CN113654657A - 一种光电检测电路及其驱动方法、光电传感器 - Google Patents

一种光电检测电路及其驱动方法、光电传感器 Download PDF

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CN113654657A CN202110918853.3A CN202110918853A CN113654657A CN 113654657 A CN113654657 A CN 113654657A CN 202110918853 A CN202110918853 A CN 202110918853A CN 113654657 A CN113654657 A CN 113654657A
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Abstract

本公开提供了一种光电检测电路及其驱动方法、光电传感器,该电路包括:感光元件、源跟随晶体管以及补偿电路;其中,补偿电路与感光元件的第一极、源跟随晶体管的第二极、源跟随晶体管的栅极、第一控制端以及第二控制端连接,源跟随晶体管的第一极与工作电压连接;补偿电路被配置为:在第一控制端和第二控制端的控制下,获取源跟随晶体管的阈值电压,并根据工作电压和阈值电压,形成补偿电压输入至源跟随晶体管的栅极。本公开通过在光电检测电路中设置补偿电路,并通过补偿电路对源跟随晶体管的阈值电压进行补偿,以消除源跟随晶体管的阈值电压对输出电流的影响,实现光电电测电路的检测均一性和准确性的提升。

Description

一种光电检测电路及其驱动方法、光电传感器
技术领域
本公开涉及光电图像传感器设计及制造领域,特别涉及一种光电检测电路及其驱动方法、光电传感器。
背景技术
有源像素传感器(Active Pixel Sensor,APS)主要用于将光学信号转换成电信号。目前常用的像素电路结构如图1所示,主要包括光电二极管(Pinned-Photodiode,PPD)传输管MTX、复位管MRST、源极跟随器MSF以及行选通管MSEL组成。传输管可以有效降低像素的热噪声与暗电流,源极跟随器起到一个放大的作用,可以将光电二极管产生的电流放大后输出。图2为图1所示像素电路的工作时序图,其主要分为复位阶段、积分阶段以及转移阶段;以图1中所示的晶体管均为N型晶体管为例,在复位阶段,复位信号RST=1、TX=1,复位管以及传输管导通,FD点完成复位,PPD发生箝位,为手机光生电荷做准备;在积分阶段,RST=0,TX=0,复位管以及传输管关断,光生电荷被PPD收集,SEL=1,即行选通管打开,FD点的复位信号通过源极跟随器输出到列线上,即复位阶段的像素输出电压;在转移阶段,RST=0,TX=1,SEL=1,传输管导通,PPD累积的光生电荷被转移到FD点,电荷信号转换为输出的电流和电压,FD点的电压(积分阶段的电压)再次通过源极跟随器输出到列线上,进而可以被像素结构外围的信号放大及运算模块进行放大及运算,因此,通过测量源极跟随器输出的电流大小即可得出光电二极管感测到的光照强度。
在实际使用过程中,源极跟随器的输出端电流跟随FD点电压的变化而变化,然而由于制作工艺以及长时间的使用,造成多个晶体管器件或TFT之间的体效应和面内均一性的不同,导致不同像素结构输出的电压或者电流之间存在差异,同时,源极跟随器的阈值电压也会发生漂移现象,这些现象均会严重影响检测结果的准确性。
发明内容
本公开实施例的目的在于提供一种光电检测电路及其驱动方法、光电传感器,用以解决现有技术中多个源极跟随器的阈值电压不同导致检测结果不准确的问题。
本公开的实施例采用如下技术方案:一种光电检测电路,包括:感光元件、源跟随晶体管以及补偿电路;其中,所述补偿电路与所述感光元件的第一极、所述源跟随晶体管的第二极、所述源跟随晶体管的栅极、第一控制端以及第二控制端连接,所述源跟随晶体管的第一极与工作电压连接;所述补偿电路被配置为:在所述第一控制端和所述第二控制端的控制下,获取所述源跟随晶体管的阈值电压,并根据所述工作电压和所述阈值电压,形成补偿电压输入至所述源跟随晶体管的栅极。
在一些实施例中,所述补偿电路至少包括:第一晶体管、第二晶体管、第四晶体管以及第一电容;其中,所述第一晶体管的第一极与所述感光元件的第一极连接,所述第一晶体管的第二极与所述第四晶体管的第二极以及所述第一电容的第一极连接,所述第一晶体管的栅极与所述第一控制端连接,所述第四晶体管的第一极与所述工作电压连接,所述第四晶体管的第二极与所述第二控制端连接,所述第一电容的第二极与所述源跟随晶体管的栅极以及所述第二晶体管的第二极连接,所述第二晶体管的第一极与所述源跟随晶体管的第二极连接,所述第二晶体管的栅极与所述第一控制端连接。
在一些实施例中,在所述第一控制端输入有效电平,并且所述第二控制端输入无效电平时,所述补偿电路向所述源跟随晶体管的栅极输入所述补偿电压;在所述第一控制端输入无效电平,并且所述第二控制端输入有效电平时,所述第一电容的第一极上所施加的电压由所述感光元件输出的光感电压调整为所述工作电压,所述源跟随晶体管的栅极上所施加的电压根据所述第一电容的第一极上的电压调整幅度进行调整,使所述源跟随晶体管的第二极输出的感应电流基于所述感光元件输出的光感电压的大小进行调整。
在一些实施例中,还包括:行选通管,所述行选通管的第一极与所述源跟随晶体管的第二极连接,所述行选通管的栅极与所述第二控制端连接,所述行选通管的第二极用于输出所述源跟随晶体管输出的检测电流。
在一些实施例中,还包括:复位电路;所述复位电路与所述感光元件、所述补偿电路、第一复位电压端、第二复位电压端以及第三控制端连接;所述复位电路被配置为根据所述第三控制端、所述第一复位电压端以及所述第二复位电压端的控制对所述感光元件以及所述补偿电路进行复位。
在一些实施例中,所述复位电路至少包括:第六晶体管、第七晶体管以及第八晶体管;其中,所述第六晶体管的第一极与所述第一复位电压端连接,所述第六晶体管的第二极与所述第一电容的第一极连接,所述第六晶体管的栅极与所述第三控制端连接,所述第七晶体管的第一极与所述感光元件的第一极连接,所述第七晶体管的第二极与所述第一复位电压端连接,所述七晶体管的栅极与所述第三控制端连接,所述第八晶体管的第一极与所述第二复位电压端连接,所述第八晶体管的第二极与所述第一电容的第二极连接,所述第八晶体管的栅极与所述第三控制端连接。
本公开的实施例还提供了一种如上述的光电检测电路的驱动方法,包括:第一阶段:第一控制端和第二控制端均输入无效电平,感光元件进行光电荷收集;第二阶段:所述第一控制端输入有效电平,所述第二控制端输入无效电平,所述感光元件输出光感电压,补偿电路在所述有效电平的驱动下,获取所述源跟随晶体管的阈值电压,并根据所述工作电压和所述阈值电压,形成补偿电压输入至所述源跟随晶体管的栅极;第三阶段:所述第一控制端输入无效电平,所述第二控制端输入有效电平,所述源跟随晶体管的栅极上所施加的电压基于所述光感电压的大小发生变化,并控制所述源跟随晶体管的第二极输出不同的检测电流。
在一些实施例中,在所述光电检测电路包括复位电路的情况下,所述第一阶段执行之前,还包括:复位阶段:所述第一控制端和所述第二控制端均输入无效电平,第三控制端输入有效电平,所述复位电路基于第一复位电压端以及第二复位电压端的控制对所述感光元件以及所述补偿电路进行复位。
本公开的实施例还提供了一种光电传感器,至少包括上述的光电检测电路。
在一些实施例中,所述光电传感器至少包括按照阵列排布的多个所述光电检测电路。
在一些实施例中,还包括:外围处理电路,所述外围处理电路与所述光电检测电路的输出端连接,用于对所述光电检测电路输出的感应电流进行放大处理以及运算处理。
本公开实施例的有益效果在于:通过在光电检测电路中设置补偿电路,并通过补偿电路对源跟随晶体管的阈值电压进行补偿,以消除源跟随晶体管的阈值电压对输出电流的影响,实现光电电测电路的检测均一性和准确性的提升。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中像素电路的结构示意图;
图2为相关技术中像素电路的工作时序图;
图3为本公开第一实施例中光电检测电路的一种示意图;
图4为本公开第一实施例中光电检测电路的一种电路结构示意图;
图5为本公开第一实施例中图4所示电路结构的工作时序图;
图6为本公开第一实施例中光电检测电路的另一种示意图;
图7为本公开第一实施例中光电检测电路的另一种电路结构示意图;
图8为本公开第一实施例中图7所示电路结构的工作时序图;
图9为本公开第四实施例中光电传感器的阵列的示意图。
具体实施方式
此处参考附图描述本公开的各种方案以及特征。
应理解的是,可以对此处申请的实施例做出各种修改。因此,上述说明书不应该视为限制,而仅是作为实施例的范例。本领域的技术人员将想到在本公开的范围和精神内的其他修改。
包含在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例,并且与上面给出的对本公开的大致描述以及下面给出的对实施例的详细描述一起用于解释本公开的原理。
通过下面参照附图对给定为非限制性实例的实施例的优选形式的描述,本公开的这些和其它特性将会变得显而易见。
还应当理解,尽管已经参照一些具体实例对本公开进行了描述,但本领域技术人员能够确定地实现本公开的很多其它等效形式,它们具有如权利要求的特征并因此都位于借此所限定的保护范围内。
当结合附图时,鉴于以下详细说明,本公开的上述和其他方面、特征和优势将变得更为显而易见。
此后参照附图描述本公开的具体实施例;然而,应当理解,所申请的实施例仅仅是本公开的实例,其可采用多种方式实施。熟知和/或重复的功能和结构并未详细描述以避免不必要或多余的细节使得本公开模糊不清。因此,本文所申请的具体的结构性和功能性细节并非意在限定,而是仅仅作为权利要求的基础和代表性基础用于教导本领域技术人员以实质上任意合适的详细结构多样地使用本公开。
本说明书可使用词组“在一种实施例中”、“在另一个实施例中”、“在又一实施例中”或“在其他实施例中”,其均可指代根据本公开的相同或不同实施例中的一个或多个。
为了解决现有技术中的光电检测像素电路所存在的技术问题,本公开第一实施例提供了一种光电检测电路,主要用于进行图像识别,例如作为CMOS、CCD图像传感器阵列,或者作为智能设备中指纹、掌纹、面部识别检测等检测传感器使用。本实施例所提供光电检测电路中设置有补偿电路,并通过补偿电路实现对光电检测电路中源跟随晶体管的阈值电压的补偿,消除源跟随晶体管的阈值电压对输出电流的影响。图3为本实施例中光电检测电路的示意图,该电路中主要包括感光元件P、源跟随晶体管M3以及补偿电路10,其中,补偿电路10与感光元件P的第一极、源跟随晶体管M3的第二极、源跟随晶体管M3的栅极、第一控制端Scan1以及第二控制端Scan2连接,源跟随晶体管M3的第一极与工作电压VDD连接。在实际进行光电检测时,补偿电路10会在第一控制端Scan1以及第二控制端Scan2的控制下,获取源跟随晶体管M3的阈值电压Vth,并根据阈值电压Vth以及工作电压VDD形成补偿电压后输入至源跟随晶体管M3的栅极中,源跟随晶体管M3则可根据其栅极上所施加的电压大小对应输出检测电流,并在补偿电压的作用下,使输出的检测电流不会受到阈值电压Vth的影响,达到准确检测感光元件P所感测到的光照强度的目的。
图4示出了光电检测电路的一种电路结构示意图。如图4所示,补偿电路100至少包括:第一晶体管M1、第二晶体管M2、第四晶体管M4以及第一电容C,其中第一电容C的两个电极分别对应图4中的N1和N2。具体地,第一晶体管M1的第一极与感光元件P的第一极连接,第一晶体管M1的第二极与第四晶体管M4的第二极以及第一电容C的第一极N1连接,第一晶体管M1的栅极与第一控制端Scan1连接,第四晶体管M4的第一极与工作电压VDD连接,第四晶体管M4的第二极与第二控制端Scan2连接,第一电容C的第二极N2与源跟随晶体管M3的栅极以及第二晶体管M2的第二极连接,第二晶体管M2的第一极与源跟随晶体管M3的第二极连接,第二晶体管M2的栅极与第一控制端Scan1连接。
进一步地,基于图4所示的电路结构,电路中还可以包括行选通管M5,其第一极与源跟随晶体管M3的第二极连接,行选通管M5的栅极与所述第二控制端Scan2连接,行选通管M5的第二极用于输出所述源跟随晶体管M3输出的检测电流,其实际可以根据需求连接放大单元和/或处理单元等外围电路,用以进行检测电流的后续处理步骤。
在图4所示的光电检测电路实际工作时,根据第一控制端Scan1和第二控制端Scan2输入的电平值控制电路中实际接入的元件,以完成感光元件P的光生电荷收集、补偿电路10补偿阈值电压或源跟随晶体管M3输出检测电流等功能,对应工作时序图如图5所示。具体地,在图5所示的t1阶段,第一控制端Scan1和第二控制端Scan2均输入无效电平,此时M1至M5均处于关断状态,感光元件P接收光线照射进行光生电荷的收集;其中,感光元件P所输出的光感电压Vpin的大小和感光元件P所受到的光照强度之间遵循一定的函数关系,上述函数关系通常为线性关系,其具体的线性关系或对应的表达式可根据感光元件P的参数或性质发生变化,本实施例在此不进行详细说明。
随后,在图5所示的t2阶段,第一控制端Scan1输入有效电平,第二控制端Scan2输入无效电平,此时M1至M3开启,第一电极N1写入感光元件P所输出的光感电压Vpin,第二电极N2则写入工作电压VDD以及M3的阈值电压Vth,由于第二电极N2与源跟随晶体管M3的栅极连接,第二电极N2上所写入的电压值即为M3的栅极电压,即M3的栅极上所写入的电压为VDD与Vth形成的补偿电压,保证M3在当前阶段中一直处于开启状态。
进一步地,在图5所示的t3阶段,控制第一控制端Scan1输入无效电平,第二控制端Scan2输入有效电平,此时,N1节点电压变为VDD,其电压的调整幅度为(VDD-Vpin),N2节点则处于悬空状态,受到N1节点电压的耦合,N2节点的电压变化情况应与N1节点的电压变化情况相同,即,N2节点的电压在原有补偿电压的基础上,增加了(VDD-Vpin),此时,N2节点的电压为(VDD+Vth+VDD-Vpin),也就是说,M3的栅极上此时所写入的电压为(VDD+Vth+VDD-Vpin)。
源跟随晶体管M3所输出的检测电流基于其自身晶体管参数以及其第一极(源极)和栅极上所施加的电压确定,具体公式如下:
Figure BDA0003206701840000071
其中,Vgs为M3的栅极电压Vg与源极电压Vs之间的电压差,Vth为M3的阈值电压,W为M3内沟道的宽度,L为M3的沟道长度,μ为载流子迁移速率,Cox为M3介电层的单位面积电容值。在M3不变的情况下,上述参数中,除Vgs以外的值均为定值,也就是说,公式(1)最终输出的电流值的大小与Vgs有关。
按照图5所示的电路结构,M3的第一极与工作电压VDD连接,即Vs=VDD,M3的栅极与N2节点的电压相同,即Vg=VDD+Vth+VDD-Vpin,将其带入至公式(1)之后得到如下公式:
Figure BDA0003206701840000072
即,
Figure BDA0003206701840000073
基于上述公式(3)可以确定,M3最终输出的电流值大小与其自身的Vth值无关,仅与感光元件P输出的光感电压Vpin的值相关,因此,通过本实施例所提供的光电检测电路即可实现对源跟随晶体管M3的Vth补偿,提升电路输出结果的均一性和准确性。
在一些实施例中,光电检测电路还可以设置有复位电路用于对电路中其他元件进行复位,以进一步提升电路检测的均一程度,在使用光电检测电路进行光电检测时,避免因各元件的初始状态不同而导致准确性降低的情况发生。具体地,如图6所示,复位电路20主要与光电检测电路中的感光元件P、补偿电路连接10,其同时连接有第一复位电压端Vint1、第二复位电压端Vint2以及第三控制端Scan3,用以在第三控制端Scan3的控制下,根据第一复位电压端Vint1和第二复位电压端Vint2所输入的复位电压对感光元件P和补偿电路10中的各个元件进行复位。
图7示出了一种光电检测电路的电路结构示意图,其在图4的基础上,增加了第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8,第六晶体管M6的第一极与第一复位电压端Vint1连接,第六晶体管M6的第二极与第一电容C的第一极N1连接,第六晶体管M6的栅极与第三控制端Scan3连接,第七晶体管M7的第一极与感光元件P的第一极连接,第七晶体管M7的第二极与第一复位电压端Vint1连接,七晶体管M7的栅极与第三控制端Scan3连接,第八晶体管M8的第一极与第二复位电压端Vint2连接,第八晶体管M8的第二极与第一电容C的第二极N2连接,第八晶体管M8的栅极与第三控制端Scan3连接。
基于图7所示的电路结构,在感光元件P收集光生电荷之前,控制第三控制端Scan3输入有效电平,第一控制端Scan1和第二控制端Scan2均输入无效电平,M6至M8开启,M1至M5均处于关断状态,基于第一复位电压端Vint1所输入的信号实现对N1节点以及感光元件P的复位,基于第二复位电压端Vint2所输入的信号对N2节点进行复位。在实际实现时,第一复位电压端Vint1和第二复位电压端Vint2所输入的信号可以为相同信号也可以为不同信号,二者均为直流信号。图8为图7对应电路的工作时序图,如图8所示,在图5所示的时序阶段之间,还包括复位阶段t0,实现电路复位。
需要注意的是,本实施例中所有的晶体管可以是薄膜晶体管(TFT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSTET),或者其他具有同样功能的三极管,晶体管可以是N型也可以是P型,对应各个控制端所输入的电平值也根据晶体管类型不同而有所差异,在此不做特别限定。同时,感光元件P的第一极与补偿电路连接,其第二极与直流偏压Vbias连接,用以驱动感光元件P,其实际可以使用如图3至图7中任意一个附图中所示的光敏二极管,也可以使用其他有机或无机光敏器件本实施例不做限制。另外,本实施例中所提供的复位电路20的实现方式仅为可以实现的一种实施方式,在实际实现时也可选用独立的复位模块或其他能达到相同复位效果的电路结构,本实施例不进行具体限制。
本公开的第二实施例提供了一种光电检测电路的驱动方法,主要包括:第一阶段、第二阶段和第三阶段,参考图5,在驱动光电检测电路时,在各个阶段主要实现以下步骤:
第一阶段(对应图5中t1阶段):
第一控制端和第二控制端均输入无效电平,感光元件进行光电荷收集;具体地,此时M1至M5均处于关断状态,感光元件P接收光线照射进行光生电荷的收集。
第二阶段(对应图5中t2阶段):
第一控制端输入有效电平,第二控制端输入无效电平,感光元件输出光感电压,补偿电路在有效电平的驱动下,获取源跟随晶体管的阈值电压,并根据工作电压和阈值电压,形成补偿电压输入至源跟随晶体管的栅极;具体地,此时M1至M3开启,第一电极N1写入感光元件P所输出的光感电压Vpin,第二电极N2则写入工作电压VDD以及M3的阈值电压Vth,由于第二电极N2与源跟随晶体管M3的栅极连接,第二电极N2上所写入的电压值即为M3的栅极电压,即M3的栅极上所写入的电压为VDD与Vth形成的补偿电压,保证M3在当前阶段中一直处于开启状态。
第三阶段(对应图5中t3阶段):
第一控制端输入无效电平,第二控制端输入有效电平,源跟随晶体管的栅极上所施加的电压基于光感电压的大小发生变化,并控制源跟随晶体管的第二极输出不同的检测电流;具体地,此时,N1节点电压变为VDD,其电压的调整幅度为(VDD-Vpin),N2节点则处于悬空状态,受到N1节点电压的耦合,N2节点的电压变化情况应与N1节点的电压变化情况相同,即,N2节点的电压在原有补偿电压的基础上,增加了(VDD-Vpin),此时,N2节点的电压为(VDD+Vth+VDD-Vpin),也就是说,M3的栅极上此时所写入的电压为(VDD+Vth+VDD-Vpin),此时通过第一实施例中所提供的光电检测电路即可实现对源跟随晶体管M3的Vth补偿,使其输入的检测电流值不受阈值电压影响,提升电路输出结果的均一性和准确性。
在光电检测电路中包含复位电路的情况下,如图8所示,在t1阶段执行之前,还包括复位阶段(t0),此时第一控制端和第二控制端均输入无效电平,第三控制端输入有效电平,复位电路基于第一复位电压端以及第二复位电压端的控制对感光元件以及补偿电路进行复位。
本实施例通过对第一实施例所提供的光电检测电路进行驱动,实现对源跟随晶体管阈值电压的补偿,使其在使用过程中消除源跟随晶体管的阈值电压对输出电流的影响,实现光电电测电路的检测均一性和准确性的提升。
本公开第三实施例提供了一种光电传感器,其至少包括本公开第一实施例中所提供的光电检测电路,主要用于进行图像识别,例如作为CMOS、CCD图像传感器阵列,或者作为智能设备中指纹、掌纹、面部识别检测等检测传感器使用,尤其是针对玻璃基底的图像传感器中,通过设置本实施例所提供的光电传感器,可以实现对光线的准确检测,提升传感器的检测准确性。
在实际实现时,光电传感器中所包含的光电检测电路的数量会根据像素的设置情况设置多个,并且会按照阵列排布的方式对多个光电检测电路进行设计实现。图9示出了一种光电传感器阵列的示意图,图中所连接的光电检测电路为图7所示的光电检测电路,图9中共示出了以2*2阵列形式排布的共四个光电检测电路,在实际实现时,可以根据光电传感器的大小和实际需求设置不同尺寸的阵列排布,以实现光电传感器所对应区域内的光照强度的精准检测。
另外,如图9所示,光电传感器中还包括外围处理电路,其与光电传感器阵列中的每一个光电检测电路的输出端均进行连接,用以对光电检测电路输出的感应电流进行放大处理以及运算处理,其具体可以选用的型号或所能实现的功能可根据实际情况调整,本实施例不进行限制。
以上对本公开多个实施例进行了详细说明,但本公开不限于这些具体的实施例,本领域技术人员在本公开构思的基础上,能够做出多种变型和修改实施例,这些变型和修改都应落入本公开所要求保护的范围之内。

Claims (11)

1.一种光电检测电路,其特征在于,包括:感光元件、源跟随晶体管以及补偿电路;其中,
所述补偿电路与所述感光元件的第一极、所述源跟随晶体管的第二极、所述源跟随晶体管的栅极、第一控制端以及第二控制端连接,所述源跟随晶体管的第一极与工作电压连接;
所述补偿电路被配置为:在所述第一控制端和所述第二控制端的控制下,获取所述源跟随晶体管的阈值电压,并根据所述工作电压和所述阈值电压,形成补偿电压输入至所述源跟随晶体管的栅极。
2.根据权利要求1所述的光电检测电路,其特征在于,所述补偿电路至少包括:
第一晶体管、第二晶体管、第四晶体管以及第一电容;其中,
所述第一晶体管的第一极与所述感光元件的第一极连接,所述第一晶体管的第二极与所述第四晶体管的第二极以及所述第一电容的第一极连接,所述第一晶体管的栅极与所述第一控制端连接,所述第四晶体管的第一极与所述工作电压连接,所述第四晶体管的第二极与所述第二控制端连接,所述第一电容的第二极与所述源跟随晶体管的栅极以及所述第二晶体管的第二极连接,所述第二晶体管的第一极与所述源跟随晶体管的第二极连接,所述第二晶体管的栅极与所述第一控制端连接。
3.根据权利要求2所述的光电检测电路,其特征在于,在所述第一控制端输入有效电平,并且所述第二控制端输入无效电平时,所述补偿电路向所述源跟随晶体管的栅极输入所述补偿电压;
在所述第一控制端输入无效电平,并且所述第二控制端输入有效电平时,所述第一电容的第一极上所施加的电压由所述感光元件输出的光感电压调整为所述工作电压,所述源跟随晶体管的栅极上所施加的电压根据所述第一电容的第一极上的电压调整幅度进行调整,使所述源跟随晶体管的第二极输出的感应电流基于所述感光元件输出的光感电压的大小进行调整。
4.根据权利要求1所述的光电检测电路,其特征在于,还包括:
行选通管,所述行选通管的第一极与所述源跟随晶体管的第二极连接,所述行选通管的栅极与所述第二控制端连接,所述行选通管的第二极用于输出所述源跟随晶体管输出的检测电流。
5.根据权利要求2所述的光电检测电路,其特征在于,还包括:
复位电路;所述复位电路与所述感光元件、所述补偿电路、第一复位电压端、第二复位电压端以及第三控制端连接;
所述复位电路被配置为根据所述第三控制端、所述第一复位电压端以及所述第二复位电压端的控制对所述感光元件以及所述补偿电路进行复位。
6.根据权利要求5所述的光电检测电路,其特征在于,所述复位电路至少包括:
第六晶体管、第七晶体管以及第八晶体管;其中,
所述第六晶体管的第一极与所述第一复位电压端连接,所述第六晶体管的第二极与所述第一电容的第一极连接,所述第六晶体管的栅极与所述第三控制端连接,所述第七晶体管的第一极与所述感光元件的第一极连接,所述第七晶体管的第二极与所述第一复位电压端连接,所述七晶体管的栅极与所述第三控制端连接,所述第八晶体管的第一极与所述第二复位电压端连接,所述第八晶体管的第二极与所述第一电容的第二极连接,所述第八晶体管的栅极与所述第三控制端连接。
7.一种如权利要求1至6中任一项所述的光电检测电路的驱动方法,其特征在于,包括:
第一阶段:
第一控制端和第二控制端均输入无效电平,感光元件进行光电荷收集;
第二阶段:
所述第一控制端输入有效电平,所述第二控制端输入无效电平,所述感光元件输出光感电压,补偿电路在所述有效电平的驱动下,获取所述源跟随晶体管的阈值电压,并根据所述工作电压和所述阈值电压,形成补偿电压输入至所述源跟随晶体管的栅极;
第三阶段:
所述第一控制端输入无效电平,所述第二控制端输入有效电平,所述源跟随晶体管的栅极上所施加的电压基于所述光感电压的大小发生变化,并控制所述源跟随晶体管的第二极输出不同的检测电流。
8.根据所述权利要求7所述的驱动方法,其特征在于,在所述光电检测电路包括复位电路的情况下,所述第一阶段执行之前,还包括:
复位阶段:
所述第一控制端和所述第二控制端均输入无效电平,第三控制端输入有效电平,所述复位电路基于第一复位电压端以及第二复位电压端的控制对所述感光元件以及所述补偿电路进行复位。
9.一种光电传感器,其特征在于,至少包括如权利要求1至6中任一项所述的光电检测电路。
10.根据权利要求9所述的光电传感器,其特征在于,所述光电传感器至少包括按照阵列排布的多个所述光电检测电路。
11.根据权利要求9或10所述的光电传感器,其特征在于,还包括:
外围处理电路,所述外围处理电路与所述光电检测电路的输出端连接,用于对所述光电检测电路输出的感应电流进行放大处理以及运算处理。
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