实施例的显示面板中的显示基板100与实施例一的显示面板中的显示基板100的结构相同,以及本实施例的显示面板的第二显示区12与上述实施例一的显示面板的第二显示区12的结构相同,此处不再赘述。
在本实施例中,由于所述第一光学结构200a中的每个光学子膜层的侧面都可以形成全反射表面,因此,本实施例在上述实施例四的基础上可以进一步增加第一显示区的透光率和第一子像素的正向出光量。
以上对本发明进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (21)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括第一显示区和第二显示区,所述第二显示区围绕所述第一显示区,且所述第一显示区的透过率大于第二显示区的透过率,所述第一显示区包括:
显示基板,所述显示基板包括像素定义层和设置在所述像素定义层上的阴极层,所述像素定义层包括多个相间隔的像素开口和相邻像素开口之间的支撑部,所述阴极层在所述像素开口的厚度大于所述阴极层在支撑部上的厚度;
光学膜层,设置于所述阴极层远离所述像素定义层的一侧,所述光学膜层包括多个对应设置于相邻两所述像素开口之间的第一光学结构;
其中,所述第一光学结构包括靠近所述阴极层的第一面及、与所述第一面相对的第二面、以及侧面,且所述第一光学结构的侧面为全反射表面。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光学膜层包括至少两层折射率不同的光学子膜层,至少两层所述光学子膜层中的至少一者形成所述第一光学结构。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,至少两层所述光学子膜层的折射率从靠近所述显示基板的一侧向远离所述显示基板的一侧依次减小;所述第一光学结构远离所述显示基板一侧的截面宽度大于或等于所述第一光学结构靠近所述显示基板一侧的截面宽度。
4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述光学膜层还包括多个对应所述像素开口的第二光学结构,所述第二光学结构与所述第一光学结构位于同一层,所述第二光学结构包括靠近所述阴极层的第一面及、与所述第一面相对的第二面、以及侧面,且所述第二光学结构的侧面为全反射表面。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二光学结构远离所述显示基板一侧的截面宽度大于或等于所述第二光学结构靠近所述显示基板一侧的截面宽度。
6.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,至少两层所述光学子膜层的折射率从靠近所述显示基板的一侧向远离所述显示基板的一侧依次增大;所述第一光学结构远离所述显示基板一侧的截面宽度小于或等于所述第一光学结构靠近所述显示基板一侧的截面宽度。
7.根据权利要求3、5和6中的任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一光学结构和/或所述第二光学结构中包括至少两层所述光学子膜层,远离所述显示基板一侧的光学子膜层包裹靠近所述显示基板一侧的光学子膜层,且所述第一光学结构和/或所述第二光学结构中的至少两层所述光学子膜层在垂直于所述显示基板的方向上的截面形状相同。
8.根据权利要求3、5和6中的任一项所述的显示面板,其特征在于,所述阴极层包括对应所述像素开口的第一阴极部和对应支撑部的第二阴极部,所述第一阴极部的厚度大于所述第二阴极部的厚度。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述显示基板还包括多个阳极、第一辅助层、有机发光层以及第二辅助层,所述阳极与所述第一阴极部相对设置,所述第一辅助层位于所述阳极靠近所述阴极层的一侧,所述有机发光层位于所述第一辅助层靠近所述阴极层的一侧,所述第二辅助层位于所述有机发光层靠近所述阴极层的一侧;所述支撑部上形成有阴极抑制层,所述阴极抑制层的厚度小于所述阴极层的厚度,所述阴极抑制层与所述阴极层之间的粘合力小于所述阴极层与所述第二辅助层之间的粘合力,且所述阴极抑制层为透明材质。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述阴极抑制层在所述光学膜层上的正投影与所述阳极在所述光学膜层上的正投影相离。
11.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,当所述第一光学结构远离所述显示基板一侧的截面宽度大于或等于所述第一光学结构靠近所述显示基板一侧的截面宽度时,所述第一光学结构在所述显示基板上的正投影与所述阴极抑制层重叠。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述第一光学结构靠近所述阴极抑制层的一侧为底部,其中,所述第一光学结构的底部边界与所述阴极抑制层的边界相对应。
13.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第一显示区的相邻两所述像素开口之间还设有透光区,当所述第一光学结构远离所述显示基板一侧的截面宽度小于或等于所述第一光学结构靠近所述显示基板一侧的截面宽度时,所述第一光学结构在所述显示基板上的正投影位于所述像素开口与所述透光区之间。
14.根据权利要求13所述的显示面板,其特征在于,所述第一光学结构靠近所述阴极抑制层的一侧为底部,其中,所述第一光学结构靠近所述像素开口的底部边界与所述像素开口的边界相对应,所述第一光学结构靠近所述透光区的底部边界与所述阴极抑制层的边界相对应。
15.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第二光学结构在所述显示基板上的正投影与所述第一阴极部重叠。
16.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述像素开口的宽度为L,所述像素开口的高度为H,其中,所述第一光学结构的侧面与所述第一光学结构的第一面之间的夹角为第一夹角,所述第二光学结构的侧面与所述第二光学结构的第一面之间的夹角为第二夹角,所述第一夹角和所述第二夹角的角度范围均大于阈值角,且小于或等于90°;其中,所述阈值角为arctan(H/L)*180°/π。
17.根据权利要求16所述的显示面板,其特征在于,所述第一夹角与所述第二夹角的角度相等。
18.根据权利要求16所述的显示面板,其特征在于,所述第二光学结构靠近所述阴极层一侧的底部边界位于像素开口边界至超出像素开口边界预设距离的范围内;
其中,所述预设距离为:所述像素定义层至所述光学膜层的垂直距离/所述阈值角的正切值。
19.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第一光学结构和所述第二光学结构的侧面为斜面或曲面中的至少一种。
20.根据权利要求19所述的显示面板,其特征在于,所述曲面的曲率半径为1.5微米-5微米。
21.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光学膜层的厚度范围为1微米至3.5微米之间。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111049374.9A CN113745433B (zh) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | 一种显示面板 |
US17/607,855 US20240032346A1 (en) | 2021-09-08 | 2021-09-18 | Display panel |
PCT/CN2021/119313 WO2023035317A1 (zh) | 2021-09-08 | 2021-09-18 | 一种显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202111049374.9A CN113745433B (zh) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | 一种显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113745433A true CN113745433A (zh) | 2021-12-03 |
CN113745433B CN113745433B (zh) | 2023-06-02 |
Family
ID=78736982
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111049374.9A Active CN113745433B (zh) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | 一种显示面板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240032346A1 (zh) |
CN (1) | CN113745433B (zh) |
WO (1) | WO2023035317A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114823807A (zh) * | 2022-02-07 | 2022-07-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
US11985841B2 (en) | 2020-12-07 | 2024-05-14 | Oti Lumionics Inc. | Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating |
US12113279B2 (en) | 2020-09-22 | 2024-10-08 | Oti Lumionics Inc. | Device incorporating an IR signal transmissive region |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111446379A (zh) * | 2019-01-16 | 2020-07-24 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN113054133A (zh) * | 2021-03-09 | 2021-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN113054136A (zh) * | 2021-03-11 | 2021-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及显示装置 |
CN113130613A (zh) * | 2021-04-13 | 2021-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、装置及其制备方法 |
CN113629208A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-11-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9362345B2 (en) * | 2013-05-31 | 2016-06-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
KR102367247B1 (ko) * | 2017-07-04 | 2022-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111063720B (zh) * | 2019-12-30 | 2022-07-05 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN113054134B (zh) * | 2021-03-09 | 2022-06-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN113178530B (zh) * | 2021-04-09 | 2022-11-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板与显示装置 |
-
2021
- 2021-09-08 CN CN202111049374.9A patent/CN113745433B/zh active Active
- 2021-09-18 WO PCT/CN2021/119313 patent/WO2023035317A1/zh active Application Filing
- 2021-09-18 US US17/607,855 patent/US20240032346A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111446379A (zh) * | 2019-01-16 | 2020-07-24 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
CN113054133A (zh) * | 2021-03-09 | 2021-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
CN113054136A (zh) * | 2021-03-11 | 2021-06-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及显示装置 |
CN113130613A (zh) * | 2021-04-13 | 2021-07-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、装置及其制备方法 |
CN113629208A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-11-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12113279B2 (en) | 2020-09-22 | 2024-10-08 | Oti Lumionics Inc. | Device incorporating an IR signal transmissive region |
US11985841B2 (en) | 2020-12-07 | 2024-05-14 | Oti Lumionics Inc. | Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating |
CN114823807A (zh) * | 2022-02-07 | 2022-07-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
WO2023147710A1 (zh) * | 2022-02-07 | 2023-08-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
JP7528202B2 (ja) | 2022-02-07 | 2024-08-05 | 武漢華星光電半導体顕示技術有限公司 | 表示パネル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023035317A1 (zh) | 2023-03-16 |
US20240032346A1 (en) | 2024-01-25 |
CN113745433B (zh) | 2023-06-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113629208B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US10243173B2 (en) | Display device | |
CN112736210B (zh) | 一种显示面板及显示装置 | |
US20220165993A1 (en) | Display panel with a display function layer and display device | |
CN104733501B (zh) | 像素结构、显示装置以及像素结构的制作方法 | |
CN113745433A (zh) | 一种显示面板 | |
CN113013203B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN111952481B (zh) | 显示面板及电子设备 | |
US12120940B2 (en) | Display panel with optical adjustment member in edge display area and mobile terminal | |
EP3985648B1 (en) | Display device | |
CN111628107B (zh) | 显示面板 | |
US20230076282A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
CN111403617A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN115172626A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN114122080B (zh) | 显示面板及移动终端 | |
CN113327968B (zh) | 一种阵列基板及显示面板 | |
KR20200079977A (ko) | 커버 윈도우 및 이를 포함한 플렉서블 표시 장치 | |
CN113013214B (zh) | 电子装置、显示面板及其制备方法 | |
US20230026941A1 (en) | Display panel and display device | |
CN118660489A (zh) | 显示面板和显示装置 | |
CN115513272A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
KR20240116139A (ko) | 디스플레이 장치 | |
CN116153947A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示面板 | |
CN117015276A (zh) | 一种显示面板、显示面板的制作方法和显示装置 | |
KR20240105903A (ko) | 디스플레이 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |