CN113721402B - 电子设备、控制方法、控制装置、电子装置和存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种电子设备、控制方法、控制装置、电子装置和存储介质，涉及显示领域。电子设备中图像发生装置用于发射第一图像信号，第一电致变色膜用于将第一图像信号反射至第二电致变色膜，第二电致变色膜用于反射第一图像信号，第二图像信号透过反射镜基体、第二电致变色膜后，与被第二电致变色膜反射后的第一图像信号耦合并透过分光镜基体。本申请可利用第一电致变色膜来调节分光镜的透射率，可利用第二电致变色膜来调节反射镜的透射率，在外界环境的第二图像信号的光线亮度比较小时，可以通过调节第一电致变色膜和/或第二电致变色膜的透射率，以使得用户透过分光镜、反射镜看清外界场景。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种电子设备、控制方法、控制装置、电子装置和存储介质。
背景技术
图像源的下方设置分光镜和凹面镜以形成光学模组。图像源的光线投射至分光镜，分光镜允许光线以一定的反射率进行部分反射。图像源的光线经分光镜反射后到达凹面镜，再被凹面镜反射。凹面镜起到合成器的作用，可以把来自图像源的光线和外界光线导向眼睛。现有的技术方案中，在分光镜和凹面镜的内表面都贴有一层半透半反膜，进而导致外界光线只有部分光线会进入到人眼，另一部分会再次反射出来，因此当外界环境光亮度比较小时，用户不能透过分光镜、凹面镜看清外界场景。
发明内容
本申请所要解决的技术问题是提供一种电子设备、控制方法、控制装置、电子装置和存储介质。
为了解决上述技术问题，采用的技术方案为：一种电子设备，包括：
图像发生装置，用于发射第一图像信号；
分光镜，位于所述图像发生装置的一侧，所述分光镜包括：
分光镜基体；和
第一电致变色膜，设置在所述分光镜基体上；和
反射镜，与所述图像发生装置位于所述分光镜的同一侧，所述反射镜包括：
反射镜基体，与所述分光镜基体相对设置，所述第一电致变色膜位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间；和
第二电致变色膜，设置在所述反射镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体的之间，所述第一电致变色膜用于将所述第一图像信号反射至所述第二电致变色膜，所述第二电致变色膜用于反射所述第一图像信号，来源于外界环境的第二图像信号可被配置于透过所述反射镜，与被所述第二电致变色膜反射后的所述第一图像信号耦合并透过所述分光镜；
其中，所述第一电致变色膜的透射率与反射率被配置于在所述第一电致变色膜通电时可调节，所述第二电致变色膜的透射率与反射率被配置于在所述第二电致变色膜通电时可调节。
为了解决上述技术问题，采用的技术方案为：一种电子设备，包括：
图像发生装置，用于发射第一图像信号；
分光镜基体，位于所述图像发生装置的一侧；
第一膜材，设置在所述分光镜基体上；
反射镜基体，与所述图像发生装置位于所述分光镜基体的同一侧，与所述分光镜基体相对设置，所述第一膜材位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间；以及
第二膜材，设置在所述反射镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第一膜材用于将所述第一图像信号反射至所述第二膜材，所述第二膜材用于反射所述第一图像信号，来源于外界环境的第二图像信号可被配置于透过所述反射镜基体和所述第二膜材，与被所述第二膜材反射后的所述第一图像信号耦合并透过所述分光镜基体；
其中，所述第一膜材为电致变色膜，第二膜材为半透半反膜；或，所述第一膜材为半透半反膜，第二膜材为电致变色膜；所述电致变色膜的透射率与反射率被配置于在所述电致变色膜通电时可调节。
为了解决上述技术问题，采用的技术方案为：一种控制方法，用于增强现实设备，所述控制方案包括：
检测第一图像信号的光线强度；其中，所述第一图像信号来源于外界环境；
判断所述光线强度的变化趋势；
若所述第一图像信号的光线强度的变化趋势为减小趋势，则调高第一电致变色膜和/或第二电致变色膜的透射率；其中，所述增强现实设备包括图像发生装置、分光镜基体、所述第一电致变色膜、反射镜基体和所述第二电致变色膜，所述图像发生装置用于发射第二图像信号，所述反射镜基体与所述图像发生装置位于所述分光镜基体的同一侧，所述反射镜基体与所述分光镜基体相对设置，所述第一电致变色膜设置在所述分光镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第二电致变色膜设置在所述反射镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第一电致变色膜用于将所述第二图像信号反射至所述第二电致变色膜，所述第二电致变色膜用于反射所述第二图像信号，所述第一图像信号透过所述反射镜基体、所述第二电致变色膜后，与被所述第二电致变色膜反射后的所述第二图像信号耦合并透过所述分光镜基体，所述第一电致变色膜的透射率与反射率被配置于在所述第一电致变色膜通电时可调节，所述第二电致变色膜的透射率与反射率被配置于在所述第二电致变色膜通电时可调节。
为了解决上述技术问题，采用的技术方案为：一种控制方法，用于电子设备，所述控制方案包括：
检测当前显示状态；
若当前显示状态为虚拟现实显示状态，则检测状态切换指令；
若检测到状态切换指令，则调高第一电致变色膜的透射率；其中，所述电子设备包括图像发生装置、分光镜基体、第二电致变色膜、反射镜基体和所述第一电致变色膜，所述图像发生装置用于发射第一图像信号，所述反射镜基体与所述图像发生装置位于所述分光镜基体的同一侧，所述反射镜基体与所述分光镜基体相对设置，所述第二电致变色膜设置在所述分光镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第一电致变色膜设置在所述反射镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第二电致变色膜用于将所述第一图像信号反射至所述第一电致变色膜，所述第一电致变色膜用于反射所述第一图像信号，第二图像信号来源于外界环境并透过所述反射镜基体、所述第一电致变色膜后，与被所述第一电致变色膜反射后的所述第一图像信号耦合并透过所述分光镜基体，所述第一电致变色膜的透射率与反射率被配置于在所述第一电致变色膜通电时可调节，所述第二电致变色膜的透射率与反射率被配置于在所述第二电致变色膜通电时可调节。
为了解决上述技术问题，采用的技术方案为：一种控制装置，用于增强现实设备，所述控制装置包括：
检测模块，用于检测第一图像信号的光线强度；其中，所述第一图像信号来源于外界环境；
判断模块，用于判断所述光线强度的变化趋势；
执行模块，用于在所述判断模块判断所述第一图像信号的光线强度的变化趋势为减小趋势时，调高第一电致变色膜和/或第二电致变色膜的透射率；其中，所述增强现实设备包括图像发生装置、分光镜基体、所述第一电致变色膜、反射镜基体和所述第二电致变色膜，所述图像发生装置用于发射第二图像信号，所述反射镜基体与所述图像发生装置位于所述分光镜基体的同一侧，所述反射镜基体与所述分光镜基体相对设置，所述第一电致变色膜设置在所述分光镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第二电致变色膜设置在所述反射镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第一电致变色膜用于将所述第二图像信号反射至所述第二电致变色膜，所述第二电致变色膜用于反射所述第二图像信号，所述第一图像信号透过所述反射镜基体、所述第二电致变色膜后，与被所述第二电致变色膜反射后的所述第二图像信号耦合并透过所述分光镜基体，所述第一电致变色膜的透射率与反射率被配置于在所述第一电致变色膜通电时可调节，所述第二电致变色膜的透射率与反射率被配置于在所述第二电致变色膜通电时可调节。
为了解决上述技术问题，采用的技术方案为：一种控制装置，用于电子设备，所述控制装置包括：
检测模块，用于检测当前显示状态；
判断模块，用于判断当前显示状态是否为虚拟现实显示状态，所述检测模块用于在所述判断模块判断当前显示状态为虚拟现实显示状态时，检测状态切换指令；
切换模块，用于在所述检测模块检测到状态切换指令时，调高第一电致变色膜的透射率；其中，所述电子设备包括图像发生装置、分光镜基体、第二电致变色膜、反射镜基体和所述第一电致变色膜，所述图像发生装置用于发射第一图像信号，所述反射镜基体与所述图像发生装置位于所述分光镜基体的同一侧，所述反射镜基体与所述分光镜基体相对设置，所述第二电致变色膜设置在所述分光镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第一电致变色膜设置在所述反射镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第二电致变色膜用于将所述第一图像信号反射至所述第一电致变色膜，所述第一电致变色膜用于反射所述第一图像信号，第二图像信号来源于外界环境并透过所述反射镜基体、所述第一电致变色膜后，与被所述第一电致变色膜反射后的所述第一图像信号耦合并透过所述分光镜基体，所述第一电致变色膜的透射率与反射率被配置于在所述第一电致变色膜通电时可调节，所述第二电致变色膜的透射率与反射率被配置于在所述第二电致变色膜通电时可调节。
为了解决上述技术问题，采用的技术方案为：一种电子装置，包括互相连接的存储器和处理器，其中，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序在被所述处理器执行时，用于实现上述所述的控制方法。
为了解决上述技术问题，采用的技术方案为：一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被执行时，实现上述所述的控制方法。
采用本申请所述技术方案，具有的有益效果为：本申请可利用第一电致变色膜来调节分光镜的透射率，可利用第二电致变色膜来调节反射镜的透射率，在外界环境的第二图像信号的光线亮度比较小时，可以通过调节第一电致变色膜和/或第二电致变色膜的透射率，以使得用户透过分光镜、反射镜看清外界场景。
附图说明
图1揭露了本申请一实施例中电子设备的结构示意图；
图2揭露了本申请一实施例中分光镜的结构示意图；
图3揭露了本申请一实施例中第一电致变色膜的结构示意图；
图4揭露了本申请一实施例中凹面镜的结构示意图；
图5揭露了本申请另一实施例中电子设备的结构示意图；
图6揭露了本申请一实施例中电子设备部分结构的框架结构图；
图7揭露了本申请另一实施例中凹面镜的结构示意图；
图8揭露了本申请又一实施例中电子设备的结构示意图；
图9揭露了本申请又一实施例中电子设备的结构示意图；
图10揭露了本申请一实施例中电子设备的结构示意图；
图11揭露了本申请一实施例中控制方法的流程图；
图12揭露了本申请一实施例中控制方法的流程图；
图13揭露了本申请一实施例中控制装置的框架示意图；
图14揭露了本申请一实施例中控制装置的框架示意图；
图15为本申请一实施例中电子装置的框架示意图；
图16揭露了本申请中一实施例的一种计算机可读存储介质的框架示意图。
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的元件。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置或方法步骤的例子。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
请参阅图1，其揭露了本申请一实施例中电子设备的结构示意图。该电子设备100可以是硬件设备，如手机、电脑、玩具、数字广播终端、消息收发设备、游戏控制台、平板设备、医疗设备、健身设备、个人数字助理、虚拟现实或增强现实设备等。对于虚拟现实或增强现实设备，其可以是可穿戴设备。比如虚拟现实或增强现实眼镜。下面以电子设备100为增强现实设备为例。
增强现实技术是一种实时地计算从电子设备100外界环境获取图像信号的位置及角度并加上相应图像信号的技术，这种技术的目标是呈现出把虚拟世界套在现实世界的景象并进行互动。
请参阅图1，该电子设备100可包括图像发生装置10、分光镜20和凹面镜30。具体地，图像发生装置10和凹面镜30位于分光镜20的同一侧。图像发生装置10可发射第一图像信号到分光镜20。分光镜20可将按照一定的反射率将部分第一图像信号反射至凹面镜30。凹面镜30用于接收并反射分光镜20反射来的第一图像信号，还用于透过外界环境产生的第二图像信号，还用于使得第一图像信号和第二图像信号耦合并向分光镜20的方向传输。第一图像信号和第二图像信号耦合并透过分光镜20，入射到人眼睛内。使得人可以看到被第一图像信号增强了的第二图像信号，即虚拟世界中的第一图像信号套在现实世界的第二图像信号上。
需要指出的是，此处以及下文中的术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。
对于上文以及下文所述的名称，“第一图像信号”、“第二图像信号”和“图像信号”可以相互转换，比如，“第一图像信号”也可以被称为“第二图像信号”，也可以被称为“图像信号”。
请参阅图1和图2，图2揭露了本申请一实施例中分光镜20的结构示意图。分光镜20可为板状结构。分光镜20的材料可选自普通平板玻璃、钢化玻璃、中空玻璃、PET板及亚克力板中的一种，当然也可以为其他材料制成的可透光材料，也可以是多种透光材料制成的复合层。分光镜20与图像发生装置10相对倾斜设置，分光镜20与图像发生装置10所发射的第一图像信号的传播方向呈45°夹角。以使具有反射率与透射率的分光镜20允许第一图像信号以一定反射率进行第一图像信号的部分反射，以一定透射率进行部分第一图像信号的透射。
请参阅图1和图2，分光镜20可包括分光镜基体21和第一电致变色膜22(也可被称为“第一膜材”)。具体地，第一电致变色膜22设置在分光镜基体21上接收图像发生装置10所发射的第一图像信号的一侧，以使得分光镜20可以通过第一电致变色膜22透射率的改变来改变分光镜20的反射率和透射率。分光镜20可使得第一图像信号和第二图形信号的耦合图像信号更好的透过分光镜20到达人的眼睛内。
在一实施例中，第一电致变色膜22可以被替换为半透半反膜，半透半反膜是分束膜的一种，将其镀在分光镜基体21上，可用来分配入射光的光通量，通过改变分光比，使得分光镜20具有最大的分光效率(分光镜20的透射率与反射率之比称为分光比，透射率和反射率的乘积称为分光镜20的分光效率)。
请一并参阅图3，图3揭露了本申请一实施例中第一电致变色膜22的结构示意图。第一电致变色膜22可包括第一透明导电层221、电致变色层222、离子导体层223、离子储存层224以及第二透明导电层225。具体地，第一透明导电层221、电致变色层222、离子导体层223、离子储存层224以及第二透明导电层225依次层叠设置。
对于上文以及下文所述的名称，“第一透明导电层”、“第二透明导电层”和“透明导电层”可以相互转换，比如，“第一透明导电层”也可以被称为“第二透明导电层”，也可以被称为“透明导电层”。
在一实施例中，第一透明导电层221的光透射率在85％以上，且具有良好的导电性。在一实施例中，第一透明导电层221的材料可选自氧化铟锡(ITO)、氧化锡(FTO)及偶氮化合物(AZO)中的一种。当然并不仅限于此，第一透明导电层221的材料也可以为其他材料。在一实施例中，第一透明导电层221的厚度可为30nm～50nm。
在一实施例中，电致变色层222是一种电子和离子的混合导体。在外加电场的作用下，电致变色层222中离子的注入或抽出，使得电致变色层222发生无色和着色的可逆变化。在一实施例中，电致变色层222的材料可选自三氧化钨(WO3)、五氧化二钒(V2O5)、氧化镍(NiO)及二氧化钛(TiO2)中的至少一种。当然并不仅限于此，电致变色层222的材料也可以为其他材料。在一实施例中，电致变色层222的厚度为200nm～300nm。
在一实施例中，离子导体层223又称电解质层。离子导体层223的材料选自全固态无机电解质、凝胶聚合物电解质及有机-无机复合型聚合物电解质中的至少一种。当然并不仅限于此，离子导体层223的材料也可以为其他材料。在一实施例中，全固态无机电解质为LiPON(锂磷氧氮)。凝胶聚合物电解质选自PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PEO(聚环氧乙烯)及PAN(聚丙烯腈)中的一种。在一实施例中，有机-无机复合型聚合物电解质为PEO-LiClO4。
在一实施例中，离子导体层223的材料选自LiNbO3、LiAlO2及LiTaO3中的至少一种。当然并不仅限于此，离子导体层223的材料也可以为其他材料。在一实施例中，离子导体层223的厚度为5μm～10μm。
在一实施例中，离子储存层224用于提供和储存变色所需的离子，在第一电致变色膜22中起着平衡电荷传输的作用。离子储存层224具有离子插入的可逆性、较好的透明性和较快的反应速度。离子储存层224的原料可包括粉体、导电剂、粘结剂及溶剂。具体地，粉体选自NiOX粉体、IrO2粉体、CoO2粉体、MnO2粉体、FeO2粉体、Cr2O3粉体、RhO2粉体、TiO2粉体、CeO2粉体、SnO2粉体、ZrO2粉体及TiS2粉体中的一种。导电剂选自乙炔黑、科琴黑、KS-6及SUPER-P中的至少一种。粘结剂选自聚偏乙烯、聚乙烯醇及聚四氟乙烯中的至少一种。溶剂选自N-甲基-吡咯烷酮(NMP)、N-二甲基甲酰胺(DMF)、N-二甲基乙酰胺(DMAC)中的至少一种。
在一实施例中，粉体为TiS2粉体，导电剂为乙炔黑，粘结剂为聚偏乙烯，溶剂为N-甲基-吡咯烷酮。在一实施例中，粉体颗粒的大小为5μm～10μm，能够减小放电过程中粉体颗粒的绝对体积变化，抑制粉体颗粒破碎。同时，粉体颗粒的减小，单位质量的粉体的颗粒数量会增多，能够改善活性物质颗粒间的电接触，提高第一电致变色膜22的循环性能，进一步避免放电过程中对粉体颗粒的破坏。TiS2是层状结构，夹心层为S|Ti|S，层与层之间是由范德华力来维持。同时，TiS2具有良好的嵌脱锂性能，在室温下扩散较快。
在一实施例中，第二透明导电层225的光透射率在85％以上，且具有良好的导电性。在一实施例中，第一透明导电层221的材料可选自氧化铟锡(ITO)、氧化锡(FTO)及偶氮化合物(AZO)中的一种。当然并不仅限于此，第二透明导电层225的材料也可以为其他材料。在一实施例中，第二透明导电层225的厚度可为30nm～50nm。
在一实施例中，第二透明导电层225的材料选自氧化铟锡(ITO)、氧化锡(FTO)及偶氮化合物(AZO)中的一种。具体地，第二透明导电层225的厚度为30nm～50nm。
当离子导体层223的材料为锂离子化合物，离子储存层224原料中的粉体为TiS2粉体时，上述第一电致变色膜22的电致变色原理为：
在电场力的作用下，锂离子嵌入TiS2的化合物晶格的层间，锂离子嵌入反应后(Li+TiS2＝LiTiS2)，使原层状结构晶格稍有扩张，但结构不变，化学键不破坏，体积变化很小。反向加电场，锂离子也可以从化合物晶格的夹层中脱出，经过离子导体层223进入电致变色层222引起色变。
请参阅图4，其揭露了本申请一实施例中凹面镜30的结构示意图。凹面镜30即为凹面的抛物面镜，凹面镜30具有反射面，反射面为凹面，可反射第一图像信号。凹面镜30也可透过第二图像信号。凹面镜30可包括凹面镜基体31和第二电致变色膜32(也可被称为“第二膜材”)。具体地，第二电致变色膜32可设置在凹面镜基体31的一侧，第二电致变色膜32朝向分光镜20一侧的表面上，以使得凹面镜30可以通过第二电致变色膜32改变凹面镜30的反射率和透射率。进而可以改变凹面镜30的透射率，使得第二图形信号可以更好的透过凹面镜30，进而透过分光镜20到达人的眼睛内。
对于上文以及下文所述的名称，“第一电致变色膜”、“第二电致变色膜”和“电致变色膜”可以相互转换，比如，“第一电致变色膜”也可以被称为“第二电致变色膜”，也可以被称为“电致变色膜”。
可以理解地，第二电致变色膜32和第一电致变色膜22的结构、材料构成均可相同，在此不做过多赘述。
第一电致变色膜22可被配置于凹面镜30反射后的第一图像信号透过分光镜20的第一状态；第二电致变色膜32可被配置于第二图像信号透过凹面镜30的第二状态，可被配置于第二图像信号不透过凹面镜30的第三状态；第一电致变色膜22和第二电致变色膜32可被配置于第一电致变色膜22处于第一状态，且第二电致变色膜32处于第二状态时，透过凹面镜30的第二图像信号与凹面镜30反射后的第一图像信号耦合并透过分光镜20。
在一实施例中，第一电致变色膜22被替换为半透半反膜时，第二电致变色膜32可以使得透过第二电致变色膜32的第二图像信号的光线强度更接近外界环境的光线强度。也可以改善电子设备100的性能，可通过调节第二电致变色膜32的透射率，以使得用户透过分光镜、反射镜看清外界场景。当然，在另一个实施例中，第二电致变色膜32被替换为半透半反膜时，第一电致变色膜22可以使得透过半透半反膜的第二图像信号的光线强度不被再次削弱。也可以改善电子设备100的性能，通过调节第一电致变色膜22的透射率，以使得用户透过分光镜、反射镜看清外界场景。
请参阅图5，其揭露了本申请另一实施例中电子设备100的结构示意图。该电子设备100除了包括上述所述的图像发生装置10、分光镜20和凹面镜30外，还可包括处理器40和光传感器50。具体地，处理器40可安装在图像发生装置10远离分光镜20的一侧，用于控制光传感器50以及第一电致变色膜22、第二电致变色膜32、图像发生装置10。光传感器50可安装在处理器40靠近凹面镜30的一端，用于感测外界环境的第二图像信号的光线强度。
可以理解地是，凹面镜30也可以被称为“反射镜”，凹面镜30也可以用其他具有反射、透过光线等功能的反射镜替代。当然，凹面镜基体31也可以被称为“反射镜基体”。
请一并参阅图6，图6揭露了本申请一实施例中电子设备100部分结构的框架结构图。第一电致变色膜22和第二电致变色膜32、图像发生装置10、光传感器50均分别与处理器40电连接。光传感器50用于感测外界环境的第二图像信号的光线强度。处理器40用于接收光传感器50反馈的光线强度数据。处理器40用于控制图像发生装置10反射第一图像信号，用于调节第一图像信号的各种图像数据例如光线强度。处理器40根据第一图像信号的光线强度以及第二图像信号的光线强度，调节第一图像信号的光线强度，调节第一电致变色膜22或/和第二电致变色膜32的透射率，使得第一图像信号的光线强度以及第二图像信号的光线强度控制在一个合适的比例，使的用户体验做到最佳状态。在一实施例中，处理器40可仅根据第二图像信号的光线强度调节第一电致变色膜22或/和第二电致变色膜32的透射率。
请参阅图7，其揭露了本申请另一实施例中凹面镜30的结构示意图。凹面镜30除了包括上述所述的凹面镜基体31和第二电致变色膜32，还可包括增透膜33。增透膜33可贴附在凹面镜基体31的一侧。凹面镜基体31位于增透膜33和第二电致变色膜32之间。增透膜33可以弥补凹面镜基体31透射率差所带来的影响，使得透过凹面镜基体31的第二图像信号的光线强度更接近第二图像信号原始的光线强度。可以理解的，在凹面镜基体31的表面上没有设置增透膜33的实施例中，可以通过软件计算，由处理器40控制第二电致变色膜32，将由于凹面镜基体31透射率并非100％而导致透过凹面镜基体31的第二图像信号的光线强度损失的部分增加回来，此不做具体限定。
在一实施例中，请参阅图8，其揭露了本申请又一实施例中电子设备100的结构示意图。电子设备100中的凹面镜30可省略第二电致变色膜32。即凹面镜30可仅包括上述所述的凹面镜基体31和增透膜33。
在一实施例中，电子设备100还可以包括壳体(图未示)，壳体用于承载图像发生装置10、分光镜20、凹面镜30、处理器40和光传感器50。壳体可以佩戴在人的头部，例如，壳体可以通过系带、圈状物、支撑腿等结构进行佩戴。
在一实施例中，请参阅图9，其揭露了本申请又一实施例中电子设备100的结构示意图。电子设备100除了包括上述所述的图像发生装置10、分光镜20、凹面镜30、处理器40和光传感器50，还可以包括摄像设备60。摄像设备60可安装在处理器40靠近凹面镜30的一端，用于摄取外界环境的第二图像信号。处理器40可用于对摄像设备60采集的第二图像信号进行处理形成第一图像信号。处理器40可对第二图像信号进行图像处理例如图片质量的调整、渲染处理、特效处理等，以形成自己需要的第一图像信号。
该处理器40可以是CPU(Central Processing Unit，中央处理单元)也可以是GPU(Graphics Processing Unit，图形处理器)。处理器40可能是一种集成电路芯片，具有信号、图形的处理能力。处理器40还可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现成可编程门阵列(FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
下面以电子设备100为虚拟现实设备为例。请参阅图10，其揭露了本申请一实施例中电子设备100的结构示意图。其可包括上述图像发生装置10、分光镜20和凹面镜30。具体地，图像发生装置10可发射第一图像信号到分光镜20。分光镜20可以一定反射率将部分第一图像信号反射至凹面镜30。凹面镜30用于接收并反射分光镜20反射来的第一图像信号，并使得第一图像信号反射，向分光镜20的方向传输。第一图像信号透过分光镜20，入射到人眼睛内，使得人可以看到第一图像信号。第二电致变色膜32可调低透射率，使得第二图像信号无法透射凹面镜30。第一图像信号可为虚拟世界的计算机仿真图像信号。在一实施例中，可由处理器40控制第二电致变色膜32的透射率，并使第二电致变色膜32的透射率为0。
接下来阐述一种控制方法，该控制方法可应用于上述所述电子设备100中。请参阅图11，其揭露了本申请一实施例中控制方法的流程图。该控制方法可包括：
步骤S111：检测第二图像信号的光线强度。
请参阅图8，可通过光传感器50对外界环境的第二图像信号的光线强度进行感测。第二图像信号的光线强度可以从侧面反映出当前外界环境的光线情况。
步骤S112：判断光线强度的变化趋势。
在一实施例中，可以通过历史光线强度检测数据与当前光线强度检测数据对比来判断光线强度的变化趋势。例如当前光线强度检测数据较上一次光线强度检测数据大，就说明光线强度的变化趋势为增大趋势，例如当前光线强度检测数据较上一次光线强度检测数据小，就说明光线强度的变化趋势为减小趋势。
步骤S113：若第二图像信号的光线强度的变化趋势为减小趋势，则调高第一电致变色膜和/或第二电致变色膜的透射率。
在一实施例中，请参阅图8，第二图像信号的光线强度的变化趋势为减小趋势，就意味着外界环境在变暗，可使得用户透过分光镜20、凹面镜30看不清外界环境。因此可通过调高第一电致变色膜22和/或第二电致变色膜32的透射率，以使得更多的第二图像信号透过分光镜20、凹面镜30进入人眼，以使得用户透过分光镜20、凹面镜30看清外界环境。
步骤S114：若第二图像信号的光线强度的变化趋势为增大趋势，则调低第一电致变色膜和/或第二电致变色膜的透射率。
步骤S113和步骤S114可不分先后顺序。在一实施例中，请参阅图8，第二图像信号的光线强度的变化趋势为增大趋势，就意味着外界环境在变亮，可使得用户透过分光镜20、凹面镜30看清外界环境，但是光线强度过大的第二图像信号透过分光镜20、凹面镜30进入人眼，使得人眼感测到强光而不舒服。因此可通过调低第一电致变色膜22和/或第二电致变色膜32的透射率，以使得光线强度适合的第二图像信号透过分光镜20、凹面镜30进入人眼，以使得用户感觉不那么刺眼，也使得用户舒服的佩戴电子设备100。
步骤S115：若第二图像信号的光线强度的变化趋势为减小趋势，则调高第一图像信号的光线强度。
步骤S115和步骤S113、步骤S114可不分先后顺序。在一实施例中，请参阅图8，第二图像信号的光线强度的变化趋势为减小趋势，就意味着外界环境在变暗，可使得用户透过分光镜20、凹面镜30看不清外界环境。因此可通过调高第一图像信号的光线强度，来弥补第二图像信号的光线强度不足。在另一实施例中，步骤S115和步骤S113可以配合使用，即调高第一电致变色膜22和/或第二电致变色膜32的透射率，同时调高第一图像信号的光线强度。
步骤S116：若第二图像信号的光线强度的变化趋势为增大趋势，则调低第一图像信号的光线强度。
步骤S116和步骤S113、步骤S114、步骤S115可不分先后顺序。在一实施例中，请参阅图8，第二图像信号的光线强度的变化趋势为增大趋势，就意味着外界环境在变亮，可使得用户透过分光镜20、凹面镜30看清外界环境，而且光线强度过大的第二图像信号透过分光镜20、凹面镜30进入人眼，使得人眼感测到强光而不舒服。因此可通过调低第一图像信号的光线强度，以弥补第二图像信号的光线强度，以使得用户感觉不那么刺眼，也使得用户舒服的佩戴电子设备100。在另一实施例中，步骤S116和步骤S114可以配合使用，即调低第一电致变色膜22和/或第二电致变色膜32的透射率，同时调低第一图像信号的光线强度。
接下来阐述一种控制方法，该控制方法可用于上述所述电子设备100。请参阅图12，其揭露了本申请一实施例中控制方法的流程图。该控制方法可包括：
步骤S121：检测当前显示状态。
请参阅图1、图2和图3，电子设备100可有虚拟现实显示状态和增强现实显示状态，可通过检测第二电致变色膜32的透射率来确定当前的显示状态，第二电致变色膜32的透射率变化可使得第二图像信号透过或不透过，在第二图像信号不透过的状态下，人眼只能接收到第一图像信号，因此在第二图像信号不透过的状态下可判断当前显示状态为虚拟现实显示状态，在第二图像信号透过的状态下，人眼可接收到第一图像信号和第二图像信号，因此在第二图像信号透过的状态下可判断当前显示状态为增强现实显示状态。
步骤S122：若当前显示状态为虚拟现实显示状态，则检测状态切换指令。
在一实施例中，可以通过判断第二电致变色膜32使得第二图像信号不透过，可以将当前显示状态确定为虚拟现实显示状态。
步骤S123：若检测到状态切换指令，则调高第二电致变色膜的透射率。
在一实施例中，请参阅图1、图2和图3，判断到需要将虚拟现实显示状态切换为增强现实显示状态时，可以通过调节第二电致变色膜32的透射率，例如增大第二电致变色膜32的透射率，使得第二图像信号透过节第二电致变色膜32，以使得人眼可接收到第一图像信号和第二图像信号，使得虚拟现实显示状态切换为增强现实显示状态。
步骤S124：若当前运行状态为增强现实显示状态，则检测状态切换指令。
步骤S122和步骤S124可不分先后顺序。在一实施例中，可以通过判断第二电致变色膜32使得第二图像信号透过，就可以将当前显示状态确定为增强现实显示状态。
步骤S125：若检测到状态切换指令，则调低第二电致变色膜的透射率，以使得第二图像信号无法透过凹面镜。
在一实施例中，请参阅图1、图2和图3，判断到需要将增强现实显示状态切换为虚拟现实显示状态时，可以通过调节第二电致变色膜32的透射率，例如调低第二电致变色膜32的透射率，使得第二图像信号不透过第二电致变色膜32，以使得人眼仅接收到第一图像信号，使得增强现实显示状态切换为虚拟现实显示状态。
下面进行一种控制装置的阐述，可应用于上述控制方法中。请参阅图13，其揭露了本申请一实施例中控制装置的框架示意图。该控制装置200可包括:
检测模块201，用于检测第二图像信号的光线强度；
判断模块202，用于判断光线强度的变化趋势；以及
执行模块203，用于在判断模块202判断第二图像信号的光线强度的变化趋势为减小趋势时，调高第一电致变色膜22和/或第二电致变色膜32的透射率。
进一步的技术方案在于，执行模块203用于在判断模块202判断第二图像信号的光线强度的变化趋势为增大趋势时，调低第一电致变色膜22和/或第二电致变色膜32的透射率。
进一步的技术方案在于，执行模块203用于在判断模块202判断第二图像信号的光线强度的变化趋势为减小趋势，则调高第一图像信号的光线强度。
进一步的技术方案在于，执行模块203用于在判断模块202判断第二图像信号的光线强度的变化趋势为增大趋势，则调低第一图像信号的光线强度。
下面进行一种控制装置的阐述，可应用于上述控制方法中。请参阅图14，其揭露了本申请一实施例中控制装置的框架示意图。该控制装置300可包括:
检测模块301，用于检测当前显示状态；
判断模块302，用于判断当前显示状态是否为虚拟现实显示状态，检测模块301用于在判断模块302判断当前显示状态为虚拟现实显示状态时，检测状态切换指令；以及
切换模块303，用于在检测模块301检测到状态切换指令时，调高第二电致变色膜32的透射率。
进一步的技术方案在于，检测模块301用于在判断模块302判断当前运行状态为增强现实显示状态，则检测状态切换指令；
进一步的技术方案在于，切换模块303用于在判断模块302判断检测到状态切换指令时，调低第二电致变色膜的透射率，以使得第二图像信号无法透过凹面镜30。
下面进行一种电子装置的阐述，可应用于上述控制方法中。请参阅图15，其为本申请一实施例中电子装置400的框架示意图。该电子装置400可包括处理器401和存储器402。其中，存储器402存储有计算机程序，计算机程序在被处理器401执行时，用于实现上述任一实施例中的控制方法。
具体地，处理器401控制该电子装置400的操作，处理器401还可以称为CPU(Central Processing Unit，中央处理单元)。处理器401可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。处理器401还可以是通用处理器、数字信号处理器(DSP)、专用集成电路(ASIC)、现成可编程门阵列(FPGA)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。
在一实施例中，处理器401可为图6中的处理器40。
存储器402用于存储处理器401执行的程序数据以及处理器401在处理过程中的数据，其中，该存储器402可包括非易失性存储部分，用于存储上述程序数据。在另一实施例中，该存储器402可仅作为处理器401的内存而缓存该处理器401处理过程中的数据，该程序数据实际存储于处理器401之外的设备中，处理器401通过与外部设备连接，通过调用外部存储的程序数据，以执行相应处理。
接下来阐述一种计算机可读存储介质，请参阅图16，其揭露了本申请中一实施例的一种计算机可读存储介质500的框架示意图。此计算机可读存储介质500存储有计算机程序501，此计算机程序501被处理器执行时实现上述控制方法。
该计算机可读存储介质500具体可以为U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等可以存储程序指令的介质，或者也可以为存储有该程序指令的服务器，该服务器可将存储的程序指令发送给其他设备运行，或者也可以自运行该存储的程序指令。
在一实施例中，计算机可读存储介质500还可以为如图15所示的存储器402。
在本申请所提供的几个实施方式中，应该理解到，所揭露的方法以及设备，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的设备实施方式仅仅是示意性的，例如，模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。
作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施方式方案的目的。
另外，在本申请各个实施方式中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
以上所述仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。
Claims (17)
1.一种电子设备，其特征在于，包括：
图像发生装置，用于发射第一图像信号；
分光镜，位于所述图像发生装置的一侧，所述分光镜包括：
分光镜基体；和
第一电致变色膜，设置在所述分光镜基体上；和
反射镜，与所述图像发生装置位于所述分光镜的同一侧，所述反射镜包括：
反射镜基体，与所述分光镜基体相对设置，所述第一电致变色膜位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间；和
第二电致变色膜，设置在所述反射镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体的之间，所述第一电致变色膜用于将所述第一图像信号反射至所述第二电致变色膜，所述第二电致变色膜用于反射所述第一图像信号，来源于外界环境的第二图像信号被配置为透过所述反射镜，与被所述第二电致变色膜反射后的所述第一图像信号耦合并透过所述分光镜；
其中，所述第一电致变色膜的透射率与反射率被配置为在所述第一电致变色膜通电时可调节，所述第二电致变色膜的透射率与反射率被配置为在所述第二电致变色膜通电时可调节。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述反射镜为凹面镜，
所述第一电致变色膜被配置为具有被所述凹面镜反射后的所述第一图像信号透过所述分光镜的第一状态；
所述第二电致变色膜被配置为具有所述第二图像信号透过所述凹面镜的第二状态，被配置为具有所述第二图像信号不透过所述凹面镜的第三状态；
所述第一电致变色膜和所述第二电致变色膜被配置为所述第一电致变色膜处于所述第一状态，且所述第二电致变色膜处于所述第二状态时，透过所述凹面镜的所述第二图像信号与被所述凹面镜反射后的所述第一图像信号耦合并透过所述分光镜。
3.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，还包括处理器，所述处理器分别与所述图像发生装置、所述第一电致变色膜和所述第二电致变色膜电连接，所述处理器用于控制所述图像发生装置发射所述第一图像信号，用于控制所述第一电致变色膜处于所述第一状态，用于控制所述第二电致变色膜在所述第一状态和所述第二状态之间转换。
4.根据权利要求3所述的电子设备，其特征在于，还包括光传感器，所述光传感器与所述处理器电连接，所述光传感器用于感测所述第二图像信号的光线强度，所述处理器用于根据所述光线强度控制所述第一图像信号的光线强度，用于根据所述光线强度控制所述第一电致变色膜处于所述第一状态的透射率，用于根据所述光线强度控制所述第二电致变色膜在所述第二状态的透射率。
5.根据权利要求3-4任一项所述的电子设备，其特征在于，还包括摄像设备，所述摄像设备用于摄取所述第二图像信号，所述处理器与所述摄像设备电连接，用于将所述第二图像信号处理转换为所述第一图像信号。
6.根据权利要求1-4任一项所述的电子设备，其特征在于，所述反射镜还包括增透膜，所述增透膜和所述第二电致变色膜均设置在所述反射镜基体的表面，所述反射镜基体位于所述增透膜和所述第二电致变色膜之间。
7.一种电子设备，其特征在于，包括：
图像发生装置，用于发射第一图像信号；
分光镜基体，位于所述图像发生装置的一侧；
第一膜材，设置在所述分光镜基体上；
反射镜基体，与所述图像发生装置位于所述分光镜基体的同一侧，与所述分光镜基体相对设置，所述第一膜材位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间；以及
第二膜材，设置在所述反射镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第一膜材用于将所述第一图像信号反射至所述第二膜材，所述第二膜材用于反射所述第一图像信号，来源于外界环境的第二图像信号被配置为透过所述反射镜基体和所述第二膜材，与被所述第二膜材反射后的所述第一图像信号耦合并透过所述分光镜基体；
其中，所述第一膜材为电致变色膜，第二膜材为半透半反膜；或，所述第一膜材为半透半反膜，第二膜材为电致变色膜；所述电致变色膜的透射率与反射率被配置为在所述电致变色膜通电时可调节。
8.一种控制方法，用于增强现实设备，其特征在于，所述控制方法包括：
检测第一图像信号的光线强度；其中，所述第一图像信号来源于外界环境；
判断所述光线强度的变化趋势；
若所述第一图像信号的光线强度的变化趋势为减小趋势，则调高第一电致变色膜和/或第二电致变色膜的透射率；其中，所述增强现实设备包括图像发生装置、分光镜基体、所述第一电致变色膜、反射镜基体和所述第二电致变色膜，所述图像发生装置用于发射第二图像信号，所述反射镜基体与所述图像发生装置位于所述分光镜基体的同一侧，所述反射镜基体与所述分光镜基体相对设置，所述第一电致变色膜设置在所述分光镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第二电致变色膜设置在所述反射镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第一电致变色膜用于将所述第二图像信号反射至所述第二电致变色膜，所述第二电致变色膜用于反射所述第二图像信号，所述第一图像信号透过所述反射镜基体、所述第二电致变色膜后，与被所述第二电致变色膜反射后的所述第二图像信号耦合并透过所述分光镜基体，所述第一电致变色膜的透射率与反射率被配置为在所述第一电致变色膜通电时可调节，所述第二电致变色膜的透射率与反射率被配置为在所述第二电致变色膜通电时可调节。
9.根据权利要求8所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法还包括：
若所述第一图像信号的光线强度的变化趋势为增大趋势，则调低所述第一电致变色膜和/或第二电致变色膜的透射率。
10.根据权利要求8或9所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法还包括：
若所述第一图像信号的光线强度的变化趋势为减小趋势，则调高所述第二图像信号的光线强度。
11.根据权利要求10所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法还包括：
若所述第一图像信号的光线强度的变化趋势为增大趋势，则调低所述第二图像信号的光线强度。
12.一种控制方法，用于电子设备，其特征在于，所述控制方法包括：
检测当前显示状态；
若当前显示状态为虚拟现实显示状态，则检测状态切换指令；
若检测到状态切换指令，则调高第一电致变色膜的透射率；其中，所述电子设备包括图像发生装置、分光镜基体、第二电致变色膜、反射镜基体和所述第一电致变色膜，所述图像发生装置用于发射第一图像信号，所述反射镜基体与所述图像发生装置位于所述分光镜基体的同一侧，所述反射镜基体与所述分光镜基体相对设置，所述第二电致变色膜设置在所述分光镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第一电致变色膜设置在所述反射镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第二电致变色膜用于将所述第一图像信号反射至所述第一电致变色膜，所述第一电致变色膜用于反射所述第一图像信号，第二图像信号来源于外界环境并透过所述反射镜基体、所述第一电致变色膜后，与被所述第一电致变色膜反射后的所述第一图像信号耦合并透过所述分光镜基体，所述第一电致变色膜的透射率与反射率被配置为在所述第一电致变色膜通电时可调节，所述第二电致变色膜的透射率与反射率被配置为在所述第二电致变色膜通电时可调节。
13.根据权利要求12所述的控制方法，其特征在于，所述控制方法还包括：
若当前运行状态为增强现实显示状态，则检测状态切换指令；
若检测到状态切换指令，则调低所述第一电致变色膜的透射率，以使得所述第二图像信号无法透过所述反射镜基体。
14.一种控制装置，用于增强现实设备，其特征在于，所述控制装置包括：
检测模块，用于检测第一图像信号的光线强度；其中，所述第一图像信号来源于外界环境；
判断模块，用于判断所述光线强度的变化趋势；
执行模块，用于在所述判断模块判断所述第一图像信号的光线强度的变化趋势为减小趋势时，调高第一电致变色膜和/或第二电致变色膜的透射率；其中，所述增强现实设备包括图像发生装置、分光镜基体、所述第一电致变色膜、反射镜基体和所述第二电致变色膜，所述图像发生装置用于发射第二图像信号，所述反射镜基体与所述图像发生装置位于所述分光镜基体的同一侧，所述反射镜基体与所述分光镜基体相对设置，所述第一电致变色膜设置在所述分光镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第二电致变色膜设置在所述反射镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第一电致变色膜用于将所述第二图像信号反射至所述第二电致变色膜，所述第二电致变色膜用于反射所述第二图像信号，所述第一图像信号透过所述反射镜基体、所述第二电致变色膜后，与被所述第二电致变色膜反射后的所述第二图像信号耦合并透过所述分光镜基体，所述第一电致变色膜的透射率与反射率被配置为在所述第一电致变色膜通电时可调节，所述第二电致变色膜的透射率与反射率被配置为在所述第二电致变色膜通电时可调节。
15.一种控制装置，用于电子设备，其特征在于，所述控制装置包括：
检测模块，用于检测当前显示状态；
判断模块，用于判断当前显示状态是否为虚拟现实显示状态，所述检测模块用于在所述判断模块判断当前显示状态为虚拟现实显示状态时，检测状态切换指令；
切换模块，用于在所述检测模块检测到状态切换指令时，调高第一电致变色膜的透射率；其中，所述电子设备包括图像发生装置、分光镜基体、第二电致变色膜、反射镜基体和所述第一电致变色膜，所述图像发生装置用于发射第一图像信号，所述反射镜基体与所述图像发生装置位于所述分光镜基体的同一侧，所述反射镜基体与所述分光镜基体相对设置，所述第二电致变色膜设置在所述分光镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第一电致变色膜设置在所述反射镜基体上，位于所述分光镜基体与所述反射镜基体之间，所述第二电致变色膜用于将所述第一图像信号反射至所述第一电致变色膜，所述第一电致变色膜用于反射所述第一图像信号，第二图像信号来源于外界环境并透过所述反射镜基体、所述第一电致变色膜后，与被所述第一电致变色膜反射后的所述第一图像信号耦合并透过所述分光镜基体，所述第一电致变色膜的透射率与反射率被配置为在所述第一电致变色膜通电时可调节，所述第二电致变色膜的透射率与反射率被配置为在所述第二电致变色膜通电时可调节。
16.一种电子装置，其特征在于，包括互相连接的存储器和处理器，其中，所述存储器存储有计算机程序，所述计算机程序在被所述处理器执行时，用于实现权利要求8-13中任一项所述的控制方法。
17.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时，实现如权利要求8-13中任一项所述的控制方法。
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