CN113656218A - 闪存数据重读方法、装置及计算机可读存储介质 - Google Patents

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杨慧玲
朱钦床
陈宗廷
李斌
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Abstract

本发明公开了一种闪存数据重读方法、装置及计算机可读存储介质，所述方法为在当前重读处理失败后，间隔预设时间执行新一轮重读处理。本发明通过间隔预设时间再执行新一轮重读处理，能够在不需要准确知道需要重读数据所对应的浮置栅极的物理位置，也不需要准确测量该位置的温度情况下，对该物理位置进行降温，从而提升重读数据准确性。

Description

闪存数据重读方法、装置及计算机可读存储介质
技术领域
本发明涉及闪存重读技术领域，特别涉及一种闪存数据重读方法、装置及计算机可读存储介质。
背景技术
Nand flash(闪存)是现如今广泛使用的存储产片，具有速度快，非易失等优良特性。其内部实际上以存储电荷的形式来表示数据，在实际使用过程中，由于各种内外部条件的变化会导致存储电荷数量的变化，如果这一变化累积到一定程度，以默认的读操作来访问Nand flash，很可能无法得到正确的数据。一般来说Nand flash的生产厂家会允许调整用于判决闪存单元状态的读电压，通过调整读电压来将数据正确的恢复出来，通常这个过程被称为重读。
导致Nandflash数据错误bit上升一般有以下原因：读写温度变化，例如在高低温环境的读写行为；Dataretention(数据保持)，本质上是存储在闪存单元中的电荷随时间慢慢流失；Readdisturb(读干扰)。
中国专利(申请公布号为CN105895161A)公开了一种存储装置、存储器系统及它们的操作方法，温度感测装置检测NAND闪速存储器系统的温度降低至第一阈温度水平以下，并且时钟控制单元响应于检测到温度降低至第一阈温度水平以下调整存储器存取操作的操作条件。
上述现有技术采用温度传感器检测NAND闪速并通过降温来抑制高温的变化导致NAND闪速的操作错误和/或性能的改变，但是高温影响重读数据准确性的问题并不能通过上述方法解决。
发明内容
本发明的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种闪存数据重读方法，能够解决高温影响重读数据准确性的问题。
为了实现上述目的，本发明提供技术方案：
第一方面，本发明提供一种闪存数据重读方法，所述方法包括：
在当前重读处理失败后，间隔预设时间执行新一轮重读处理。
作为进一步改进，所述预设时间的范围为20至40秒。
作为进一步改进，所述预设时间为30秒。
作为进一步改进，所述重读处理的具体流程为：
从重试表中选取一组参数并按照所述参数执行重读操作，以获取闪存数据；
根据所述闪存数据判断当前重读处理是否成功。
第二方面，本发明提供一种闪存数据重读装置，所述装置包括：
重读模块，用于在当前重读处理失败后，间隔预设时间执行新一轮重读处理。
作为进一步改进，所述预设时间的范围为20至40秒。
作为进一步改进，所述预设时间为30秒。
作为进一步改进，所述重读模块包括以下子单元：
数据获取单元，用于从重试表中选取一组参数并按照所述参数执行重读操作，以获取闪存数据；
判断单元，用于根据所述闪存数据判断当前重读处理是否成功。
第三方面，本发明提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4任一项所述的闪存数据重读方法步骤。
由于现有技术中采用温度传感器来测量闪存整体的温度，并以闪存整体的温度作为降温的依据，需要重读数据所对应的浮置栅极的温度并不能被上述现有技术准确测量。相较于现有技术，本发明提供的一种闪存数据重读方法、装置及计算机可读存储介质，所述方法为在当前重读处理失败后，间隔预设时间执行新一轮重读处理。本发明通过间隔预设时间再执行新一轮重读处理，能够在不需要准确知道需要重读数据所对应的浮置栅极的物理位置，也不需要准确测量该位置的温度情况下，对该物理位置进行降温，从而提升重读数据准确性。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步地说明；
图1为一个实施例中存储装置表面区域示意图。
图2为一个实施例中闪存数据重读方法的流程示意图。
图3为一个实施例中闪存数据重读的结构框图。
图4为一个实施例中闪存数据重读方法的实施环境图。
图5为一个实施例中存储装置的降温曲线示意图。
附图标记：
100、存储装置；200、存储控制器；300、时钟控制单元；400、计算机；210、重读模块；
具体实施方式
下面将结合本发明示例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，仍属于本发明保护的范围。
现有技术中采用温度传感器来测量存储装置100整体的温度，并以存储装置100整体的温度作为降温的依据，需要重读数据所对应的浮置栅极的温度并不能被上述现有技术准确测量。例如，如图1所示，现有技术在采用温度传感器测量存储装置100温度的时候，只测量到了存储装置100的C、D区域的温度(36℃)，并以C、D区域的温度作为存储装置100整体的温度；需要重读数据所对应的浮置栅极的物理位置为A区域，其实际为38℃。由于上述情况，导致现有技术中采用温度传感器来测量存储装置100整体的温度，并以存储装置100整体的温度作为降温的依据而提升重读数据准确性的方法失效。
基于此，本发明的实施例提供了一种闪存数据重读方法、装置及计算机400可读存储介质，所述方法为在当前重读处理失败后，间隔预设时间执行新一轮重读处理。本发明通过间隔预设时间再执行新一轮重读处理，能够在不需要准确知道需要重读数据所对应的浮置栅极的物理位置，也不需要准确测量该位置的温度情况下，对该物理位置进行降温，从而提升重读数据准确性。
如图2所示，在一个实施例中，提供了一种闪存数据重读方法，该方法包括：
步骤S100：在当前重读处理失败后，间隔预设时间执行新一轮重读处理。
具体的，所述预设时间的范围为20至40秒。根据厂家提供的信息确定需要重读数据所对应的浮置栅极的物理位置对应于图1中所示的A区域，利用温度传感器测得该区域的温度45℃，存储装置100所在空间的室温为25℃。如图5所示，在一个示例中，此时预设时间为20秒，即在当前重读处理失败后，间隔20秒(此时测得A区域的温度为40℃)再执行新一轮重读处理。在一个示例中，此时预设时间为40秒，即在当前重读处理失败后，间隔40秒(此时测得A区域的温度为31℃)再执行新一轮重读处理。优选的，预设时间可以为30秒，即在当前重读处理失败后，间隔30秒(此时测得A区域的温度为33℃)再执行新一轮重读处理。可见，为了提高重读效率，预设时间为30秒是优选的实施方式。
需要说明的是，当前重读处理为第一次重读时，新一轮重读处理为第二次重读；当前重读处理为第二次重读时，新二轮重读处理为第三次重读；以此类推。
在一个实施例中，所述重读处理的具体流程为：
步骤S201：从重试表中选取一组参数并按照所述参数执行重读操作，以获取闪存数据；
步骤S202：根据所述闪存数据判断当前重读处理是否成功。
上述的重读处理具体步骤为现有技术，此处不再赘述。
如图3所示，本发明实施例还提供了一种闪存数据重读装置，所述装置包括：
重读模块210，用于在当前重读处理失败后，间隔预设时间执行新一轮重读处理。
具体的，所述预设时间的范围为20至40秒。根据厂家提供的信息确定需要重读数据所对应的浮置栅极的物理位置对应于图1中所示的A区域，利用温度传感器测得该区域的温度45℃，存储装置100所在空间的室温为25℃。图5是在预设时间内，存储器的降温曲线图，在预设时间开始时，温度迅速下降，随后趋于稳定，接近环境温度。如图5所示，在一个示例中，此时预设时间为20秒，即在当前重读处理失败后，间隔20秒(此时测得A区域的温度为40℃)再执行新一轮重读处理。在一个示例中，此时预设时间为40秒，即在当前重读处理失败后，间隔40秒(此时测得A区域的温度为31℃)再执行新一轮重读处理。优选的，预设时间可以为30秒，即在当前重读处理失败后，间隔30秒(此时测得A区域的温度为33℃)再执行新一轮重读处理。可见，为了提高重读效率，预设时间为30秒是优选的实施方式。
进一步的，所述重读模块210包括以下子单元：
数据获取单元，用于从重试表中选取一组参数并按照所述参数执行重读操作，以获取闪存数据；
判断单元，用于根据所述闪存数据判断当前重读处理是否成功。
本实施例通过间隔预设时间再执行新一轮重读处理，能够在不需要准确知道需要重读数据所对应的浮置栅极的物理位置，也不需要准确测量该位置的温度情况下，对该物理位置进行降温，从而提升重读数据准确性。
图4是一个实施例中闪存数据重读方法的实施环境图。如图4所示，存储控制器200分别与存储装置100(NAND闪存)、计算机400相连，存储控制器200能响应计算机400的读请求从存储装置100中读取数据，并发送至计算机400。存储控制器200也可以从计算机400接收请求和数据，并能响应于写请求将数据提供至存储装置100。计算机400可根据一个或多个数据通信协议与存储控制器200进行通信。计算机400可通过多种接口协议中的至少一个与存储控制器200进行通信，所述多种接口协议诸如通用串行总线(USB)协议、通用闪存(UFS)协议、外设组件互连(PCI)协议、先进技术附件(ATA)协议、串行ATA(SATA)协议、并行ATA(PATA)协议、小计算机400小接口(SCSI)协议、增强型小磁盘接口(ESDI)协议、集成驱动器电子器件(IDE)协议、火线协议等。存储装置100和存储控制器200可与时钟控制单元300(用于产生时钟信号)的跃迁同步地交换数据。存储装置100与存储控制器200之间的数据转移(也称作输入/输出)方法可包括：单数据速率(SDR)，其中在时钟的上升跃迁或下降跃迁中输入和输出数据；双数据速率(DDR)，其中在时钟的上升跃迁和下降跃迁中输入和输出数据。存储控制器200可在读操作中与读时钟的跃迁同步地从存储装置100中读取数据，并且可在写操作中与写时钟的跃迁同步地将数据提供至存储装置100。读时钟和写时钟通常可称作操作时钟。读电压和写电压可称作操作电压，并且读操作和写操作可称作存储器存取操作。其中，预设时间可以通过时钟控制单元300来确定。
在一个实施例中，本申请提供的闪存数据重读装置可以实现为一种计算机程序的形式，计算机程序可在如图4所示的计算机400设备上运行。计算机400设备的存储器中可存储组成该闪存数据重读装置的各个程序模块，比如，图3所示的重读模块210、数据获取单元和判断单元。各个程序模块构成的计算机程序使得处理器执行本说明书中描述的本申请各个实施例的闪存数据重读方法中的步骤。
例如，图4所示的计算机400设备可以通过如图3所示的闪存数据重读装置中的重读模块210执行在当前重读处理失败后，间隔预设时间执行新一轮重读处理的步骤。通过数据获取单元执行从重试表中选取一组参数并按照所述参数执行重读操作，以获取闪存数据的步骤。通过判断单元执行根据所述闪存数据判断当前重读处理是否成功的步骤。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于使计算机执行上述闪存数据重读方法的步骤。此处闪存数据重读方法的步骤可以是上述各个实施例的闪存数据重读方法中的步骤。
此外，本发明中所使用的上、下、左、右等描述仅仅是相对于附图中本申请各组成部分的相互位置关系来说的。在本发明和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
本文及附图所描述的示例实施例不应视为限制。在不脱离本文和权利要求的范围的情况下，未详细示出或描述公知的结构和技术，已免与本发明混淆。两幅或多幅图表中相同的附图标记表示相同或类似的元件。
此外，除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与本技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例，而不是为了限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括多个相关的所列项目的任意的组合。

Claims (9)

1.一种闪存数据重读方法，其特征在于，所述方法包括：
在当前重读处理失败后，间隔预设时间执行新一轮重读处理。
2.根据权利要求1所述的闪存数据重读方法，其特征在于，所述预设时间的范围为20至40秒。
3.根据权利要求2所述的闪存数据重读方法，其特征在于，所述预设时间为30秒。
4.根据权利要求1所述的闪存数据重读方法，其特征在于，所述重读处理的具体流程为：
从重试表中选取一组参数并按照所述参数执行重读操作，以获取闪存数据；
根据所述闪存数据判断当前重读处理是否成功。
5.一种闪存数据重读装置，其特征在于，所述装置包括：
重读模块，用于在当前重读处理失败后，间隔预设时间执行新一轮重读处理。
6.根据权利要求5所述的闪存数据重读装置，其特征在于，所述预设时间的范围为20至40秒。
7.根据权利要求6所述的闪存数据重读装置，其特征在于，所述预设时间为30秒。
8.根据权利要求5所述的闪存数据重读装置，其特征在于，所述重读模块包括以下子单元：
数据获取单元，用于从重试表中选取一组参数并按照所述参数执行重读操作，以获取闪存数据；
判断单元，用于根据所述闪存数据判断当前重读处理是否成功。
9.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4任一项所述的闪存数据重读方法步骤。
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