CN113658631B - 混合型uhfrfid存储器和信息存储方法 - Google Patents

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Abstract

混合型UHFRFID存储器和信息存储方法，涉及RFID技术和存储器技术。本发明的混合型UHFRFID存储器，包括现场可编程非易失存储部分，所述现场可编程非易失存储部分包含RESERVED信息区、UII信息区、TID信息区和USER信息区，其特征在于，还包括MASKROM固化存储部分，用于存储TID信息中的下述信息：（1）类别标识（2）MDID&型号（3）XTID头。本发明以MASKROM存储器存储固定信息，取消了浮空的CRC存储区，并且无需地址转换，提高了开发效率，节约了芯片面积。

Description

混合型UHFRFID存储器和信息存储方法
技术领域
本发明涉及RFID技术和存储器技术。
背景技术
在RFID芯片中，数字电路定义的地址空间与存储器定义的地址空间有功能实现上的差异。UHFRFID数据读写以word（16bit）为基本块进行。CRC是对应EPC码的校验码，一般CRC不是存储NVM中，而是根据EPC码计算得到。TID的前3word（48bit）是固定不变的。
图1是最常见现有技术，存储器地址分配和数字电路地址定义一一对应。对于CRC，数字电路特别映射处理。存储器中CRC地址对应的存储器单元和译码电路仍然存在，只是地址被数字电路映射为现场计算的CRC，NVM（非易失存储器）单元面积通常较大，这部分存储单元是无法使用的，造成了浪费。
图1的虚线框所标的TID固定数据部分，和其他部分一样使用NVM存储。因为NVM单元面积通常较大，为这部分固定数据占用NVM存储单元，也是一种浪费。
作为一种改进，图2的存储器不设置CRC的存储，通过映射电路跳过数字电路地址空间的CRC地址，指向CRC地址后的下一个地址，消除了CRC数据对应存储单元的空置浪费。但额外会需要一个地址映射电路，由于转换的地址较多，CRC节省的面积会被映射电路占用的面积抵消，收益不一定明显。同时数字地址空间和存储器地址空间错位，影响归一化的设计效果。
图2虚线框所标的TID固定数据部分，和图1相同，TID和其他部分一样使用NVM存储。
第二种改进参见图3，其对于CRC的处理如图2所述，但仅处理CRC的收益还不够地址映射电路的代价，图3于是更进一步，将TID固定数据部分也不使用NVM存储，而是通过地址映射电路，在数字电路中硬编码实现，硬编码通常占用的面积远小于NVM存储单元面积。带来问题是，地址映射电路处理多个非连续地址段的映射，面积不小，同时数字地址空间和存储器地址空间错位，影响归一化的设计效果，导致地址处理例外较多，设计比较复杂。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种占用芯片面积更小的UHFRFID存储器和信息存储方法。
本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，混合型UHFRFID存储器，包括现场可编程非易失存储部分，所述现场可编程非易失存储部分包含RESERVED信息区、UII信息区、TID信息区和USER信息区，其特征在于，还包括MASKROM固化存储部分，用于存储TID信息中的下述信息：
（1）类别标识
（2）MDID&型号
（3）XTID头。
进一步的，所述现场可编程非易失存储部分为反熔丝存储部分。现场可编程非易失存储部分中的TID信息区为TID序列号信息存储区。
现场可编程非易失存储部分仅包括下述存储区：
RESERVED信息区、UII信息区、TID序列号信息存储区和USER信息区。
本发明的UHFRFID信息存储方法包括下述步骤：
a）按照数字电路部分的地址列表设置存储器实际分配地址，
b）对存储器实际分配地址中的CRC地址采取空置操作，所述CRC地址为
存储器实际分配地址中对应于数字电路部分的地CRC校验信息地址的部分；
c）对于CRC地址以外的存储器实际分配地址，设置对应的存储区，存储区包含现场可编程非易失存储部分和MASKROM固化存储部分， RESERVED信息、UII信息、TID序列号信息和USER信息存储于现场可编程非易失存储部分，类别标识信息、MDID&型号信息和XTID头信息存储于MASKROM固化存储部分。
所述RESERVED信息包括访问密码信息和灭活密码信息。
本发明以MASKROM存储器存储固定信息，取消了浮空的CRC存储区，并且无需地址转换，提高了开发效率，节约了芯片面积。
附图说明
图1是第一种现有技术的地址——存储区对应示意图。
图2是第二种现有技术的地址——存储区对应示意图。
图3是第三种现有技术的地址——存储区对应示意图。
图4是本发明的地址——存储区对应示意图。
图5是本发明与现有技术的结构对比示意图。
图6是本发明的结构示意图。
具体实施方式
参见图4、图5和图6，本发明提供一种混合型UHFRFID存储器，包括现场可编程非易失存储部分，所述现场可编程非易失存储部分包含RESERVED信息区、UII信息区、TID信息区和USER信息区，其特征在于，还包括MASKROM固化存储部分，用于存储TID信息中的下述信息：
（1）类别标识
（2）MDID&型号
（3）XTID头。
所述现场可编程非易失存储部分为反熔丝存储部分。现场可编程非易失存储部分中的TID信息区为TID序列号信息存储区。
本发明在存储器中保留了CRC地址，但对CRC地址采取空置处理，参见图5中悬空地址线。在存储器中取消了与CRC对应的单元和译码器，即图5以虚线框示出的“删除掉的存储单元”，对于实际上不需要存储的CRC信息，也就无需在NVM中进行存储，从而减少了芯片面积。
图6的虚线框表示MASKROM存储器，用于存储TID固定数据部分，虚线框内的1和0表示存储的数据。MASKROM存储器和NVM共用行译码器和检测电路。因MASKROM占用面积极小，本发明将其用于存储固定不变的数据，相较于存储于面积较大的NVM存储器区域，进一步的减少了面积占用。
由此，数字电路地址定义和存储器实际分配完全一致，无需额外的地址映射电路，实现了设计整体的归一化，达到简洁高效的目的。

Claims (5)

1.混合型UHFRFID存储器，包括现场可编程非易失存储部分，所述现场可编程非易失存储部分包含RESERVED信息区、UII信息区、TID序列号信息存储区和USER信息区，其特征在于，还包括MASKROM固化存储部分，用于存储TID信息中的下述信息：
（1）类别标识
（2）MDID&型号
（3）XTID头。
2.如权利要求1所述的混合型UHFRFID存储器，其特征在于，所述现场可编程非易失存储部分为反熔丝存储部分。
3.如权利要求1所述的混合型UHFRFID存储器，其特征在于，MASKROM固化存储部分和现场可编程非易失存储部分设置于同一存储器阵列，共用行译码器和检测电路。
4.UHFRFID信息存储方法，其特征在于，包括下述步骤：
a）按照数字电路部分的地址列表设置存储器实际分配地址，
b）对存储器实际分配地址中的CRC地址采取空置操作，所述CRC地址为存储器实际分配地址中对应于数字电路部分的地CRC校验信息地址的部分；
c）对于CRC地址以外的存储器实际分配地址，设置对应的存储区，存储区包含现场可编程非易失存储部分和MASKROM固化存储部分， RESERVED信息、UII信息、TID序列号信息和USER信息存储于现场可编程非易失存储部分，类别标识信息、MDID&型号信息和XTID头信息存储于MASKROM固化存储部分。
5.如权利要求4所述的UHFRFID信息存储方法，其特征在于，所述RESERVED信息包括访问密码信息和灭活密码信息。
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