CN113655362A - 测试电路 - Google Patents

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CN113655362A
CN113655362A CN202110978586.9A CN202110978586A CN113655362A CN 113655362 A CN113655362 A CN 113655362A CN 202110978586 A CN202110978586 A CN 202110978586A CN 113655362 A CN113655362 A CN 113655362A
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李鑫
葛征良
刘家才
罗鹏
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Chengdu Nitrosil Technology Co ltd
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Chengdu Nitrosil Technology Co ltd
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607Circuits therefor
    • G01R31/2621Circuits therefor for testing field effect transistors, i.e. FET's

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Abstract

本申请公开一种测试电路,该测试电路包括:主模块,包括第一开关管,用于对第一开关管的性能进行测试;保护模块,与主模块连接,保护模块包括电流检测电路和第二开关管,当主模块的电流大于电流检测电路的预设电流阈值时,保护模块工作,通过控制第二开关管断开对主模块进行过流保护。当待测的第一开关管为不良品时,本申请可以避免测试电路短路,从而提高测试效率和降低测试成本。

Description

测试电路
技术领域
本申请涉及电子电力技术领域,具体涉及一种测试电路。
背景技术
自氮化镓(GaN)金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,MOSFET,MOS)兴起,GaN多应用在高频高效率的开关电源中,在对GaN MOS进行验证的过程中,会出现因GaN MOS为不良品,导致电路短路,造成测试板烧毁,不仅影响研发过程中的测试进度,还要重新更换新的测试板,导致成本增加。
发明内容
鉴于此,本申请提供一种测试电路,以改善现有测试电路在待测的开关管为不良品时易导致测试电路短路的问题。
本申请提供一种测试电路,该测试电路包括:
主模块,包括第一开关管,用于对第一开关管的性能进行测试;
保护模块,与主模块连接,保护模块包括电流检测电路和第二开关管,当主模块的电流大于电流检测电路的预设电流阈值时,保护模块工作,通过控制第二开关管断开对主模块进行过流保护。
在一些实施例中,电流检测电路包括电流互感器、第一二极管和第一电阻,电流互感器的一次绕组与第二开关管连接,电流互感器的二次绕组通过第一二极管与第一电阻连接。
在一些实施例中,保护模块还包括比较自锁电路,比较自锁电路包括电压比较器、第二电阻和第二二极管,电压比较器的一个输入端与电流检测电路连接,电压比较器的输出端依次通过第二电阻和第二二极管与电压比较器的一个输入端连接。
在一些实施例中,当电压比较器的一个输入端的电压大于电压比较器的另一个输入端的基准电压时,电压比较器的输出端的电压进行电平翻转。
在一些实施例中,保护模块还包括反相电路,反相电路包括第三电阻、第三开关管和第四电阻,第三电阻的一端与比较自锁电路连接,第三电阻的另一端通过第三开关管与第四电阻连接。
在一些实施例中,保护模块还包括驱动模块和第五电阻,反相电路依次通过驱动模块和第五电阻与第二开关管连接。
在一些实施例中,保护模块还包括复位开关,复位开关与比较自锁电路连接,用于复位。
在一些实施例中,保护模块还包括第三二极管,第三二极管与复位开关并联,用于进行过压保护。
在一些实施例中,保护模块还包括第一指示灯和/或第二指示灯,第一指示灯和第二指示灯均与比较自锁电路连接。
在一些实施例中,主模块还包括变压器和第一电容,变压器的初级线圈的一端通过保护模块与第一电容连接,变压器的初级线圈的另一端与第一开关管连接。
本申请的上述测试电路中,通过在用于测试开关管的主模块中设置保护模块,保护模块包括电流检测电路和第二开关管,当主模块的电流大于电流检测电路的预设电流阈值时,保护模块工作,使该第二开关管断开,当第二开关管处于断开状态时,保护模块处于断路状态,则整个测试电路处于断路状态,因此测试电路的电流小于电流检测电路201的预设电流阈值,从而对主模块起到过流保护。因此,当待测的第一开关管为不良品时,可以避免测试电路短路,从而提高测试效率和降低测试成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中的一种测试板电路的电路结构示意图;
图2是本申请实施例提供的一种测试电路的电路结构示意图;
图3是图2中的保护模块的电路结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚描述,在不冲突的情况下,下述各个实施例及其技术特征可以相互组合。
在现有的测试电路中,在对开关管(如GaN MOS)进行验证的过程中,常有如下情况发生。当开关管为不良品时,会导致测试电路短路,造成测试板烧毁。具体地,如图1所示,是现有技术中的一种测试板电路的电路结构示意图,当待测的开关管Q1为不良品时,流经变压器T1的初级线圈的电流会瞬间急剧上升,导致测试板电路短路,造成测试板烧毁。这不仅影响测试进度,还要重新更换新的测试板,导致测试成本增加。
为了解决现有技术中存在的上述问题或类似问题,本申请实施例提供一种测试电路。该测试电路可包括主模块和保护模块,主模块用于测试开关管,保护模块用于防止待测的开关管出现不良品时造成电路短路。具体地,请参阅图2,是本申请实施例提供的一种测试电路的电路结构示意图。图2的测试电路包括:主模块100和保护模块200,主模块100包括第一开关管Q21,主模块100用于对第一开关管Q21的性能进行测试。请一并参阅图3,图3是图2中的保护模块200的电路结构示意图。保护模块200与主模块100连接,保护模块200包括电流检测电路201和第二开关管Q22,当主模块100的电流大于电流检测电路201的预设电流阈值时,保护模块200工作,通过控制第二开关管Q22断开对主模块100进行过流保护。
具体地,本实施例的测试电路中,由于在主模块100中设置保护模块200,保护模块200包括电流检测电路201和第二开关管Q22,当主模块100的电流大于电流检测电路201的预设电流阈值时,保护模块200开始工作,通过控制第二开关管Q22,使该第二开关管Q22断开,当第二开关管Q22处于断开状态时,保护模块200处于断路状态,则整个测试电路处于断路状态,因此测试电路的电流小于电流检测电路201的预设电流阈值,从而对主模块100起到过流保护。因此,当主模块100中的待测的第一开关管Q21为不良品时,本实施例的保护模块200能够避免测试电路短路,从而提高测试效率和降低测试成本。
在一些实施例中,保护模块200与主模块100串接,主模块100的一端与保护模块200的电压输入端Vin连接,主模块100的另一端与保护模块200的电压输出端Vout连接,保护模块200的电压输入端Vin与电流检测电路201的第一端连接,电流检测电路201的第二端与第二开关管Q22的第二端连接,电流检测电路201的第三端与第二开关管Q22的第一端连接,第二开关管Q22的第三端与保护模块200的电压输出端连接。保护模块200串接在主模块100中,当主模块100的电流大于电流检测电路201的预设电流阈值时,保护模块200开始工作,通过控制第二开关管Q22,使该第二开关管Q22断开,当第二开关管Q22处于断开状态时,保护模块200处于断路状态,主模块100也断路,从而实现对主模块100的过流保护。
进一步的,在一些实施例中,保护模块200的电压输入端Vin与第一开关管Q21的第三端连接,保护模块200的电压输出端Vout与第一开关管Q21的第二端连接。如此,通过第一开关管Q21的导通和关断来实现对主模块100次级线圈一侧输出电压的调整,而当主模块100的电流大于电流检测电路201的预设电流阈值时,保护模块200开始工作,能够通过控制保护模块200中的第二开关管Q22断开使保护模块200断路,以使整个测试电路断路,从而实现对主模块100的过流保护。
进一步的,在一些实施例中,第一开关管Q21可为第一MOS管,第一开关管Q21的第一端为第一MOS管的栅极,第一开关管Q21的第二端为第一MOS管的漏极,第一开关管Q21的第三端为第一MOS管的源极。示例性的,第一开关管Q21可以为氮化镓(GaN)MOS管SiC MOS或硅MOS管。
第二开关管Q22可以为第二MOS管,第二开关管Q22的第一端为第二MOS管的栅极,第二开关管Q22的第二端为第二MOS管的漏极,第二开关管Q22的第三端为第二MOS管的源极。进一步地,第二开关管Q22可以为高压高速的硅MOS管。第二开关管Q22在保护模块200中作为开关使用,而硅MOS管的开关速度快,当主模块100的电流大于电流检测电路201的预设电流阈值时,硅MOS管能够快速断开,从而快速使保护模块200断路,以快速实现对主模块100的过流保护,及时做到过流保护。
在一些实施例中,电流检测电路201包括电流互感器CT、第一二极管D21和第一电阻R21,电流互感器CT的一次绕组与第二开关管Q22连接,电流互感器CT的二次绕组通过第一二极管D21与第一电阻R21连接。通过在电流检测电路201中设置电流互感器CT、第一二极管D21和第一电阻R21,当第一开关管Q21损坏(即为非良品)时,流经主模块100的电流Iin会瞬间急剧上升,此时,电流互感器CT会将主模块100急剧上升的电流Iin信号经设定比例(如Iout/Iin=1:150)感应出较小的电流Iout信号,为保护模块200提供一个大小合适的工作电流。设置的第一电阻R21将流经第一二极管D21的电流Iout信号转变为电压Vout1信号,
Figure BDA0003227435260000061
进一步的,在一些实施例中,电流互感器CT的二次绕组的一端与第一二极管D21的第一端连接,第一二极管D21的第二端与第一电阻R21的一端连接,第一电阻R21的另一端和第一二极管D21的第三端均与电流互感器CT的二次绕组的另一端连接。
进一步的,第一二极管D21可以为两个内部串联的高速开关二极管,第一二极管D21的第一端为两个高速开关二极管相连的一端,第一二极管D21的第二端为一个高速开关二极管的阴极,第一二极管D21的第三端为另一个高速开关二极管的阳极。
在一些实施例中,电流检测电路201还包括第六电阻R26,第六电阻R26的一端与第一二极管D21的第三端连接,第六电阻R26的另一端与电流互感器CT的二次绕组的另一端连接。当电流逆向时,第六电阻R26可以防止第一二极管D21烧坏,起到电流泄放的作用。进一步的,电流互感器CT的二次绕组的另一端接地。
在一些实施例中,保护模块200还包括比较自锁电路202,比较自锁电路202与电流检测电路201连接,比较自锁电路202包括电压比较器U1、第二电阻R22和第二二极管D22,电压比较器U1的一个输入端1与电流检测电路201连接,电压比较器U1的输出端3依次通过第二电阻R22和第二二极管D22与电压比较器U1的一个输入端1连接。通过在保护模块200中设置比较自锁电路202,当电流检测电路201将电压Vout1输入到电压比较器U1的一个输入端1,电压比较器U1将该输入电压与另一输入端2输入的基准电压Vref进行比较,当电压比较器U1的一个输入端1的电压大于基准电压Vref时,电压比较器U1输出高电平,反之,当电压比较器U1的一个输入端1的电压小于基准电压Vref时,电压比较器U1输出低电平。另外,电压比较器U1的输出端3输出的电压经第二电阻R22和第二二极管D22会再加载在电压比较器U1的一个输入端1,如此不管电压比较器U1的前一级(如电流检测电路201)Vout1提供多少电压,电压比较器U1的一个输入端1的电压均能保持在一个定值电压(如5V),则电压比较器U1的输出端3会自动锁存在一种高电平进行输出。
进一步的,在一些实施例中,第二二极管D22的阳极与第二电阻R22的一端连接,第二二极管D22的阴极与电压比较器U1的一个输入端1连接。
在一些实施例中,当电压比较器U1的一个输入端1的电压大于电压比较器U1的另一个输入端2的基准电压时,电压比较器U1的输出端3的电压进行电平翻转。示例性的,当电压比较器U1检测到加载在其一个输入端1电压高于其另一个输入端2输入的基准电压Vref(例如,Vref=3.2V),则电压比较器U1的输出迅速由低电平翻转为高电平,输出+5V电压,输出+5V电压经第二电阻R22和第二二极管D22再加载在电压比较器U1的一个输入端1;此时不管电压比较器U1的前一级提供多少电压,电压比较器U1的一个输入端1的电压保持在+5V,输出自动锁存在高电平。
可选的,在一些实施例中,电压比较器U1可为高速比较器,例如,高速比较器的型号可为但不限于LMV7239。高速比较器的处理速度快,例如,高速比较器的处理速度可以达到纳秒级,这样可以快速实现电压比较器U1的输出端3的电压的电平翻转,从而能够提高比较自锁电路的工作效率。
进一步的,电压比较器U1的一个输入端1可为同相输入端IN+,电压比较器U1的另一个输入端2可为反相输入端IN-。
更进一步的,电压比较器U1还具有电源端5和接地端4,电源端5用于连接电源电压,接地端4用于接地。示例性的,电压比较器U1的电源端5可连接电源电压(例如+5V),电压比较器U1的接地端4可接地(GND)。
在一些实施例中,保护模块200还包括反相电路203,与比较自锁电路202连接,反相电路203包括第三电阻R23、第三开关管Q23和第四电阻R24,第三电阻R23的一端与比较自锁电路202连接,第三电阻R23的另一端通过第三开关管Q23与第四电阻R24连接。通过在保护模块200中设置反相电路203,比较自锁电路202中的电压比较器U1的输出端3输出的高电平通过反相电路203中的第三电阻R23加载到第三开关管Q23,则第三开关管Q23导通,如此可将与其连接的第三开关管Q23的第四电阻R24的电压拉低到低电平,从而为保护模块200中的反相电路203的后级提供正常运行所需的低电平。
在一些实施例中,第三电阻R23的另一端与第三开关管Q23的第一端连接,第三开关管Q23的第二端与第四电阻R24的一端连接,第三开关管Q23的第三端接地。进一步的,在一些实施例中,第三开关管Q23可为第三MOS管,第三开关管Q23的第一端为第三MOS管的栅极,第三开关管Q23的第二端为第三MOS管的漏极,第三开关管Q23的第三端为第三MOS管的源极。如此,当电压比较器U1的输出端3输出的高电平通过第三电阻R23加载到第三MOS管的第一端(如栅极)时,第三MOS管导通,能够将第四电阻R24的电压拉到低电平,从而为反相电路203的后级提供正常运行所需的低电平。示例性的,第三MOS管可为硅MOS管。
进一步的,在一些实施例中,反相电路203还可包括第七电阻R27和第八电阻R28,第七电阻R27的一端与第三开关管Q23的第一端连接,第七电阻R27的另一端接地,第八电阻R28的一端与第三开关管Q23的第二端连接,第八电阻R28的另一端接高电平电压(例如+12V)。
如此,当待测的第一开关管Q21为良品时,主模块100的电流会随着第一开关管Q21的开通或关断有规律的上升或下降,则电流检测电路201检测到的电流不会达到其设定的预设电流值,从而电压比较器U1的一个输入端1的电压不会超过其另一输入端2的基准电压Vref(例如Vref=3.2V),则电压比较器U1的输出端3保持低电平输出,电压比较器U1的输出端3输出的低电平经第三电阻R23加载在第三开关管Q23的第一端(如栅极),第三开关管Q23保持关断,反相电路203能够输出一个高电平电压(例如+12V),该高电平电压通过驱动模块204加载在第二开关管Q22的第一端(如栅极),使第二开关管Q22处于导通状态,则保护模块200不进行保护动作。
第三开关管Q23的第一端(如栅极)和第三端(如源极)之间存在很大的电阻,少量的静电就能使第三开关管Q23的第一端与第三端间的等效电容两端产生很高的电压,若不及时把这些少量的静电释放掉,两端的高压就有可能使第三开关管Q23产生误动作,甚至有可能击穿第三开关管Q23的第一端至第三端。而通过在第三开关管Q23的第一端与第三端间并联第七电阻R27,能够将上述的静电释放掉,从而起到保护第三开关管Q23的作用。此外,通过在第三开关管Q23的第一端与第三端间并联第七电阻R27,能够为第三开关管Q23提供偏置电压。
在一些实施例中,保护模块200还包括驱动模块204和第五电阻R25,反相电路203依次通过驱动模块204和第五电阻R25与第二开关管Q22连接。通过在保护模块200中设置驱动模块204、第五电阻R25与第二开关管Q22,当反相电路203提供的低电平信号输入到驱动模块204,驱动模块204也输出一个低电平,输出的低电平通过第五电阻R25加载在第二开关管Q22上,第二开关管Q22由导通变为断开,则保护模块200断路,从而使整个测试电路断路,进而实现对主模块100的过流保护。
在一些实施例中,驱动模块204的输入端与反相电路203的输出端连接,驱动模块204的输出端与第五电阻R25的一端连接,第五电阻R25的另一端与第二开关管Q22的第一端连接。
进一步的,在一些实施例中,驱动模块204可包括驱动芯片U2,驱动模块204的输入端为驱动芯片U2的第一输入端INA,驱动模块204的输出端为驱动芯片U2的第一输出端OUTA。驱动芯片U2的还可具有第二输入端INB、第二输出端OUTB、两个NC引脚、VCC引脚和GND引脚;VCC引脚接供电电压(例如+12V),GND引脚接地。驱动芯片U2具有集成化高的特点,采用驱动芯片U2可以简化电路设计,从而减小测试电路的体积。示例性的,驱动芯片U2的型号可为但不限于UCC27324。
在一些实施例中,保护模块200还包括复位开关S,复位开关S与比较自锁电路202连接,用于复位。当一颗非良品的第一开关管Q21的验证结束,进行下一颗待测的第一开关管Q21验证时,比较自锁电路202中的电压比较器U1会将其一个输入端1锁存在高电平;通过在保护模块200中设置复位开关S,复位开关S与比较自锁电路202连接,可以对实现对电压比较器U1的一个输入端1锁存的高电平释放(即复位),使电压比较器U1的一个输入端1恢复至待加载电压的状态,并对其上加载的电压进行重新检测,从而使比较自锁电路202重新开始工作。
可选的,在一些实施例中,复位开关S可为手动复位开关。进一步的,复位开关S的一端可接地。示例性的,在进行下一颗第一开关管Q21验证时,因为之前的第一开关管Q21为不良品,电压比较器U1将一个输入端1锁存在高电平,此时测试人员只需要按下手动复位开关,将电压比较器U1的一个输入端1与地连接,即可成功复位电压比较器U1的一个输入端1。
在一些实施例中,保护模块200还包括第三二极管D23,第三二极管D23与复位开关S连接,用于进行过压保护。通过在保护模块200中设置第三二极管D23,使第三二极管D23与复位开关S连接,可以限制输入到电压比较器U1的一个输入端1的电压不会超过第三二极管D23上设定的上限电压,从而对电压比较器U1起到过压保护作用。可选的,第三二极管23可为瞬态二极管(Transient Voltage Suppressors,TVS),例如瞬态二极管可为双向瞬态二极管。示例性的,TVS的设定上限电压可为5.1V;这时可以将电压比较器U1的一个输入端1的电压最大值限制在5.1V。
在一些实施例中,保护模块200还包括第一指示灯L1和/或第二指示灯L2,第一指示灯L1和第二指示灯L2均与比较自锁电路202连接。可选的,第一指示灯L1用于指示第一开关管Q21是否良品。具体的,通过在保护模块200中设置与比较自锁电路202连接的第一指示灯L1,在对待测的第一开关管Q21是否良品的验证时,可以通过第一指示灯L1的指示标记直观的判断出第一开关管Q21的是否良品,有利于提高测试效率,为测试提供方便。进一步的,第一指示灯L1可为红色指示灯,例如红色LED灯。
第一指示灯L1为红色指示灯时,其指示第一开关管Q21是否良品工作原理如下:当主模块100中的第一开关管Q21损坏时,则主模块100中的电流会急剧上升,保护模块200中的电流检测电路201检测到的电流大于其预设电流阈值,则保护模块200开始工作,电流检测电路201加载到电压比较器U1的一个输入端1的电压会超过其另一个输入端2的基准电压(如3.2V),电压比较器U1的输出端3的输出迅速由低电平翻转为高电平,此时红色指示灯亮。当主模块100中的第一开关管Q21是良品时,则主模块100中的电流会随着第一开关管Q21的开通或关断有规律的上升或下降,保护模块200中的电流检测电路201检测到的电流不会达到其预设电流阈值,电压比较器U1的一个输入端1的电压不会超过反向输入端的3.2V基准电压,电压比较器U1的输出端3保持低电平输出,红色指示灯不亮。
可选的,第二指示灯L2用于指示保护模块200是否有供电。具体的,当保护模块接入主模块电路中,第二指示灯L2亮,可以指示保护模块200是否有供电。进一步的,第二指示灯L2可为绿色指示灯,例如绿色LED灯。示例性的,第二指示灯L2为绿色指示灯时,其指示保护模块200是否有供电的工作原理如下:当给保护模块200供电时,绿色指示灯亮;当给保护模块200断电时,绿色指示灯不亮。
在一些实施例中,第一指示灯L1的正极与电压比较器U1的输出端连接,第一指示灯L1的负极接地,第二指示灯L2的正极与电压比较器U1的电源端5连接,第二指示灯L2负极接地。
在一些实施例中,保护模块200还可包括第九电阻R29、第十电阻R30和第四二极管D24,第九电阻R29的一端与驱动模块204的输出端连接,第九电阻R29的另一端与第二开关管Q22的第一端连接,第十电阻R30的一端连接在与第二开关管Q22的第一端与第九电阻R29另一端之间,第十电阻R30的另一端分别接地、保护模块200的电压输出端Vout和第二开关管Q22的第三端,第四二极管D24的阴极与第五电阻R25连接,第四二极管D24的阳极连接在第十电阻R30的一端与第九电阻R29的另一端之间。
当第一开关管Q21为良品时,反相电路203输出的高电平电压(例如+12V),高电平电压通过第四电阻R24作用在驱动模块204的第一输入端INA,驱动模块204的第一输出端OUTA输出高电平电压通过设置第九电阻R29加载在第二开关管Q22的第一端如(栅极),则第二开关管Q22处于导通状态,保护模块200不进行保护动作。
通过在第二开关管Q22的第一端(如栅极)与第三端(源极)间设置第十电阻R30,能够及时释放第二开关管Q22上可能存在的静电,防止第二开关管Q22(第一端与第三端间存在很大电阻)的第一端与第三端间的等效电容两端产生很高的电压导致第二开关管Q22产生误动作,或第二开关管Q22的第一端与第三端被击穿。此外,通过在第二开关管Q22的第一端与第三端间并联第十电阻R30,能够为第二开关管Q22提供偏置电压。功率稍大的开关管(如MOS管)的第一端与第三端间存在一个的结电容(例如20PF),由于开关管是电压控制元件,此结电容的存在必然会对开关管的高频特性有很大的影响。因此,通过在第二开关管Q22的第一端与第五电阻R25之间串接第四二极管D24,可以在驱动信号(如脉冲驱动信号)的下降沿为第一端与第三端间的结电容(如栅-源结电容)提供一个泄压通道,改善第二开关管的高频特性,能使高频方波脉冲信号的下降沿保持陡峭的波形。
在一些实施例中,保护模块200还可包括第十一电阻R31和第十二电阻R32,第十一电阻R31的一端接电压比较器U1的输出端和Ocp(Over current protection,过电流保护)电路,第十一电阻R31的另一端与第一指示灯L1的正极连接,第十二电阻R32的一端和电压比较器U1的电源端5连接,并连接电源电压(例如+5V),第十二电阻R32的另一端与第二指示灯L2的正极连接。通过设置与第一指示灯L1串接的第十一电阻R31,能够对流经第一指示灯L1的电流的大小起到限制作用,避免第一指示灯L1因电流过大被烧坏。通过在给第二指示灯L2串接十二电阻R32,十二电阻R32能够对流经第二指示灯L2的电流的大小起到限制作用,避免第二指示灯L2因电流过大被烧坏。
在一些实施例中,保护模块200还可包括第五二极管D25,第五二极管D25的一端与电流检测电路201连接,第五二极管D25的另一端与比较自锁电路202连接。进一步的,第五二极管D25的阳极与电流检测电路201的第三端连接,第五二极管D25的阴极分别与电压比较器U1的一个输入端1连接。更进一步,第五二极管D25的阴极还分别与第三二极管D23的阴极和复位开关的一端连接。通过在电流检测电路201和比较自锁电路202之间设置第五二极管D25,可以防止电压倒灌。
应当理解的是,主模块100可为但不限于反激电路或其它开关电源电路。可选的,反激电路可为反激开关电路;例如,反激开关电路可为反激谐振开关电路;通过第一开关管Q21的导通和断开来实现对电压的调整。也就是说,保护模块200不仅可连接在反激开关电路中对其进行保护,还可连接在其它开关电源电路中对其它开关电源电路起到保护作用。
在一些实施例中,主模块100还可包括变压器T2和第一电容C21,变压器T2的初级线圈的一端通过保护模块200与第一电容C21连接,变压器T2的初级线圈的另一端与第一开关管Q21连接。通过在主模块100设置变压器T2,可以调节主模块100的输出电压,使主模块100输出稳定的电压。通过设置第一电容C21,对要加载在保护模块200的电压具有滤波作用,消除干扰,从而平缓加载在保护模块200的电压突变。
进一步的,变压器T2的初级线圈的一端与第一电容C21的正极连接,第一电容C21的负极与第一开关管Q21的第三端连接,变压器T2的初级线圈的与第一开关管Q21的第二端连接,第一开关管Q21的第一端可连接控制电压。例如,控制电压可为采用脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation,PWM)信号控制的电压。
在一些实施例中,主模块100还可包括电源Ud2,电源Ud2与第一电容C21并联。可选的,电源Ud2的正极和第一电容C21的正极均与保护模块200的电压输入端Vin连接,电源Ud2的负极和第一电容C21的负极均与第一开关管Q21的第三端连接,还均接地。
在一些实施例中,主模块100还可包括第六二极管D26、第二电容C22和第十三电阻R33,变压器T2的次级线圈的一端与第六二极管D26的阳极连接,第六二极管D26的阴极分别和第二电容C22的一端和第十三电阻的一端连接,变压器T2的次级线圈的另一端分别与第二电容C22的另一端和第十三电阻R33的另一端连接。
可选的,第六二极管D26可为快恢复整流二极管。通过在变压器T2的次级线圈的一侧设置第六二极管D26,可将变压器T2的次级线圈的交流电压整流变成直流电压。
第二电容C22用来滤波,抑制电压尖峰,第十三电阻R33用来消耗能量。在第十三电阻R33和第二电容C22并联后再串联第六二极管D26,为了防止第二电容C22上吸收的能量反向对其寄生电感充电而产生谐振,因此可以有效抑制电压的振荡。这部分能量也会通过第二电容C22两端的第十三电阻R33放电,将能量消耗在第十三电阻R33上。
尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本申请,但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本申请包括所有这样的修改和变型,并且仅由所附权利要求的范围限制。
即,以上所述仅为本申请的实施例,并非因此限制本申请的专利范围,凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,例如各实施例之间技术特征的相互结合,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本申请的专利保护范围内。
另外,对于特性相同或相似的结构元件,本申请可采用相同或者不相同的标号进行标识。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。

Claims (10)

1.一种测试电路,其特征在于,包括:
主模块,包括第一开关管,用于对所述第一开关管的性能进行测试;
保护模块,与所述主模块连接,所述保护模块包括电流检测电路和第二开关管,当所述主模块的电流大于所述电流检测电路的预设电流阈值时,所述保护模块工作,通过控制所述第二开关管断开对所述主模块进行过流保护。
2.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述电流检测电路包括电流互感器、第一二极管和第一电阻,所述电流互感器的一次绕组与所述第二开关管连接,所述电流互感器的二次绕组通过所述第一二极管与所述第一电阻连接。
3.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述保护模块还包括比较自锁电路,所述比较自锁电路包括电压比较器、第二电阻和第二二极管,所述电压比较器的一个输入端与所述电流检测电路连接,所述电压比较器的输出端依次通过所述第二电阻和第二二极管与所述电压比较器的一个输入端连接。
4.根据权利要求3所述的测试电路,其特征在于,当所述电压比较器的一个输入端的电压大于所述电压比较器的另一个输入端的基准电压时,所述电压比较器的输出端的电压进行电平翻转。
5.根据权利要求3所述的测试电路,其特征在于,所述保护模块还包括反相电路,所述反相电路包括第三电阻、第三开关管和第四电阻,所述第三电阻的一端与所述比较自锁电路连接,所述第三电阻的另一端通过所述第三开关管与所述第四电阻连接。
6.根据权利要求5所述的测试电路,其特征在于,所述保护模块还包括驱动模块和第五电阻,所述反相电路依次通过所述驱动模块和第五电阻与所述第二开关管连接。
7.根据权利要求3所述的测试电路,其特征在于,所述保护模块还包括复位开关,所述复位开关与所述比较自锁电路连接,用于复位。
8.根据权利要求7所述的测试电路,其特征在于,所述保护模块还包括第三二极管,所述第三二极管与所述复位开关并联,用于进行过压保护。
9.根据权利要求3所述的测试电路,其特征在于,所述保护模块还包括第一指示灯和/或第二指示灯,所述第一指示灯和第二指示灯均与所述比较自锁电路连接。
10.根据权利要求1所述的测试电路,其特征在于,所述主模块还包括变压器和第一电容,所述变压器的初级线圈的一端通过所述保护模块与所述第一电容连接,所述变压器的初级线圈的另一端与所述第一开关管连接。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN114264937A (zh) * 2021-12-28 2022-04-01 厦门市三安集成电路有限公司 一种半导体器件测试电路及系统
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