CN113690123B - 基板处理装置和控制铁氧体芯的温度的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了基板处理装置和控制铁氧体芯的温度的方法。该基板处理装置包括：腔室，该腔室在其内部具有用于处理基板的空间；基板支承组件，该基板支承组件包括支承板，该支承板位于该腔室中并支承该基板；气体供应单元，该气体供应单元将气体供应到该腔室的内部中；等离子体生成单元，该等离子体生成单元将该腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和基板温度控制单元，该基板温度控制单元控制该基板的温度，且该基板温度控制单元包括：多个加热器，该多个加热器安装在该支承板的不同区域中；电源部，该电源部向该多个加热器供应电力；铁氧体芯，该铁氧体芯中断引入至该电源部的低频信号；和多个空气芯，该多个空气芯中断引入至该电源部的高频信号。

Description

基板处理装置和控制铁氧体芯的温度的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年5月19日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2020-0059469的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文描述的发明构思的实施方案涉及一种基板处理装置和一种用于控制铁氧体芯(ferrite core)的温度的方法，且更具体地，涉及一种根据各个区域来控制基板温度的基板处理装置，以及一种用于控制铁氧体芯的温度的方法。
背景技术
在半导体制造过程中，需要一种用于控制基板温度的基板温度控制装置。现有的基板温度控制装置利用与各个加热单元相对应的多个控制单元来控制用于调节基板的各个区域温度的多个加热单元。然而，最近被聚焦(spotlight)的具有多区域的基板需要100个或更多个加热单元，并且当设置与加热单元相对应的控制单元时，需要是现有设施的30倍或更多倍的设施。设施体积的增加可能违背近来减小设施体积的趋势。
此外，在基板具有多区域的情况下，由于用于控制加热器(用于加热基板)的控制器或滤波器的数量随着加热器数量的增加而增加，因此，由于控制器或滤波器的影响可能改变工艺环境。
发明内容
本发明构思的实施方案提供了一种基板处理装置以及一种用于控制铁氧体芯温度的方法，该基板处理装置可以减少该装置对工艺的影响。
本发明构思将要解决的问题不限于上述问题，本发明构思所属领域的技术人员将从说明书和附图中清楚地理解未提及的问题。
根据一个实施方案，基板处理装置包括：腔室，在所述腔室的内部所述腔室具有用于处理基板的空间；基板支承组件，所述基板支承组件包括支承板，所述支承板位于所述腔室中并支承所述基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述腔室的内部中；等离子体生成单元，所述等离子体生成单元将所述腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和基板温度控制单元，所述基板温度控制单元控制所述基板的温度，且所述基板温度控制单元包括：多个加热器，所述多个加热器安装在所述支承板的不同区域中；电源部，所述电源部向所述多个加热器供应电力；铁氧体芯，所述铁氧体芯中断引入至所述电源部的低频信号；和多个空气芯，所述多个空气芯中断引入至所述电源部的高频信号。
所述铁氧体芯可设置在所述多个空气芯与所述电源部之间，且所述铁氧体芯的长度可以大于所述多个空气芯的长度。
所述铁氧体芯可包括电感为100μH至150μH的线圈。
所述基板温度控制单元还可包括铁氧体芯温度测量部，所述铁氧体芯温度测量部测量所述铁氧体芯的温度。
所述基板温度控制单元可进一步包括：铁氧体芯冷却部，所述铁氧体芯冷却部冷却所述铁氧体芯；和铁氧体芯温度控制部，所述铁氧体芯温度控制部根据所述铁氧体芯的温度来控制所述铁氧体芯冷却部。
所述铁氧体芯冷却部可包括围绕所述铁氧体芯安装的多个冷却风扇。
所述铁氧体芯温度控制部可控制所述铁氧体芯冷却部，使得所述铁氧体芯的温度维持在50摄氏度至100摄氏度的范围内。
根据另一个实施方案，基板处理装置包括：腔室，在所述腔室的内部所述腔室具有用于处理基板的空间；基板支承组件，所述基板支承组件包括支承板，所述支承板位于所述腔室中并支承所述基板；气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述腔室的内部中；等离子体生成单元，所述等离子体生成单元将所述腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和基板温度控制单元，所述基板温度控制单元控制所述基板的温度，且所述基板温度控制单元包括：多个加热器，所述多个加热器安装在所述支承板的不同区域中；多个电源部，所述多个电源部分别向所述多个加热器供应电力；和滤波电路，所述滤波电路连接在所述多个加热器与所述多个电源部之间，且所述滤波电路可以包括：第一滤波器，所述第一滤波器通过使用连接到所述多个加热器的多个空气芯来执行滤波；和第二滤波器，所述第二滤波器连接在所述第一滤波器与所述多个电源部之间，且使用一个铁氧体芯执行滤波。
根据另一实施方案，一种通过使用基板处理装置来控制铁氧体芯的温度的方法包括：当所述铁氧体芯的温度高于预设值时，冷却所述铁氧体芯。
预设值可以为100摄氏度。
附图说明
参照以下附图，上述和其他目的及特征将从以下描述中变得显而易见，其中除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记指代相同的部件，且附图中：
图1为示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的示例性视图；
图2为示出了根据本发明构思的实施方案的基板温度控制单元的电路图；
图3中的(a)和(b)为示出了根据本发明构思的实施方案的铁氧体芯的视图；
图4为示出根据本发明构思的实施方案的、根据铁氧体芯的温度变化的铁氧体芯的电阻值变化的视图；和
图5为示出了根据本发明构思的实施方案的铁氧体芯温度控制方法的流程图。
具体实施方式
本发明构思的上述和其他优点和特征以及用于实现它们的发明构思的方法从以下实施方案的以下描述中变得显而易见，以下实施方案结合附图给出，并且将在下面详细描述。然而，本发明构思不限于本文公开的实施方案，而是将以各种不同的形式来实现，并且提供的实施方案仅是为了使本发明构思的公开完整并将本发明构思的范围充分告知本发明构思所属领域的普通技术人员，本发明构思将由权利要求的范围来限定。
尽管没有定义，但是本文中使用的所有术语(包括技术或科学术语)可以具有与本发明构思所属领域的普通技术通常所接受的相同含义。通用词典定义的术语可以被解释为具有与相关技术和/或本申请的公开中所表示的含义相同的含义，且即使在此没有明确定义，通用词典定义的术语也将既不变成概念性的也不被解释为过于正式的。
本文中使用的术语被提供来描述实施方案，而不是限制本发明构思。在说明书中，除非特别提及，单数形式包括复数形式。在说明书中使用的表达“包括”和/或其各种词形变化形式，例如“包含”，并不排除存在或添加一种或多种组分、物质、元件、步骤、操作和/或设备。在说明书中,术语“和/或”表示列举的构型或其各种组合。
图1为示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的示例性视图。
参照图1，基板处理装置10通过使用等离子体处理基板W。例如，基板处理装置10可在基板W上执行蚀刻工艺。基板处理装置10可以包括腔室620、基板支承组件200、喷头(shower head)300、气体供应单元400、挡板单元500和等离子体生成单元600。
腔室620可提供处理空间，基板处理工艺在该处理空间的内部执行。腔室620可在其内部具有处理空间，并可具有封闭形状。腔室620可由金属材料形成。腔室620可由铝形成。腔室620可为接地的。腔室620的底表面上可形成排放孔102。排放孔102可连接至排放管线151。可通过排放管线151将工艺中生成的反应副产物和留在腔室的内部空间中的气体排出到外部。通过排出工艺，可将腔室620的内部的压力降低到特定压力。
根据实施方案，内衬(liner)130可设置在腔室620的内部中。内衬130可具有圆柱形状，该内衬的上表面和下表面为敞开的。内衬130可配置成接触腔室620的内表面。内衬130可通过保护腔室620的内壁来防止腔室620的内壁由于电弧放电而受损。另外，内衬130可防止在基板处理工艺期间生成的杂质沉积在腔室620的内壁上。可选地，可不设置内衬130。
基板支承组件200可位于腔室620的内部中。基板支承组件200可支承基板W。基板支承组件200可包括静电吸盘(静电卡盘，electrostatic chuck)210，该静电吸盘通过使用静电力来吸附基板W。与此不同，基板支承组件200可以以诸如机械夹持的各种方式支承基板W。下文中，将描述包括静电吸盘210的基板支承组件200。
基板支承组件200可包括静电吸盘210、下盖250和板270。基板支承组件200可位于腔室620的内部中以与腔室620的底表面向上间隔开。
静电吸盘210可包括介电板220、主体230和聚焦环240。静电吸盘210可以支承基板W。介电板220可位于静电吸盘210的上端处。介电板220可由介电物质形成，并可具有盘形状。基板W可定位在介电板220的上表面上。介电板220的上表面的半径可以小于基板W的半径。因此，基板W的外围区域可以位于介电板220的外侧。
介电板220的内部中可以包括第一电极223、加热单元225、和第一供应通道221。第一供应通道221可从介电板220的上表面延伸至介电板210的下表面。多个第一供应通道221形成为彼此间隔开以提供通道，传热介质通过这些通道被供应到基板W的底表面。
第一电极223可连接至第一电源223a。第一电源223a可包括DC电源。开关223b可安装在第一电极223与第一电源223a之间。通过接通和切断开关223b，第一电极223可电连接至第一电源223a。如果开关223b接通，则可将DC电流施加到第一电极223。可通过施加到第一电极223的电流，在第一电极223与基板W之间施加静电力，并且通过静电力，可使基板W吸附至介电板220。
加热单元225可位于第一电极223的下方。加热单元225可电连接至第二电源225a。加热单元225因施加到第二电源225a的电流而通过电阻产生热。产生的热可通过介电板220传送到基板W。基板W可通过由加热单元225产生的热来维持在特定温度。加热单元225可包括螺旋线圈。加热单元225可包括多个加热器225。
主体230可位于介电板220的下方。介电板220的底表面和主体230的上表面可通过粘合剂236彼此粘结。主体230可由铝形成。主体230的上表面可定位成使得该上表面的中心区域高于该上表面的外围区域。主体230的上表面的中心区域可具有对应于介电板220底表面的区域，并且可粘结至介电板220的底表面。主体230在其内部可具有第一循环通道231、第二循环通道232和第二供应通道233。
第一循环通道231可设置为传热介质循环所通过的通道。第一循环通道231可形成在主体230的内部中，以具有螺旋形状。进一步地，第一循环通道231可设置成使得具有不同半径的环形形状的通道具有相同的圆心。第一循环通道231可彼此连通。第一循环通道231可在相同的高度处形成。
第二循环通道232可设置为冷却流体循环所通过的通道。第二循环通道232可形成在主体230的内部中，以具有螺旋形状。进一步地，第二循环通道232可设置成使得具有不同半径的环形形状的通道具有相同的圆心。第二循环通道232可彼此连通。第二循环通道232可具有比第一循环通道231的截面积大的截面积。第二循环通道232可在相同的高度处形成。第二循环通道232可位于第一循环通道231的下方。
第二供应通道233可从第一循环通道231向上延伸，并可设置在主体230的上表面上。第二供应通道233的数量对应于第一供应通道221的数量，并且可连接第一循环通道231和第一供应通道221。
第一循环通道231可通过传热介质供应管线231b连接至传热介质储存器231a。传热介质可储存在传热介质储存器231a中。传热介质可包括惰性气体。根据一实施方案，传热介质可包括氦(He)气。通过供应管线231b可将氦气供应至第一循环通道231，并在依序经过第二供应通道233和第一供应通道221后，可供应至基板W的底表面。氦气可用作介质，从等离子体传送到基板W的热通过该介质被传送到静电吸盘210。
通过冷却流体供应管线232c，第二循环通道232可连接至冷却流体储存器232a。冷却流体储存器232a可储存冷却流体。冷却器232b可设置在冷却流体储存器232a中。冷却器232b可将冷却流体冷却至特定温度。与此不同，冷却器232b可安装在冷却流体供应管线232c上。通过冷却流体供应管线232c供应到第二循环通道232的冷却流体可在沿第二循环通道232循环时冷却主体230。主体230可在被冷却时一同冷却介电板220和基板W，以使基板W维持在特定温度。
主体230可包括金属板。根据一实施方案，整个主体230可由金属板形成。
聚焦环240可设置在静电吸盘210的外围区域处。聚焦环240可具有环形形状，并可沿介电板220的圆周设置。聚焦环240的上表面可定位成使得该上表面的外侧240a比该上表面的内侧240b高。聚焦环240的上表面的内侧240b可位于与介电板220的上表面的高度相同的高度处。聚焦环240的上表面的内侧240b可支承位于介电板220的外侧上的基板W的外围区域。聚焦环240的外侧240a可设置为围绕基板W的外围区域。聚焦环240可控制电磁场以使得等离子体的密度在基板W的整个区域中均匀地分布。因此，等离子体在基板W的整个区域均匀地形成，使得基板W的区域可被均匀地蚀刻。
下盖250可位于基板支承组件200的下端处。下盖250可与腔室620的底表面向上间隔开。下盖250的内部中形成有开顶型(open-topped)空间。下盖250的外半径可与主体230的外半径相同。将传送的基板W从外侧上的传送构件移动至静电吸盘210的升降销模块(未示出)可位于下盖250的内部空间255中。升降销模块(未示出)可以特定间隔与下盖250间隔开。下盖250的底表面可由金属材料形成。下盖250的内部空间255可设置有空气。因为空气的介电常数低于绝缘体的介电常数，因此，空气可减弱基板支承组件200的内部中的电磁场。
下盖250可以具有连接构件253。连接构件253可连接下盖250的外表面和腔室620的内壁。多个连接构件253可以特定间隔设置在下盖250的外表面上。连接构件253可支承腔室620的内部中的基板支承组件200。进一步地，下盖250可连接至腔室620的内壁，从而电接地。连接至第一电源223a的第一电源线223c、连接至第二电源225a的第二电源线225c、连接至传热介质储存器231a的传热介质供应管线231b、以及连接至冷却流体储存器232a的冷却流体供应管线232c可通过连接构件253的内部空间255延伸到下盖250中。
板270可位于静电吸盘210与下盖250之间。板270可覆盖下盖250的上表面。板270可具有对应于主体230的截面积。板270可包括绝缘体。根据一实施方案，可设置一个或多个板270。板270可起增加主体230与下盖250之间的电距离的作用。
喷头300可位于腔室620内部中的基板支承组件200的上方。喷头300可以定位成面向基板支承组件200。
喷头300可包括气体分散板(gas dispersing plate)310和支承件330。气体分散板310可与腔室620的上表面向下间隔开。气体分散板310与腔室620的上表面之间可形成空间。气体分散板310可以具有板形状，该板形状具有特定厚度。可以对气体分散板310的底表面进行阳极处理以防止通过等离子体产生电弧。气体分散板310可具有与基板支承组件200相同的形状和截面。气体分散板310可包括多个喷射孔311。喷射孔311可竖直地穿过气体分散板310的上表面和下表面。气体分散板310可包括金属材料。
支承件330可支承气体分散板310的一侧。支承件330的上端可连接至腔室620的上表面，且支承件330的下端可连接至气体分散板310的一侧。支承件330可包括非金属板。
基板处理装置10可以包括介电质(或盖)，该介电质构成腔室620的上表面而不是喷头300。介电质可以具有板形状，并且可以封闭腔室620的内部空间。在这种情况下，气体供应喷嘴410可以安装在介电质的中心部分处。
气体供应单元400可将工艺气体供应到腔室620的内部中。气体供应单元400可包括：气体供应喷嘴410、气体供应管线420和气体存储单元430。气体供应喷嘴410可安装在腔室620的上表面的中心部分处。气体供应喷嘴410的底表面上可形成喷射孔。通过该喷射孔可将工艺气体供应到腔室620的内部中。气体供应管线420可连接气体供应喷嘴410和气体存储单元430。气体供应管线420可将存储在气体存储单元430中的工艺气体供应到气体供应喷嘴410。阀421可以安装在气体供应管线420中。阀421可打开和关闭气体供应管线420，并可调节通过气体供应管线420供应的工艺气体的流速。
挡板单元500可位于腔室620的内壁与基板支承组件200之间。挡板510可具有圆环形状。挡板510可具有多个贯穿孔511。提供到腔室620中的工艺气体可穿过挡板510的贯穿孔511，以通过排放孔102排出。可根据挡板510的形状和贯穿孔511的形状来控制工艺气体的流动。
等离子体生成单元600可将腔室620中的工艺气体激发至等离子体状态。根据本发明构思的实施方案，等离子体生成单元600可以是电感耦合等离子体(ICP)类型。在这种情况下，如图1所示，等离子体生成单元600可包括：高频电源610，该高频电源配置成供应高频电力；和第一线圈621以及第二线圈622，该第一线圈和第二线圈电连接至高频电源610以接收高频电力。
第一线圈621和第二线圈622可设置在面向基板W的位置处。例如，第一线圈621和第二线圈622可安装在腔室620的上方。第一线圈621的直径可小于第二线圈622的直径，使得第一线圈621位于腔室620的上侧之内，且第二线圈622位于腔室620的上侧之外。第一线圈621和第二线圈622可接收来自高频电源610的高频电力，以在腔室中诱发时变磁场，并因此，可通过等离子体激发供应到腔室的工艺气体。
下文中，将描述使用上述基板处理装置处理基板的工艺。
如果基板W被定位在基板支承组件200上，则直流电可以从第一电源223a施加至第一电极223。通过施加到第一电极223的直流电，可在第一电极223与基板W之间施加静电力，并且通过静电力，可使基板W吸附至静电吸盘210。
如果基板W被静电吸盘210吸附，则工艺气体可以通过气体供应喷嘴410供应到腔室620的内部中。工艺气体可以通过喷头300的喷射孔311均匀地喷射到腔室620的内部区域。由高频电源产生的高频电力可被施加到等离子体源，因此，可以在腔室620中产生电磁力。电磁力可以通过使用等离子体来激发基板支承组件200与喷头300之间的工艺气体。将等离子体提供至基板W以处理基板W。等离子体可以执行蚀刻工艺。
根据本发明构思的实施例，感应等离子体反应器可以通过使用双频偏置电极通过高离子能量撞击来获得各向异性蚀刻效果。根据一实施例，当双频偏置电极(即低频(2Mhz)和高频(13.56MHz))用于偏置静电吸盘(electrostatic chuck，ESC)210的加热器的电极以及多区域结构时，滤波器盒的占地面积增加，并且滤波可能受到高RF功率和腔室壁的温度滤波器的铁氧体芯的高温的增加的影响。偏置电极可以包括在静电吸盘210中，并且可以通过阻抗匹配电路连接到多个RF电源。多个RF电源可以通过阻抗匹配电路将具有不同频率的RF信号施加到偏置电极。
例如，当通过使用双频偏置电极施加高RF功率时，滤波器的尺寸增加，并且当静电吸盘210包括多个加热区时，需要更多的滤波器。
本发明构思旨在通过基板温度控制单元700解决以上问题。更详细地，为了减小电感的大小，可以通过结构来控制基板的温度，在该结构中，多个绕组缠绕在一个铁氧体芯710上。
图2为示出了根据本发明构思的实施方案的基板温度控制单元700的电路图。
参照图2，基板温度控制单元700可以包括多个加热器225、电源部225a以及滤波电路701，该滤波电路包括第一滤波器702和第二滤波器703。滤波电路701可以包括铁氧体芯710和多个空气芯720。可以设置多个电源部225a。滤波电路701可以连接在多个加热器225与多个电源部225之间。第一滤波器702可以包括：多个空气芯720、分别并联连接至多个空气芯720的多个电容器C1至C4、以及分别连接在多个空气芯720与地之间的多个电容器C5至C8。多个电感器L1至L4可以包括多个空气芯720。例如，第一滤波器702可以通过执行滤波来中断高频信号。第二滤波器703可以包括：分别连接至多个电感器L1至L4的多个电感器L5至L8、以及连接在多个电感器L5至L8与地之间的多个电容器C9至C12。多个电感器L5至L8可以提供至一个铁氧体芯710。第二滤波器703可以通过执行滤波来中断低频信号。包括在第二滤波器703中的铁氧体芯710可以中断低频信号。滤波电路701可以中断施加到静电吸盘210的偏置电极的多个RF功率被引入到多个电源部225a中。
在基板温度控制单元700中，可以仅设置一个铁氧体芯710以连接至多个空气芯720。此外，铁氧体芯710可以设置在多个空气芯720与电源部225a之间，且铁氧体芯710的长度可以大于多个空气芯720的长度。铁氧体芯710可以包括中空的圆柱形芯和螺旋地围绕该芯的线圈。铁氧体芯710的线圈可以具有100μH至150μH的电感。
此外，基板温度控制单元700可以包括：铁氧体芯温度测量部711，该铁氧体芯温度测量部测量铁氧体芯710的温度；铁氧体芯冷却部712，该铁氧体芯冷却部安装在铁氧体芯710的周围并冷却铁氧体芯710；以及铁氧体芯温度控制部713，该铁氧体芯温度控制部根据铁氧体芯710的温度来控制铁氧体芯冷却部712。根据一实施方案，铁氧体芯温度测量部711可以包括红外(IR)温度传感器。铁氧体芯冷却部712可包括安装在铁氧体芯710上或铁氧体芯710下方的多个冷却风扇。然而，本发明构思不限于此，并且铁氧体芯冷却部712可以由可以冷却铁氧体芯710的各种冷却设备来实现。作为实施例，铁氧体芯温度控制部713可以控制铁氧体芯冷却部712，使得由铁氧体芯温度测量部711测量的铁氧体芯710的温度维持在50摄氏度至100摄氏度的范围内。具体地，铁氧体芯温度控制部713可随着由铁氧体芯温度测量部711测量的铁氧体芯710的温度的增加，来增加多个冷却风扇的旋转速度，或操作多个冷却风扇中的更多数量的冷却风扇。
图3中的(a)和(b)为示出了根据本发明构思的实施方案的铁氧体芯的视图。
根据图3中的(a)，公开了从顶部观察的根据本发明构思的实施方案的铁氧体芯的视图。根据图3中的(b)，公开了根据本发明构思的实施方案的铁氧体芯的立体图。
根据本发明构思的铁氧体芯710的电感可以在以下等式中处理。
然后，N表示绕组数量，μ表示磁导率，r表示铁氧体芯的内半径，R表示铁氧体芯的外半径，以及d表示铁氧体芯的高度。
根据图3和等式，由于根据本发明构思的实施方案的绕组数量和铁氧体芯的高度，可以实现优选的滤波效果和实现腔室底部阻抗的效果。
图3中示出的绕组的原理提供了调节由使用VNA测量的腔室的偏置阻抗的可能性。为了调节阻抗，可能需要减小偏置腔室阻抗的电阻。
参照图4，因为如果铁氧体芯710的温度升高到特定温度(例如，100摄氏度)或更高，则中断低频信号的铁氧体芯710的电阻值突然增加并且影响工艺，因此，本发明构思可以实时监视铁氧体芯710的温度，并且可以进行控制使得铁氧体芯710的温度维持在特定范围内，使得铁氧体芯710的电阻值可以恒定地维持。因此，可以最小化控制基板温度的基板温度控制单元700对工艺的影响。
图5为示出了根据本发明构思的实施方案的铁氧体芯温度控制方法的流程图。
参照图5，当铁氧体芯的温度为预设值或更高时，冷却铁氧体芯(S410)。例如，预设值可以是100摄氏度，但是本发明构思不限于此。此外，可以冷却铁氧体芯，使得铁氧体芯的温度维持在预设范围内。
根据上面已经描述的本发明构思的各种实施方案，可以防止铁氧体芯的电阻值的变化，并且可以提供稳定的工艺环境。
用于控制铁氧体芯的温度的方法可以通过程序来实施，该程序可以由计算机执行以便以应用的形式来执行，并且该程序可以被存储在计算机可读记录介质中。
计算机可读记录介质可以是易失性存储器(诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)或同步DRAM(SDRAM))、非易失性存储器(诸如只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存设备、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)或铁电RAM(FRAM))、软盘、硬盘或光学读取介质，例如，诸如CD ROM、DVD的存储介质，但是本发明构思不限于此。
根据本发明构思的各种实施方式，可以减小滤波器对工艺的影响，并且可以减小滤波器的尺寸。
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员能够从说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
值得注意的是，上述实施方案被建议用于本发明构思的理解，并且不限制本发明构思的范围，且各种可修改的实施方案也落入本发明构思的范围内。例如，可以单独地实现本发明构思的实施方案中示出的元件，并且可以将一些单独的元件彼此耦合以实现。应当理解，本发明构思的技术保护范围必须由权利要求的技术精神确定，并且本发明构思的技术保护范围不限于权利要求的词义，而是甚至达到等同的发明。

Claims (19)

1.一种基板处理装置，其包括：
腔室，在所述腔室的内部所述腔室具有用于处理基板的空间；
基板支承组件，所述基板支承组件包括支承板，所述支承板位于所述腔室中并配置为支承所述基板；
气体供应单元，所述气体供应单元配置为将气体供应到所述腔室的内部中；
等离子体生成单元，所述等离子体生成单元配置为将所述腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和
基板温度控制单元，所述基板温度控制单元配置为控制所述基板的温度，
其中，所述基板温度控制单元包括：
多个加热器，所述多个加热器安装在所述支承板的不同区域中；
电源部，所述电源部配置为向所述多个加热器供应电力；
一个铁氧体芯，所述铁氧体芯配置为中断引入至所述电源部的低频信号；和
多个空气芯，所述多个空气芯配置为中断引入至所述电源部的高频信号；
其中所述铁氧体芯设置在所述多个空气芯与所述电源部之间。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯的长度大于所述多个空气芯的长度。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯包括电感为100μH至150μH的线圈。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述基板温度控制单元还包括：
铁氧体芯温度测量部，所述铁氧体芯温度测量部配置为测量所述铁氧体芯的温度。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述基板温度控制单元还包括：
铁氧体芯冷却部，所述铁氧体芯冷却部配置为冷却所述铁氧体芯；和
铁氧体芯温度控制部，所述铁氧体芯温度控制部配置为根据所述铁氧体芯的温度来控制所述铁氧体芯冷却部。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯冷却部包括围绕所述铁氧体芯安装的多个冷却风扇。
7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯温度控制部控制所述铁氧体芯冷却部，使得所述铁氧体芯的温度维持在50摄氏度至100摄氏度的范围内。
8.一种基板处理装置，其包括：
腔室，在所述腔室的内部所述腔室具有用于处理基板的空间；
基板支承组件，所述基板支承组件包括支承板，所述支承板位于所述腔室中并配置为支承所述基板；
气体供应单元，所述气体供应单元配置为将气体供应到所述腔室的内部中；
等离子体生成单元，所述等离子体生成单元配置为将所述腔室的内部中的气体激发至等离子体状态；和
基板温度控制单元，所述基板温度控制单元配置为控制所述基板的温度，
其中，所述基板温度控制单元包括：
多个加热器，所述多个加热器安装在所述支承板的不同区域中；
多个电源部，所述多个电源部配置为分别向所述多个加热器供应电力；和
滤波电路，所述滤波电路连接在所述多个加热器与所述多个电源部之间，以及
其中，所述滤波电路包括：
第一滤波器，所述第一滤波器配置为通过使用分别连接至所述多个加热器的多个空气芯来执行滤波；和
第二滤波器，所述第二滤波器连接在所述第一滤波器与所述多个电源部之间，且配置为使用一个铁氧体芯执行滤波。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述第一滤波器中断引入至所述电源部中的高频信号，以及
其中，所述第二滤波器中断引入至所述电源部中的低频信号。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯设置在所述多个空气芯与所述多个电源部之间，且所述铁氧体芯的长度大于所述多个空气芯的长度。
11.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述基板温度控制单元还包括：
铁氧体芯温度测量部，所述铁氧体芯温度测量部配置为测量所述铁氧体芯的温度。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述基板温度控制单元还包括：
铁氧体芯冷却部，所述铁氧体芯冷却部配置为冷却所述铁氧体芯；和
铁氧体芯温度控制部，所述铁氧体芯温度控制部配置为根据所述铁氧体芯的温度来控制所述铁氧体芯冷却部。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯冷却部包括围绕所述铁氧体芯安装的多个冷却风扇。
14.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，所述铁氧体芯温度控制部控制所述铁氧体芯冷却部，使得所述铁氧体芯的温度维持在50摄氏度至100摄氏度的范围内。
15.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，设置一个所述铁氧体芯。
16.一种通过使用根据权利要求5所述的基板处理装置来控制所述铁氧体芯的温度的方法，所述方法包括：
当所述铁氧体芯的温度高于预设值时，冷却所述铁氧体芯。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述预设值为100摄氏度。
18.根据权利要求16所述的方法，其中，当所述铁氧体芯的温度高于所述预设值时，冷却所述铁氧体芯包括：
冷却所述铁氧体芯，使得所述铁氧体芯的温度维持在预设范围中。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述预设范围是在50摄氏度至100摄氏度的范围。
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