CN113702878A - 高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头 - Google Patents
高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113702878A CN113702878A CN202110890628.3A CN202110890628A CN113702878A CN 113702878 A CN113702878 A CN 113702878A CN 202110890628 A CN202110890628 A CN 202110890628A CN 113702878 A CN113702878 A CN 113702878A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- magnetic field
- differential
- field probe
- rejection ratio
- common
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 title claims abstract description 35
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 13
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 abstract description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000003012 network analysis Methods 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/0023—Electronic aspects, e.g. circuits for stimulation, evaluation, control; Treating the measured signals; calibration
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/0023—Electronic aspects, e.g. circuits for stimulation, evaluation, control; Treating the measured signals; calibration
- G01R33/0035—Calibration of single magnetic sensors, e.g. integrated calibration
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本发明提出一种高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头，涉及电磁兼容和电磁场近场测试技术领域。它至少由差分双环、集成巴伦和有源放大电路组成。从该磁场探头的底部至顶部，差分双环、集成巴伦、有源放大电路依次级联；差分双环由2个中心镜像对称的接地单屏蔽环构成；差分双环在感应到外部的磁场变化以后可以输出差模感应电压；集成巴伦的差分功能可以抑制差分双环由于共模电场耦合导致的感应电压分量，同时将差分双环由于磁场差模耦合导致的差模感应电压转换为单端共模电压；差分双环和集成巴伦的组合应用，极大改善了该磁场探头的共模抑制比；有源放大电路极大提高了该磁场探头的灵敏度。
Description
【技术领域】
本发明涉及一种高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头设计，该磁场探头具有高灵敏度和高共模抑制比特性，用于射频微波电路表面的近场磁场测试，定位由射频电流表征的磁场干扰源，追踪磁场干扰源的耦合路径，属于电磁兼容和电磁场近场测试技术领域。
【背景技术】
由于工作频率的快速增加，高速系统时钟的频繁切换，板图复杂度的急剧提高以及印刷电路板(Printed Circuit Board，PCB)的尺寸不断减小，射频(Radio Frequency，RF)模块的使用日益增多，电子设备的电磁兼容性设计面临新的挑战。电子设备辐射发射出的电磁干扰可能会被敏感元件拾取，从而导致电子设备的功能失效，削弱电子设备的稳定性。电磁干扰往往需要被定性或定量评估以至于工程师可以确定电子设备的电磁发射水平，利用近场探头并结合逐点近场扫描是一种有效评估辐射发射的技术。近场磁场探头在近场扫描中发挥了重要的作用，近场磁场探头的关键特性参数包括灵敏度、共模抑制比、空间分辨率、传输增益平坦度等。针对近场磁场探头的共模耦合抑制问题，工程师开发了具有高抑制比的近场磁场探头，这些近场磁场探头可以被分为两类：一种是利用屏蔽环和过孔栅栏来提高近场磁场探头的共模抑制比，另一种是通过设计多端口的近场磁场探头配合矢量网络分析仪器的混合S参数进行数据后处理来获得良好的共模抑制比。但并不是所有实验室的矢量网络分析仪都具有混合模式的功能，而且所需要的矢量网络分析仪至少需要具备3个端口，其中2个端口连接所设计的磁场探头的输出端口，另外1个端口要连接1个参考探头，来提供参考相位。具有混合模式的矢量网络分析仪的端口数量越多价格越昂贵，因此这种方法获得的高共模抑制比的近场磁场探头在工程上具有很大的局限性。针对近场磁场探头的灵敏度提高问题，工程师经常采用无源近场磁场探头外接低噪声放大器的方法，而近场磁场探头外接低噪声放大器后，近场磁场探头的物理尺寸会增大，增大了对被测件原有电磁场的扰动。
为了解决上述技术难题，满足电子行业的发展需求，针对近场扫描中近场磁场探头共模电场抑制比改善及灵敏度提高的技术需求，本发明设计了一种高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头。
【发明内容】
本发明设计了一种高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头，目的是提高磁场探头的灵敏度及改善磁场探头的共模抑制比，研制性能表现良好的磁场探头，实现对射频弱辐射水平的磁场信号的有效捕获，协助射频工程师完成对射频电子设备的故障诊断，为提升电子系统的电磁性能提供有利的测试手段。
为了满足上述目的，本发明的方案如下：
一种高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头，它至少由差分双环、集成巴伦和有源放大电路组成。
从该磁场探头的底部至顶部，所述的差分双环、集成巴伦、有源放大电路依次级联。
该磁场探头的设计与加工基于四层印刷电路板结构；所述的四层印刷电路板从底部至顶部，依次为底层、中间1层、中间2层和顶层。
所述的差分双环由2个中心镜像对称的接地单屏蔽环构成；所述的差分双环的作用是有效地感应外部变化的磁场；所述的差分双环在感应到外部的磁场变化以后可以输出差模感应电压；所述的接地单屏蔽环一端由接地过孔相连接到顶层和底层，一端与所述的集成巴伦的平衡输入端口相连接。
所述的集成巴伦为无源集成巴伦模块；所述的集成巴伦的差分功能可以抑制差分双环由于共模电场耦合导致的感应电压分量，同时将所述的差分双环由于磁场差模耦合导致的差模感应电压转换为单端共模电压；所述的差分双环和所述的集成巴伦的组合应用，极大改善了该磁场探头的共模抑制比。
所述的有源放大电路为两级射频有源放大电路；所述的有源放大电路输出端的输出信号流经共面波导中心导体、SMA连接器至测试仪器；所述的有源放大电路有效提高了该磁场探头的灵敏度；所述的有源放大电路采用放大器芯片设计，保证了该磁场探头的小型化。
本发明一种高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头的有益效果是：
本发明设计的一种高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头具有小型化、高灵敏度和高共模抑制比的优点，可以在较为复杂的电磁环境(磁场弱辐射电场强辐射)下有效实现对磁场信号的捕获；本发明在磁场探头的结构设计方案中考虑到了测试的简便性，采用集成巴伦模块实现了差分到共模的转换，极大提高了测试的效率和工程应用的推广性；本发明中磁场探头各个部分结构实现方案简单，易于工程人员和研发人员掌握本发明中磁场探头的设计方案，同时成本低廉，易于在工程上进行推广应用。
【附图说明】
图1为高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头的印刷电路板叠层结构图。
图2为高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头的整体结构图。
图3为高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头的校准测试装置图。
图4高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头的频率特性仿真与测试曲线。
附图标号说明：
1-1：接地单屏蔽环，1-2：接地过孔，1-3：集成巴伦，1-4：耦合电容，1-5：放大器，1-6：同轴连接器，1-7：共面波导中心导体，1-8：SMA连接器2-1：微波暗室，2-2：矢量网络分析仪，2-3：端口1,2-4：端口2，2-5：校准微带线，2-6：匹配负载，2-7：直流电源，2-8：磁场探头，2-9：同轴线
【具体实施方式】
结合附图，进一步阐明高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头的具体结构、各组成部分的功能以及各组成部分结构的位置关系。
需要说明的是，本文所使用的术语“正上方”、“顶部”、“底部”、以及类似的表述是基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述。
图1展示了本发明设计的高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头的印刷电路板叠层结构，从底部至顶部，依次为底层、中间1层、中间2层和顶层。在本实施例中，2块0.213mm厚度的FR4(2116)板材作为四层印刷电路板的叠层结构中的半固化片，分别位于叠层结构中的顶端和底端。1块0.513mm厚度的覆铜FR4(S1000)板材位于叠层结构中的正中心。底层、中间1层、中间2层、顶层的铜的厚度均为0.035mm。本发明方案中采用的图1叠层结构简单、成本低廉，利于本发明的工程推广。
图2展示了本发明设计的高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头的整体结构。从该探头底部至顶部，差分双环、集成巴伦1-4、有源放大电路、共面波导中心导体1-8、SMA连接器1-9依次级联。2个接地单屏蔽环1-1呈中心镜像对称结构，每1个接地单屏蔽环1-1的一端通过接地过孔1-2连接到顶层和底层地平面，另一端作为输出端。2个接地单屏蔽环构成差分双环，因此差分双环具有2个输出端。差分双环在感应到外部的磁场后，在其输出端输出差模电压，在感应到外部的电场后，在其输出端输出共模电压。在本实施例中，所设计的接地单屏蔽环1-1的环面物理尺寸为4.7mm×4.6mm。差分双环的两个输出端与集成巴伦1-3的2个平衡输入端口相连接。共面波导中心导体1-9的特性阻抗为50Ω，其阻抗参考平面位于顶层和中间2层。SMA连接器1-7的型号为美国西南微波292-04A-5，SMA连接器1-8与共面波导中心导体1-7压合式连接。
在本实施例中，外部的直流电源通过同轴连接器1-6给有源放大电路供电。有源放大电路为两级射频有源放大电路，每一级的射频有源放大电路之间的耦合电容1-4的电容值为2.2μF。集成巴伦1-3非平衡端口的输出信号经有源放大电路放大以后，获得大约38dB的增益。有源放大电路有效提高了所设计的磁场探头的灵敏度。
对本发明所设计的高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头的频率特性进行测试，如图3所示，整个测试过程在微波暗室2-1中进行。在测试之前，对矢量网络分析2-2进行标准的双端口校准。校准微带线2-5提供时变的磁场源，矢量网络分析仪2-2的端口1 2-3通过同轴线2-9与磁场探头2-8相连接，矢量网络分析仪2-2的端口2 2-4通过同轴线2-9与校准微带线2-5一端相连接，校准微带线2-5的另一端端接匹配负载2-6。在本实例中，校准微带线2-5的特性阻抗为50Ω，匹配负载2-6的阻值为50Ω。直流电源2-7为磁场探头2-8的有源放大电路提供直流电源。磁场探头2-8置于校准微带线2-5正上方1mm处。在测试过程中矢量网络分析2-2的输出功率设定为-25dBm以保证有源放大电路中放大器芯片在线性区工作。高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头的频率特性仿真与测试曲线如图4所示，θ＝0°的频率特性数值结果与θ＝90°的频率特性数值结果之差即为设计的磁场探头的共模电场抑制。在工作频带内，本实例中，设计的磁场探头具有不低于35dB的共模抑制比。从S12的角度来看，设计的磁场探头在工作频带内具有较高的灵敏度和较高的共模抑制比。
需要指出的是，本发明公开的技术手段、设计方法不仅限于本发明，同时也适用于结合本发明设计思想、发明方法、技术手段以及本发明所述的技术特征所衍生出的其它方案、发明方法、发明产品，因此这些所衍生出的其它方案、发明方法、发明产品都应视为本发明保护的范围。
Claims (6)
1.一种高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头，该磁场探头的设计与加工是基于四层印刷电路板工艺，所述的四层印刷电路板依次分为底层、中间1层、中间2层、顶层；其特征在于：该磁场探头至少由差分双环、集成巴伦及有源放大电路组成；从该磁场探头的底部至顶部，所述的差分双环、集成巴伦、有源放大电路依次级联；
所述的差分双环作为该磁场探头的感应端，在感应时变的磁场后所述的差分双环输出差模电源，在感应时变的电场后所述的差分双环输出共模电压；
所述的集成巴伦的作用是抑制差分双环由电场耦合导致的共模感应电压，并将差分双环由磁场耦合导致的差模感应电压转换为单端输出电压；
所述的集成巴伦和差分双环的组合应用实现了对磁场分量的有效检测并提高了该磁场探头的共模抑制比；
所述的有源放大电路的作用有效提高该磁场探头的灵敏度。
2.根据权利要求1所述的高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头，其特征在于：所述的差分双环由2个中心镜像对称的接地单屏蔽环构成。
3.根据权利要求1或2所述的高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头，其特征在于：所述的接地单屏蔽环一端通过接地过孔连接到顶层和底层，另一端与所述的集成巴伦的平衡输入端口相连接。
4.根据权利要求1或3所述的高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头，其特征在于：所述的集成巴伦为无源集成巴伦模块，不是基于所述的四层印刷电路板利用微带结构设计的，该集成巴伦具有宽频带、小型化特性。
5.根据权利要求1或2或3所述的高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头，其特征在于：所述的接地单屏蔽环1-1的环面物理尺寸为4.7mm×4.6mm。
6.根据权利要求1所述的高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头，其特征在于：所述的四层印刷电路板底层、中间1层、中间2层、顶层的铜的厚度均为0.035mm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110890628.3A CN113702878B (zh) | 2021-08-04 | 2021-08-04 | 高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110890628.3A CN113702878B (zh) | 2021-08-04 | 2021-08-04 | 高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113702878A true CN113702878A (zh) | 2021-11-26 |
| CN113702878B CN113702878B (zh) | 2024-03-29 |
Family
ID=78651486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110890628.3A Active CN113702878B (zh) | 2021-08-04 | 2021-08-04 | 高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113702878B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115267394A (zh) * | 2022-07-29 | 2022-11-01 | 电子科技大学 | 基于小型电路板磁场探头自动化测量近场emi的测量系统 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105717466A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-06-29 | 北京航空航天大学 | 一种宽频带的微型近场磁场测试探头 |
| CN106066462A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-11-02 | 浙江纺织服装职业技术学院 | 磁共振系统内的推挽功放相位补偿电路和补偿方法 |
| CN109521374A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-03-26 | 北京航空航天大学 | 嵌入集成巴伦和加载改进型偶极子的谐振切向电场探头 |
| CN109884562A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-14 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 差分磁场检测模块及磁场探头 |
| CN110133389A (zh) * | 2019-05-14 | 2019-08-16 | 北京航空航天大学 | 一种适用于gps频段的宽带切向近场电场测试探头 |
| CN110261798A (zh) * | 2019-07-22 | 2019-09-20 | 上海交通大学 | 非对称式差分磁场探头结构 |
| CN110275071A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-09-24 | 北京航空航天大学 | 一种采用门型结构的高灵敏度有源电场探头 |
| CN112698251A (zh) * | 2020-11-12 | 2021-04-23 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 磁场无源探头和磁场探测装置 |
-
2021
- 2021-08-04 CN CN202110890628.3A patent/CN113702878B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105717466A (zh) * | 2016-04-08 | 2016-06-29 | 北京航空航天大学 | 一种宽频带的微型近场磁场测试探头 |
| CN106066462A (zh) * | 2016-06-24 | 2016-11-02 | 浙江纺织服装职业技术学院 | 磁共振系统内的推挽功放相位补偿电路和补偿方法 |
| CN109521374A (zh) * | 2018-10-18 | 2019-03-26 | 北京航空航天大学 | 嵌入集成巴伦和加载改进型偶极子的谐振切向电场探头 |
| CN109884562A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-14 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 差分磁场检测模块及磁场探头 |
| CN110133389A (zh) * | 2019-05-14 | 2019-08-16 | 北京航空航天大学 | 一种适用于gps频段的宽带切向近场电场测试探头 |
| CN110275071A (zh) * | 2019-06-21 | 2019-09-24 | 北京航空航天大学 | 一种采用门型结构的高灵敏度有源电场探头 |
| CN110261798A (zh) * | 2019-07-22 | 2019-09-20 | 上海交通大学 | 非对称式差分磁场探头结构 |
| CN112698251A (zh) * | 2020-11-12 | 2021-04-23 | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室）） | 磁场无源探头和磁场探测装置 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| JIANWEI WANG: "High Common-Mode-Rejection Magnetic-Field Probe Based on Differential Dual Loop and Integrated Balun", <IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS>, pages 1 - 5 * |
| JIANWEIWANG: "Miniature Active Differential Magnetic Field Probe With High Sensitivity for Near-Field Measurements", 《IEEE TRANSACTIONS ON ANTENNAS AND PROPAGATION》, pages 1 - 5 * |
| ZHAOWEN YAN: "A Simple Miniature Ultrawideband MagneticField Probe Design for Magnetic Near-Field Measurements", 《IEEE TRANSACTIONS ON ANTENNAS AND PROPAGATION》, pages 1 - 5 * |
| 阎照文: "高性能近场测试电场探头和 磁场探头研究进展", 《安全与电磁兼容》, pages 1 - 5 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115267394A (zh) * | 2022-07-29 | 2022-11-01 | 电子科技大学 | 基于小型电路板磁场探头自动化测量近场emi的测量系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113702878B (zh) | 2024-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Chuang et al. | A magnetic-field resonant probe with enhanced sensitivity for RF interference applications | |
| Novak | Measuring milliohms and picohenrys in power distribution networks | |
| Li et al. | A resonant E-field probe for RFI measurements | |
| Wang et al. | Miniature active differential magnetic field probe with high sensitivity for near-field measurements | |
| Tseng et al. | Design of miniaturized common-mode filter by multilayer low-temperature co-fired ceramic | |
| Wang et al. | A high-sensitivity resonant tangential E-probe with loaded improved dipole and embedded integrated balun | |
| CN108445302B (zh) | 一种加载t型电极的高灵敏度近场谐振电场测试探头 | |
| CN109521374B (zh) | 嵌入集成巴伦和加载改进型偶极子的谐振切向电场探头 | |
| CN112698251B (zh) | 磁场无源探头和磁场探测装置 | |
| CN110133389A (zh) | 一种适用于gps频段的宽带切向近场电场测试探头 | |
| Shao et al. | A two‐turn loop active magnetic field probe design for high sensitivity near‐field measurement | |
| CN113702878B (zh) | 高共模抑制比和高灵敏度的小型化有源差分磁场探头 | |
| Wang et al. | A new method to improve the detection sensitivity of differential magnetic-field probe for near-field scanning | |
| Yi et al. | Design and characterisation of a dual probe with double‐loop structure for simultaneous near‐field measurement | |
| Wang et al. | A resonant magnetic probe capable of simultaneously measuring two orthogonal magnetic-field components | |
| US7676200B2 (en) | Circuits and methods for high-efficiency on-chip power detection | |
| Yi et al. | A broadband active dual probe by asymmetric calibration method | |
| Yi et al. | A miniature shielded‐loop active h‐field probe design with high spatial resolution for near‐field measurement | |
| Sivaraman et al. | Broad band PCB probes for near field measurements | |
| Wang et al. | A high-sensitivity composite probe capable of simultaneously measuring electric-and magnetic-field components | |
| Zhang et al. | Theory, simulation, and experiment on extended mixed-mode s-parameters in three-conductor lines | |
| Wang et al. | New resonant probes with high detection sensitivity and measurement characteristic of two orthogonal magnetic-field components | |
| Zhao et al. | An inductive-coupling blocker rejection technique for miniature RFID tag | |
| CN116381578A (zh) | 一种有源差分磁场探头装置 | |
| Wang et al. | A Composite Probe with Parasitic Elements for Improving Sensitivity and Simultaneously Measuring Electric-and Magnetic-Fields |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |