CN113718233A - 一种石英透镜的移除方法 - Google Patents
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 125
- 239000010453 quartz Substances 0.000 title claims abstract description 123
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 70
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 43
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 7
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 7
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 101
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 2
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000011111 cardboard Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供一种石英透镜的移除方法，所述石英透镜设置于一反应腔内，所述反应腔内还设置有光源，所述光源设置于所述石英透镜上方，其特征在于，包括：将所述光源取出所述反应腔；提供保护罩，所述保护罩为一端开口的腔体，所述保护罩的顶面具有贯穿的通孔，将所述保护罩盖在所述石英透镜上，所述通孔露出所述石英透镜的部分顶面；以及，利用真空吸盘吸附所述石英透镜露出的顶面，以将所述石英透镜移出所述反应腔，避免所述石英透镜在移动过程中与外界设备磕碰造成损伤。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种石英透镜的移除方法。
背景技术
由于石英透镜具有良好的力学性质、热物理性质、光学特性及化学稳定性，并能透过紫外线，在高温仪器及光学设备中得到了广泛的应用。在实现高应力的氮化硅薄膜沉积时，需要借助光增强型化学气相沉积设备以形成光增强薄膜，在对光增强型化学气相沉积设备的反应腔进行检修时，需要将反应腔中的光源和石英透镜移除，但石英透镜的脆性较差，在转移的过程中，石英透镜很容易与反应腔内壁或其它设备发生碰撞，导致边缘受损，从而无法继续使用，现有技术中没有能解决该技术的方案。
发明内容
本发明的目的在于提供一种石英透镜的移除方法，以保护石英透镜在移动的过程中边缘不受损伤。
为了达到上述目的，本发明提供了一种石英透镜的移除方法，所述石英透镜设置于一反应腔内，所述反应腔内还设置有光源，所述光源设置于所述石英透镜上方，包括：
将所述光源取出所述反应腔；
提供保护罩，所述保护罩为一端开口的腔体，所述保护罩的顶面具有贯穿的通孔，将所述保护罩盖在所述石英透镜上，所述通孔露出所述石英透镜的部分顶面；以及，
利用真空吸盘吸附所述石英透镜露出的顶面，以将所述石英透镜移出所述反应腔。
可选的，所述保护罩的顶面与侧面之间倒有圆角。
可选的，所述保护罩的材料为特氟龙。
可选的，所述保护罩的内壁上设置有第一弹性保护层。
可选的，所述第一弹性保护层的材料为硅橡胶或氟化橡胶。
可选的，将所述石英透镜取出后放置于一可移动的底座上。
可选的，将所述保护罩盖在所述石英透镜上之后，所述通孔的中心轴与所述石英透镜的中心轴重合。
可选的，所述保护罩的内径为295mm～305mm。
可选的，所述通孔的内径为170mm～230mm。
可选的，所述反应腔为光增强型化学气相沉积设备中的反应腔，所述光源为紫外光源。
本发明提供的一种石英透镜的移除方法中，所述反应腔内设置有光源和石英透镜，所述光源位于所述石英透镜上，将所述光源取出所述反应腔；提供保护罩，所述保护罩为一端开口的腔体，所述保护罩的顶面具有贯穿的通孔，将所述保护罩盖在所述石英透镜上，所述通孔露出所述石英透镜的部分顶面；以及，利用真空吸盘吸附所述石英透镜露出的顶面，以将所述石英透镜移出所述反应腔，所述保护罩能够保护所述石英透镜在移动过程中不受磕碰，减少边缘受损，可以有效地节省维护的人力和物力，并可以减少更换破损石英透镜的次数，节省了财力。
附图说明
图1为一种光增强型化学气相沉积设备的反应腔的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种石英透镜的移除方法的流程图；
图3a～3d为本发明实施例提供的一种石英透镜的移除方法相应步骤对应的结构示意图；
其中，附图说明为：
100-反应腔；101-光源；102-石英透镜；103-晶圆承载模块；104-保护罩；106-通孔；108-真空吸盘；110-第一弹性保护层；112-底座；114-卡板；116-第二弹性保护层。
具体实施方式
为使本发明的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本发明作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
光增强型化学气相沉积设备可在紫外光线和低温条件(<150摄氏度)下激发工艺气体实现介质薄膜沉积，例如可用于沉积二氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜等。图1为一种光增强型化学气相沉积设备的反应腔的结构示意图，如图1所示，所述光增强型化学气相沉积设备的反应腔100内设置有石英透镜102、光源101和晶圆承载模块103，所述石英透镜102位于所述晶圆承载模块103上方，所述光源101位于所述石英透镜102上方，所述光源101通常是紫外光源。图2为本实施例提供的一种石英透镜的移除方法的流程图，如图2所示，本发明提供一种石英透镜的移除方法，包括：
步骤S1：将所述光源取出所述反应腔；
步骤S2：提供保护罩，所述保护罩为一端开口的腔体，所述保护罩的顶面具有贯穿的通孔，将所述保护罩盖在所述石英透镜上，所述通孔露出所述石英透镜的部分顶面；
步骤S3：利用真空吸盘吸附所述石英透镜露出的顶面，以将所述石英透镜移出所述反应腔。
图3a～3c为本实施例提供的一种石英透镜的移除方法相应步骤对应的结构示意图，下面结合附图3a～3c对本实施例提供的一种石英透镜的移除方法进行更详细的描述，其中图示了本发明的可选实施例。
如图3a所示，执行步骤S1，所述反应腔100具有开口，所述开口例如是位于所述反应腔100的顶部，通过所述开口将所述光源取出所述反应腔100。
如图3b所示，执行步骤S2，提供保护罩104，所述保护罩104为一端开口的腔体，所述保护罩104的顶面具有贯穿的通孔106，将所述保护罩104盖在所述石英透镜102上，所述通孔106露出所述石英透镜102的部分顶面。
在本实施例中，所述保护罩104为圆柱体，所述保护罩104的内径为300mm～305mm。通过所述开口将所述保护罩104移动至所述反应腔100内，且将所述保护罩104罩在石英透镜102上。
由于所述石英透镜102在所述反应腔100内工作时温度高于室温，考虑热胀冷缩对所述石英透镜102的尺寸及所述保护罩104的尺寸造成的影响，所述保护罩104的内径与所述石英透镜102的外径之间的差值大于2mm，避免出现所述石英透镜102与所述保护罩104之间尺寸差值过小造成的难以套接或难以分离的情况。同时，所述保护罩104的内径与所述石英透镜102的外径之间的差值小于5mm，避免所述石英透镜102在移动过程中于所述保护罩104的内壁出现磕碰，造成损伤。
在本实施例中，所述保护罩104的高度为20mm～30mm，本发明对此不做限制，只需保证所述保护罩104的高度大于所述石英透镜102的高度，使所述石英透镜102整体位于所述保护罩104内，对所述石英透镜102进行更全面的保护。
进一步的，所述保护罩104的内壁顶面与侧面之间倒有圆角。由于所述保护罩104的外径与所述石英透镜102的内径之间的差值小于5mm，且考虑到所述石英透镜102与所述保护罩104受热胀冷缩的影响，内壁顶面与侧面之间倒有圆角可以使所述石英透镜102更容易的从所述保护罩104内脱出，同时更好的保护所述石英透镜102的边缘。
在本实施例中，所述保护罩104的外壁顶面与侧面之间倒有圆角，避免所述石英透镜102与所述反应腔100碰撞时对所述反应腔100造成损伤。在其它可选实施例中，所述保护罩104的顶面与侧面之间可选用其它的角度进行倒角。
所述保护罩104内壁上设置有第一弹性保护层110，具体的，所述第一弹性保护层110的内壁顶面与侧面之间倒有圆角，保证所述石英透镜102在温度变化较大的情况下能从所述石英透镜保护装置内顺利脱出，同时更好的保护所述石英透镜102的边缘不受损伤。所述第一弹性保护层110的材料为耐热弹性材料，例如：硅橡胶和氟化橡胶，在承受设备中较高温度的同时，保护所述石英透镜110。
在其它可选实施例中，可以不设置所述第一弹性保护层110。
所述保护罩104需要放置进所述反应腔100中对所述石英透镜102进行转移，由于所述石英透镜102在所述反应腔100中工作时温度高于100℃，所以所述保护罩104材料选用耐热材料。在本实施例中，所述保护罩104的材料为特氟龙(聚四氟乙烯，Polytetrafiuoroethylene)，特氟龙具有优良的耐热性，短时间耐高温可达300℃，一般在240℃～260℃之间可连续工作；且特氟龙的摩擦系数较低，负载滑动时摩擦系数仅在0.05～0.15之间，能有效避免所述石英透镜102与所述保护罩104之间摩擦对所述石英透镜102造成损伤；同时特氟龙具有良好的耐腐蚀性、耐磨损性与不粘性，能有效延长所述保护罩104的使用寿命，也便于工作人员清理。与此同时，特氟龙的硬度为邵氏硬度D59，硬度相对较低，能更好的保护所述石英透镜102。
如图3c所示，执行步骤S3，利用真空吸盘108吸附所述石英透镜102露出的顶面，通过所述开口将所述石英透镜102移出所述反应腔100。
具体的，所述真空吸盘108穿过所述通孔106吸附所述石英透镜102，并带动所述石英透镜102及所述保护罩104一起移动，在本实施例中，所述通孔106为圆形，所述通孔106的中心轴与所述石英透镜102的中心轴重合，使所述真空吸盘108吸附所述石英透镜102的中心，以保证所述石英透镜102与所述保护罩104在移动过程中的稳定性。进一步的，所述通孔106的内径为170mm～230mm，所述通孔106与所述保护罩104之间尺寸差小于100mm，所述保护罩104顶面剩余的圆环部分用于保护所述石英透镜102的同时进一步保证所述石英透镜102与所述保护罩104在移动过程中的稳定性。
如图3d所示，所述真空吸盘108将所述石英透镜102及所述保护罩104移出所述反应腔100后，将其放置在所述底座112上。
具体的，所述底座112设置于所述保护罩104底部，且所述底座112与所述保护罩104之间为可拆卸连接，在本实施例中，所述底座112上设置有至少四个卡板110，所述卡板114均匀分布在所述保护罩104外部，用于限制所述保护罩104的位置。在其它可选实施例中，可以采用卡扣式连接，或者在所述底座112上开设与所述保护罩104相适配的凹槽以固定所述保护罩104。
所述真空吸盘108将所述石英透镜102及所述保护罩104从所述反应腔100中取出后，放在所述底座108上，避免所述石英透镜102的底面与外界的接触过程中造成损伤，同时所述底座112可以承载所述石英透镜102及所述保护罩104进行后续的移动，便于工作人员的操作。所述底座112采用硬度小于所述石英透镜102的耐热材料，避免对所述石英透镜102造成损伤。
在本实施例中，所述底座112上设置有第二弹性保护层116，所述第二弹性保护层116为耐热弹性材料，例如：硅橡胶和氟化橡胶；或者所述第二弹性保护层116为特氟龙，进一步避免所述石英透镜102于所述底座112之间摩擦造成的损伤。
在其它可选实施例中，可将所述石英透镜102与所述保护罩104直接放置在桌面上。
综上，本发明提供的一种石英透镜的移除方法中，所述反应腔100内设置有光源和石英透镜102，所述光源位于所述石英透镜102上，将所述光源取出所述反应腔100；提供保护罩104，所述保护罩104为一端开口的腔体，所述保护罩104的顶面具有贯穿的通孔106，将所述保护罩104盖在所述石英透镜102上，所述通孔106露出所述石英透镜102的部分顶面；以及，利用真空吸盘108吸附所述石英透镜102露出的顶面，以将所述石英透镜102移出所述反应腔100，所述保护罩104能够保护所述石英透镜102在移动过程中不受磕碰，减少边缘受损，可以有效地节省维护的人力和物力，并可以减少更换破损所述石英透镜102的次数，节省了财力。所述保护罩104内壁顶面与侧面之间倒有圆角，进一步保护所述石英透镜102边缘不受损伤；在所述保护罩104底部设置底座112，避免所述石英透镜102放置过程中与外界碰撞的同时便于工作人员后续对所述石英透镜102的移动。
上述仅为本发明的优选实施例而已，并不对本发明起到任何限制作用。任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的技术方案的范围内，对本发明揭露的技术方案和技术内容做任何形式的等同替换或修改等变动，均属未脱离本发明的技术方案的内容，仍属于本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种石英透镜的移除方法，所述石英透镜设置于一反应腔内，所述反应腔内还设置有光源，所述光源设置于所述石英透镜上方，其特征在于，包括：
将所述光源取出所述反应腔；
提供保护罩，所述保护罩为一端开口的腔体，所述保护罩的顶面具有贯穿的通孔，将所述保护罩盖在所述石英透镜上，所述通孔露出所述石英透镜的部分顶面；以及，
利用真空吸盘吸附所述石英透镜露出的顶面，以将所述石英透镜移出所述反应腔。
2.如权利要求1所述的一种石英透镜的移除方法，其特征在于，所述保护罩的顶面与侧面之间倒有圆角。
3.如权利要求1所述的一种石英透镜的移除方法，其特征在于，所述保护罩的材料为特氟龙。
4.如权利要求1所述的一种石英透镜的移除方法，其特征在于，所述保护罩的内壁上设置有第一弹性保护层。
5.如权利要求4述的一种石英透镜的移除方法，其特征在于，所述第一弹性保护层的材料为硅橡胶或氟化橡胶。
6.如权利要求1述的一种石英透镜的移除方法，其特征在于，将所述石英透镜取出后放置于一可移动的底座上。
7.如权利要求1所述的一种石英透镜的移除方法，其特征在于，将所述保护罩盖在所述石英透镜上之后，所述通孔的中心轴与所述石英透镜的中心轴重合。
8.如权利要求1所述的一种石英透镜的移除方法，其特征在于，所述保护罩的内径为295mm～305mm。
9.如权利要求1所述的一种石英透镜的移除方法，其特征在于，所述通孔的内径为170mm～230mm。
10.如权利要求1所述的一种石英透镜的移除方法，其特征在于，所述反应腔为光增强型化学气相沉积设备中的反应腔，所述光源为紫外光源。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111005048.8A CN113718233A (zh) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 一种石英透镜的移除方法 |
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| CN202111005048.8A CN113718233A (zh) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 一种石英透镜的移除方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113718233A true CN113718233A (zh) | 2021-11-30 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111005048.8A Pending CN113718233A (zh) | 2021-08-30 | 2021-08-30 | 一种石英透镜的移除方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113718233A (zh) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211130 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |