CN113707670A - 阵列基板和显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 15
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本申请公开了一种阵列基板和显示装置，阵列基板包括显示区和绑定区，绑定区设置于显示区的一侧，阵列基板包括衬底层、绑定脚电极和保护层，绑定脚电极设置于绑定区的衬底层上，保护层设置于绑定脚电极上。通过在绑定脚电极上设置保护层，避免后续采用异方性导电胶进行绑定时，异方性导电胶中的导电粒子损坏绑定脚电极，进而保证阵列基板的性能。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术
柔性显示屏，由于具有可弯折的特性，极大的增强了平板显示器的应用空间，目前，柔性显示屏中的阵列基板采用塑胶材质形成，当在此阵列基板上进行驱动芯片或柔性电路板绑定时，驱动芯片或柔性电路板的电极端口通过异方性导电胶与阵列基板上的绑定脚电极进行连接，异方性导电胶内部有导电粒子，由于绑定脚电极基材硬度较软，异方性导电胶内部的导电粒子通常会将阵列基板上的绑定脚电极压破，造成驱动芯片或柔性电路板与不同绑定脚电极之间的接触电阻不同，进而导致显示不均匀。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板和显示装置，以解决现有技术中由于导电粒子的挤压而导致绑定脚电极损伤的问题。
本申请提供一种阵列基板，所述阵列基板包括显示区和绑定区，所述绑定区设置于所述显示区的一侧，包括：
衬底层；
绑定脚电极，绑定脚电极设置于所述绑定区的衬底层上；以及
保护层，所述保护层设置于所述绑定脚电极上。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述保护层包括缓冲层和附加电极，所述缓冲层设置于所述绑定脚电极上，所述附加电极包覆所述缓冲层，所述附加电极与所述绑定脚电极连接。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述绑定脚电极和所述附加电极的材料均选自导电金属和导电金属氧化物中的一种或几种组合。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述绑定脚电极和所述附加电极的材料均选自银、钛、铝、氧化锌、氧化铟锌、氧化铟锡、三氧化钼和二氧化钛中的一种或几种组合。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述绑定脚电极和所述附加电极的厚度均为500埃-3000埃。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述缓冲层的材料包括有机材料和无机材料中的一种或几种组合。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述缓冲层的材料包括环氧树脂、酚醛树脂、氮氧化硅、氮化硅或氧化硅中的一种或几种组合。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述保护层包括保护电极，所述保护电极设置于所绑定脚电极上。
相应的，本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上任一项所述的阵列基板和设置在所述阵列基板中的保护层上的异方性导电胶，其中，所述异方性导电胶中设置有导电粒子。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述保护电极垂直截面的厚度大于所述导电粒子垂直截面的厚度。
本申请公开了一种阵列基板和显示装置，阵列基板包括显示区和绑定区，绑定区设置于显示区的一侧，阵列基板包括衬底层、绑定脚电极和保护层，绑定脚电极设置于绑定区的衬底层上，保护层设置于绑定脚电极上。通过在绑定脚电极和异方性导电胶之间设置保护层，避免后续的绑定元件通过异方性导电胶绑定于绑定脚电极上时，避免因绑定脚电极的硬度软，而易被导电粒子压破，使得导电粒子与绑定脚电极的接触面积相同，进而避免不同绑定脚电极与绑定元件之间的接触电阻不同，进而避免将其应用在显示装置时，导致显示装置出现亮线或暗线的问题，使得显示装置显示不均，进而提高了显示装置的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的阵列基板的第一种结构示意图。
图2是本申请实施例提供的阵列基板的第二种结构示意图。
图3是本申请实施例提供的显示装置的第一种结构示意图。
图4是本申请实施例提供的显示装置的第二种结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。在本申请中，“反应”可以为化学反应或物理反应。
本申请实施例提供一种阵列基板和显示装置。以下分别进行详细说明。
请参阅图1，图1是本申请实施例提供的阵列基板的第一种结构示意图。本申请提供一种阵列基板10。阵列基板10包括衬底层100、绑定脚电极200和保护层300。阵列基板10包括显示区11和绑定区12，绑定区12设置于显示区11的一侧。具体描述如下：
衬底层100的材料为塑胶材料。衬底层100的材料选自聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(PEI)和聚醚砜(PES)中的一种或几种组合。
在一实施例中，衬底层100包括依次层叠设置的第一聚酰亚胺层、第一阻隔层、第二聚酰亚胺层以及第二阻隔层。第一阻隔层和第二阻隔层的材料选自二氧化硅、氮氧化硅或氮化硅等无机材料。通过由第一聚酰亚胺层、第一阻隔层、第二聚酰亚胺层以及第二阻隔层构成衬底层100，提高了衬底层100的阻隔水氧能力，避免阵列基板10中的其它结构受到水氧的侵蚀，进而保证了阵列基板10的性能。
绑定脚电极200设置于绑定区12的衬底层100上。绑定脚电极200的材料包括导电金属和导电金属氧化物中的一种或几种组合。
在一实施例中，绑定脚电极200的材料包括银、钛、铝、氧化锌、氧化铟锌、氧化铟锡、三氧化钼和二氧化钛中的一种或几种组合。在本实施例中，绑定脚电极200的材料为银。
在一实施例中，绑定脚电极200的厚度H为500埃-3000埃。具体的，绑定脚电极200的厚度H可以为500埃、1000埃、1500埃、2000埃、2500埃或3000埃等。在本实施例中，绑定脚电极200的厚度H为1500埃。
在本申请中，将绑定脚电极200的厚度H设置为500埃-3000埃，提高阵列基板10的性能。若将绑定脚电极200的厚度H设置为小于500埃，使得绑定脚电极200的电阻过大，进而导致阵列基板10的性能降低；若将绑定脚电极200的厚度H设置为大于3000埃，会使得衬底层100的应力过大，使得衬底层100在使用或运输过程中破裂，进而使得阵列基板10的性能降低，且成本增加。
在一实施例中，阵列基板10还包括像素电极走线400。像素电极走线400设置在显示区11的衬底层100上。像素电极走线400与绑定脚电极200同层设置。在本申请中，将像素电极走线400设置为与绑定脚电极200同层，简化了阵列基板10的制备工艺，缩短阵列基板10的生产周期，进而降低了成本。
在另一实施例中，像素电极走线400与绑定脚电极200不同层设置。将像素电极走线400设置为不与绑定脚电极200同层设置，减小绑定脚电极200的占用空间，进而减小边框，实现窄边框器件。
保护层300设置于绑定脚电极200上。保护层300包括缓冲层310和附加电极320。缓冲层310设置于绑定脚电极200上。附加电极320包覆缓冲层310。附加电极320与绑定脚电极200连接。
在一实施例中，缓冲层310的材料包括有机材料和无机材料中的一种或几种组合。
在一实施例中，缓冲层310的材料包括环氧树脂、酚醛树脂、氮氧化硅、氮化硅或氧化硅中的一种或几种组合。在本实施例中，缓冲层310的材料为环氧树脂。
在一实施例中，缓冲层310的厚度W为500埃-20000埃。具体的，缓冲层310的厚度W可以为500埃、1000埃、3000埃、5000埃、10000埃、15000、18000埃或20000埃等。在本实施例中，缓冲层310的厚度W为1000埃。
在本申请中，将缓冲层310的厚度W设置为500埃-20000埃，使得导电粒子510压破附加电极320时，起到缓冲的作用，进而避免后续的导电粒子510压破位于柔性阵列基板表面的绑定脚电极200，进而避免导电粒子510与绑定脚电极200的接触面积不同，进而避免不同绑定脚电极200与后续的驱动芯片或柔性电路板之间的接触电阻不同，进而避免将其应用在显示装置时，导致显示装置出现亮线或暗线的问题，使得显示装置显示不均，进而提高了显示装置的性能。若将缓冲层310的厚度W设置为小于500埃，缓冲层310太薄，会较容易被导电粒子510压破，进而导致绑定脚电极200可能被导电粒子510压破，进而会使得显示装置出现亮线或暗线，使得显示装置显示不均；若将缓冲层310的厚度W设置为大于20000埃，缓冲层310太厚，进而导致阵列基板10的较厚，将其应用于显示装置中时，不利于实现轻薄化器件；若将缓冲层310的厚度W设置为大于20000埃，缓冲层310太厚，导致后续部分附加电极320形成在缓冲层310侧面时，使得缓冲层310侧面的附加电极320太薄，甚至有可能断裂，进而导致附加电极320与绑定脚电极200接触不良，进而使得阵列基板10的性能降低。
在一实施例中，附加电极320的材料均选自导电金属和导电金属氧化物中的一种或几种组合。
在一实施例中，附加电极320的材料选自银、钛、铝、氧化锌、氧化铟锌、氧化铟锡、三氧化钼和二氧化钛中的一种或几种组合。在本实施例中，附加电极320的材料为铝。
在一实施例中，附加电极320的厚度D为500埃-3000埃。附加电极320的厚度D可以为500埃、1000埃、1500埃、2000埃、2500埃或3000埃等。在本实施例中，附加电极320的厚度D为2500埃。
在本申请中，将附加电极320的厚度D设置为500埃-3000埃，使得附加电极320不易被后续的导电粒子510刺破，进而降低绑定脚电极200被导电粒子510刺破的风险，进而避免不同绑定脚电极200与后续的驱动芯片或柔性电路板之间的接触电阻不同，进而避免将其应用在显示装置时，导致显示装置出现亮线或暗线的问题，使得显示装置显示不均，进而提高了显示装置的性能。若将附加电极320的厚度D设置为小于500埃，附加电极320太薄，会较容易被导电粒子510压破，进而使得绑定脚电极200被后续的导电粒子510压破的风险增加，进而会使得显示装置出现亮线或暗线，使得显示装置显示不均；若将附加电极320的厚度D设置为大于3000埃，附加电极320太厚，进而导致阵列基板10的较厚，将其应用于显示装置中时，不利于实现轻薄化器件。
请参阅图2，图2是本申请实施例提供的阵列基板的第二种结构示意图。需要说明的是，第二种结构和第一种结构的不同之处在于：
在绑定脚电极200上不设置有附加电极320和缓冲层310，而是在绑定脚电极200上设置保护电极330，保护电极330垂直截面的厚度h大于导电粒子510垂直截面的厚度。具体的，保护电极330垂直截面的厚度h大于导电粒子510垂直截面的厚度的10％。其他结构与图1相同，此处不再赘述。
在一实施例中，保护电极330的材料与绑定脚电极200的材料相同。
在另一实施中，保护电极330的材料与绑定脚电极200的材料不同。
在本申请中，在绑定脚电极200上设置保护电极330，保护电极330垂直截面的厚度h大于导电粒子垂直截面的厚度，使得通过异方性导电胶500绑定驱动元件时，导电粒子即使刺破保护电极330，导电粒子与保护电极330以及绑定脚电极200的接触面积相同，进而避免不同绑定脚电极200与后续的驱动芯片或柔性电路板之间的接触电阻不同，进而避免将其应用在显示装置时，导致显示装置出现亮线或暗线的问题，使得显示装置显示不均，进而提高了显示装置的性能。将保护电极330垂直截面的厚度h设置为大于导电粒子垂直截面的厚度的10％，避免保护电极330被后续的导电粒子完全刺破，进一步避免不同绑定脚电极200与驱动芯片或柔性电路板之间的接触电阻不同，进一步避免将其应用在显示装置时，进一步避免显示装置出现亮线或暗线的问题，使得显示装置显示不均，进而提高了显示装置的性能。
在另一实施例中，将缓冲层310和附加电极320依次层叠设置于保护电极330上。
在本申请中，将缓冲层310和附加电极320依次层叠设置于保护电极330上，进一步避免绑定脚电极200被后续的导电粒子刺破，进一步避免不同绑定脚电极200与驱动芯片或柔性电路板之间的接触电阻不同，进一步避免将其应用在显示装置时，进一步避免显示装置出现亮线或暗线的问题，使得显示装置显示不均，进而提高了显示装置的性能。
本申请公开了一种阵列基板10，阵列基板10包括显示区11和绑定区12，绑定区12设置于显示区11的一侧，阵列基板10包括衬底层100、绑定脚电极200和保护层300，绑定脚电极200设置于绑定区12的衬底层100上，保护层300设置于绑定脚电极200上。通过在绑定脚电极200上设置保护层300，避免后续驱动芯片或柔性电路板通过异方性导电胶500绑定于绑定脚电极200时，因绑定脚电极200的硬度软，易被导电粒子压破，从而使得导电粒子与绑定脚电极200的接触面积相同，进而避免不同绑定脚电极200与驱动芯片或柔性电路板之间的接触电阻不同，进而避免将其应用在显示装置时，导致显示装置出现亮线或暗线的问题，使得显示装置显示不均，进而提高了显示装置的性能。
请参阅图3，图3是本申请实施例提供的显示装置的第一种结构示意图。本申请还提供一种显示装置20，显示装置20包括本申请所述的阵列基板10和设置在阵列基板10中的保护层300上的异方性导电胶500，其中，异方性导电胶500中设置有导电粒子510。
具体的，异方性导电胶500设置在附加电极320上。
在本申请中，在异方性导电胶500与绑定脚电极200之间设置保护层300，使得保护层300中的结构被刺破时，仍然保证导电粒子510与绑定脚电极200的接触面积，进而避免不同绑定脚电极200与驱动芯片或柔性电路板之间的接触电阻不同，导致显示装置20出现亮线或暗线的问题，使得显示装置20显示不均，进而提高了显示装置20的性能。
在一实施例中，显示装置20还包括绑定元件600和连接电极700。绑定元件600设置异方性导电胶500上。连接电极700设置于绑定元件600和异方性导电胶500之间。绑定元件600为驱动芯片或柔性电路板。
请参阅图4，图4是本申请实施例提供的显示装置的第二种结构示意图。需要说明的是，第二种结构和第一种结构的不同之处在于：异方性导电胶500部设置在附加电极320上，而是设置在保护电极330上。其他结构与图4相同，此处不再赘述。
在本申请中，将本申请的阵列基板10应用于显示装置20中，通过在绑定脚电极200和异方性导电胶500之间设置保护层300，避免驱动芯片或柔性电路板通过异方性导电胶500绑定于绑定脚电极200时，因绑定脚电极200的硬度软，易被导电粒子压破，从而使得导电粒子与绑定脚电极200的接触面积相同，进而避免不同绑定脚电极200与驱动芯片或柔性电路板之间的接触电阻不同，进而避免将其应用在显示装置20时，导致显示装置20出现亮线或暗线的问题，使得显示装置20显示不均，进而提高了显示装置20的性能。
本申请公开了一种阵列基板10和显示装置20，阵列基板10包括显示区11和绑定区12，绑定区12设置于显示区11的一侧，阵列基板10包括衬底层100、绑定脚电极200和保护层300，绑定脚电极200设置于绑定区12的衬底层100上，保护层300设置于绑定脚电极200上。通过在绑定脚电极200和异方性导电胶500之间设置保护层300，避免驱动芯片或柔性电路板通过异方性导电胶500绑定于绑定脚电极200时，因绑定脚电极200的硬度软，易被导电粒子压破，从而使得导电粒子与绑定脚电极200的接触面积相同，进而避免不同绑定脚电极200与驱动芯片或柔性电路板之间的接触电阻不同，进而避免将其应用在显示装置20时，导致显示装置20出现亮线或暗线的问题，使得显示装置20显示不均，进而提高了显示装置20的性能。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板和显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区和绑定区，所述绑定区设置于所述显示区的一侧，包括：
衬底层；
绑定脚电极，绑定脚电极设置于所述绑定区的衬底层上；以及
保护层，所述保护层设置于所述绑定脚电极上，所述保护层与所述绑定脚电极电连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层包括缓冲层和附加电极，所述缓冲层设置于所述绑定脚电极上，所述附加电极包覆所述缓冲层，所述附加电极与所述绑定脚电极连接。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述绑定脚电极和所述附加电极的材料均选自导电金属和导电金属氧化物中的一种或几种组合。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述绑定脚电极和所述附加电极的材料均选自银、钛、铝、氧化锌、氧化铟锌、氧化铟锡、三氧化钼和二氧化钛中的一种或几种组合。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述绑定脚电极和所述附加电极的厚度均为500埃-3000埃。
6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层的材料包括有机材料和无机材料中的一种或几种组合。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层的材料包括环氧树脂、酚醛树脂、氮氧化硅、氮化硅或氧化硅中的一种或几种组合。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述保护层包括保护电极，所述保护电极设置于所绑定脚电极上。
9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板和设置在所述阵列基板中的保护层上的异方性导电胶，其中，所述异方性导电胶中设置有导电粒子。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述保护电极垂直截面的厚度大于所述导电粒子垂直截面的厚度。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110883569.7A CN113707670B (zh) | 2021-08-03 | 2021-08-03 | 阵列基板和显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110883569.7A CN113707670B (zh) | 2021-08-03 | 2021-08-03 | 阵列基板和显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113707670A true CN113707670A (zh) | 2021-11-26 |
| CN113707670B CN113707670B (zh) | 2023-06-30 |
Family
ID=78651338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110883569.7A Active CN113707670B (zh) | 2021-08-03 | 2021-08-03 | 阵列基板和显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113707670B (zh) |
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- 2021-08-03 CN CN202110883569.7A patent/CN113707670B/zh active Active
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| CN113193017A (zh) * | 2021-04-21 | 2021-07-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113707670B (zh) | 2023-06-30 |
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